JP6274404B2 - 面発光レーザーおよび原子発振器 - Google Patents

面発光レーザーおよび原子発振器 Download PDF

Info

Publication number
JP6274404B2
JP6274404B2 JP2013263463A JP2013263463A JP6274404B2 JP 6274404 B2 JP6274404 B2 JP 6274404B2 JP 2013263463 A JP2013263463 A JP 2013263463A JP 2013263463 A JP2013263463 A JP 2013263463A JP 6274404 B2 JP6274404 B2 JP 6274404B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
strain
emitting laser
surface emitting
width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013263463A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015119142A (ja
Inventor
竹中　敏
敏 竹中
祐司 倉知
祐司 倉知
昭次 小野
昭次 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2013263463A priority Critical patent/JP6274404B2/ja
Priority to CN201410756929.7A priority patent/CN104734007A/zh
Priority to US14/574,813 priority patent/US9634467B2/en
Priority to EP14198853.5A priority patent/EP2887468A3/en
Publication of JP2015119142A publication Critical patent/JP2015119142A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6274404B2 publication Critical patent/JP6274404B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/1835—Non-circular mesa
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18355—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a defined polarisation
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
    • G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
    • G04F5/14—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks
    • G04F5/145—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks using Coherent Population Trapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
    • H01S5/0623—Modulation at ultra-high frequencies using the beating between two closely spaced optical frequencies, i.e. heterodyne mixing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18338—Non-circular shape of the structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/18347—Mesa comprising active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/18352—Mesa with inclined sidewall
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
    • H01S5/18372—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials by native oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

本発明は、面発光レーザーおよび原子発振器に関する。
面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）は、例えば、量子干渉効果のひとつであるＣＰＴ（Ｃｏｈｅｒｅｎｔ Ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｐｐｉｎｇ）を利用した原子発振器の光源として用いられる。
面発光レーザーは、一般的に、共振器が等方的な構造を有するため、共振器から射出されるレーザー光の偏光方向の制御が困難であった。例えば特許文献１には、歪み付加部によって共振器に歪みを生じさせて複屈折を発生させ、レーザー発振によって得られるレーザー光の偏光方向を、安定化させる面発光レーザーが記載されている。
特開平１１−５４８３８号公報
しかしながら、特許文献１に記載の面発光レーザーでは、上部電極からの引き出し配線については言及されておらず、平面視において、歪み付加部を含む上面全体を覆うように上部電極が設けられている。このため、上部電極による寄生容量が大きくなるので、面発光レーザーの特性が劣化する場合がある。また、寄生容量を小さくするために引き出し配線を細くすると、引き出し配線の下面の曲率の大きな部分で剥がれが生じたり断線したりするリスクが大きくなるので、歩留まりが低下する。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、特性の劣化を抑制しつつ歩留まりのよい面発光レーザーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記面発光レーザーを含む原子発振器を提供することにある。
本発明に係る面発光レーザーは、
基板と、
前記基板上方に設けられた積層体と、
前記積層体の少なくとも一部の上方に設けられた絶縁層と、
少なくとも一部が前記積層体上方に設けられた電極と、
ワイヤーボンディングされるパッドと、
前記電極と前記パッドとを電気的に接続する配線と、
を含み、
前記積層体は、前記基板上方に設けられた第１ミラー層と、前記第１ミラー層上方に設けられた活性層と、前記活性層上方に設けられた第２ミラー層と、を含み、
平面視において、前記積層体は、第１歪付与部と、第２歪付与部と、前記第１歪付与部と前記第２歪付与部との間に設けられ、前記活性層で発生した光を共振させる共振部と、を有し、
平面視において、前記絶縁層は、前記第１歪付与部の少なくとも一部を覆うように設けられ、
平面視において、前記電極は、前記共振部の少なくとも一部について、幅方向の全体を覆うように設けられ、
平面視において、前記配線は、前記第１歪付与部の少なくとも一部を覆うように設けられ、
平面視において、前記配線の幅は、前記第１歪付与部の幅よりも広く、前記電極の幅よりも狭い。
このような面発光レーザーでは、配線の幅は、第１歪付与部の幅よりも広く、幅方向において第１歪付与部の全体を覆うように設けられているので、配線の剥がれを抑制できる。そのため、このような面発光レーザーでは、歩留まりのよい面発光レーザーを実現できる。
また、このような面発光レーザーでは、配線の幅は、共振部の少なくとも一部を覆うように設けられた電極の幅よりも狭いので、配線の幅が前記電極の幅よりも広い場合に比べて、配線による寄生容量を低減できる。そのため、このような面発光レーザーでは、配線による寄生容量に起因する特性の劣化を抑制できる。
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
平面視において、前記第１歪付与部は、前記電極および前記配線の少なくとも一方で覆われている。
このような面発光レーザーでは、第１歪付与部は、電極および配線の少なくとも一方で覆われているので、段差が生じやすい第１歪付与部の端部を電極および配線の少なくとも一方で覆うことができる。これによって、配線の剥がれを抑制できる。そのため、このような面発光レーザーでは、歩留まりのよい面発光レーザーを実現できる。
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記第１歪付与部は、第１幅を有し、
前記第２歪付与部は、第２幅を有し、
前記共振部は、前記第１幅および前記第２幅の少なくとも一方よりも広い第３幅を有する。
このような面発光レーザーでは、第１歪付与部および第２歪付与部によって共振部に付与される応力を大きくすることができるので、共振部の活性層に大きな歪みを生じさせることができる。そのため、このような面発光レーザーでは、レーザー光の偏光方向の安定化を図ることができる。
本発明に係る原子発振器は、
本発明に係る面発光レーザーを含む。
このような原子発振器では、本発明に係る面発光レーザーを含むため、例えば、λ／４板を介して、ガスセルに円偏光の光を安定して照射することができ、原子発振器の周波数安定性を高めることができる。
本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る原子発振器の機能ブロック図。 共鳴光の周波数スペクトラムを示す図。 アルカリ金属原子のΛ型３準位モデルと第１側帯波および第２側帯波の関係を示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 面発光レーザー
まず、本実施形態に係る面発光レーザーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す平面図である。図４は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す図３のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
なお、便宜上、図２では、積層体２を簡略化して図示している。また、図３では、面発光レーザー１００の積層体２以外の部材の図示を省略している。また、図１〜図４では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
面発光レーザー１００は、図１〜図４に示すように、基板１０と、第１ミラー層２０と、活性層３０と、第２ミラー層４０と、電流狭窄層４２と、コンタクト層５０と、第１領域６０と、第２領域６２と、樹脂層（絶縁層）７０と、第１電極８０と、第２電極８２と、を含む。
基板１０は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
第１ミラー層２０は、基板１０上に形成されている。第１ミラー層２０は、第１導電型の半導体層である。第１ミラー層２０は、図４に示すように、高屈折率層２４と低屈折率層２６とを交互に積層した分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層２４は、例えば、シリコンがドープされたｎ型のＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ層である。低屈折率層２６は、例えば、シリコンがドープされたｎ型のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層である。高屈折率層２４と低屈折率層２６との積層数（ペア数）は、例えば１０ペア以上５０ペア以下であり、具体的には４０．５ペアである。
活性層３０は、第１ミラー層２０上に設けられている。活性層３０は、例えば、ｉ型の
Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ａｓ層とｉ型のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層とから構成される量子井戸構造を３層重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
第２ミラー層４０は、活性層３０上に形成されている。第２ミラー層４０は、第２導電型（例えばｐ型）の半導体層である。第２ミラー層４０は、高屈折率層４４と低屈折率層４６とを交互に積層した分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層４４は、例えば、炭素がドープされたｐ型のＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ層である。低屈折率層４６は、例えば、炭素がドープされたｐ型のＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層である。高屈折率層４４と低屈折率層４６との積層数（ペア数）は、例えば３ペア以上４０ペア以下であり、具体的には２０ペアである。
第２ミラー層４０、活性層３０、および第１ミラー層２０は、垂直共振器型のｐｉｎダイオードを構成している。第１電極８０と第２電極８２との間にｐｉｎダイオードの順方向の電圧を印加すると、活性層３０において電子と正孔との再結合が起こり、発光が生じる。活性層３０で発生した光は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間を往復し（多重反射し）、その際に誘導放出が起こって、強度が増幅される。そして、光利得が光損失を上回ると、レーザー発振が起こり、コンタクト層５０の上面から、垂直方向に（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向に）レーザー光が射出する。
電流狭窄層４２は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間に設けられている。図示の例では、電流狭窄層４２は、活性層３０上に設けられている。電流狭窄層４２は、第１ミラー層２０または第２ミラー層４０の内部に設けることもできる。この場合においても、酸化狭窄層４２は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間に設けられるとみなす。電流狭窄層４２は、開口部４３が形成された絶縁層である。電流狭窄層４２は、第１電極８０と第２電極８２とによって垂直共振器に注入される電流が平面方向（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向と直交する方向）に広がることを防ぐことができる。
コンタクト層５０は、第２ミラー層４０上に設けられている。コンタクト層５０は、第２導電型の半導体層である。具体的には、コンタクト層５０は、炭素がドープされたｐ型のＧａＡｓ層である。
第１領域６０は、図４に示すように、積層体２を構成する第１ミラー層２０の側方に設けられている。第１領域６０は、第１ミラー層２０と（図示の例では第１ミラー層２０の一部と）連続して設けられた、複数の酸化層６を含む。具体的には、第１領域６０は、第１ミラー層２０を構成している低屈折率層（例えばＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層）２６と連続する層が酸化された酸化層６と、第１ミラー層２０を構成している高屈折率層（例えばＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ層）２４と連続する層４と、が交互に積層されて構成されている。
第２領域６２は、積層体２を構成する第２ミラー層４０の側方に設けられている。第２領域６２は、第２ミラー層４０と連続して設けられた、複数の酸化層１６を含む。具体的には、第２領域６２は、第２ミラー層４０を構成している低屈折率層（例えばＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層）４６と連続する層が酸化された酸化層１６と、第２ミラー層４０を構成している高屈折率層（例えばＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ層）４４と連続する層１４と、が交互に積層されて構成されている。平面視において（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向から見て）、第１領域６０と第２領域６２とにより、酸化領域８が構成されている。
第１ミラー層２０、活性層３０、第２ミラー層４０、電流狭窄層４２、コンタクト層５０、第１領域６０、および第２領域６２は、積層体２を構成している。図１および図２に示す例では、積層体２は、樹脂層７０によって囲まれている。
図３に示す例では、平面視において、Ｙ軸方向における積層体２の長さは、Ｘ軸方向における積層体２の長さよりも長い。すなわち、積層体２の長手方向は、Ｙ軸方向である。平面視において、積層体２は、例えば、積層体２の中心を通りＸ軸に平行な仮想直線に関して、対称である。また、平面視において、積層体２は、例えば、積層体２の中心を通りＹ軸に平行な仮想直線に関して、対称である。
積層体２は、図３に示すように平面視において、第１歪付与部（第１部分）２ａと、第２歪付与部（第２部分）２ｂと、共振部（第３部分）２ｃと、を含む。
第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、平面視において、共振部２ｃを挟んでＹ軸方向に対向している。第１歪付与部２ａは、平面視において、共振部２ｃから＋Ｙ軸方向に突出している。第２歪付与部２ｂは、平面視において、共振部２ｃから−Ｙ軸方向に突出している。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、共振部２ｃと一体に設けられている。
第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、活性層３０に歪みを付与して、活性層３０にて発生する光を偏光させる。ここで、光を偏光させるとは、光の電場の振動方向を一定にすることをいう。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを構成する半導体層（第１ミラー層２０、活性層３０、第２ミラー層４０、電流狭窄層４２、コンタクト層５０、第１領域６０、および第２領域６２）は、活性層３０に付与する歪みを発生させる発生源となる。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、複数の酸化層６を有する第１領域６０と、複数の酸化層１６を有する第２領域６２と、を有しているため、活性層３０に大きな歪みを付与することができる。
共振部２ｃは、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとの間に設けられている。Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さは、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さまたはＸ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さよりも大きい。共振部２ｃの平面形状（第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向から見た形状）は、例えば、円である。
ここで、Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における共振部２ｃの長さのうちの最大の長さである。また、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における第１歪付与部２ａの長さのうちの最大の長さである。また、Ｘ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さとは、例えば、Ｘ軸方向における第２歪付与部２ｂの長さのうちの最大の長さである。
共振部２ｃは、活性層３０で発生した光を共振させる。すなわち、共振部２ｃでは、垂直共振器が形成される。
樹脂層７０は、積層体２の少なくとも一部の上方に設けられている。また、樹脂層７０は、平面視において、第１歪付与部２ａの少なくとも一部を覆うように設けられている。図１に示す例では、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを覆っている。すなわち、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの側面、第１歪付与部２ａの上面、第２歪付与部２ｂの側面、および第２歪付与部２ｂの上面に設けられている。樹脂層７０は、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを完全に覆っていてもよいし、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂの一部を覆っていてもよい。樹脂層７０の材質は、例えば、ポリイミドである。なお、本実施形態では、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂに歪みを付与するために樹脂層７０としているが、樹脂層７０に対応する構成は少なくとも絶縁の機能を有すればよいため、絶縁材料であれば樹脂でなくてもよい。
図３に示す例では、平面視において、Ｙ軸方向における樹脂層７０の長さは、Ｘ軸方向
における樹脂層７０の長さよりも大きい。すなわち、樹脂層７０の長手方向は、Ｙ軸方向である。樹脂層７０の長手方向と積層体２の長手方向とは、一致している。
