JP5983423B2 - 面発光型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
請求項2は、前記光閉じ込め層を形成する工程は、前記第1の半導体多層膜反射鏡に複数の穴を形成する工程と、前記複数の穴を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡内に選択的に酸化された前記光閉じ込め層を形成する工程とを含み、前記光閉じ込め層と前記電流狭窄層とは同時に形成される、請求項1に記載の製造方法。
中心部の反射率が周辺部の反射率よりも高くなるように、コンタクト層106Aの膜厚および溝の深さが選択される。
100:基板
101:バッファ層
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
106A:コンタクト層
110:第1の酸化狭窄層
110A:酸化領域
110B:非酸化領域
120:第2の酸化狭窄層
120A:酸化領域
120B:非酸化領域
130:層間絶縁膜
140:p側電極
140A:上部電極
142:n側電極
150、150A〜150F:反射率変調部材
152:中心部
160:第1の反射率調整材料
162:第2の反射率調整材料
180、190、200:穴
182、192、202:連結部
184、194:高抵抗化領域
Lf:高次モード発振
P、P1:電流経路
Claims (2)
- 基板と、前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、前記第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡とを含む面発光型半導体レーザの製造方法であって、
前記第2の半導体多層膜反射鏡上に環状の電極を形成する工程と、
前記電極の開口部を覆う第1の誘電体膜を形成する工程と、
前記第1の誘電体膜を覆う第2の誘電体膜を形成する工程と、
前記第2の誘電体膜をエッチングし、前記第2の半導体多層膜反射鏡を露出する第1の開口と前記第1の誘電体膜を露出する第2の開口とを前記第2の誘電体膜に形成する工程と、
少なくとも前記第1の開口を規定する前記第2の誘電体膜をマスクに用いて少なくとも前記第2の半導体多層膜反射鏡をエッチングし、前記基板上に柱状構造を形成する工程と、
前記第2の半導体多層膜反射鏡の半導体層を前記柱状構造の側面から選択的に酸化し、前記活性領域に流れる電流を狭窄する電流狭窄層を形成する工程と、
前記第1の半導体多層膜反射鏡内に前記活性領域で発生された光を閉じ込める光閉じ込め層を形成する工程とを有し、
前記光閉じ込め層は、閉じ込め領域を規定する幅Do1を有し、
前記電流狭窄層は、狭窄領域を規定する幅Do2を有し、
第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われた領域の反射率は、第1の誘電体膜が第2の誘電体膜によって覆われていない領域の反射率よりも低く、かつ前記第2の開口を規定する幅がDnであるとき、Do1<Do2、かつ、Dn<Do2である、面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記光閉じ込め層を形成する工程は、前記第1の半導体多層膜反射鏡に複数の穴を形成する工程と、前記複数の穴を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡内に選択的に酸化された前記光閉じ込め層を形成する工程とを含み、前記光閉じ込め層と前記電流狭窄層とは同時に形成される、請求項1に記載の製造方法。
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