JP2011151293A - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】VCSEL10は、n型のGaAs基板100と、基板100上に形成されたn型の下部DBR102と、活性領域104と、活性領域上に形成されたp型の上部DBR106と、上部DBR106内に形成されたp型の電流狭窄層108と、上部DBR106と電気的に接続されたp側電極112と、n側電極120とを有する。電流狭窄層108には、長軸と短軸を有する楕円形状の導電領域108Bが形成され、p側電極112には、光出射口を規定する開口112Aが形成される。開口112Aの前記長軸方向の径は、導電領域108Bの長軸の長さよりも小さい。
【選択図】図1
Description
請求項2に記載の発明は、前記導電領域の長手方向の両端部は、前記金属電極と重なり合う関係にある請求項1に記載の面発光型半導体レーザである。
請求項3に記載の発明は、前記金属電極と重なり合う関係にある前記導電領域の一方の端部と他方の端部の各長手方向の長さは等しい、請求項2に記載の面発光型半導体レーザである。
請求項4に記載の発明は、前記開口の短手方向の径は、前記導電領域の短手方向の長さよりも大きい、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザである。
請求項5に記載の発明は、前記基板上に、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る柱状構造が形成され、前記柱状構造は、前記長手方向と前記短手方向の大きさを異にしており、前記電流狭窄層は、前記柱状構造内に形成され、前記導電領域は、前記柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域によって囲まれている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザである。
請求項6に記載の発明は、前記導電領域は、平面形状が楕円状であり、前記開口は、円形である、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザである。
請求項7に記載の発明は、前記導電領域は、平面形状が矩形状であり、前記開口は、円形である、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザである。
請求項8に記載の発明は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材とを有する面発光型半導体レーザ装置である。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備える光伝送装置である。
請求項10に記載の発明は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置である。
請求項2の発明によれば、導電領域の長手方向の両端部の高次横モードの発振を抑制することができる。
請求項3の発明によれば、導電領域の長手方向の両端部において高次横モードの発振を均等に抑制し、より単峰性のレーザ光を得ることができる。
請求項4の発明によれば、基本横モードの光出力を維持することができる。
請求項5の発明によれば、選択酸化によって導電領域を形成することができる。
請求項6の発明によれば、異方性の導電領域の長手方向の高次横モード発振を容易に抑制することができる。
請求項7の発明によれば、異方性の導電領域の長手方向の高次横モード発振を容易に抑制することができる。
請求項8ないし10の発明によれば、偏光制御された基本横モード発振の面発光型半導体レーザを利用した面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置を提供することができる。
100:基板
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
106A:コンタクト層
108:電流狭窄層
108A:酸化領域
108B:導電領域
110:層間絶縁膜
110A:コンタクトホール
112:p側電極
112A:開口(光出射口)
120:n側電極
Claims (10)
- 基板と、
基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、
第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、
活性領域上に形成された第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、
前記第1および第2の半導体多層膜反射鏡の間に形成された電流狭窄層と、
前記第2の半導体多層膜反射鏡上に形成され、前記第2の半導体多層膜反射鏡と電気的に接続された金属電極とを有し、
前記電流狭窄層には、長手方向と短手方向の長さが異なる異方性の導電領域が形成され、
前記金属電極には、光出射口を規定する開口が形成され、前記開口の前記長手方向の径は、前記導電領域の長手方向の長さよりも小さい、
面発光型半導体レーザ。 - 前記導電領域の長手方向の両端部は、前記金属電極と重なり合う関係にある、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記金属電極と重なり合う関係にある前記導電領域の一方の端部と他方の端部の各長手方向の長さは等しい、請求項2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記開口の短手方向の径は、前記導電領域の短手方向の長さよりも大きい、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記基板上に、前記第2の半導体多層膜反射鏡から前記第1の半導体多層膜反射鏡に至る柱状構造が形成され、前記柱状構造は、前記長手方向と前記短手方向の大きさを異にしており、
前記電流狭窄層は、前記柱状構造内に形成され、前記導電領域は、前記柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域によって囲まれている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。 - 前記導電領域は、平面形状が楕円状であり、前記開口は、円形である、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記導電領域は、平面形状が矩形状であり、前記開口は、円形である、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、
を有する面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項8に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、
を備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。
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