第１電極８０は、第１ミラー層２０上に設けられている。第１電極８０は、第１ミラー層２０とオーミックコンタクトしている。第１電極８０は、第１ミラー層２０と電気的に接続されている。第１電極８０としては、例えば、第１ミラー層２０側から、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第１電極８０は、活性層３０に電流を注入するための一方の電極である。なお、図示はしないが、第１電極８０は、基板１０の下面に設けられていてもよい。
第２電極８２は、平面視において、共振部２ｃの少なくとも一部を覆うように設けられている。第２電極８２は、コンタクト層５０上（積層体２上）に設けられている。第２電極８２は、コンタクト層５０とオーミックコンタクトしている。図示の例では、第２電極８２は、さらに樹脂層７０上に形成されている。第２電極８２は、コンタクト層５０を介して、第２ミラー層４０と電気的に接続されている。第２電極８２としては、例えば、コンタクト層５０側から、Ｃｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第２電極８２は、活性層３０に電流を注入するための他方の電極である。
第２電極８２は、パッド８４と電気的に接続されている。図示の例では、第２電極８２は、引き出し配線８６を介して、パッド８４と電気的に接続されている。パッド８４は、樹脂層７０上に設けられている。パッド８４および引き出し配線８６の材質は、例えば、第２電極８２の材質と同じである。パッド８４は、ワイヤーボンディングされるパッドである。
パッド８４は、平面視において、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂの少なくとも一方とは重ならない位置に設けられている。図１に示す例では、パッド８４は、平面視において、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂのいずれとも重ならない位置に設けられている。また、図１に示す例では、パッド８４は、平面視において、共振部２ｃとは重ならない位置に設けられている。
引き出し配線８６は、平面視において、第１歪付与部２ａの延在方向（Ｙ方向）について少なくとも一部を覆うように設けられている。図１に示す例では、引き出し配線８６は、平面視において、幅方向において第１歪付与部２ａの全体を覆うように設けられている。また、図１に示す例では、第１歪付与部２ａは、平面視において、第２電極８２および引き出し配線８６の少なくとも一方で覆われている。
ここで、積層体２および樹脂層７０について、より詳細に説明する。図５は、面発光レーザー１００を模式的に示す平面図であって、図２に示す積層体２近傍の拡大図である。図６は、面発光レーザー１００を模式的に示す図５のＶＩ−ＶＩ線断面図である。図７は、面発光レーザー１００を模式的に示す図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。図８は、面発光レーザー１００を模式的に示す図５のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
なお、便宜上、図５〜図８では、積層体２を簡略化して図示している。また、図５〜図８では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。
積層体２は、基板１０の上方に設けられている。積層体２は、第１幅（Ｘ軸方向の長さ）を有する第１歪付与部２ａと、第２幅を有する第２歪付与部２ｂと、第１幅および第２幅よりも広い第３幅を有する共振部２ｃと、を有している。図示の例では、第１幅と第２幅は、同じ幅である。
なお、第１幅とは、例えば、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとが対向する方向（Ｙ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向）において、第１歪付与部２ａの幅のうちの最大をとる幅のことである。第２幅とは、例えば、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとが対向する方向に直交する方向において、第２歪付与部２ｂの幅のうちの最大をとる幅のことである。第３幅とは、例えば、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとが対向する方向に直交する方向において、共振部２ｃの幅のうちの最大をとる幅のことである。
第１歪付与部２ａは、図５〜図８に示すように、上面１０２と、第１側面１０４と、第２側面１０６と、第３側面１０８と、を有している。第１側面１０４、第２側面１０６および第３側面１０８は、上面１０２と連続（接続）している。第１側面１０４は、第１歪付与部２ａの−Ｘ軸方向側の側面である。第２側面１０６は、第１歪付与部２ａの＋Ｘ軸方向側の側面である。第３側面１０８は、第１歪付与部２ａの＋Ｙ軸方向側の側面である。第３側面１０８は、第１側面１０４および第２側面１０６に接続されている。
第２歪付与部２ｂは、上面１１２と、第１側面１１４と、第２側面１１６と、第３側面１１８と、を有している。第１側面１１４、第２側面１１６および第３側面１１８は、上面１１２と連続（接続）している。第１側面１１４は、第２歪付与部２ｂの−Ｘ軸方向側の側面である。第２側面１１６は、第２歪付与部２ｂの＋Ｘ軸方向側の側面である。第３側面１１８は、第２歪付与部２ｂの−Ｙ軸方向側の側面である。第３側面１１８は、第１側面１１４および第２側面１１６に接続されている。
樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの少なくとも一部を覆っている。すなわち、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの少なくとも一部の上面１０２と、第１歪付与部２ａの少なくとも一部の第１側面１０４と、第１歪付与部２ａの少なくとも一部の第２側面１０６と、に設けられている。図示の例では、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの全体を覆っている。具体的には、樹脂層７０は、上面１０２全体と、第１側面１０４全体と、第２側面１０６全体と、第３側面１０８全体と、に設けられている。
樹脂層７０は、さらに、第２歪付与部２ｂの少なくとも一部を覆っている。すなわち、樹脂層７０は、第２歪付与部２ｂの少なくとも一部の上面１１２と、第２歪付与部２ｂの少なくとも一部の第１側面１１４と、第２歪付与部２ｂの少なくとも一部の第２側面１１６と、に設けられている。図示の例では、樹脂層７０は、第２歪付与部２ｂの全体を覆っている。具体的には、樹脂層７０は、上面１１２全体と、第１側面１１４全体と、第２側面１１６全体と、第３側面１１８全体と、に設けられている。
図示の例では、樹脂層７０は、積層体２の側面全体と、第１歪付与部２ａの上面１０２の少なくとも一部（具体的には全部）と、第２歪付与部２ｂの上面１１２の少なくとも一部（具体的には全部）と、に設けられている。
樹脂層７０は、熱を与えることで硬化する樹脂であり、樹脂層７０を硬化するための加熱処理（キュア）において収縮する。さらに、樹脂層７０は、上記加熱処理から常温に戻す際において収縮する。樹脂層７０の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数（基板１０がＧａＡｓ基板の場合は６．５程度）よりも大きい。そのため、樹脂層７０は、基板１０よりも収縮しやすい。
図７に示す例では、引き出し配線８６は、樹脂層７０の上方に設けられている。また、引き出し配線８６の幅は、第１歪付与部２ａの幅（第１幅）よりも広い。また、引き出し配線８６は、幅方向において、樹脂層７０が略平坦になっている領域の少なくとも一部を覆うように設けられている。また、図１に示すように、引き出し配線８６の幅は、第２電極８２の幅よりも狭い。
なお、引き出し配線８６の幅とは、例えば、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとが対向する方向（Ｙ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向）において、引き出し配線８６の幅のうちの最小をとる幅のことである。第２電極８２の幅とは、例えば、第１歪付与部２ａと第２歪付与部２ｂとが対向する方向（Ｙ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向）において、第２電極８２の幅のうちの最大をとる幅のことである。
なお、上記では、ＡｌＧａＡｓ系の面発光レーザーについて説明したが、本発明に係る面発光レーザーは、発振波長に応じて、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＧａＡｓＳｂ系の半導体材料を用いてもよい。
面発光レーザー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
図７に示すように、平面視における第１歪付与部２ａの端部近傍では、樹脂層７０の上面に曲率の大きな部分が生じやすい。面発光レーザー１００では、引き出し配線８６の幅は、第１歪付与部２ａの幅よりも広く、幅方向において第１歪付与部２ａの全体を覆うように設けられているので、引き出し配線８６の剥がれを抑制できる。そのため、面発光レーザー１００では、歩留まりのよい面発光レーザーを実現できる。
また、面発光レーザー１００では、引き出し配線８６の幅は、共振部２ｃの少なくとも一部を覆うように設けられた第２電極８２の幅よりも狭いので、引き出し配線８６の幅が第２電極８２の幅よりも広い場合に比べて、引き出し配線８６による寄生容量を低減できる。そのため、面発光レーザー１００では、引き出し配線８６による寄生容量に起因する特性の劣化を抑制できる。
また、面発光レーザー１００では、第１歪付与部２ａは、第２電極８２および引き出し配線８６の少なくとも一方で覆われているので、段差が生じやすい第１歪付与部２ａの端部を第２電極８２および引き出し配線８６の少なくとも一方で覆うことができる。これによって、引き出し配線８６の剥がれを抑制できる。そのため、面発光レーザー１００では、歩留まりのよい面発光レーザーを実現できる。
また、面発光レーザー１００では、ワイヤーボンディングされるパッド８４は、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂの少なくとも一方とは重ならない位置に設けられているので、ワイヤーボンディングの際に第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂの少なくとも一方が損傷を受ける可能性を低減できる。そのため、面発光レーザー１００では、レーザー光の偏光方向の安定化を図ることができる。
また、面発光レーザー１００では、ワイヤーボンディングされるパッド８４は、共振部２ｃとは重ならない位置に設けられているので、ワイヤーボンディングの際に共振部２ｃが損傷を受ける可能性を低減できる。そのため、このような面発光レーザー１００では、レーザー光の安定化を図ることができる。
また、面発光レーザー１００では、積層体２は、第１歪付与部２ａと、第２歪付与部２ｂと、共振部２ｃと、を有し、第１歪付与部２ａの少なくとも一部を覆う樹脂層７０が設けられている。ここで、樹脂層７０は、熱を与えることで硬化する樹脂であり、樹脂層７０を硬化するための加熱処理（キュア）において収縮する。さらに、樹脂層７０は、上記加熱処理から常温に戻す際において収縮する。この樹脂層７０の収縮によって、面発光レーザー１００では、第１歪付与部２ａにより共振部２ｃに付与する応力を大きくすることができ、共振部２ｃの活性層３０に大きな歪みを生じさせることができる。そのため、面
発光レーザー１００では、レーザー光の偏光方向の安定化を図ることができる。
面発光レーザー１００では、このように、レーザー光の偏光方向を安定させることができるため、例えば、面発光レーザー１００を原子発振器の光源として用いた場合に、λ／４板を介して、ガスセルに円偏光の光を安定して照射することができる。その結果、原子発振器の周波数安定度を高めることができる。例えば、面発光レーザーから射出されるレーザー光の偏光方向が不安定な場合、λ／４板を介して得られる光が楕円偏光となる場合や、円偏光の回転方向が変動してしまう場合がある。
このように、面発光レーザー１００では、レーザー光の偏光方向を安定させることができるため、λ／４板を介して、ガスセルに円偏光の光を安定して照射することができ、原子発振器の周波数安定性を高めることができる。
面発光レーザー１００では、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの全体を覆っている。そのため、面発光レーザー１００では、樹脂層７０が第１歪付与部２ａの一部しか覆っていない場合に比べて、第１歪付与部２ａにより共振部２ｃに付与する応力を大きくすることができる。
面発光レーザー１００では、樹脂層７０は、第１歪付与部２ａの上面１０２全体と、第２歪付与部２ｂの上面１１２全体と、に設けられている。そのため、面発光レーザー１００では、例えば樹脂層７０が上面１０２，１１２の一部しか覆っていない場合に比べて、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂにより共振部２ｃに付与する応力を大きくすることができる。
２． 面発光レーザーの製造方法
次に、本実施形態に係る面発光レーザーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９〜図１２は、本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図２に対応している。
図９に示すように、基板１０上に、第１ミラー層２０、活性層３０、酸化されて電流狭窄層４２となる被酸化層４２ａ、第２ミラー層４０、およびコンタクト層５０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
図１０に示すように、コンタクト層５０、第２ミラー層４０、被酸化層４２ａ、活性層３０、および第１ミラー層２０をパターニングして、積層体２を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
図１１に示すように、被酸化層４２ａを酸化して、電流狭窄層４２を形成する。被酸化層４２ａは、例えば、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ≧０．９５）層である。例えば、４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、積層体２が形成された基板１０を投入することにより、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ≧０．９５）層を側面から酸化して、電流狭窄層４２を形成する。
面発光レーザー１００の製造方法では、上記の酸化工程において、第１ミラー層２０を構成する層を、側面から酸化して第１領域６０を形成する。さらに、第２ミラー層４０を構成する層を、側面から酸化して第２領域６２を形成する。具体的には、４００℃程度の水蒸気雰囲気によって、第１ミラー層２０および第２ミラー層４０を構成するＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層のヒ素が酸素に置き換わり、第１領域６０および第２領域６２が形成される。第１領域６０および第２領域６２は、例えば４００℃程度の高温から室温に戻すときに
収縮し、第２領域６２の上面６３は、基板１０側に傾斜する（図４参照）。第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂは、第１領域６０および第２領域６２の収縮に起因する歪みを（応力を）活性層３０に付与することができる。
図１２に示すように、積層体２を取り囲んで、第１歪付与部２ａおよび第２歪付与部２ｂを覆うように樹脂層７０を形成する。樹脂層７０は、例えば、スピンコート法等を用いて第１ミラー層２０の上面および積層体２の全面にポリイミド樹脂等からなる層を形成し、該層をパターニングすることにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。次に、樹脂層７０を加熱処理（キュア）することにより硬化させる。本加熱処理によって、樹脂層７０は、収縮する。さらに、樹脂層７０は、加熱処理から常温に戻す際において収縮する。
図２に示すように、コンタクト層５０上および樹脂層７０上に第２電極８２を形成し、第１ミラー層２０上に第１電極８０を形成する。第１電極８０および第２電極８２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組合せ等により形成される。なお、第１電極８０および第２電極８２を形成する順序は、特に限定されない。また、第２電極８２を形成する工程で、パッド８４および引き出し配線８６（図１参照）を形成してもよい。
以上の工程により、面発光レーザー１００を製造することができる。
３． 原子発振器
次に、本実施形態に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図１３は、本実施形態に係る原子発振器１０００を示す機能ブロック図である。
原子発振器１０００は、図１３に示すように、光学モジュール１１００と、中心波長制御部１２００と、高周波制御部１３００と、を含んで構成されている。
光学モジュール１１００は、本発明に係る面発光レーザー（図示の例では、面発光レーザー１００）と、ガスセル１１１０と、光検出部１１２０と、を有する。
図１４は、面発光レーザー１００が射出する光の周波数スペクトラムを示す図である。図１５は、アルカリ金属原子のΛ型３準位モデルと第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２の関係を示す図である。面発光レーザー１００から射出される光は、図１４に示す、中心周波数ｆ0（＝ｃ／λ0：ｃは光の速さ、λ0はレーザー光の中心波長）を有する基本波Ｆと、中心周波数ｆ0に対して上側サイドバンドに周波数ｆ1を有する第１側帯波Ｗ１と、中心周波数ｆ0に対して下側サイドバンドに周波数ｆ2を有する第２側帯波Ｗ２と、を含む。第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ1は、ｆ1＝ｆ0＋ｆmであり、第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ2は、ｆ2＝ｆ0−ｆmである。
図１５に示すように、第１側帯波Ｗ１の周波数ｆ1と第２側帯波Ｗ２の周波数ｆ2との周波数差が、アルカリ金属原子の基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２とのエネルギー差ΔＥ12に相当する周波数と一致している。したがって、アルカリ金属原子は、周波数ｆ1を有する第１側帯波Ｗ１と、周波数ｆ2を有する第２側帯波Ｗ２と、によってＥＩＴ現象を起こす。
ガスセル１１１０は、容器中に気体状のアルカリ金属原子（ナトリウム原子、ルビジウム原子、セシウム原子等）が封入されたものである。このガスセル１１１０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）を有する２つの光波が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２のエネル
ギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
光検出部１１２０は、ガスセル１１１０に封入されたアルカリ金属原子を透過した光の強度を検出する。光検出部１１２０は、アルカリ金属原子を透過した光の量に応じた検出信号を出力する。光検出部１１２０としては、例えば、フォトダイオードを用いる。
中心波長制御部１２００は、光検出部１１２０が出力する検出信号に応じた大きさの駆動電流を発生させて面発光レーザー１００に供給し、面発光レーザー１００が射出する光の中心波長λ0を制御する。面発光レーザー１００、ガスセル１１１０、光検出部１１２０、中心波長制御部１２００を通るフィードバックループにより、面発光レーザー１００が射出するレーザー光の中心波長λ0が微調整されて安定する。
高周波制御部１３００は、光検出部１１２０が出力する検出結果に基づいて、第１側帯波Ｗ１および第２側帯波Ｗ２の波長（周波数）差が、ガスセル１１１０に封入されたアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数に等しくなるように制御する。高周波制御部１３００は、光検出部１１２０が出力する検出結果に応じた変調周波数ｆm（図１４参照）を有する変調信号を発生させる。
面発光レーザー１００、ガスセル１１１０、光検出部１１２０、高周波制御部１３００を通るフィードバックループにより、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するようにフィードバック制御がかかる。その結果、変調周波数ｆmは極めて安定した周波数になるので、変調信号を原子発振器１０００の出力信号（クロック出力）とすることができる。
次に、原子発振器１０００の動作について、図１３〜図１５を参照しながら説明する。
面発光レーザー１００から射出されたレーザー光は、ガスセル１１１０に入射する。面発光レーザー１００から射出される光は、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）を有する２つの光波（第１側帯波Ｗ１、第２側帯波Ｗ２）を含んでおり、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。ガスセル１１１０を透過した光の強度は光検出部１１２０で検出される。
