JP5092432B2 - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム - Google Patents
面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5092432B2 JP5092432B2 JP2007024089A JP2007024089A JP5092432B2 JP 5092432 B2 JP5092432 B2 JP 5092432B2 JP 2007024089 A JP2007024089 A JP 2007024089A JP 2007024089 A JP2007024089 A JP 2007024089A JP 5092432 B2 JP5092432 B2 JP 5092432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- optical
- composition
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
- H01S5/18333—Position of the structure with more than one structure only above the active layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
- H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
特許文献2は、選択酸化型面発光レーザにおいて、酸化速度の速い組成からなる第1層と、第1層よりも酸化速度の遅い組成からなる第2層の超格子層を積層し、これを酸化することによって酸化領域を形成する技術を開示している。
特許文献3は、半導体積層構造において、電流狭窄層のV族元素を複数の元素により構成すると共に複数の元素の組成比を積層方向に段階的に変化させる技術を開示している。
請求項3において、電流狭窄層は、第2の半導体ミラー層内に形成され、第1の半導体層は、第2導電型のAlxGa1−xAs層であり、第2の半導体層は、第2導電型のAlyGa1−yAs層であり、x>yである。
請求項2によれば、第2の半導体層が活性領域に直接に接することで、第2の半導体層の酸化領域の終端部によって活性領域から発せられた光の閉じ込め量をより効果的に軽減することができる。
請求項3によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を小さくすることができる。
請求項4によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を小さくすることができる。
請求項5によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を最適化させることができる。
請求項6によれば、第2の半導体ミラー層を構成するAlGaAs層のAl濃度を変更するだけで、電流狭窄層の第2の半導体層を容易に形成し、広がり角を制御することができる。
請求項7によれば、第1の半導体ミラー層を構成するAlGaAs層のAl濃度を変更するだけで、電流狭窄層の第2の半導体層を容易に形成し、広がり角を制御することができる。
請求項8によれば、第2の半導体層のAl濃度によりシングルモードのレーザ光の広がり角を制御することができる。
請求項9によれば、レーザ光が出射される側の半導体ミラー層内に電流狭窄層を設けることで効果的に広がり角を小さくすることができる。
請求項10によれば、第2の半導体層の酸化領域の終端部が傾斜され、これにより光閉じ込め量が軽減され、レーザ光の広がり角を小さくすることができる。
請求項11によれば、第2の半導体層が活性領域に直接に接することで、第2の半導体層の酸化領域の終端部によって活性領域から発せられた光の閉じ込め量をより効果的に軽減することができる。
請求項12によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を従来技術に比べて小さくすることができる。
請求項13によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を従来技術に比べて小さくすることができる。
請求項14によれば、面発光型半導体レーザの広がり角を最適化させることができる。
請求項15によれば、レーザ光が出射される側の半導体ミラー層内に電流狭窄層を設けることで効果的に広がり角を小さくすることができる。
請求項16ないし21によれば、広がり角の小さなレーザ光を光通信や情報記録の光源に利用することができる。
104:バッファ層 106:下部DBR
108:活性領域 110:電流狭窄層
110a:AlAs層 110b:Al0.88Ga0.12As層
111a:酸化領域 111b:酸化領域
112:上部DBR 114:コンタクト層
116:溝 118:パッド形成領域
120:層間絶縁膜 130:p側上部電極
132:開口 134:電極パッド
136:配線電極 150:n側下部電極
P:メサ
Claims (21)
- 基板上に、第1導電型の第1の半導体ミラー層、第1の半導体ミラー層上の活性領域、活性領域上の第2導電型の第2の半導体ミラー層、および活性領域に近接する電流狭窄層を含み、
少なくとも電流狭窄層の側面が露出するようにメサ構造が形成され、
電流狭窄層は、Al組成を含む第1の半導体層と当該第1の半導体層に隣接しかつ第1の半導体層よりも活性領域側に形成されるAl組成を含む第2の半導体層とを含み、第1の半導体層のAl組成が第2の半導体層のAl組成よりも高く、レーザ光の発振波長をλとしたとき、第1および第2の半導体層を合わせた光学膜厚はλ/4であり、さらに第1および第2の半導体層は、メサ構造の側面から選択的に酸化された酸化領域をそれぞれ含み、第2の半導体層の酸化領域の終端面は、メサ構造の側面に対し前記活性領域側の前記酸化領域が小さくなるように傾斜しかつ第1の半導体層の酸化領域の終端面に接続される、面発光型半導体レーザ。 - 前記活性領域は、量子井戸活性層と当該量子井戸活性層を挟む一対のアンドープのスペーサ層とを含み、電流狭窄層の第2の半導体層は、一方のアンドープのスペーサ層に隣接して形成される、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 電流狭窄層は、第2の半導体ミラー層内に形成され、第1の半導体層は、第2導電型のAlxGa1−xAs層であり、第2の半導体層は、第2導電型のAlyGa1−yAs層であり、x>yである、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 電流狭窄層は、第1の半導体ミラー層内に形成され、第1の半導体層は、第1導電型のAlxGa1−xAs層であり、第2の半導体層は、第1導電型のAlyGa1−yAs層であり、x>yである、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の半導体層は、x=1であり、第2の半導体層は、0.85<y<0.90である、請求項3または4に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の半導体ミラー層は、Al組成が高い第1のAlGaAs層とAl組成が低い第2のAlGaAs層を交互に積層し、電流狭窄層の第2の半導体層のAl組成は、前記第1のAlGaAs層のAl組成よりも低い、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の半導体ミラー層は、Al組成が高い第1のAlGaAs層とAl組成が低い第2のAlGaAs層を交互に積層し、電流狭窄層の第2の半導体層のAl組成は、第1のAlGaAs層のAl組成よりも低い、請求項4に記載の面発光型半導体レーザ。
- 電流狭窄層の第1の半導体層に形成された酸化領域によって囲まれた導電領域の径は、少なくとも5.0ミクロン以下である、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第2の半導体ミラー層は、最上層にコンタクト層を含み、当該コンタクト層上に、レーザ光を出射する開口が形成された電極層が形成されている、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 基板上に、第1導電型の第1の半導体ミラー層、第1の半導体ミラー層上の活性領域、活性領域上の第2導電型の第2の半導体ミラー層、および活性領域に近接する電流狭窄層を形成する工程であって、電流狭窄層は、Al組成を含む第1の半導体層と当該第1の半導体層に隣接しかつ第1の半導体層よりも活性領域側に形成されるAl組成を含む第2の半導体層とを含み、第1の半導体層のAl組成が第2の半導体層のAl組成よりも高く、レーザ光の発振波長をλとしたとき、第1および第2の半導体層を合わせた光学膜厚はλ/4である、前記工程と、
少なくとも電流狭窄層の側面が露出されるようにメサ構造を形成する工程と、
メサ構造の側面から電流狭窄層の第1および第2の半導体層を同時に選択的に酸化させ、メサ構造の側面から選択的に酸化された酸化領域をそれぞれ形成する工程とを有し、
第2の半導体層の酸化領域の終端面は、メサ構造の側面に対し傾斜されかつ第1の半導体層の酸化領域の終端面に接続される、面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記活性領域は、量子井戸活性層と当該量子井戸活性層を挟む一対のアンドープのスペーサ層とを含み、電流狭窄層の第2の半導体層は、一方のアンドープのスペーサ層に隣接して形成される、請求項10に記載の製造方法。
- 電流狭窄層は、第2の半導体ミラー層内に形成され、第1の半導体層は、第2導電型のAlxGa1−xAs層であり、第2の半導体層は、第2導電型のAlyGa1−yAs層であり、x>yである、請求項10または11に記載の製造方法。
- 電流狭窄層は、第1の半導体ミラー層内に形成され、第1の半導体層は、第1導電型のAlxGa1−xAs層であり、第2の半導体層は、第1導電型のAlyGa1−yAs層であり、x>yである、請求項10または11に記載の製造方法。
- 第1の半導体層は、x=1であり、第2の半導体層は、0.85<y<0.90である、請求項12または13に記載の製造方法。
- 製造方法はさらに、第2の半導体ミラー層上にレーザ光を出射するための開口が形成された電極層を形成する工程とを含む、請求項10に記載の製造方法。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザに電気的に接続された電気接続端子と、面発光型半導体レーザから出射された光を入射する光学部品とを備えた光学装置。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載された面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザから発せられた光をレンズおよびミラーの少なくとも1つを含む光学部品を介して照射する照射手段と備えた、光照射装置。
- 請求項16に記載された光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を送信する送信手段とを備えた、情報処理装置。
- 請求項16に記載された光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項16に記載された光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項16に記載された光学装置と、面発光型半導体レーザから発せられた光を伝送する伝送手段とを備えた、光伝送システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024089A JP5092432B2 (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム |
US11/880,494 US7881354B2 (en) | 2007-02-02 | 2007-07-23 | VCSEL, manufacturing method thereof, optical device, light irradiation device, data processing device, light sending device, optical spatial transmission device, and optical transmission system |
KR1020070081567A KR101086788B1 (ko) | 2007-02-02 | 2007-08-14 | 면발광형 반도체 레이저, 면발광형 반도체 레이저의 제조방법, 광학 장치, 광조사 장치, 정보 처리 장치, 광송신장치, 광공간 전송 장치 및 광전송 시스템 |
CN2007101540740A CN101237123B (zh) | 2007-02-02 | 2007-09-13 | 垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007024089A JP5092432B2 (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008192733A JP2008192733A (ja) | 2008-08-21 |
JP2008192733A5 JP2008192733A5 (ja) | 2010-03-11 |
JP5092432B2 true JP5092432B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=39676121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007024089A Active JP5092432B2 (ja) | 2007-02-02 | 2007-02-02 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7881354B2 (ja) |
JP (1) | JP5092432B2 (ja) |
KR (1) | KR101086788B1 (ja) |
CN (1) | CN101237123B (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
EP2174185B1 (en) | 2007-06-13 | 2015-04-22 | Ramot at Tel-Aviv University Ltd. | System and method for converting digital data into an analogue intensity-modulated optical signal |
JP2010186899A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法 |
JP5434131B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2014-03-05 | 富士通株式会社 | 多波長レーザ素子及びその製造方法 |
JP5521411B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2011029496A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
CN104039577B (zh) | 2011-08-29 | 2018-05-15 | 汽车交通安全联合公司 | 用于车辆驾驶员中的分析物的非侵入式测量的系统 |
EP2775574A3 (en) * | 2013-03-07 | 2014-11-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser and optical coherence tomography apparatus equipped with surface emitting laser |
JP6553614B2 (ja) | 2013-08-27 | 2019-07-31 | オートモーティブ コアリション フォー トラフィック セーフティ, インコーポレイテッド | 生体認証データを用いる車両イグニッションを制御するためのシステムおよび方法 |
JP6237075B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2017-11-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP5729515B1 (ja) * | 2014-08-26 | 2015-06-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
KR20180015630A (ko) | 2015-06-09 | 2018-02-13 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 수직 공동 표면 방사 레이저 |
CN106611934A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 采用石墨烯进行电极搭桥的面发射激光器及其制备方法 |
CN106936068A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种集成激光器及其制备方法 |
CN106936069A (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-07 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种面发射激光器及其制备方法 |
US10516251B2 (en) * | 2016-06-28 | 2019-12-24 | Vi Systems Gmbh | Reliable high-speed oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser |
JP6737008B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-08-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 光スイッチ |
US12015103B2 (en) * | 2017-01-10 | 2024-06-18 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro light emitting diode display panel with option of choosing to emit light both or respectively of light-emitting regions |
US11777278B2 (en) * | 2017-06-30 | 2023-10-03 | Oulun Yliopisto | Method of manufacturing optical semiconductor apparatus and the apparatus |
US11088508B2 (en) * | 2017-08-28 | 2021-08-10 | Lumentum Operations Llc | Controlling beam divergence in a vertical-cavity surface-emitting laser |
US11456575B2 (en) * | 2017-08-28 | 2022-09-27 | Lumentum Operations Llc | Distributed oxide lens for beam shaping |
KR102171733B1 (ko) | 2018-04-02 | 2020-10-29 | 주식회사 레이아이알 | 수직 공동 표면 방출 레이저 |
WO2019194406A1 (ko) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 주식회사 레이아이알 | 수직 공동 표면 방출 레이저 |
WO2019194600A1 (ko) * | 2018-04-04 | 2019-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 표면 광방출 레이저 소자 |
CN109088309B (zh) * | 2018-10-16 | 2024-01-26 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法 |
US11764544B2 (en) | 2019-02-28 | 2023-09-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting laser |
EP3982830A4 (en) | 2019-06-12 | 2023-07-19 | Automotive Coalition for Traffic Safety, Inc. | NON-INVASIVE MEASUREMENT SYSTEM OF AN ANALYTE IN A VEHICLE DRIVER |
CN112563378B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-02-25 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种氧化增光二极管制作方法 |
TWI823611B (zh) * | 2021-10-13 | 2023-11-21 | 全新光電科技股份有限公司 | 具有模態過濾層的垂直腔面射型半導體雷射二極體 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100259005B1 (ko) | 1993-09-23 | 2000-06-15 | 윤종용 | 반도체 레이져 다이오드 |
US5594751A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-14 | Optical Concepts, Inc. | Current-apertured vertical cavity laser |
JP3740593B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2006-02-01 | 清水建設株式会社 | 室内空気保全装置 |
JP2000012974A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3499749B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2004-02-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3336981B2 (ja) | 1998-12-11 | 2002-10-21 | 日本電気株式会社 | 半導体積層構造 |
JP2001156397A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
US6674090B1 (en) * | 1999-12-27 | 2004-01-06 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
JP2001251016A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-14 | Canon Inc | 面発光半導体レーザ及びその製造方法 |
WO2002023641A1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | Regents Of The University Of California | Oxide and air apertures and method of manufacture |
JP3956647B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光レ−ザの製造方法 |
CN1259760C (zh) | 2001-08-31 | 2006-06-14 | 三井化学株式会社 | 半导体激光元件 |
JP3860494B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
JP4069383B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2008-04-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4815812B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-11-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
JP4485972B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-06-23 | 株式会社リコー | 半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法 |
-
2007
- 2007-02-02 JP JP2007024089A patent/JP5092432B2/ja active Active
- 2007-07-23 US US11/880,494 patent/US7881354B2/en active Active
- 2007-08-14 KR KR1020070081567A patent/KR101086788B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-13 CN CN2007101540740A patent/CN101237123B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080072499A (ko) | 2008-08-06 |
KR101086788B1 (ko) | 2011-11-25 |
US20080187015A1 (en) | 2008-08-07 |
CN101237123A (zh) | 2008-08-06 |
CN101237123B (zh) | 2011-04-06 |
JP2008192733A (ja) | 2008-08-21 |
US7881354B2 (en) | 2011-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5092432B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP4479804B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
KR101121114B1 (ko) | 면 발광형 반도체 레이저, 면 발광형 반도체 레이저의 제조방법, 모듈, 광원 장치, 정보 처리 장치, 광 송신 장치,광 공간 전송 장치 및 광 공간 전송 시스템 | |
JP5082344B2 (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP4967463B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置 | |
JP5092533B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム | |
JP2010186899A (ja) | 面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法 | |
JP4479803B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP2011124314A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2016046453A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP4892941B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US9502863B2 (en) | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP6237075B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5282673B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2011134746A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2009238815A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP5435008B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP2008098335A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2009193979A (ja) | 面発光型半導体レーザ、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100122 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111011 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5092432 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |