JP5724316B2 - 窒化物半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
図1に、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の構造を説明するための概略断面図を示す。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、それぞれが窒化物半導体からなるn型層1とp型層3とを含む半導体積層部を有する。n型層1にはn電極8が接続されており、p型層3にはp電極6が接続されている。p型層3には、p電極6が電気的に接続された領域と異なる別の領域において、熱伝導部4が接して配置されており、熱伝導部4はp電極6と電気的に絶縁されている。
(半導体積層部)
半導体積層部は、少なくともn型層1及びp型層3を含む。層構造は限定されないが、n型層1及びp型層3には、コンタクト層、クラッド層、光閉じ込め層等、公知のものを含めることができる。本実施の形態では、n型層1とp型層3との間に活性層2を備える。活性層の構造は限定されないが、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造など公知のものを採用することができる。各層は窒化物半導体からなるが、窒化物半導体とは、代表的には一般式がInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示されるものを指す。
絶縁部5の材料は限定されないが、例えば、SiO2、Ga2O3、Al2O3、ZrO2等の酸化物、SiN、AlN及びAlGaN等の窒化物等を用いることができる。その膜厚は限定されないが、好ましくは5〜1000nm、より好ましくは10〜300nmとすることができる。
n電極8の材料は限定されないが、例えば、Pd、Pt、Ni、Au、Ti、W、Cu、Ag、Zn、Sn、In、Al、Ir、Rh、V、ITO等の少なくとも1つを含む単層又は複数層で形成することができる。
p電極の材料は限定されないが、好ましくはZnO、In2O3、SnO2、ATO、ITO、MgO、Ni/Au、より好ましくはITOを用いることができる。その膜厚は限定されないが、5〜100nm程度とすることができる。なお、本実施の形態では活性層2で発振したレーザ光がp電極6を透過してp側反射器7で反射されることを要するため、p電極6はレーザ光に対して実質的に透明である。
熱伝導部4の材料は限定されないが、Ag/Ni系、Cu/TaN系、Cu/TiN系、Al/TiN系、Cu/Ti系又はAl/Ti系等を用いることができる。また必ずしも複数層である必要はなく単層とすることもできる。なお、例えばAg/Ni系とは、p型層3から順に少なくともAgとNiを積層したものを指す。さらに、熱伝導部4の材料は、必ずしも導電性材料である必要はなくAlN等の絶縁性材料であってもよい。熱伝導部4の材料としては、反射率の高いAl又はAgの少なくとも一方を含む材料とすることが好ましい。これにより、熱伝導部での光損失を抑制することができるので、レーザ光が発振し易く、閾値電流が低下し易いと考えられる。熱伝導部4の膜厚は限定されないが、例えば100〜3000nm、好ましくは500〜2000nmとすることができる。
反射器は、誘電体材料の多層膜から形成される。誘電体材料は限定されないが、例えば、Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti等の酸化物、窒化物など公知のものを用いることができる。これらの誘電体のうち、屈折率が異なる2種以上の材料層を交互に積層することにより誘電体多層膜を得ることができる。具体的には、SiO2/Nb2O5、SiO2/ZrO2、SiO2/AlN、Al2O3/Nb2O5等の多層膜が例示できる。
支持基板10の材料は限定されないが、好ましくはSi、GaN、AlN、CuW、より好ましくはSiを用いることができる。支持基板10は単層である必要はなく、多層であっても良い。さらに、本実施の形態では導電性の支持基板を用いているが、支持基板10は必ずしも導電性を備えている必要はなく、絶縁性であってもよい。支持基板10を絶縁性とする場合は、例えばp電極と支持基板との間に導電層を設け、そこを介して通電させることができる。
図3に、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図を示す。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、熱伝導部4の一部がp型層3に埋没している以外は、実施の形態1の窒化物半導体レーザ素子と同一の構成である。
2、12・・・活性層
3、13・・・p型層
4・・・熱伝導部
14・・・接続電極
5、15・・・絶縁部
6、16・・・p電極
7、17・・・p側反射器
8、18・・・n電極
9、19・・・n側反射器
10、20・・・支持基板
Claims (5)
- それぞれが窒化物半導体から構成されたn型層及びp型層を含む半導体積層部と、前記n型層に接続されたn電極と、前記p型層に接続されたp電極と、前記p型層と前記p電極が接続された領域において前記p電極の前記p型層から遠い側に設けられた誘電体材料からなるp側反射器と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記p型層には、前記p電極が接続された領域と異なる領域において熱伝導部が接して配されており、
前記熱伝導部は、絶縁部により前記p電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 前記熱伝導部は、前記p型層の前記p電極が接続された領域を取り囲むように配されていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記熱伝導部の少なくとも一部は、前記p型層に埋没していることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記n電極と前記p電極とは、前記半導体積層部を介して反対側に設けられており、
前記p電極は、支持基板と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記熱伝導部は、Al又はAgの少なくとも一方を含む請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
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