中心波長制御部１２００および高周波制御部１３００は、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差がアルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数と極めて正確に一致するように、フィードバック制御を行う。原子発振器１０００では、ＥＩＴ現象を利用し、第１側帯波Ｗ１と第２側帯波Ｗ２との周波数差ｆ1−ｆ2が基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２とのエネルギー差ΔＥ12に相当する周波数からずれた時の光吸収挙動の急峻な変化を検出し制御することで、高精度な発振器をつくることができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
２…積層体、２ａ…第１歪付加部、２ｂ…第２歪付加部、２ｃ…共振部、４…層、６…酸化層、８…酸化領域、１０…基板、１４…層、１６…酸化層、２０…第１ミラー層、２４…高屈折率層、２６…低屈折率層、３０…活性層、４０…第２ミラー層、４２…電流狭窄層、４２ａ…被酸化層、４３…開口部、４４…高屈折率層、４６…低屈折率層、５０…コンタクト層、６０…第１領域、６２…第２領域、６３…上面、７０…樹脂層、８０…第１電極、８２…第２電極、８２ａ…開口部、８４…パッド、８６…引き出し配線、１００…面発光レーザー、１０２…上面、１０４…第１側面、１０６…第２側面、１０８…第３側面、１１２…上面、１１４…第１側面、１１６…第２側面、１１８…第３側面、１０００…原子発振器、１１００…光モジュール、１１１０…ガスセル、１１２０…光検出部、１２００…中心波長制御部、１３００…高周波制御部

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上方に設けられた積層体と、
    前記積層体の少なくとも一部の上方に設けられた絶縁層と、
    少なくとも一部が前記積層体上方に設けられた電極と、
    ワイヤーボンディングされるパッドと、
    前記絶縁層の上方に設けられ、前記電極と前記パッドとを電気的に接続する配線と、
    を含み、
    前記積層体は、前記基板上方に設けられた第１ミラー層と、前記第１ミラー層上方に設けられた活性層と、前記活性層上方に設けられた第２ミラー層と、を含み、
    平面視において、前記積層体は、第１歪付与部と、第２歪付与部と、前記第１歪付与部と前記第２歪付与部との間に設けられ、前記活性層で発生した光を共振させる共振部と、を有し、
    平面視において、前記絶縁層は、前記第１歪付与部の少なくとも一部を覆うように設けられ、
    平面視において、前記電極は、前記共振部の少なくとも一部を覆うように設けられ、
    平面視において、前記配線は、前記第１歪付与部の少なくとも一部について、幅方向の全体を覆うように設けられ、
    平面視において、前記配線の幅は、前記第１歪付与部の幅よりも広く、前記電極の幅よりも狭く、
    前記絶縁層の上面は、
    第１部分と、
    前記第１部分よりも曲率が大きく、平面視において前記第１歪付与部の側面と重なる第２部分と、
    を有し、
    前記配線は、前記第２部分を覆い、
    前記配線の幅方向の端部は、前記第１部分に設けられている、面発光レーザー。
  2. 請求項１において、
    平面視において、前記第１歪付与部は、前記電極および前記配線の少なくとも一方で覆われていることを特徴とする、面発光レーザー。
  3. 請求項１または２において、
    前記第１歪付与部は、第１幅を有し、
    前記第２歪付与部は、第２幅を有し、
    前記共振部は、前記第１幅および前記第２幅の少なくとも一方よりも広い第３幅を有することを特徴とする、面発光レーザー。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の面発光レーザーを含む、原子発振器。
JP2013263463A 2013-12-20 2013-12-20 面発光レーザーおよび原子発振器 Expired - Fee Related JP6274404B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013263463A JP6274404B2 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 面発光レーザーおよび原子発振器
CN201410756929.7A CN104734007A (zh) 2013-12-20 2014-12-10 面发光激光器以及原子振荡器
US14/574,813 US9634467B2 (en) 2013-12-20 2014-12-18 Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator
EP14198853.5A EP2887468A3 (en) 2013-12-20 2014-12-18 Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013263463A JP6274404B2 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 面発光レーザーおよび原子発振器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015119142A JP2015119142A (ja) 2015-06-25
JP6274404B2 true JP6274404B2 (ja) 2018-02-07

Family

ID=52146209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013263463A Expired - Fee Related JP6274404B2 (ja) 2013-12-20 2013-12-20 面発光レーザーおよび原子発振器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9634467B2 (ja)
EP (1) EP2887468A3 (ja)
JP (1) JP6274404B2 (ja)
CN (1) CN104734007A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6299955B2 (ja) * 2013-12-20 2018-03-28 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6786961B2 (ja) 2016-08-29 2020-11-18 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
EP3419123A1 (en) * 2017-06-22 2018-12-26 Koninklijke Philips N.V. Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with improved gain-switching behavior
CN112612198B (zh) * 2020-12-22 2022-04-01 中国计量科学研究院 用于冷原子喷泉钟的温度免疫微波谐振器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3482824B2 (ja) * 1997-07-29 2004-01-06 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
JP3791584B2 (ja) * 1999-12-28 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
JP2003086896A (ja) * 2001-06-26 2003-03-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体素子及び面発光型半導体レーザ素子
JP4138629B2 (ja) * 2003-11-06 2008-08-27 株式会社東芝 面発光型半導体素子及びその製造方法
US20050169336A1 (en) * 2004-02-04 2005-08-04 Fuji Xerox Co., Ltd. Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser
JP4815812B2 (ja) * 2004-02-04 2011-11-16 富士ゼロックス株式会社 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置
CA2556709A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-09 Finisar Corporation Methods for polarization control for vcsels
JP4232034B2 (ja) * 2004-07-01 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザの製造方法
JP4568125B2 (ja) * 2005-01-17 2010-10-27 株式会社東芝 面発光型半導体素子
US7974327B2 (en) * 2006-03-14 2011-07-05 Furukawa Electric Co., Ltd. Surface emitting laser element array
JP2011159943A (ja) * 2010-01-08 2011-08-18 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP5699467B2 (ja) 2010-07-14 2015-04-08 セイコーエプソン株式会社 光学モジュールおよび原子発振器
JP5916459B2 (ja) * 2012-03-23 2016-05-11 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子
JP6107089B2 (ja) * 2012-11-30 2017-04-05 株式会社リコー 面発光レーザ素子及び原子発振器
JP6323650B2 (ja) * 2013-12-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6323649B2 (ja) * 2013-12-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119137A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6410008B2 (ja) * 2013-12-20 2018-10-24 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6299955B2 (ja) * 2013-12-20 2018-03-28 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119149A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119140A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119143A (ja) * 2013-12-20 2015-06-25 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6323651B2 (ja) * 2013-12-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 面発光レーザーおよび原子発振器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2887468A2 (en) 2015-06-24
US9634467B2 (en) 2017-04-25
JP2015119142A (ja) 2015-06-25
CN104734007A (zh) 2015-06-24
US20150180213A1 (en) 2015-06-25
EP2887468A3 (en) 2015-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6323649B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6323651B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6323650B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
US10103515B2 (en) Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator
JP6410008B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6274404B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP6299955B2 (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
US20150180206A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator
US9231377B2 (en) Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator
US20150180212A1 (en) Vertical cavity surface emitting laser and atomic oscillator
JP2015119150A (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119139A (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2017084937A (ja) 原子発振器
JP2017084936A (ja) 光源および原子発振器
JP6575299B2 (ja) 原子発振器
JP2015119141A (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119148A (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器
JP2015119144A (ja) 面発光レーザーおよび原子発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6274404

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees