JP2010258054A - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010258054A JP2010258054A JP2009103555A JP2009103555A JP2010258054A JP 2010258054 A JP2010258054 A JP 2010258054A JP 2009103555 A JP2009103555 A JP 2009103555A JP 2009103555 A JP2009103555 A JP 2009103555A JP 2010258054 A JP2010258054 A JP 2010258054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- semiconductor layer
- layer
- semiconductor laser
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザ10は、基板12と、バッファ層14を含むn型の下部DBR16と、活性層20と、p型の上部DBR22と、上部DBR22から下部DBR16至る半導体層をエッチングして形成されたポストPと、ポストPの底部において絶縁保護膜26の開口部26Bを介してバッファ層14に至るコンタクト溝32と、バッファ層14に電気的に接続されるn側電極34と、ポストPの頂部において絶縁保護膜26の開口部26Aを介して上部DBR22に電気的に接続されるp側電極28と、コンタクト溝32とポストPとの間の下部DBR16に形成された絶縁保護膜の剥離を防止する剥離防止溝50とを有する。
【選択図】図2
Description
請求項2において、第2の溝は、第1の溝の形状に沿って形成される。
請求項3において、第2の溝の長手方向の長さは、第1の溝の長手方向の長さよりも大きい。
請求項4において、第2の溝の短手方向の幅は、第1の溝の短方向の幅よりも小さい。
請求項5において、第2の溝の深さは、第1の溝の深さよりも浅い。
請求項6において、第2の溝は、柱状構造の側部から延在する絶縁保護膜によって覆われている。
請求項7において、柱状構造の底部において前記絶縁保護膜の開口部は、第1および第2の溝を形成する領域を露出させ、前記第1の電極は、第1および第2の溝を覆うように延在する。
請求項8において、第1の半導体層は、Al組成の異なる半導体層の対を複数含み、第2の半導体層は、Al組成の異なる半導体層の対を複数含み、前記接続層は、前記複数の対の半導体層よりも不純物濃度が高い。
請求項9に係る面発光型半導体レーザ装置は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからのレーザ光を入射する光学部材とを実装する。
請求項10に係る光伝送装置は、請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備える。
請求項11に係る光情報処理装置は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する。
請求項12に係る面発光型半導体レーザの製造方法は、基板上に、接続層を有する第1導電型の第1の半導体層、活性層、および第2導電型の第2の半導体層を含む半導体層を積層する工程と、第2の半導体層から少なくとも第1の半導体層に至る半導体層を選択的に除去して基板上に柱状構造を形成する工程と、柱状構造の底部において絶縁保護膜の剥離を防止するための剥離防止溝を第1の半導体層に形成する工程と、柱状構造および剥離防止溝を含む領域上に絶縁保護膜を形成する工程と、柱状構造の底部において前記剥離防止溝に近接する領域の第1の半導体層が露出するように前記絶縁保護膜に開口部を形成する工程と、前記開口部によって露出された第1の半導体層に前記接続層に至る深さの接続溝を形成する工程と、前記接続溝を介して前記接続層に電気的に接続される電極を形成する工程とを有する。
請求項13に係る面発光型半導体レーザの製造方法は、基板上に、接続層を有する第1導電型の第1の半導体層、活性層、および第2導電型の第2の半導体層を含む半導体層を積層する工程と、第2の半導体層から少なくとも第1の半導体層に至る半導体層を選択的に除去して基板上に柱状構造を形成する工程と、柱状構造を含む領域上に絶縁保護膜を形成する工程と、柱状構造の底部において第1の半導体層が露出するように絶縁保護膜に開口部を形成する工程と、前記開口部によって露出された第1の半導体層に前記接続層に至る深さを有する少なくとも2つの溝を同時に形成する工程と、前記少なくとも2つの溝を介して前記接続層に電気的に接続される電極を形成する工程とを有する。
請求項14において、前記接続層に至る深さの溝を形成する工程は、湿式エッチングである。
請求項2によれば、本構成を有さない場合と比較して、絶縁保護膜の開口部から柱状構造への剥離の伝播を抑制することができる。
請求項3によれば、本構成を有さない場合と比較して、絶縁保護膜の開口部から柱状構造への剥離の伝播を抑制することができる。
請求項4によれば、第1の溝を柱状構造に近接させて電気抵抗を小さくすることができる。
請求項5によれば、第1の溝の加工が容易となる。
請求項6によれば、絶縁保護膜の開口部からの剥離が第2の溝において抑制される。
請求項7によれば、第2の溝がない場合と比較して、絶縁保護膜の開口部からの剥離を抑制しかつ第1の電極と第1の半導体層との電気的抵抗を小さくすることができる。
請求項8によれば、第1の電極と第1の半導体層間の電気的抵抗を小さくすることができる。
請求項9ないし11によれば、面発光型半導体レーザの頓死を抑制した面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および光情報処理装置を提供することができる。
請求項12および13によれば、単一の溝を有する面発光型半導体レーザの製造方法と比較して絶縁保護膜の剥離を抑制した製造方法を提供することができる。
請求項14によれば、湿式エッチングを用いた場合でも絶縁保護膜の剥離を抑制することができる。
12:基板
14;バッファ層
16:上部DBR
18:スペーサ層
20:活性層
22:下部DBR
24:ポスト用溝
24A:境界
25:パッド形成領域
26:絶縁保護膜
26A:コンタクトホール
26B、26C:コンタクトホール(開口部)
28:p側電極
28A:出射窓
3−:電流狭窄層
32:コンタクト溝
34:n側電極
50、50A、50B、50C:剥離防止溝
Claims (14)
- 基板と、
基板上に形成され、接続層を含む第1導電型の第1の半導体層と、
第1の半導体層上に形成された活性層と、
活性層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、
第2の半導体層から少なくとも第1の半導体層に至るまでの半導体層を除去して形成され、底部、側部および頂部を有し、発光部として機能する柱状構造と、
柱状構造の底部において絶縁保護膜の開口部を介して第1の半導体層に形成され、前記接続層に至る深さの第1の溝と、
第1の溝を介して前記接続層に電気的に接続される第1の電極と、
柱状構造の頂部において第2の半導体層に電気的に接続される第2の電極と、
柱状構造の底部において第1の溝と柱状構造との間の第1の半導体層に形成された第2の溝と、
を有する面発光型半導体レーザ。 - 第2の溝は、第1の溝の形状に沿って形成される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の溝の長手方向の長さは、第1の溝の長手方向の長さよりも大きい、請求項2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の溝の短手方向の幅は、第1の溝の短方向の幅よりも小さい、請求項2または3に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の溝の深さは、第1の溝の深さよりも浅い、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の溝は、柱状構造の側部から延在する絶縁保護膜によって覆われている、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 柱状構造の底部において前記絶縁保護膜の開口部は、第1および第2の溝を形成する領域を露出させ、前記第1の電極は、第1および第2の溝を覆うように延在する、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の半導体層は、Al組成の異なる半導体層の対を複数含み、第2の半導体層は、Al組成の異なる半導体層の対を複数含み、前記接続層は、前記複数の対の半導体層よりも不純物濃度が高い、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザからのレーザ光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。
- 請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する光情報処理装置。 - 基板上に、接続層を有する第1導電型の第1の半導体層、活性層、および第2導電型の第2の半導体層を含む半導体層を積層する工程と、
第2の半導体層から少なくとも第1の半導体層に至る半導体層を選択的に除去して基板上に柱状構造を形成する工程と、
柱状構造の底部において絶縁保護膜の剥離を防止するための剥離防止溝を第1の半導体層に形成する工程と、
柱状構造および剥離防止溝を含む領域上に絶縁保護膜を形成する工程と、
柱状構造の底部において前記剥離防止溝に近接する領域の第1の半導体層が露出するように前記絶縁保護膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部によって露出された第1の半導体層に前記接続層に至る深さの接続溝を形成する工程と、
前記接続溝を介して前記接続層に電気的に接続される電極を形成する工程と、
を有する面発光型半導体レーザの製造方法。 - 基板上に、接続層を有する第1導電型の第1の半導体層、活性層、および第2導電型の第2の半導体層を含む半導体層を積層する工程と、
第2の半導体層から少なくとも第1の半導体層に至る半導体層を選択的に除去して基板上に柱状構造を形成する工程と、
柱状構造を含む領域上に絶縁保護膜を形成する工程と、
柱状構造の底部において第1の半導体層が露出するように絶縁保護膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部によって露出された第1の半導体層に前記接続層に至る深さを有する少なくとも2つの溝を同時に形成する工程と、
前記少なくとも2つの溝を介して前記接続層に電気的に接続される電極を形成する工程と、
を有する面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記接続層に至る深さの溝を形成する工程は、湿式エッチングである、請求項12または13に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009103555A JP5381275B2 (ja) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009103555A JP5381275B2 (ja) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258054A true JP2010258054A (ja) | 2010-11-11 |
JP5381275B2 JP5381275B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=43318666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009103555A Active JP5381275B2 (ja) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5381275B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014057045A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子の製造方法、光源装置の製造方法、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2014086562A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2015099870A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200210A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2007150009A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2007250669A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Nec Corp | 誘電体dbrミラーを有する面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2008047717A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 高周波特性が改善された表面発光型半導体レーザ素子 |
-
2009
- 2009-04-22 JP JP2009103555A patent/JP5381275B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200210A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2007150009A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2007250669A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Nec Corp | 誘電体dbrミラーを有する面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2008047717A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 高周波特性が改善された表面発光型半導体レーザ素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014057045A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子の製造方法、光源装置の製造方法、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2014086562A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2015099870A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5381275B2 (ja) | 2014-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5092432B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP4892940B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US8477821B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, and optical transmission device | |
JP4946041B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US8731012B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method, surface emitting semiconductor laser device, optical transmitter, and information processor | |
US20100208764A1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and optical information processing device | |
US9252562B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, information processing apparatus, and method of producing surface emitting semiconductor laser | |
US8465993B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, optical transmission device, and information processing apparatus | |
JP2008283028A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、モジュール、光源装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光空間伝送システム。 | |
JP5151317B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US8295318B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus | |
JP6206669B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5092533B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP5672012B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5434421B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2012009727A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5381180B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光送信装置および情報処理装置 | |
JP5381275B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、光情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 | |
JP5515722B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP6015220B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5776825B1 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5282673B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2011155143A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2009071216A (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2009238815A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130822 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5381275 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |