JP5929057B2 - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Description
請求項2は、前記第1の絶縁膜は、前記出射保護膜の長軸側の両端部を覆う、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記第1の絶縁膜は、前記出射保護膜の長軸方向に延在し、かつ前記光出射部の手前で終端する、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記第1の絶縁膜は、前記柱状構造の頂部の周縁を被覆する周縁被覆部の対向する端部を連結するように延在し、かつ前記第1の絶縁膜には、前記光出射部と重複する位置に開口部が形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記柱状構造は、前記基板の主面と平行な面において円形であり、前記柱状構造内に電流狭窄層が形成され、電流狭窄層には、酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とが形成される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、前記第2の絶縁膜と前記出射保護膜の重複する領域は、前記光出射部の光軸近傍であり、前記重複する領域の反射率は、前記第2の絶縁膜が重複しない領域の反射率よりも高い、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、前記出射保護膜の膜厚は、λ/4n1(λは発振波長)の奇数倍であり、前記第2の絶縁膜の膜厚は、λ/4n2の奇数倍であり、前記出射保護膜の屈折率n1は、前記第2の絶縁膜の屈折率n2よりも小さい、請求項6に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項8は、前記第2の絶縁膜と前記出射保護膜の重複する領域は、前記光出射部の光軸近傍から離れた領域であり、前記重複する領域の反射率は、前記第2の絶縁膜が重複しない光軸近傍の領域の反射率よりも低い、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項9は、前記出射保護膜の膜厚は、λ/2n1の整数倍であり、前記第2の絶縁膜の膜厚は、λ/4n2の奇数倍であり、前記出射保護膜の屈折率n1は、前記第2の絶縁膜の屈折率n2よりも小さい、請求項8に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項10は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、を実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項11は、請求項10に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。
請求項12は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。
請求項2、3、4によれば、出射保護膜の異方性の歪を増加させることができる。
請求項5によれば、導電領域が円形を持たない面発光型半導体レーザと比較して、基本横モード光の高出力化を図ることができる。
請求項6、7、8、9によれば、高次横モードを抑制し、基本横モードを促進することができる。
100:基板
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
106A:コンタクト層
108:電流狭窄層
108A:酸化領域
108B:導電領域(酸化アパーチャ)
110:p側電極
110A:光出射口
112:出射保護膜
112A、112B:端部
114:層間絶縁膜
114A:周縁被覆部
114B、114F:モード制御部
114C、114D:延在部
114E:開口部
114G:連結部
116:コンタクトホール
120:n側電極
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡と、
第1の半導体多層膜反射鏡上に形成された活性領域と、
前記活性領域上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡と、
前記基板上に形成され、少なくとも第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造と、
第2の半導体多層膜反射鏡上の光出射部を覆い、前記基板の主面と平行な面において長軸および短軸を有する異方形状を有し、発振波長を透過可能な材料から構成された出射保護膜と、
前記柱状構造の側壁および少なくとも頂部の周縁を覆う第1の絶縁膜と、
前記出射保護膜上に形成され、発振波長を透過可能な材料から構成され、基本横モード発振を制御するための第2の絶縁膜とを有し、
前記出射保護膜の長軸側の両端部の少なくとも一方は前記第1の絶縁膜によって覆われ、前記出射保護膜の短軸側の両端部は前記第1の絶縁膜から離間され、
前記出射保護膜は、前記異方形状により長軸方向と短軸方向において異なる応力を有し、前記第1の絶縁膜は、前記出射保護膜が有する応力を助長する応力を前記出射保護膜に付加する、面発光型半導体レーザ。 - 前記第1の絶縁膜は、前記出射保護膜の長軸側の両端部を覆う、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の絶縁膜は、前記出射保護膜の長軸方向に延在し、かつ前記光出射部の手前で終端する、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の絶縁膜は、前記柱状構造の頂部の周縁を被覆する周縁被覆部の対向する端部を連結するように延在し、かつ前記第1の絶縁膜には、前記光出射部と重複する位置に開口部が形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記柱状構造は、前記基板の主面と平行な面において円形であり、前記柱状構造内に電流狭窄層が形成され、電流狭窄層には、酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とが形成される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第2の絶縁膜と前記出射保護膜の重複する領域は、前記光出射部の光軸近傍であり、前記重複する領域の反射率は、前記第2の絶縁膜が重複しない領域の反射率よりも高い、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記出射保護膜の膜厚は、λ/4n1(λは発振波長)の奇数倍であり、前記第2の絶縁膜の膜厚は、λ/4n2の奇数倍であり、前記出射保護膜の屈折率n1は、前記第2の絶縁膜の屈折率n2よりも小さい、請求項6に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第2の絶縁膜と前記出射保護膜の重複する領域は、前記光出射部の光軸近傍から離れた領域であり、前記重複する領域の反射率は、前記第2の絶縁膜が重複しない光軸近傍の領域の反射率よりも低い、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記出射保護膜の膜厚は、λ/2n1の整数倍であり、前記第2の絶縁膜の膜厚は、λ/4n2の奇数倍であり、前記出射保護膜の屈折率n1は、前記第2の絶縁膜の屈折率n2よりも小さい、請求項8に記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、
を実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項10に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、
を備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011197293A JP5929057B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011197293A JP5929057B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013058687A JP2013058687A (ja) | 2013-03-28 |
JP5929057B2 true JP5929057B2 (ja) | 2016-06-01 |
Family
ID=48134285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011197293A Active JP5929057B2 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5929057B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111133642B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-11-30 | 罗姆股份有限公司 | 面发射半导体激光器 |
JPWO2022172663A1 (ja) * | 2021-02-10 | 2022-08-18 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5376104B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
JP2009071216A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP5261754B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-08-14 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5636686B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2014-12-10 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザアレイの製造方法 |
JP5434421B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2014-03-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP5532321B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5527714B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5532239B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5522595B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-06-18 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011124314A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2011159943A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
-
2011
- 2011-09-09 JP JP2011197293A patent/JP5929057B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013058687A (ja) | 2013-03-28 |
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