JP2015119149A - 面発光レーザーおよび原子発振器 - Google Patents

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Abstract

【課題】寄生容量を小さくすることができる面発光レーザーを提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザー１００は、基板１０と、基板１０上方に設けられた積層体２と、を含み、平面視において、積層体２は、第１歪付与部２ａと、第２歪付与部２ｂと、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとの間に設けられ、活性層３０で発生した光を共振させる共振部２ｃと、を有し、積層体２は、基板１０上方に設けられた第１ミラー層２０と、第１ミラー層２０上方に設けられた活性層３０と、活性層３０上方に設けられた第２ミラー層４０と、第１歪付与部２ａの第２ミラー層４０上方、および第２歪付与部２ｂの第２ミラー層４０上方を除いて、共振部２ｃの第２ミラー層４０上方に設けられたコンタクト層５０と、を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、面発光レーザーおよび原子発振器に関する。
面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）は、例えば、量子干渉効果のひとつであるＣＰＴ（Ｃｏｈｅｒｅｎｔ Ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｐｐｉｎｇ）を利用した原子発振器の光源として用いられる。
面発光レーザーは、一般的に、共振器が等方的な構造を有するため、共振器から射出されるレーザー光の偏光方向の制御が困難であった。例えば特許文献１には、歪み付加部によって共振器に歪みを生じさせて複屈折を発生させ、レーザー発振によって得られるレーザー光の偏光方向を、安定化させる面発光レーザーが記載されている。
特開平１１−５４８３８号公報
しかしながら、特許文献１に記載の面発光レーザーでは、歪付与部は、上部電極と接続されたコンタクト層を含んで構成されている。そのため、特許文献１に記載の面発光レーザーでは、寄生容量が大きく、特性が悪化することがある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、寄生容量を小さくすることができる面発光レーザーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記面発光レーザーを含む原子発振器を提供することにある。
本発明に係る面発光レーザーは、
基板と、
前記基板上方に設けられた積層体と、
を含み、
平面視において、前記積層体は、第１歪付与部と、第２歪付与部と、前記第１歪付与部と前記第２歪付与部との間に設けられ、前記活性層で発生した光を共振させる共振部と、を有し、
前記積層体は、
前記基板上方に設けられた第１ミラー層と、
前記第１ミラー層上方に設けられた活性層と、
前記活性層上方に設けられた第２ミラー層と、
前記第１歪付与部の前記第２ミラー層上方、および前記第２歪付与部の前記第２ミラー層上方を除いて、前記共振部の前記第２ミラー層上方に設けられたコンタクト層と、
を有する。
このような面発光レーザーでは、電流狭窄層における容量を小さくすることができるため、寄生容量を小さくすることができる。
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記コンタクト層とオーミックコンタクトしている電極を含んでもよい。
このような面発光レーザーでは、寄生容量を小さくすることができる。
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記積層体は、前記第１ミラー層と前記第２ミラー層との間に設けられた電流狭窄層を含んでもよい。
このような面発光レーザーでは、寄生容量を小さくすることができる。
本発明に係る原子発振器は、
本発明に係る面発光レーザーを含む。
このような原子発振器は、本発明に係る原子発振器を含むため、良好な特性を有することができる。
本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 面発光レーザーの寄生容量について説明するための図。 面発光レーザーの寄生容量について説明するための図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の変形例に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る原子発振器の機能ブロック図。 共鳴光の周波数スペクトラムを示す図。 アルカリ金属原子のΛ型３準位モデルと第１側帯波および第２側帯波の関係を示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 面発光レーザー
まず、本実施形態に係る面発光レーザーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す平面図である。図４は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。図５は、面発光レーザー１００を模式的に示す図１のＶ−Ｖ線断面図である。
なお、便宜上、図２および図５では、積層体２を簡略化して図示している。また、図３では、面発光レーザー１００の積層体２以外の部材の図示を省略している。また、図１〜図５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
面発光レーザー１００は、図１〜図５に示すように、基板１０と、第１ミラー層２０と、活性層３０と、第２ミラー層４０と、電流狭窄層４２と、コンタクト層５０と、第１領域６０と、第２領域６２と、樹脂層（絶縁層）７０と、第１電極８０と、第２電極８２と、を含む。
基板１０は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
第１ミラー層２０は、基板１０上に形成されている。第１ミラー層２０は、第１導電型の半導体層である。第１ミラー層２０は、図４に示すように、高屈折率層２４と低屈折率層２６とを交互に積層した分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層２４は、例えば、シリコンがドープされたｎ型のＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層である。低屈折率層２６は、例えば、シリコンがドープされたｎ型のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である。高屈折率層２４と低屈折率層２６との積層数（ペア数）は、例えば１０ペア以上５０ペア以下であり、具体的には４０．５ペアである。
活性層３０は、第１ミラー層２０上に設けられている。活性層３０は、例えば、ｉ型のＩｎ０．０６Ｇａ０．９４Ａｓ層とｉ型のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層とから構成される量子井戸構造を３層重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
第２ミラー層４０は、活性層３０上に形成されている。第２ミラー層４０は、第２導電型（例えばｐ型）の半導体層である。第２ミラー層４０は、高屈折率層４４と低屈折率層４６とを交互に積層した分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層４４は、例えば、炭素がドープされたｐ型のＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層である。低屈折率層４６は、例えば、炭素がドープされたｐ型のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である。高屈折率層４４と低屈折率層４６との積層数（ペア数）は、例えば３ペア以上４０ペア以下であり、具体的には２０ペアである。
第２ミラー層４０、活性層３０、および第１ミラー層２０は、垂直共振器型のｐｉｎダイオードを構成している。電極８０，８２間にｐｉｎダイオードの順方向の電圧を印加すると、活性層３０において電子と正孔との再結合が起こり、発光が生じる。活性層３０で発生した光は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間を往復し（多重反射し）、その際に誘導放出が起こって、強度が増幅される。そして、光利得が光損失を上回ると、レ
ーザー発振が起こり、コンタクト層５０の上面から、垂直方向に（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向に）レーザー光が射出する。
電流狭窄層４２は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間に設けられている。図示の例では、電流狭窄層４２は、活性層３０上に設けられている。電流狭窄層４２は、第１ミラー層２０または第２ミラー層４０の内部に設けることもできる。この場合においても、酸化狭窄層４２は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間に設けられるとみなす。電流狭窄層４２は、開口部４３が形成された絶縁層である。電流狭窄層４２は、電極８０，８２によって垂直共振器に注入される電流が平面方向（第１ミラー２０層と活性層３０との積層方向と直交する方向）に広がることを防ぐことができる。
コンタクト層５０は、第２ミラー層４０上に設けられている。コンタクト層５０は、図５に示すように、第１歪付与部２ａの第２ミラー層４０上、および第２歪付与部２ｂの第２ミラー層４０上を除いて、共振部２ｃの第２ミラー層４０上に設けられている。すなわち、コンタクト層５０は、共振部２ｃの上面にのみ設けられている。コンタクト層５０は、第２導電型の半導体層である。具体的には、コンタクト層５０は、炭素がドープされたｐ型のＧａＡｓ層である。
第１領域６０は、図４に示すように、積層体２を構成する第１ミラー層２０の側方に設けられている。第１領域６０は、第１ミラー層２０と（図示の例では第１ミラー層２０の一部と）連続して設けられた、複数の酸化層６を含む。具体的には、第１領域６０は、第１ミラー層２０を構成している低屈折率層（例えばＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層）２６と連続する層が酸化された酸化層６と、第１ミラー層２０を構成している高屈折率層（例えばＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層）２４と連続する層４と、が交互に積層されて構成されている。
第２領域６２は、積層体２を構成する第２ミラー層４０の側方に設けられている。第２領域６２は、第２ミラー層４０と連続して設けられた、複数の酸化層１６を含む。具体的には、第２領域６２は、第２ミラー層４０を構成している低屈折率層（例えばＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層）４６と連続する層が酸化された酸化層１６と、第２ミラー層４０を構成している高屈折率層（例えばＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層）４４と連続する層１４と、が交互に積層されて構成されている。平面視において（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向から見て）、第１領域６０と第２領域６２とにより、酸化領域８が構成されている。
第１ミラー層２０、活性層３０、第２ミラー層４０、電流狭窄層４２、コンタクト層５０、第１領域６０、および第２領域６２は、積層体２を構成している。図１および図２に示す例では、積層体２は、樹脂層７０によって囲まれている。
図３に示す例では、平面視において、Ｙ軸方向における積層体２の長さは、Ｘ軸方向における積層体２の長さよりも長い。すなわち、積層体２の長手方向は、Ｙ軸方向である。平面視において、積層体２は、例えば、積層体２の中心を通りＸ軸に平行な仮想直線に関して、対称である。また、平面視において、積層体２は、例えば、積層体２の中心を通りＹ軸に平行な仮想直線に関して、対称である。
積層体２は、図３に示すように平面視において、第１歪付与部（第１部分）２ａと、第２歪付与部（第２部分）２ｂと、共振部（第３部分）２ｃと、を含む。
第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、平面視において、共振部２ｃを挟んでＹ軸方向に対向している。第１歪付与部２ａは、平面視において、共振部２ｃから＋Ｙ軸方
向に突出している。第２歪付与部２ｂは、平面視において、共振部２ｃから−Ｙ軸方向に突出している。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、共振部２ｃと一体に設けられている。
第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、活性層３０に歪みを付与して、活性層３０にて発生する光を偏光させる。ここで、光を偏光させるとは、光の電場の振動方向を一定にすることをいう。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを構成する半導体層（第１ミラー層２０、活性層３０、第２ミラー層４０、電流狭窄層４２、コンタクト層５０、第１領域６０、および第２領域６２）は、活性層３０に付与する歪みを発生させる発生源となる。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、複数の酸化層６を有する第１領域６０と、複数の酸化層１６を有する第２領域６２と、を有しているため、活性層３０に大きな歪みを付与することができる。
共振部２ｃは、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとの間に設けられている。Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さは、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さまたはＸ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さよりも大きい。共振部２ｃの平面形状（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向から見た形状）は、例えば、円である。
ここで、Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さのうちの最大の長さである。また、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さのうちの最大の長さである。また、Ｘ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さのうちの最大の長さである。
共振部２ｃは、活性層３０で発生した光を共振させる。すなわち、共振部２ｃでは、垂直共振器が形成される。
樹脂層７０は、積層体２の少なくとも側面に設けられている。図１に示す例では、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを覆っている。すなわち、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの側面、第１歪付与部２ａの上面、第２歪付与部２ｂの側面、および第２歪付与部２ｂの上面に設けられている。樹脂層７０は、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを完全に覆っていてもよいし、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂの一部を覆っていてもよい。樹脂層７０の材質は、例えば、ポリイミドである。なお、本実施形態では、各歪付与部２ａ、２ｂに歪みを付与するために樹脂層７０としているが、樹脂層７０に対応する構成は少なくとも絶縁の機能を有すればよいため、絶縁材料であれば樹脂でなくてもよい。
図３に示す例では、平面視において、Ｙ軸方向における樹脂層７０の長さは、Ｘ軸方向における樹脂層７０の長さよりも大きい。すなわち、樹脂層７０の長手方向は、Ｙ軸方向である。樹脂層７０の長手方向と積層体２の長手方向とは、一致している。
第１電極８０は、第１ミラー層２０上に設けられている。第１電極８０は、第１ミラー層２０とオーミックコンタクトしている。第１電極８０は、第１ミラー層２０と電気的に接続されている。第１電極８０としては、例えば、第１ミラー層２０側から、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第１電極８０は、活性層３０に電流を注入するための一方の電極である。なお、図示はしないが、第１電極８０は、基板１０の下面に設けられていてもよい。
第２電極８２は、コンタクト層５０上（積層体２上）に設けられている。第２電極８２は、コンタクト層５０とオーミックコンタクトしている。図示の例では、第２電極８２は
、さらに樹脂層７０上に形成されている。第２電極８２は、コンタクト層５０を介して、第２ミラー層４０と電気的に接続されている。第２電極８２としては、例えば、コンタクト層５０側から、Ｃｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第２電極８２は、活性層３０に電流を注入するための他方の電極である。
第２電極８２は、パッド８４と電気的に接続されている。図示の例では、第２電極８２は、引き出し配線８６を介して、パッド８４と電気的に接続されている。パッド８４は、樹脂層７０上に設けられている。パッド８４および引き出し配線８６の材質は、例えば、第２電極８２の材質と同じである。
なお、上記では、ＡｌＧａＡｓ系の面発光レーザーについて説明したが、本発明に係る面発光レーザーは、発振波長に応じて、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＧａＡｓＳｂ系の半導体材料を用いてもよい。
面発光レーザー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
面発光レーザー１００では、コンタクト層５０は、第１歪付与部２ａの第２ミラー層４０上方、および第２歪付与部２ｂの第２ミラー層４０上方を除いて、共振部２ｃの第２ミラー層４０上方に設けられている。そのため、面発光レーザー１００では、寄生容量を小さくすることができる。その結果、面発光レーザー１００は、良好な特性（例えば高周波特性）を有することができる。以下、面発光レーザーの寄生容量について具体的に説明する。
図６および図７は、面発光レーザーの寄生容量について説明するための図である。図６に示すモデルＭ１および図７に示すモデルＭ２は、基板１０１０と、第１ミラー層１０２０と、活性層１０３０と、第２ミラー層１０４０と、電流狭窄層１０４２と、コンタクト層１０５０と、樹脂層１０７０と、第１電極１０８０と、第２電極１０８２と、パッド１０８４と、引き出し配線１０８６と、を含む。モデルＭ１，Ｍ２では、第１ミラー層１０２０と、活性層１０３０と、第２ミラー層１０４０と、電流狭窄層１０４２と、コンタクト層１０５０とは、積層体１００２を構成し、積層体１００２は、第１歪付与部１００２ａと、第２歪付与部１００２ｂと、共振部１００２ｃと、を有している。なお、図６および図７において、Ｒｍ１は第１ミラー層１０２０の抵抗を示し、Ｒａは活性層１０３０の抵抗を示し、Ｒｍ２は第２ミラー層１０４０の抵抗を示し、Ｃａは活性層１０３０における容量を示し、Ｃｐはパッド１０８４および引き出し配線１０８６における容量を示し、Ｃｏｘは電流狭窄層１０４２における容量を示している。
図６に示すモデルＭ１では、コンタクト層１０５０は、第２ミラー層１０４０の上面全面に設けられている。一方、図７に示すモデルＭ２では、コンタクト層１０５０は、第１歪付与部１００２ａの第２ミラー層１０４０上、および第２歪付与部１００２ｂの第２ミラー層１０４０上を除いて、共振部１００２ｃの第２ミラー層１０４０上に設けられている。そのため、容量を発生させる電流狭窄層の面積が小さくなり、モデルＭ２では、電流狭窄層１０４２における容量Ｃｏｘを、モデルＭ１の電流狭窄層１０４２における容量Ｃｏｘよりも小さくすることができる。その結果、モデルＭ２は、モデルＭ１よりも、寄生容量を小さくすることができる。したがって、面発光レーザー１００においても、電流狭窄層４２における容量を小さくすることができ、上述のとおり、寄生容量を小さくすることができる。
さらに、面発光レーザー１００では、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、活性層３０に歪みを付与して、活性層３０にて発生する光を偏光させることができる。その
ため、例えば、面発光レーザー１００を原子発振器の光源として用いた場合に、λ／４板を介して、ガスセルに円偏光の光を安定して照射することができる。その結果、原子発振器の周波数安定度を高めることができる。例えば、面発光レーザーから射出されるレーザー光の偏光方向が不安定な場合、λ／４板を介して得られる光が楕円偏光となる場合や、円偏光の回転方向が変動してしまう場合がある。
２． 面発光レーザーの製造方法
次に、本実施形態に係る面発光レーザーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８〜図１４は、本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図５に対応している。
図８に示すように、基板１０上に、第１ミラー層２０、活性層３０、酸化されて電流狭窄層４２となる被酸化層４２ａ、第２ミラー層４０、およびコンタクト層５０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
図９に示すように、コンタクト層５０上に、所定形状のレジスト層１４０を形成する。レジスト層１４０は、フォトリソグラフィーによって形成される。
図１０に示すように、レジスト層１４０をマスクとして、コンタクト層５０、第２ミラー層４０、被酸化層４２ａ、活性層３０、および第１ミラー層２０をエッチングする。これにより積層体２を形成することができる。次に、レジスト層１４０を、例えば公知の方法により除去する。
図１１に示すように、第１ミラー層２０上およびコンタクト層５０上に、所定形状のレジスト層１４２を形成する。レジスト層１４２は、フォトリソグラフィーによって形成される。
図１２に示すように、レジスト層１４２をマスクとして、コンタクト層５０をエッチングする。これにより、第１歪付与部２ａの第２ミラー層４０上、および第２歪付与部２ｂの第２ミラー層４０上を除いて、共振部２ｃの第２ミラー層４０上にコンタクト層５０を形成することができる。次に、レジスト層１４２を、例えば公知の方法により除去する。
なお、ミラー層２０，４０の高屈折率層２４，４４がＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層であり、ミラー層２０，４０の低屈折率層２６，４６がＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である場合、低屈折率層２６，４６は自然酸化されやすいため、レジスト層１４２を除去した後に、ミラー層２０，４０の表面に高屈折率層２４，４４を露出させることが好ましい。具体的には、まず、例えばＮＨ３とＨ２Ｏ２とＨ２Ｏとの混合液でウェットエッチングを行って低屈折率層２６，４６を選択的に露出させ、次に、例えば希ＨＦ溶液でウェットエッチングを行って高屈折率層２４，４４を選択的に露出させる。または、まず、ＳｉＣｌ４とＣｌ２とＡｒとの混合ガスでドライエッチングを行い、次に、例えば希ＨＦ溶液でウェットエッチングを行って高屈折率層２４，４４を選択的に露出させる。
図１３に示すように、被酸化層４２ａを酸化して、電流狭窄層４２を形成する。被酸化層４２ａは、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≧０．９５）層である。例えば、４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、積層体２が形成された基板１０を投入することにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≧０．９５）層を側面から酸化して、電流狭窄層４２を形成する。
面発光レーザー１００の製造方法では、上記の酸化工程において、第１ミラー層２０を
構成する層を、側面から酸化して第１領域６０を形成する。さらに、第２ミラー層４０を構成する層を、側面から酸化して第２領域６２を形成する。具体的には、４００℃程度の水蒸気雰囲気によって、ミラー層２０，４０を構成するＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層のヒ素が酸素に置き換わり、領域６０，６２が形成される。領域６０，６２は、例えば４００℃程度の高温から室温に戻すときに収縮し、第２領域６２の上面６３は、基板１０側に傾斜する（図４参照）。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、領域６０，６２の収縮に起因する歪みを（応力を）活性層３０に付与することができる。
図１４に示すように、積層体２を取り囲むように樹脂層７０を形成する。樹脂層７０は、例えば、スピンコート法等を用いて第１ミラー層２０の上面および積層体２の全面にポリイミド樹脂等からなる層を形成し、該層をパターニングすることにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。次に、樹脂層７０を加熱処理（キュア）することにより硬化させる。本加熱処理によって、樹脂層７０は、収縮する。さらに、樹脂層７０は、加熱処理から常温に戻す際において収縮する。
図２および図５に示すように、コンタクト層５０上および樹脂層７０上に第２電極８２を形成し、第１ミラー層２０上に第１電極８０を形成する。電極８０，８２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組合せ等により形成される。なお、電極８０，８２を形成する順序は、特に限定されない。また、第２電極８２を形成する工程で、パッド８４および引き出し配線８６（図１参照）を形成してもよい。
以上の工程により、面発光レーザー１００を製造することができる。
３． 面発光レーザーの製造方法の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１５〜図１８は、本実施形態の変形例に係る面発光レーザー１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図５に対応している。以下、本実施形態の変形例に係る面発光レーザー１００の製造方法において、上述した本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
図８に示すように、基板１０上に、第１ミラー層２０、活性層３０、酸化されて電流狭窄層４２となる被酸化層４２ａ、第２ミラー層４０、およびコンタクト層５０を、この順でエピタキシャル成長させる。
図１５に示すように、コンタクト層５０上に、所定形状のレジスト層１４４を形成する。レジスト層１４４は、フォトリソグラフィーによって形成される。
図１６に示すように、レジスト層１４４をマスクとして、コンタクト層５０をエッチングする。これにより、第１歪付与部２ａとなる第２ミラー層４０上、および第２歪付与部２ｂとなる第２ミラー層４０上を除いて、共振部２ｃとなる第２ミラー層４０上にコンタクト層５０を形成することができる。次に、レジスト層１４４を、例えば公知の方法により除去する。
図１７に示すように、コンタクト層５０上および第２ミラー層４０上に、所定形状のレジスト層１４６を形成する。レジスト層１４６は、フォトリソグラフィーによって形成される。
図１８に示すように、レジスト層１４６をマスクとして、コンタクト層５０、第２ミラ
ー層４０、被酸化層４２ａ、活性層３０、および第１ミラー層２０をエッチングする。これにより積層体２を形成することができる。次に、レジスト層１４６を、例えば公知の方法により除去する。
以下、上述した本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造方法と同様に、電流狭窄層４２および電極８０，８２等を形成する。
以上の工程により、面発光レーザー１００を製造することができる。
４． 原子発振器
次に、本実施形態に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図１９は、本実施形態に係る原子発振器１０００を示す機能ブロック図である。
原子発振器１０００は、図１９に示すように、光学モジュール１１００と、中心波長制御部１２００と、高周波制御部１３００と、を含んで構成されている。
光学モジュール１１００は、本発明に係る面発光レーザー（図示の例では、面発光レーザー１００）と、ガスセル１１１０と、光検出部１１２０と、を有する。
図２０は、面発光レーザー１００が射出する光の周波数スペクトラムを示す図である。図２１は、アルカリ金属原子のΛ型３準位モデルと第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２の関係を示す図である。面発光レーザー１００から射出される光は、図２０に示す、中心周波数ｆ０（＝ｃ／λ０：ｃは光の速さ、λ０はレーザー光の中心波長）を有する基本波Ｆと、中心周波数ｆ０に対して上側サイドバンドに周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１と、中心周波数ｆ０に対して下側サイドバンドに周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２と、を含む。第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ１は、ｆ１＝ｆ０＋ｆｍであり、第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ２は、ｆ２＝ｆ０−ｆｍである。
図２１に示すように、第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ１と第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ２との周波数差が、アルカリ金属原子の基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２とのエネルギー差ΔＥ１２に相当する周波数と一致している。したがって、アルカリ金属原子は、周波数ｆ１を有する第１側帯波Ｗ１と、周波数ｆ２を有する第２側帯波Ｗ２と、によってＥＩＴ現象を起こす。
ガスセル１１１０は、容器中に気体状のアルカリ金属原子（ナトリウム原子、ルビジウム原子、セシウム原子等）が封入されたものである。このガスセル１１１０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）を有する２つの光波が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２のエネルギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
光検出部１１２０は、ガスセル１１１０に封入されたアルカリ金属原子を透過した光の強度を検出する。光検出部１１２０は、アルカリ金属原子を透過した光の量に応じた検出信号を出力する。光検出部１１２０としては、例えば、フォトダイオードを用いる。
