TWI609540B - 可提升使用效能的面射型雷射 - Google Patents

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Description

可提升使用效能的面射型雷射
本發明係關於一種面射型雷射，尤指一種可提升使用效能的面射型雷射。
雷射是光電產業的一個非常重要的發展，在許多製造業中皆會使用到雷射，如雷射切割機、雷射雕刻機及雷射測距儀等，都會使用到雷射，雷射分為面射型雷射(Surface emitting Laser)和邊射型雷射(Edge Emitting Laser)，目前面射型雷射為主要發展方向，因為面射型雷射在製作上較邊射型雷射簡單，且完成即可測試，因此面射型雷射成為發展趨勢。
面射型雷射主要透過半導體製程中的磊晶成長方法，如一金屬有機物化學氣相沉積法(Metal organic chemical-vapor deposition, MOCVD)、一氣相磊晶法(Vapor Phase Epitoxy, VPE)、一液相磊晶法(Liquid Phase Epitoxy, LPE)或一分子束磊晶法(Molecular Beam Epitoxy, MBE)沉積、成長而成，並經由半導體製程中的一黃光製程(Photolithography)、一蝕刻製程(Etching Process)、一舉離製程(Lift-off Process)、一薄膜沉積製程(Thin Film Deposition Process)、一金屬沉積製程(Metal Film Deposition Process)、一塗佈製程(Spin Porcess)、一合金製程(Alloy process)、一晶圓貼合製程(Wafer Bonding Process)及一雷射剝離製程(Laser Liift-off Process)等製程步驟搭配組合以製作而成；面射型雷射在一雷射發光結構和一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector, DBR, 以下簡稱DBR層)之間會製作一電流阻擋層，藉由限制電流形成電場在該雷射發光結構層的範圍產生光，並且經由該DBR層反射形成共振增益，再以雷射形式發出，由於該電流阻擋層係用來侷限電流在該雷射發光結構內的範圍形成電場，使面射型雷射得以激發出雷射光，因此，該電流阻擋層就非常重要。
已知的一種該電流阻擋層製作方法，主要透過氧化的方式，使該雷射發光結構層的表面氧化形成一氧化結構，且該氧化結構為絕緣，但這種氧化製作方法對於氧化的過程無法控制，使該氧化結構的品質不穩定，導致該電流阻擋層無法有效阻擋電流，且由於該氧化結構係由氧化方式所形成，因此該氧化結構的體積會膨脹變形，使該DBR層和該雷射發光結構層的結合效果變差而變得容易剝離，以造成面射型雷射效能變差。
已知的又一種該電流阻擋層的製作方法，透過一離子佈植的方法將該雷射發光結構層的最上方定義出該電流阻擋層，該離子佈植的方法係利用將氫離子佈植在該雷射發光結構層上，以對該雷射發光結構層的最上方造成鍵結破壞，使該雷射發光結構層的最上方形成絕緣，但這種製作方法會讓該雷射發光結構層最上方的表面變得非常粗糙，使得該DBR層與該雷射發光結構層的結合面(Interface)變得非常不均勻，導致該DBR層的反射率降低，且由於氫離子的佈植深度較難掌握，當氫離子佈植過深時，會對該雷射發光結構層產生傷害，或當氫離子佈植過淺，會導致該電流阻擋層的阻擋電流效果變差。
由上述可知，現有技術中的電流阻擋層的製作方法，均屬破壞性的製作方法以製作出該電流阻擋層，但由於氧化的製作方法或離子佈植的製作方法，在製作上皆無法有效控制精準度，以至於製作出來的該電流阻擋層的品質不穩定，容易導致面射型雷射在結構上產生瑕疵，使面射型雷射的效能變差。
有鑑於上述現有技術在電流阻擋層的製作上所存在的問題，本發明係提供一種可提升使用效能的面射型雷射，透過以半導體磊晶方法成長而成的電流阻擋層，使得面射型雷射結構具有較好的結合效果，藉此達到提升面射型雷射效能的目的。
為實現上述目的所採取的技術手段，係令前述可提升使用效能的面射型雷射包含： 一導電基板； 一金屬接合層，其設置在該導電基板上表面； 一雷射結構層，其設在該金屬接合層上表面，該雷射結構層具有一磊晶電流阻擋層，該磊晶電流阻擋層開設有一電流流通口供電流流通； 一磊晶半導體反射層，其設置在該雷射結構層上表面； 一電極層，其設置在該磊晶半導體反射層上表面，供封裝通電用； 其中，該磊晶電流阻擋層係以一半導體磊晶方法成長而成，並且該磊晶電流阻擋層半導體材料型態與該雷射結構層的半導體材料型態不同。
透過上述構造可知，由於該雷射結構層內的磊晶電流阻擋層以半導體磊晶方法成長而成，因此不需要透過無法控制的氧化製作方法導致該雷射結構層膨脹，而造成該雷射結構層和該磊晶半導體反射層剝離，也不需要透過離子佈植方法使該雷射結構層的表面不平整，由於該磊晶電流阻擋層的結構平整，使該雷射結構層的結構較平整，讓該雷射結構層與該磊晶半導體反射層的結合面具有較好、且平整的結合效果，以達到提升面射型雷射效能的目的。
為實現上述目的所採取的又一技術手段，係令前述可提升使用效能的面射型雷射包含： 一導電基板； 一第一磊晶半導體反射層，其設置在該導電基板上表面； 一雷射結構層，其設在該第一磊晶半導體反射層上表面，該雷射結構層具有一磊晶電流阻擋層，該磊晶電流阻擋層開設有一電流流通口供電流流通； 一第二磊晶半導體反射層，其設置在該雷射結構層上表面； 一電極層，其設置在該第二磊晶半導體反射層上表面，供封裝通電用； 其中，該磊晶電流阻擋層係以一半導體磊晶方法成長而成，並且該磊晶電流阻擋層半導體材料型態與該雷射結構層的半導體材料型態不同。
透過上述構造可知，由於該雷射結構層內的磊晶電流阻擋層以半導體磊晶方法成長而成，因此不需要透過無法控制的氧化製作方法導致該雷射結構層膨脹，而造成該雷射結構層和該第一、第二磊晶半導體反射層分離，也不需要透過離子佈植方法使該雷射結構層的表面不平整，由於該磊晶電流阻擋層的結構平整，使該雷射結構層的結構較平整，讓該雷射結構層與該第一、第二磊晶半導體反射層的結合面具有較好的結合效果，以達到提升面射型雷射效能的目的。
關於本發明可提升使用效能的面射型雷射之第一較佳實施例請參閱圖1所示，其包括一導電基板10、一金屬接合層11、一雷射結構層20、一磊晶半導體反射層12及一第一電極層13；該雷射結構層20、該磊晶半導體反射層12及該第一電極層13組成一面射型雷射結構，該面射型雷射結構透過一半導體磊晶方法及一半導體製程製作而成；本實施例中，該半導體磊晶方法可為一有機金屬化學氣相沉積法；該半導體製程係由黃光製程(Photolithography)、一蝕刻製程(Etching Process)、一舉離製程(Lift-off Process)、一薄膜沉積製程(Thin Film Deposition Process)、一金屬沉積製程(Metal Film Deposition Process)、一塗佈製程(Spin Porcess)及一合金製程(Alloy process)等製程步驟搭配組合。
本實施例中，該導電基板10係為一具有良好的散熱性及導電性的導電基板；該導電基板10可為一鉬材料、一磷化鎵材料、一矽材料、一鋁材料或一銅材料所構成。
本實施例中，該面射型雷射結構與該導電基板10的結合，係透過一半導體晶圓貼合方法(Wafer Bonding Process)，首先於該導電基板10的上表面設有該金屬接合層11後，將原本用以承載該面射型雷射結構的一基板，與該面射型雷射結構分離後，再將該面射型雷射轉移至該金屬接合層11上表面，以構成一面射型雷射；本實施例中，於該導電基板10的下表面設有一第二電極層14。
本實施例中，該金屬接合層11用以接合該雷射結構層20及該導電基板10，該金屬接合層11可做為導電及反射該雷射結構層20所產生的光使用，使光在該金屬接合層11及該磊晶半導體反射層12之間來回共振，以形成共振增益最後以雷射形式發出。
該磊晶半導體反射層12由二種不同折射率的半導體材料交疊組成布拉格反射鏡。
該第一電極層13及該第二電極層14用以輸入電壓／電流供測試，及後續封裝的電連接，該第二電極層14與該第一電極層13的半導體型態不同且互為不同極性，當該第一電極層13為正極，則該第二電極層14為負極，反之，該第一電極層13為負極，該第二電極層14為正極。
該雷射結構層20具有一第一磊晶電流阻擋層21，該第一磊晶電流阻擋層21的中間位置開設有一第一電流流通口211，供電流僅從該第一電流流通口211流通；本實施例中，該雷射結構層20從該金屬接合層11上表面依序具有一第一半導體磊晶層22、一發光反應主動層23及一第二半導體磊晶層24，該第一磊晶電流阻擋層21係設於該第一半導體磊晶層22內；本實施例中，該第一半導體磊晶層22的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相反，當該第一半導體磊晶層22為一P型半導體，該第二半導體磊晶層24則為一N型半導體，反之，當該第一半導體磊晶層22為一N型半導體，該第二半導體磊晶層24則為一P型半導體。
本實施例中，該磊晶半導體反射層12可為一P型半導體反射層或一N型半導體反射層，該磊晶半導體反射層12的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相匹配，當該第二半導體磊晶層24為一N型半導體，則該磊晶半導體反射層12對應為一N型半導體反射層，反之，當該第二半導體磊晶層24為一P型半導體，則該磊晶半導體反射層12對應為一P型半導體反射層。
請參閱圖2-1、2-2所示，該第一磊晶電流阻擋層21係由一半導體磊晶方法成長而成，該第一磊晶電流阻擋層21可由一層N型半導體或一層P型半導體所構成，或者由三層以上N型半導體及P型半導體交互堆疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層21的N型半導體及P型半導體的交互堆疊之層數總和為奇數層。
本實施例中，該第一磊晶電流阻擋層21為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第一磊晶電流阻擋層21與該第一半導體磊晶層22的型態相反，即該第一半導體磊晶層22為一N型半導體，則該第一磊晶電流阻擋層21為一P型半導體，反之，當該第一半導體磊晶層22為一P型半導體，則該第一磊晶電流阻擋層21為一N型半導體。
本實施例中，當該第一磊晶電流阻擋層21為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第一磊晶電流阻擋層21的最上層及最下層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層22的半導體材料型態相反，即當該第一半導體磊晶層22為一P型半導體，該第一磊晶電流阻擋層21的最上層及最下層均為一N型半導體，反之，當該第一半導體磊晶層22為一N型半導體，該第一磊晶電流阻擋層21的最上層及最下層的半導體材料則為一P型半導體。
本實施例中，藉由該第一磊晶電流阻擋層21與該第一磊晶半導體層22相接合的表面形成異質接面結構，以有效阻擋電流從該第一磊晶電流阻擋層21流通，以侷限電流僅能從該第一電流流通口211流過，由於該第一磊晶電流阻擋層21係透過半導體磊晶方法成長而成，對於該面射型雷射並不會造成任何傷害，使該雷射結構層20的結構平整，讓其與該金屬接合層11及該磊晶半導體反射層12的接合面具有較好的結合效果，可有效提升該面射型雷射的效能。
請參閱圖3所示，為本發明第二較佳實施例，第二較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第二較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層15；將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處的厚度保留，並透過半導體製程使該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定，且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15，且該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15以保護該金屬接合層11。
請參閱圖4所示，為本發明第三較佳實施例，第三較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第三較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層15A；將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211口徑二側處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15A，且該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15A的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15A以保護該金屬接合層11。
請參閱圖5所示，為本發明第四較佳實施例，第四較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第四較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，並進一步具有一導電金屬16；透過半導體製程將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處蝕刻形成一凹槽17，且該導電金屬16係匹配的設在該凹槽17內以對應該第一電流流通口211，該導電金屬16的表面及該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖6所示，為本發明第五較佳實施例，第五較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第四較佳實施例的金屬接合層11的結構有所不同，並進一步具有二導電金屬16A；透過半導體製程將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211的口徑二側處分別向下蝕刻形成一凹槽17A，該等導電金屬16A分別匹配的設在該等凹槽17A內，該等導電金屬16A的表面及該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該等導電金屬16A使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖7所示，為本發明第六較佳實施例，第六較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第六較佳實施例進一步具有一透明導電層18及一導電金屬16B；該透明導電層18設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，利用半導體製程將該透明導電層18對應該第一電流流通口211處向下蝕刻形成一凹槽17B，該導電金屬16B匹配的設在該凹槽17B內，該導電金屬16B的表面與該透明導電層18的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18使電流具有較良好的流通性，該導電金屬16B使電流有效集中避免電流分散。
請參閱圖8所示，為本發明第七較佳實施例，第七較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第七較佳實施例進一步具有一透明導電層18A及二導電金屬16C；在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間設置該透明導電層18A，在該透明導電層18A對應該第一電流流通口211的口徑二側處分別向下蝕刻以形成一凹槽17C，該等導電金屬16C分別匹配的設在該等凹槽17C內，該等導電金屬16C的表面與該透明導電層18A的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18A使電流具有較良好的流通性，該等導電金屬16C使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖9所示，為本發明第八較佳實施例，第八較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第八較佳實施例進一步具有一透明導電層18B、一導電金屬16D及一絕緣層15B，在該金屬接合層11與該雷射結構層20間設置該透明導電層18B，在該透明導電層18B對應該第一電流流通口211處設有該導電金屬16D以對應該第一電流流通口211，在該透明導電層18B表面及該導電金屬16D周圍設有該絕緣層15B，該絕緣層15B表面與該導電金屬16D表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16D使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層15B保護該透明導電層18B，且該透明導電層18B使電流具有較良好的流通性。
請參閱圖10所示，為本發明第九較佳實施例，第九較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第九較佳實施例進一步具有一透明導電層18C、二導電金屬16E及一絕緣層15C，在該金屬接合層11與該雷射結構層20間設有該透明導電層18C，在該透明導電層18C對應該第一電流流通口211的口徑二側處分別設有該導電金屬16E，在該透明導電層18C表面及該等導電金屬16E周圍設有該絕緣層15C，該絕緣層15C的表面與該等導電金屬16E的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16E使電流有效集中避免分散，透過該絕緣層15C保護該透明導電層18C及避免電流流經其它地方，該透明導電層18C使電流具有較良好的流通性。
請參閱圖11所示，為本發明第十較佳實施例，第十較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第十較佳實施例進一步具有一透明導電層18D及一整層的導電金屬16F，該透明導電層18D設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，在該透明導電層18D及該雷射結構層20之間設有該導電金屬16F，該導電金屬16F為整層結構設置以匹配該透明導電層18D及該雷射結構層20，該透明導電層18D使電流具有較良好的流通性，並透過整層的該導電金屬16F使電流能均勻分佈的流通。
請參閱圖12所示，為本發明第十一較佳實施例，第十一較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第十一較佳實施例的第一磊晶電流阻擋層21的位置有所不同，該第一磊晶電流阻擋層21係位於該第二半導體磊晶層24內，該第一磊晶電流阻擋層21為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第一磊晶電流阻擋層21的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層21為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第一磊晶電流阻擋層21的最上層及最下層的半導體材料與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相反。
請參閱圖13所示，為本發明第十二較佳實施例，第十二較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十二較佳實施例進一步具有一絕緣層15D，將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15D，且該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15D的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15D以保護該金屬接合層11。
請參閱圖14所示，為本發明第十三較佳實施例，第十三較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十三較佳實施例進一步具有一絕緣層15E，將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211的口徑二側處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15E，該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15E的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15E以保護該金屬接合層11。
請參閱圖15所示，為本發明第十四較佳實施例，第十四較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十四較佳實施例的金屬接合層11的結構有所不同，並進一步具有一導電金屬16G；透過半導體製程將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處向下蝕刻形成一凹槽17D，該導電金屬16G匹配的設在該凹槽17D內以對應該第一電流流通口211，該導電金屬16G的表面與該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16G使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖16所示，為本發明第十五較佳實施例，第十五較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十五較佳實施例的金屬接合層11的結構有所不同，並進一步具有二導電金屬16H，透過半導體製程將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211的口徑二側處向下蝕刻以分別形成一凹槽17E，該等導電金屬16H分別匹配的設在該等凹槽17E內，該等導電金屬16H的表面與該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該等導電金屬16H使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖17所示，為本發明第十六較佳實施例，第十六較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十六較佳實施例進一步包括一透明導電層18E及一導電金屬16I，該透明導電層18E設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20間，該透明導電層18E對應該第一電流流通口211處，藉由半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽17F，該導電金屬16I匹配的設在該凹槽17F內，以對應該第一電流流通口211，該導電金屬16I的表面與該透明導電層18E的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18E使電流具有較良好的流通性，該導電金屬16I使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖18所示，為本發明第十七較佳實施例，第十七較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十七較佳實施例進一步具有一透明導電層18F及二導電金屬16J；該透明導電層18F設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20間，該透明導電層18F對應該第一電流流通口211的口徑二側處，透過半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽17G，該等導電金屬16J分別匹配的設在該等凹槽17G內，該透明導電層18F的表面與該等導電金屬16J的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18F使電流具有較良好的流通性，該導電金屬16J使電流有效被集中避免電流分散。
請參閱圖19所示，為本發明第十八較佳實施例，第十八較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十八較佳實施例進一步具有一透明導電層18G、一絕緣層15F及一導電金屬16K；該透明導電層18G設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，該透明導電層18G對應該第一電流流通口211處的表面設有該導電金屬16K，該導電金屬16K對應該第一電流流通口211，該透明導電層18G表面及該導電金屬16K周圍設有該絕緣層15F，該絕緣層15F的表面與該導電金屬16K的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18G使電流具有較良好的流通性，該導電金屬16K使電流有效被集中避免電流分散，該絕緣層15F保護該透明導電層18G及避免電流流經其它地方。
請參閱圖20所示，為本發明第十九較佳實施例，第十九較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第十九較佳實施例進一步具有一透明導電層18H、一絕緣層15G及二導電金屬16L；該透明導電層18H設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20間，該透明導電層18H對應該第一電流流通口211的口徑二側處的表面分別設有該導電金屬16L，在該透明導電層18H表面及該等導電金屬16L周圍設有該絕緣層15G，該絕緣層15G的表面與該等導電金屬16L的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該透明導電層18H使電流具有較良好的流通性，該等導電金屬16L使電流有效被集中避免電流分散，該絕緣層15G保護該透明導電層18H及避免電流流經其它地方。
請參閱圖21所示，為本發明第二十較佳實施例，第二十較佳實施例與第十一較佳實施例大致相同，惟第二十較佳實施例進一步具有一整層的導電金屬16M、一透明導電層18I；在該金屬接合層11及該雷射結構層20間設有該透明導電層18I，該透明導電層18I及該雷射結構層20之間設置該導電金屬16M，該導電金屬16M為整層設置以匹配該雷射結構層20及該透明導電層18I，藉由該透明導電層18I使電流具有較良好的流通性，並透過整層的該導電金屬16M使電流能均勻分佈的流通。
請參閱圖22所示，為本發明第二十一較佳實施例，第二十一較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，惟第二十一較佳實施例進一步具有一第二磊晶電流阻擋層25，該第二磊晶電流阻擋層25位於該第二半導體磊晶層24內，該第二磊晶電流阻擋層25的中間位置開設有一第二電流流通口251，該第二電流流通口251對應該第一電流流通口211，以供電流於該第一電極層13及該金屬接合層11間流通。
本實施例中，該第二磊晶電流阻擋層25和該第一磊晶電流阻擋層21相同，當該第二磊晶電流阻擋層25為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第二磊晶電流阻擋層25的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相反，該第二磊晶電流阻擋層25為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第二磊晶電流阻擋層25的最上層及最下層的半導體材料與該第二半導體磊晶層24的半導體材料型態相反。
請參閱圖23所示，為本發明第二十二較佳實施例，第二十二較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十二較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層15H；將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15H，且該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15H的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15H以保護該金屬接合層11。
請參閱圖24所示，為本發明第二十三較佳實施例，第二十三較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十三較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層15I；將該金屬接合層11對應該第一電流流通口211的口徑二側處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11的一半厚度，在該金屬接合層11被蝕刻部分的表面設有該絕緣層15I，該金屬接合層11被保留部分的表面與該絕緣層15I的表面齊平並與該第一半導體磊晶層22接合，藉此使電流有效被集中避免電流分散，並透過該絕緣層15I以保護該金屬接合層11避免電流流經其它地方。
請參閱圖25所示，為本發明第二十四較佳實施例，第二十四較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十四較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有一導電金屬16N；該金屬接合層11對應該第一電流流通口211處，透過半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽17H，該導電金屬16N匹配的設在該凹槽17H內，以對應該第一電流流通口211，該導電金屬16N的表面與該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16N使電流有效集中避免電流分散。
請參閱圖26所示，為本發明第二十五較佳實施例，第二十五較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十五較佳實施例的該金屬接合層11的結構有所不同，且進一步具有二導電金屬16O；該金屬接合層11對應該第一電流流通口211的口徑二側處，透過半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽17I，該等導電金屬16O分別匹配的設置在該等凹槽17I內，該等導電金屬16O的表面與該金屬接合層11的表面齊平並與該雷射結構層20接合，藉由該導電金屬16O使電流有效集中避免電流分散。
請參閱圖27所示，為本發明第二十六較佳實施例，第二十六較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十六較佳實施例進一步具有一透明導電層18J及一導電金屬16P，該透明導電層18J設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，該透明導電層18J對應該第一電流流通口211處，透過半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽17J，該導電金屬16P匹配的設置在該凹槽17J內以對應該第一電流流通口211，該導電金屬16P的表面與該透明導電層18J的表面齊平並與該雷射結構層20接合，透過該導電金屬16P使電流有效集中避免分散，透過該透明導電層18J使電流具有良好的流通性。
請參閱圖28所示，為本發明第二十七較佳實施例，第二十七較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十七較佳實施例進一步具有一透明導電層18K及二導電金屬16Q；在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間設置該透明導電層18K，該透明導電層18K對應該第一電流流通口211的口徑二側處，透過半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽17K，該等導電金屬16Q分別匹配的設在該等凹槽17K內，該等導電金屬16Q的表面與該透明導電層18K的表面齊平並與該雷射結構層20接合，透過該等導電金屬16Q使電流有效集中避免分散，透過該透明導電層18K使電流具有良好的的流通性。
請參閱圖29所示，為本發明第二十八較佳實施例，第二十八較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十八較佳實施例進一步具有一透明導電層18L、一絕緣層15J及一導電金屬16R，該透明導電層18L設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，該透明導電層18L對應該第一電流流通口211處的表面設置該導電金屬16R，以對應該第一電流流通口211，在該透明導電層18L表面及該導電金屬16R周圍設置該絕緣層15J，該導電金屬16R的表面及該絕緣層15J的表面齊平並與該雷射結構層20接合，透過該導電金屬16R使電流有效集中避免分散，透過該透明導電層18L使電流具有良好的流通性，藉由該絕緣層15J保護該透明導電層18L及避免電流流經其它地方。
請參閱圖30所示，為本發明第二十九較佳實施例，第二十九較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第二十九較佳實施例進一步具有一透明導電層18M、一絕緣層15K及二導電金屬16S，該透明導電層18M設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，在該透明導電層18M對應該第一電流流通口211的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬16S，使該等導電金屬16S對應該第一電流流通口211口徑二側，在該透明導電層18M表面及該等導電金屬16S周圍設置該絕緣層15K，該等導電金屬16S的表面與該絕緣層15K的表面齊平並與該雷射結構層20接合，透過該等導電金屬16S使電流有效集中避免分散，透過該透明導電層18M使電流具有良好的流通性，藉由該絕緣層15K保護該透明導電層18M且避免電流流經其它地方。
請參閱圖31所示，為本發明第三十較佳實施例，第三十較佳實施例與第二十一較佳實施例大致相同，惟第三十較佳實施例進一步具有一透明導電層18N及一整層的導電金屬16T，該透明導電層18N設置在該金屬接合層11及該雷射結構層20之間，在該透明導電層18N及該雷射結構層20之間設有該導電金屬16T，該導電金屬16T為整層結構設置以匹配該透明導電層18N及該雷射結構層20，藉由該透明層18M使電流具有良好的流通性，透過整層的該導電金屬16T使電流能均勻分佈的流通。
前述各實施例中，所分別提到的絕緣層15~15K可為一二氧化鈦(TiO2 )透明介電材料或一二氧化矽(SiO2 )透明介電材料、一氮化矽(Si3 N4 )透明介電材料、一氟化鎂(MgF2 )透明介電材料或一透明的絕緣高分子材料(Insulating Polymers)等。
前述各實施例中，所分別提到的透明導電層18~18N可為一銦錫氧化物(ITO)、一氧化鋅(ZnO)、一氧化銦鋅錫(IZTO)、一氧化銦鎵鋅(IGZO)、一β相氧化鎵(β-Ga2 O3 )等。
請參閱圖32所示，為本發明第三十一較佳實施例，其包含一導電基板10A、一第一磊晶半導體反射層30、一雷射結構層20A、一第二磊晶半導體反射層40及一第一電極層13A；該第一磊晶半導體反射層30、該雷射結構層20A、該第二磊晶半導體反射層40及該第一電極層13A組成一面射型雷射結構，該面射型雷射結構透過半導體製程製作而成。
本實施例中，該導電基板10A係為一具有良好的散熱性及導電性的導電基板；該導電基板10A可為一鉬材料、一磷化鎵材料、一矽材料、一鋁材料或一銅材料所構成。
本實施例中，該面射型雷射結構與該導電基板10A的結合，係透過一半導體晶圓貼合方法，將原本用以承載該面射型雷射結構的一基板，與該面射型雷射結構分離後，將該面射型雷射結構轉移至該導電基板10A的上表面，以構成一面射型雷射；本實施例中，於該導電基板10A的下表面設有一第二電極層14A。
本實施例中，該雷射結構層20A所產生的光在該第一、第二磊晶半導體反射層30、40反射形成共振增益，再以雷射形式發出；該第一、第二磊晶半導體反射層30、40由二種不同折射率的半導體材料交疊組成布拉格反射鏡；該第一、第二電極層13A、14A用來輸入電壓／電流供測試，或者後續封裝的電連接，並且，該第二電極層14A的半導體材料型態與該第一電極層13A的半導體材料型態不同且互為不同極性。
該雷射結構層20A具有一第一磊晶電流阻擋層21A，該第一磊晶電流阻擋層21A的中間位置開設一第一電流流通口211A，供電流僅從該第一電流流通口211A流通；本實施例中，該雷射結構層20A從該第一磊晶半導體反射層30表面上依序具有一第一半導體磊晶層22A、一發光反應主動層23A及一第二半導體磊晶層24A，該第一半導體磊晶層22A的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層21A位於該第一半導體磊晶層22A內。
本實施例中，該第一、第二磊晶半導體反射層30、40的半導體材料型態相反，該第一磊晶半導體反射層30的半導體材料型態匹配該第一半導體磊晶層22A的半導體材料型態，該第二磊晶半導體反射層40的半導體材料型態匹配該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態，當該第一半導體磊晶層22A為一P型半導體，該第一磊晶半導體反射層30為一P型磊晶半導體反射層，而該第二半導體磊晶層24A則為一N型半導體，該第二磊晶半導體反射層40為一N型半導體反射層，反之，當該第一半導體磊晶層22A為一N型半導體，該第一磊晶半導體反射層30為一N型磊晶半導體反射層，而該第二半導體磊晶層24則為一P型半導體，該第二磊晶半導體反射層40為一P型磊晶半導體反射層。
請參閱圖2-1、2-2所示，該第一磊晶電流阻擋層21A由一半導體磊晶方法成長而成，該第一磊晶電流阻擋層21A可由一層N型半導體或P型半導體所構成，或者由三層以上N型半導體及P型半導體以交互堆疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層21A的N型半導體及P型半導體的交互堆疊之層數總和為奇數個。
本實施例中，該第一磊晶電流阻擋層21A為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第一磊晶電流阻擋層21A的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層22A的半導體材料型態相反，即該第一半導體磊晶層22A為一N型半導體，則該第一磊晶電流阻擋層21A為一P型半導體，反之，當該第一半導體磊晶層22A為一P型半導體，則該第一磊晶電流阻擋層21A為一N型半導體。
本實施例中，當該第一磊晶電流阻擋層21A為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第一磊晶電流阻擋層21A的最上層及最下層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層22A的半導體材料型態相反，即當該第一半導體磊晶層22A為一P型半導體，該第一磊晶電流阻擋層21A的最上層及最下層均為為一N型半導體，反之，當該第一半導體磊晶層22A的半導體材料型態為一N型半導體，該第一磊晶電流阻擋層21A的最上層及最下層的半導體材料型態則為一P型半導體。
請參閱圖33所示，為本發明第三十二較佳實施例，第三十二較佳實施例與第三十一較佳實施例大致相同，惟第三十二較佳實施例進一步具有一金屬接合層11A，該金屬接合層11A設置在該導電基板10A及該第一磊晶半導體反射層30之間；本實施例中，該金屬接合層11A做為接合使用，且依需求更可作為導電使用。
請參閱圖34所示，為本發明第三十三較佳實施例，第三十三較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十三較佳實施例的金屬接合層11A的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50；將該金屬接合層11A對應該第一電流流通口211A處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11A的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11A的一半厚度，在該金屬接合層11A被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50，該絕緣層50的表面與該金屬接合層11A被保留部分的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11A被保留的部分使電流有效集中避免分散，透過該絕緣層50以保護該金屬接合層11A蝕刻部分。
請參閱圖35所示，為本發明第三十四較佳實施例，第三十四較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十四較佳實施例的金屬接合層11A的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50A；該金屬接合層11A保留對應該第一電流流通口211A的口徑二側處的厚度，並透過半導體製程將該金屬接合層11A的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11A的一半厚度，在該金屬接合層11A被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50A，且該金屬接合層11A被保留部分的表面與該絕緣層11A的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11A被保留部分使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層50A保護該金屬接合層11A蝕刻部分及避免電流流經其它地方。
請參閱圖36所示，為本發明第三十五較佳實施例，第三十五較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十五較佳實施例的金屬接合層11A的結構有所不同，且進一步具有一導電金屬60；在該金屬接合層11A對應該第一電流流通口211A處，利用半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70，該導電金屬60匹配的設在該凹槽70內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60表面與該金屬接合層11A表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60使電流集中避免分散。
請參閱圖37所示，為本發明第三十六較佳實施例，第三十六較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十六較佳實施例的金屬接合層11A的結構有所不同，且進一步具有二導電金屬60A；該金屬接合層11A對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，利用半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70A，該等導電金屬60A分別匹配的設在該等凹槽70A內，該等導電金屬60A表面與該金屬接合層11A表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該等導電金屬60A使電流集中避免分散。
請參閱圖38所示，為本發明第三十七較佳實施例，第三十七較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十七較佳實施例進一步具有一透明導電層80及一導電金屬60B；該透明導電層80設置在該金屬接合層11A及該第一磊晶半導體反射層30之間，在該透明導電層80對應該第一電流流通口211A處，藉由半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70B，該導電金屬60B匹配的設在該凹槽70B內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60B表面與該透明導電層80表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60B使電流集中避免分散，並透過該透明導電層80使電流具有良好的流通性。
請參閱圖39所示，為本發明第三十八較佳實施例，第三十八較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十八較佳實施例進一步具有一透明導電層80A及二導電金屬60C，該透明導電層80A設置在該金屬接合層11A及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80A對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，利用半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70C，該等導電金屬60C分別匹配的設在該等凹槽70C內，該等導電金屬60C表面與該透明導電層80A表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該等導電金屬60C使電流集中避免分散，並透過該透明導電層80A使電流能有效的流通。
請參閱圖40所示，為本發明第三十九較佳實施例，第三十九較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第三十九較佳實施例進一步具有一透明導電層80B、一絕緣層50B及一導電金屬60D，該透明導電層80B設置在該金屬接合層11A及該第一磊晶半導體反射層30間，在該透明導電層80B對應該第一電流流通口211A的表面設置該導電金屬60D，以對應該第一電流流通口211A，在該透明導電層80B表面及該導電金屬60D周圍設有該絕緣層50B，該導電金屬60D表面及該絕緣層50B表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60D使電流集中避免分散，並透過該透明導電層80B使電流具有良好的流通性。
請參閱圖41所示，為本發明第四十較佳實施例，第四十較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第四十較佳實施例進一步具有一透明導電層80C、一絕緣層50C及二導電金屬60E，該透明導電層80C設置在該金屬接合層11A及該第一磊晶半導體反射層30之間，在該透明導電層80C對應該第一電流流通口211A口徑的二側處的表面分別設有該導電金屬60E，在該透明導電層80C表面及該導電金屬60E周圍設有該絕緣層50C，該絕緣層50C表面與該等導電金屬60E表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該等導電金屬60E使電流有效集中避免分散，並透過該透明導電層80C使電流能有效的流通，藉由該絕緣層50C保護該透明導電層80C及避免電流流經其它地方。
請參閱圖42所示，為本發明第四十一較佳實施例，第四十一較佳實施例與第三十二較佳實施例大致相同，惟第四十一較佳實施例進一步具有一透明導電層80D及一整層的導電金屬60F；該透明導電層80D設置在該金屬接合層11A及第一磊晶半導體反射層30之間，該導電金屬60F設置在該透明導電層80D及該第一磊晶半導體反射層30之間，該導電金屬60F以整層設置以匹配該透明導電層80D及該第一磊晶半導體反射層30，透過該透明導電層80D使電流具有良好的流通性，並透過整層的該導電金屬60F使電流能均勻分佈的流通。
請參閱圖43所示，為本發明第四十二較佳實施例，第四十二較佳實施例與第三十一較佳實施例大致相同，惟第四十二較佳實施例的第一磊晶電流阻擋層21A的位置有所不同，該第一磊晶電流阻擋層21A位於該第二半導體磊晶層24A內，該第一磊晶電流阻擋層21A為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第一磊晶電流阻擋層21A的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層21A為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第一磊晶電流阻擋層21A的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態相反。
請參閱圖44所示，為本發明第四十三較佳實施例，第四十三較佳實施例與第四十二較佳實施例大致相同，惟第四十三較佳實施例進一步具有一金屬接合層11B，該金屬接合層11B設置在該導電基板10A及該第一磊晶半導體反射層30間；本實施例中，該金屬接合層11B做為接合使用，且依需求可作為導電使用。
請參閱圖45所示，為本發明第四十四較佳實施例，第四十四較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十四較佳實施例的金屬接合層11B的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50D；將該金屬接合層11B對應該第一電流流通口211A處的厚度保留，並且透過半導體製程將該金屬接合層11B的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11B的一半厚度，在該金屬接合層11B被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50D，該絕緣層50D表面與該金屬接合層11B保留部分的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11B被保留的部分使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層50D保護該金屬接合層11B。
請參閱圖46所示，為本發明第四十五較佳實施例，第四十五較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十五較佳實施例的金屬接合層11B的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50E；保留該金屬接合層11B對應該第一電流流通口211A的口徑二側處的厚度，透過半導體製程將該金屬接合層11B的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11B的一半厚度，在該金屬接合層11B被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50E，該絕緣層50E表面與該金屬接合層11B保留部分的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11B被保留部分使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層50E保護該金屬接合層11B。
請參閱圖47所示，為本發明第四十六較佳實施例，第四十六較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十六較佳實施例的金屬接合層11B的結構有所不同，且進一步具有一導電金屬60G；該金屬接合層11B對應該第一電流流通口211A處，經由半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70D，該導電金屬60G匹配的設在該凹槽70D內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60G表面與該金屬接合層11B表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60G使電流有效集中避免分散。
請參閱圖48所示，為本發明第四十七較佳實施例，第四十七較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十七較佳實施例的金屬接合層11B的結構有所不同，且進一步具有二導電金屬60H；該金屬接合層11B對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，經由半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70E，各導電金屬60H分別匹配的設置在各凹槽70E內，該等導電金屬60H表面與該金屬接合層11B表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60H使電流有效集中避免分散。
請參閱圖49所示，為本發明第四十八較佳實施例，第四十八較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十八較佳實施例進一步具有一透明導電層80E及一導電金屬60I；該透明導電層80E設置在該金屬接合層11B及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80E對應該第一電流流通口211A處，透過半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70F，該導電金屬60I匹配的設置在該凹槽70F內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60I表面與該透明導電層80E表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60I使電流有效集中避免分散，並透過該透明導電層80E使電流具有良好的流通性。
請參閱圖50所示，為本發明第四十九較佳實施例，第四十九較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第四十九較佳實施例進一步具有一透明導電層80F及二導電金屬60J；該透明導電層80F設置在該金屬接合層11B及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80F對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，透過半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70G，該等導電金屬60J分別匹配的設置在該等凹槽70G內，該等導電金屬60J表面與該透明導電層80F表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60J使電流有效集中避免分散，並透過該透明導電層80F使電流具有良好的流通性。
請參閱圖51所示，為本發明第五十較佳實施例，第五十較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第五十較佳實施例進一步具有一透明導電層80G、一導電金屬60K及一絕緣層50F；該透明導電層80G設置在該金屬接合層11B及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80G對應該第一電流流通口211A的表面設有該導電金屬60K，在該透明導電層80G表面及該導電金屬60K周圍設有該絕緣層50F，該絕緣層50F表面與該導電金屬60K表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60K使電流有效集中避免分散，該透明導電層80G使電流具有良好的流通性，該絕緣層50F保護該透明導電層80G。
請參閱圖52所示，為本發明第五十一較佳實施例，第五十一較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第五十一較佳實施例進一步具有一透明導電層80H、二導電金屬60L及一絕緣層50G；該透明導電層80H設置在該金屬接合層11B及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80H對應該第一電流流通口211A的口徑二側處的表面分別設有該導電金屬60L，在該透明導電層80H表面及該等導電金屬60L周圍設有該絕緣層50G，該絕緣層50G表面與該等導電金屬60L表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該等導電金屬60L使電流有效集中避免分散，該透明導電層80H使電流具有良好的流通性，該絕緣層50G保護該透明導電層80H。
請參閱圖53所示，為本發明第五十二較佳實施例，第五十二較佳實施例與第四十三較佳實施例大致相同，惟第五十二較佳實施例進一步具有一透明導電層80I及一整層的導電金屬60M；該透明導電層80I設置在該金屬接合層11B及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80I及該第一磊晶半導體反射層30之間設有該導電金屬60M，該導電金屬60M以整層結構設置以匹配該透明導電層80I及該第一磊晶半導體反射層30，透過該透明導電層80I使電流具有良好的流通性，並透過整層的該導電金屬60M使電流能均勻分佈的流通。
請參閱圖54所示，為本發明第五十三較佳實施例，第五十三較佳實施例與第三十一較佳實施例大致相同，惟第五十二較佳實施例進一步具有一第二磊晶電流阻擋層25A，該第二磊晶電流阻擋層25A位於該第二半導體磊晶層24A內，該第二磊晶電流阻擋層25A的中間位置開設有一第二電流流通口251A，該第二電流流通口251A對應該第一電流流通口211A。
本實施例中，該第二磊晶電流阻擋層25A與該第一磊晶電流阻擋層21A相同，當該第二磊晶電流阻擋層25A為一層N型半導體或一層P型半導體時，該第二磊晶電流阻擋層25A的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態相反，該第二磊晶電流阻擋層25A為三層以上的N型半導體及P型半導體相互交疊組成時，該第二磊晶電流阻擋層25A的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層24A的半導體材料型態相反。
請參閱圖55所示，為本發明第五十四較佳實施例，第五十四較佳實施例與第五十三較佳實施例大致相同，惟第五十四較佳實施例進一步具有一金屬接合層11C；該金屬接合層11C設置在該導電基板10A及該第一磊晶半導體反射層30之間；本實施例中，該金屬接合層11C做為接合使用，且依需求更可作為導電使用。
請參閱圖56所示，為本發明第五十五較佳實施例，第五十五較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第五十五較佳實施例的金屬接合層11C的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50H；將該金屬接合層11C對應該第一電流流通口211A處的厚度保留，並透過半導體製程將該金屬接合層11C的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11C的一半厚度，在該金屬接合層11C被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50H，該絕緣層50H表面與該金屬接合層11C被保留部分的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11C被保留部分使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層50H保護該金屬接合層11C。
請參閱圖57所示，為本發明第五十六較佳實施例，第五十六較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第五十六較佳實施例的金屬接合層11C的結構有所不同，且進一步具有一絕緣層50I；將該金屬接合層11C對應該第一電流流通口211A的口徑二側處的厚度保留，透過半導體製程將該金屬接合層11C的其餘部分向下蝕刻一深度，該深度可根據實際製程決定且最深的深度約該金屬接合層11C的一半厚度，在該金屬接合層11C被蝕刻部分的表面設有該絕緣層50I，該絕緣層50I表面與該金屬接合層11C被保留部分的表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該金屬接合層11C的保留部分使電流有效集中避免分散，並透過該絕緣層50I保護該金屬接合層11C。
請參閱圖58所示，為本發明第五十七較佳實施例，第五十七較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第五十七較佳實施例的金屬接合層11C的結構有所不同，並進一步具有一導電金屬60N；該金屬接合層11C對應該第一電流流通口211A處，經由半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70H，該導電金屬60N匹配的設在該凹槽70H內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60N表面與該金屬接合層11C表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60N使電流有效集中避免分散。
請參閱圖59所示，為本發明第五十八較佳實施例，第五十八較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第五十八較佳實施例的金屬接合層11C的結構有所不同，並進一步具有二導電金屬60O；該金屬接合層11C對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，經由半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70I，該等導電金屬60O分別匹配的設在該等凹槽70I內，該等導電金屬60O表面與該金屬接合層11C表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，藉由該導電金屬60O使電流有效集中避免分散。
請參閱圖60所示，為本發明第五十九較佳實施例，第五十九較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第五十九較佳實施例進一步具有一透明導電層80J及一導電金屬60P；該透明導電層80J設置在該金屬接合層11C及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80J對應該第一電流流通口211A處，藉由半導體製程向下蝕刻以形成一凹槽70J，該導電金屬60P匹配的設在該凹槽70J內以對應該第一電流流通口211A，該導電金屬60P表面與該透明導電層80J表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60P使電流有效集中避免分散，並透過該透明導電層80J使電流具有良好的流通性。
請參閱圖61所示，為本發明第六十較佳實施例，第六十較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第六十較佳實施例進一步具有一透明導電層80K及二導電金屬60Q；該透明導電層80K設置在該金屬接合層11C及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80K對應該第一電流流通口211A的口徑二側處，藉由半導體製程向下蝕刻以分別形成一凹槽70K，該等導電金屬60Q分別匹配的設在該等凹槽70K內，該等導電金屬60Q表面與該透明導電層80K表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60Q使電流有效集中避免分散，並透過該透明導電層80K使電流具有良好的流通性。
請參閱圖62所示，為本發明第六十一較佳實施例，第六十一較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第六十一較佳實施例進一步具有一透明導電層80L、一導電金屬60R及一絕緣層50J；該透明導電層80L設置在該金屬接合層11C及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80L對應該第一電流流通口211A處的表面設置有該導電金屬60R，以對應該第一電流流通口211A，在該透明導電層80L的表面及該導電金屬60R周圍設有該絕緣層50J，該絕緣層50J表面與該導電金屬60R表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60R使電流有效集中避免分散，該第二透明導電層80L使電流具有良好的流通性，該絕緣層50J保護該透明導電層80L避免電流流經其它地方。
請參閱圖63所示，為本發明第六十二較佳實施例，第六十二較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第六十二較佳實施例進一步具有一透明導電層80M、二導電金屬60S及一絕緣層50K；該透明導電層80M設置在該金屬接合層11C及該第一磊晶半導體反射層30之間，該透明導電層80M對應該第一電流流通口211A的口徑二側處的表面，分別設有該導電金屬60S，在該透明導電層80M表面及該等導電金屬60S周圍設有該絕緣層50K，該絕緣層50K表面與該等導電金屬60S表面齊平並與該第一磊晶半導體反射層30接合，透過該導電金屬60S使電流有效集中避免分散，該透明導電層80M使電流具有良好的流通性，該絕緣層50K保護該透明導電層80M。
請參閱圖64所示，為本發明第六十三較佳實施例，第六十三較佳實施例與第五十四較佳實施例大致相同，惟第六十三較佳實施例進一步具有一透明導電層80N及一整層的導電金屬60T；該透明導電層80N設置在該金屬接合層11C及該第一磊晶半導體反射層30之間，該導電金屬60T設置在該透明導電層80N及該第一磊晶半導體反射層30之間，該導電金屬60T以整層結構設置以匹配該透明導電層80N及該第一磊晶半導體反射層30，藉由該透明導電層80N使電流具有良好流通性，並透過整層的該導電金屬60T使電流能均勻分佈的流通。
前述各個實施例中，所分別提到的絕緣層50~50K可為一二氧化鈦(TiO2 )透明介電材料或一二氧化矽(SiO2 )透明介電材料、一氮化矽(Si3 N4 )透明介電材料、一氟化鎂(MgF2 )透明介電材料或一透明的絕緣高分子材料(Insulating Polymers)等。
前述各實施例中，所分別提到的透明導電層80~80N可為一銦錫氧化物(ITO)、一氧化鋅(ZnO)、一氧化銦鋅錫(IZTO)、一氧化銦鎵鋅(IGZO)、一β相氧化镓(β-Ga2 O3 )等。
藉由以半導體磊晶方法所成長的第一電流阻擋層21、21A以及第二電流阻擋層25、25A，使該雷射結構層20、20A的結構平整，讓該雷射結構層20與該磊晶半導體反射層12的結合面具有平整的結合效果、或該雷射結構層20A與該第一、第二磊晶半導體反射層30、40的結合面具有平整的結合效果，以達到提升面射型雷射的目的。
10,10A‧‧‧導電基板 11,11A,11B,11C‧‧‧金屬接合層 12‧‧‧磊晶半導體反射層 13,13A‧‧‧第一電極層 14,14A‧‧‧第二電極層 15,15A~15K,50,50A~50K‧‧‧絕緣層 16,16A~16T,60,60A~60T‧‧‧導電金屬 17,17A~17K,70,70A~70K‧‧‧凹槽 18,18A~18N,80,80A~80N‧‧‧透明導電層 20,20A‧‧‧雷射結構層 21,21A‧‧‧第一磊晶電流阻擋層 211,211A‧‧‧第一電流流通口 22,22A‧‧‧第一半導體磊晶層 23,23A‧‧‧發光反應主動層 24,24A‧‧‧第二半導體磊晶層 25,25A‧‧‧第二磊晶電流阻擋層 251,251A‧‧‧第二電流流通口 30‧‧‧第一磊晶半導體反射層 40‧‧‧第二磊晶半導體反射層
圖1 係本發明第一較佳實施例之結構圖。 圖2-1 係本發明第一較佳實施例之另一結構圖。 圖2-2 係本發明第一較佳實施例又一結構圖。 圖3 係本發明第二較佳實施例之結構圖。 圖4 係本發明第三較佳實施例之結構圖。 圖5 係本發明第四較佳實施例之結構圖。 圖6 係本發明第五較佳實施例之結構圖。 圖7 係本發明第六較佳實施例之結構圖。 圖8 係本發明第七較佳實施例之結構圖。 圖9 係本發明第八較佳實施例之結構圖。 圖10 係本發明第九較佳實施例之結構圖。 圖11 係本發明第十較佳實施例之結構圖。 圖12 係本發明第十一較佳實施例之結構圖。 圖13 係本發明第十二較佳實施例之結構圖。 圖14 係本發明第十三較佳實施例之結構圖。 圖15 係本發明第十四較佳實施例之結構圖。 圖16 係本發明第十五較佳實施例之結構圖。 圖17 係本發明第十六較佳實施例之結構圖。 圖18 係本發明第十七較佳實施例之結構圖。 圖19 係本發明第十八較佳實施例之結構圖。 圖20 係本發明第十九較佳實施例之結構圖。 圖21 係本發明第二十較佳實施例之結構圖。 圖22 係本發明第二十一較佳實施例之結構圖。 圖23 係本發明第二十二較佳實施例之結構圖。 圖24 係本發明第二十三較佳實施例之結構圖。 圖25 係本發明第二十四較佳實施例之結構圖。 圖26 係本發明第二十五較佳實施例之結構圖。 圖27 係本發明第二十六較佳實施例之結構圖。 圖28 係本發明第二十七較佳實施例之結構圖。 圖29 係本發明第二十八較佳實施例之結構圖。 圖30 係本發明第二十九較佳實施例之結構圖。 圖31 係本發明第三十較佳實施例之結構圖。 圖32 係本發明第三十一較佳實施例之結構圖。 圖33 係本發明第三十二較佳實施例之結構圖。 圖34 係本發明第三十三較佳實施例之結構圖。 圖35 係本發明第三十四較佳實施例之結構圖。 圖36 係本發明第三十五較佳實施例之結構圖。 圖37 係本發明第三十六較佳實施例之結構圖。 圖38 係本發明第三十七較佳實施例之結構圖。 圖39 係本發明第三十八較佳實施例之結構圖。 圖40 係本發明第三十九較佳實施例之結構圖。 圖41 係本發明第四十較佳實施例之結構圖。 圖42 係本發明第四十一較佳實施例之結構圖。 圖43 係本發明第四十二較佳實施例之結構圖。 圖44 係本發明第四十三較佳實施例之結構圖。 圖45 係本發明第四十四較佳實施例之結構圖。 圖46 係本發明第四十五較佳實施例之結構圖。 圖47 係本發明第四十六較佳實施例之結構圖。 圖48 係本發明第四十七較佳實施例之結構圖。 圖49 係本發明第四十八較佳實施例之結構圖。 圖50 係本發明第四十九較佳實施例之結構圖。 圖51 係本發明第五十較佳實施例之結構圖。 圖52 係本發明第五十一較佳實施例之結構圖。 圖53 係本發明第五十二較佳實施例之結構圖。 圖54 係本發明第五十三較佳實施例之結構圖。 圖55 係本發明第五十四較佳實施例之結構圖。 圖56 係本發明第五十五較佳實施例之結構圖。 圖57 係本發明第五十六較佳實施例之結構圖。 圖58 係本發明第五十七較佳實施例之結構圖。 圖59 係本發明第五十八較佳實施例之結構圖。 圖60 係本發明第五十九較佳實施例之結構圖。 圖61 係本發明第六十較佳實施例之結構圖。 圖62 係本發明第六十一較佳實施例之結構圖。 圖63 係本發明第六十二較佳實施例之結構圖。 圖64 係本發明第六十三較佳實施例之結構圖。
10‧‧‧導電基板
11‧‧‧金屬接合層
12‧‧‧磊晶半導體反射層
13‧‧‧第一電極層
14‧‧‧第二電極層
20‧‧‧雷射結構層
21‧‧‧第一磊晶電流阻擋層
211‧‧‧第一電流流通口
22‧‧‧第一半導體磊晶層
23‧‧‧發光反應主動層
24‧‧‧第二半導體磊晶層

Claims (66)

  1. 一種可提升使用效能的面射型雷射，其包含： 一導電基板； 一金屬接合層，其設置在該基板上表面； 一雷射結構層，其設在該金屬接合層上表面，該雷射結構層具有一第一磊晶電流阻擋層，該第一磊晶電流阻擋層開設有一第一電流流通口供電流流通； 一磊晶半導體反射層，其設置在該雷射結構層上表面； 一第一電極層，其設置在該磊晶半導體反射層上表面，供封裝通電用； 其中，該第一磊晶電流阻擋層係以一半導體磊晶方法成長而成，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該雷射結構層的半導體材料型態不同。
  2. 如請求項1所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中該金屬接合層、該雷射結構層、該磊晶半導體反射層及該第一電極層與該導電基板的結合方式是透過一半導體晶圓貼合方法，於該導電基板上表面設置該金屬接合層，並且將原本用以承載該雷射結構層、該磊晶半導體反射層及該第一電極層的一基板移除後，將該雷射結構層、該磊晶半導體反射層及該第一電極層轉移至於該金屬接合層上表面；並且於該導電基板的下表面設置一第二電極層。
  3. 如請求項2所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中該雷射結構層從該金屬接合層表面上依序具有一第一半導體磊晶層、一發光反應主動層及一第二半導體磊晶層，該第一半導體磊晶層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層位於該第一半導體磊晶層內；該第一磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第一磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該第一磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  4. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，並將其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該雷射結構層接合。
  5. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層，該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  6. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  7. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  8. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內，以對應該第一電流流通口。
  9. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  10. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  11. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  12. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該雷射結構層之間，該導電金屬以整層結構設置以匹配該透明導電層及該雷射結構層。
  13. 如請求項2所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中該雷射結構層從該金屬接合層表面上依序具有一第一半導體磊晶層、一發光反應主動層及一第二半導體磊晶層，該第一半導體磊晶層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層位於該第二半導體磊晶層內；該第一磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第一磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  14. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，該金屬接合層的其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該雷射結構層接合。
  15. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  16. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  17. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬匹配的設在該等凹槽內。
  18. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  19. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬匹配的設置在該等凹槽內。
  20. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  21. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  22. 如請求項13所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該雷射結構層之間，該導電金屬為整層結構設置以匹配該透明導電層及該雷射結構層。
  23. 如請求項3所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一第二磊晶電流阻擋層，該第二磊晶電流阻擋層位於該第二半導體磊晶層內，該第二磊晶電流阻擋層開設有一第二電流流通口，以對應該第一電流流通口；該第二磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第二磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第二磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第二磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該第二磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  24. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，並將其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該雷射結構層接合。
  25. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層，該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  26. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  27. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬匹配的設置在該等凹槽內。
  28. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  29. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  30. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  31. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  32. 如請求項23所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該雷射結構層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該雷射結構層之間，該導電金屬以整層結構設置以匹配該透明導電層及該雷射結構層。
  33. 一種可提升使用效能的面射型雷射，其包含： 一導電基板； 一第一磊晶半導體反射層，其設置在該導電基板上表面； 一雷射結構層，其設在該第一磊晶半導體反射層上表面，該雷射結構層具有一第一磊晶電流阻擋層，該第一磊晶電流阻擋層開設有一第一電流流通口供電流流通； 一第二磊晶半導體反射層，其設置在該雷射結構層上表面； 一第一電極層，其設置在該雷射結構層上表面，供封裝通電用； 其中，該第一磊晶電流阻擋層係以一半導體磊晶方法成長而成，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該雷射結構層的半導體材料型態不同。
  34. 如請求項33所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中該雷射結構層從該第一磊晶半導體反射層上表面依序具有一第一半導體磊晶層、一發光反應主動層及一第二半導體磊晶層，該第一半導體磊晶層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層位於該第一半導體磊晶層內；該第一磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第一磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第一半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該第一磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  35. 如請求項34所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一金屬接合層；該金屬接合層設置在該導電基板及該第一磊晶半導體反射層之間；該金屬接合層、該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層與該導電基板的結合方式是透過一半導體晶圓貼合方法，於該導電基板上表面設置該金屬接合層，並且將原本用以承載該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層的一基板移除後，將該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層設置於該金屬接合層上表面；並且於該導電基板的下表面設置一第二電極層。
  36. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，並將其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該雷射結構層接合。
  37. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層，該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  38. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  39. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  40. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  41. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  42. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  43. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  44. 如請求項35所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬以整層結構設置以匹配該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層。
  45. 如請求項33所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中該雷射結構層從該第一磊晶半導體反射層表面上依序具有一第一半導體磊晶層、一發光反應主動層及一第二半導體磊晶層，該第一半導體磊晶層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，該第一磊晶電流阻擋層位於該第二半導體磊晶層內；該第一磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第一磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第一磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第一磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  46. 如請求項45所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一金屬接合層；該金屬接合層設置在該導電基板及該第一磊晶半導體反射層之間；該金屬接合層、該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層與該導電基板的結合方式是透過一半導體晶圓貼合方法，於該導電基板上表面設置該金屬接合層，並且將原本用以承載該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層的一基板移除後，將該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層設置於該金屬接合層上表面；並且於該導電基板的下表面設置一第二電極層。
  47. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，並將其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該雷射結構層接合。
  48. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層，該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  49. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  50. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬匹配的設置在該等凹槽內。
  51. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  52. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  53. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  54. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  55. 如請求項46所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬以整層結構設置以匹配該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層。
  56. 如請求項34所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一第二電流阻擋層，該第二磊晶電流阻擋層位於該第二半導體磊晶層內，該第二磊晶電流阻擋層開設有一第二電流流通口，以對應該第一電流流通口；該第二磊晶電流阻擋層為一層N型半導體或一層P型半導體，並且該第二磊晶電流阻擋層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反；或者該第二磊晶電流阻擋層由三層以上的N型半導體與P型半導體相互交疊組成，並且該第二磊晶電流阻擋層的最上層及最下層的半導體材料型態與該第二半導體磊晶層的半導體材料型態相反，並且該第二磊晶電流組擋層的N型半導體與P型半導體交互堆疊層數總和為奇數層。
  57. 如請求項56所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一金屬接合層；該金屬接合層設置在該導電基板及該第一磊晶半導體反射層之間；該金屬接合層、該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層與該導電基板的結合方式是透過一半導體晶圓貼合方法，於該導電基板上表面設置該金屬接合層，並且將原本用以承載該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層的一基板移除後，將該第一磊晶半導體反射層、該雷射結構層、該第二磊晶半導體反射層及該第一電極層設置於該金屬接合層上表面；並且於該導電基板的下表面設置一第二電極層。
  58. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層；該金屬接合層對應該第一電流流通口處的厚度保留，並將其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層，該絕緣層及該金屬接合層與該第一磊晶半導體反射層接合。
  59. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一絕緣層，該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處的厚度保留，將該金屬接合層其餘部分向下蝕刻一深度，在該金屬接合層被蝕刻部分的表面設有該絕緣層。
  60. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  61. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有二導電金屬；該金屬接合層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  62. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口處形成一凹槽，該導電金屬匹配的設置在該凹槽內以對應該第一電流流通口。
  63. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及二導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處分別形成一凹槽，該等導電金屬分別匹配的設置在該等凹槽內。
  64. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射結構，其中進一步具有一透明導電層、一導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的表面設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該導電金屬周圍設置該絕緣層。
  65. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層、二導電金屬及一絕緣層；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，在該透明導電層對應該第一電流流通口的口徑二側處的表面分別設置該導電金屬，在該透明導電層表面及該等導電金屬周圍設置該絕緣層。
  66. 如請求項57所述之可提升使用效能的面射型雷射，其中進一步具有一透明導電層及一整層的導電金屬；該透明導電層設置在該金屬接合層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬設置在該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層之間，該導電金屬以整層結構設置以匹配該透明導電層及該第一磊晶半導體反射層。
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