中心波長制御部１２００は、光検出部１１２０が出力する検出信号に応じた大きさの駆動電流を発生させて面発光レーザー１００に供給し、面発光レーザー１００が射出する光の中心波長λ０を制御する。面発光レーザー１００、ガスセル１１１０、光検出部１１２０、中心波長制御部１２００を通るフィードバックループにより、面発光レーザー１００
が射出するレーザー光の中心波長λ０が微調整されて安定する。
高周波制御部１３００は、光検出部１１２０が出力する検出結果に基づいて、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２の波長（周波数）差が、ガスセル１１１０に封入されたアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。高周波制御部１３００は、光検出部１１２０が出力する検出結果に応じた変調周波数ｆｍ（図２０参照）を有する変調信号を発生させる。
面発光レーザー１００、ガスセル１１１０、光検出部１１２０、高周波制御部１３００を通るフィードバックループにより、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。その結果、変調周波数ｆｍは極めて安定した周波数になるので、変調信号を原子発振器１０００の出力信号（クロック出力）とすることができる。
次に、原子発振器１０００の動作について、図１９〜図２１を参照しながら説明する。
面発光レーザー１００から射出されたレーザー光は、ガスセル１１１０に入射する。面発光レーザー１００から射出される光は、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）を有する２つの光波（第１側帯波Ｗ１、第２側帯波Ｗ２）を含んでおり、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。ガスセル１１１０を透過した光の強度は光検出部１１２０で検出される。
中心波長制御部１２００および高周波制御部１３００は、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するように、フィードバック制御を行う。原子発振器１０００では、ＥＩＴ現象を利用し、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差ｆ１−ｆ２が基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２とのエネルギー差ΔＥ１２に相当する周波数からずれた時の光吸収挙動の急峻な変化を検出し制御することで、高精度な発振器をつくることができる。
原子発振器１０００は、面発光レーザー１００を含むため、良好な特性を有することができる。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
２…積層体、２ａ…第１歪付与部、２ｂ…第２歪付与部、２ｃ…共振部、４…層、６…酸化層、８…酸化領域、１０…基板、１４…層、１６…酸化層、２０…第１ミラー層、２４…高屈折率層、２６…低屈折率層、３０…活性層、４０…第２ミラー層、４２…電流狭窄層、４２ａ…被酸化層、４３…開口部、４４…高屈折率層、４６…低屈折率層、５０…コンタクト層、６０…第１領域、６２…第２領域、６３…上面、７０…樹脂層、８０…第１電極、８２…第２電極、８４…パッド、８６…引き出し配線、１００…面発光レーザー、１４０，１４２，１４４，１４６…レジスト層、１０００…原子発振器、１００２…積層体、１００２ａ…第１歪付与部、１００２ｂ…第２歪付与部、１００２ｃ…共振部、１０１０…基板、１０２０…第１ミラー層、１０３０…活性層、１０４０…第２ミラー層、１
０４２…電流狭窄層、１０５０…コンタクト層、１０７０…樹脂層、１０８０…第１電極、１０８２…第２電極、１０８４…パッド、１０８６…引き出し配線、１１００…光モジュール、１１１０…ガスセル、１１２０…光検出部、１２００…中心波長制御部、１３００…高周波制御部

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上方に設けられた積層体と、
    を含み、
    平面視において、前記積層体は、第１歪付与部と、第２歪付与部と、前記第１歪付与部と前記第２歪付与部との間に設けられ、前記活性層で発生した光を共振させる共振部と、を有し、
    前記積層体は、
    前記基板上方に設けられた第１ミラー層と、
    前記第１ミラー層上方に設けられた活性層と、
    前記活性層上方に設けられた第２ミラー層と、
    前記第１歪付与部の前記第２ミラー層上方、および前記第２歪付与部の前記第２ミラー層上方を除いて、前記共振部の前記第２ミラー層上方に設けられたコンタクト層と、
    を有することを特徴とする面発光レーザー。
  2. 請求項１において、
    前記コンタクト層とオーミックコンタクトしている電極を含むことを特徴とする面発光レーザー。
  3. 請求項１または２において、
    前記積層体は、前記第１ミラー層と前記第２ミラー層との間に設けられた電流狭窄層を含むことを特徴とする面発光レーザー。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の面発光レーザーを含む原子発振器。
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