JP5100316B2 - 面発光型レーザ素子 - Google Patents
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Description
少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層構造はメサポストを形成しており、
前記電流注入領域は、前記メサポストの中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面とメサポスト外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面が成す角度を等分する平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向外側に突出しており、
前記メサポスト上部に形成され、前記電流注入領域に電流を供給する電極の引出線が、メサポストの中心から見て前記第1の外周部分と同じ角度位置で、メサポストからメサポストの半径方向外側に引き出されることを特徴とする。
少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層構造はメサポストを形成しており、
前記電流注入領域は、前記メサポスト中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面とメサポスト外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面が成す角度を等分する平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向外側に突出しており、
前記メサポスト上部に形成され、前記電流注入領域に電流を供給する電極の引出線に、メサポストの半径方向外側で且つメサポストにメサポスト近傍に屈曲部分が形成されていることを特徴とする。
10:GaAs基板
12:下部DBRミラー
14:バッファ層
16:n−コンタクト層
18:レーザ活性層
20:酸化狭窄層
20a:電流注入領域
20b:電流阻止領域
22:p−クラッド層
24:p+−コンタクト層
26:p側電極
28:誘電体DBRミラー
30:p側電極引出線
30a:屈曲部分
32:n側電極
34:n側電極引出線
36:p側電極パッド
38:n側電極パッド
40:誘電体層
44:ウエハ
50:メサポスト
52:周囲領域
54:分離溝
56:ブリッジ
200:VCSEL素子
60:n−GaAs基板
62:下部DBRミラー
64:下部クラッド層
66:量子井戸活性層
68:上部クラッド層
70:上部DBRミラー
72:酸化狭窄層
72a:電流注入領域
72b:電流阻止領域
74:メサポスト
76:ポリイミド層
78:p側電極
80:n側電極
82:p側電極パッド
Claims (6)
- 基板と、該基板上に形成される下部DBRミラーと上部DBRミラーからなる1対のDBRミラー、活性層、及び、活性層近傍もしくは上部又は下部DBRミラーの内部に形成され、中心部に電流注入領域を有する酸化狭窄層を含む積層構造と、を備える面発光型レーザ素子において、
少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層構造はメサポストを形成しており、
前記電流注入領域は、前記メサポストの中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面が成す角度を等分する平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向外側に突出しており、
前記メサポスト上部に環状に形成され、前記電流注入領域に電流を供給する電極の引出線が、メサポストの中心から見て前記第1の外周部分と同じ角度位置で、メサポストからメサポストの半径方向外側に引き出されることを特徴とする面発光型レーザ素子。 - 前記引出線に、メサポストの半径方向外側で且つメサポスト近傍に屈曲部分が形成されている、請求項1に記載の面発光型レーザ素子。
- 基板と、該基板上に形成される下部DBRミラーと上部DBRミラーからなる1対のDBRミラー、活性層、及び、活性層近傍もしくは上部又は下部DBRミラーの内部に形成され、中心部に電流注入領域を有する酸化狭窄層を含む積層構造と、を備える面発光型レーザ素子において、
少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層構造はメサポストを形成しており、
前記電流注入領域は、前記メサポスト中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面が成す角度を等分する平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向外側に突出しており、
前記メサポスト上部に形成され、前記電流注入領域に電流を供給する電極の引出線に、メサポストの半径方向外側で且つメサポスト近傍に曲線からなる屈曲部分が形成され、該屈曲部分の上部に誘電体膜層が形成されていることを特徴とする面発光型レーザ素子。 - 前記メサポストが、前記電流注入領域の半径方向外側に、環状に並ぶ複数の分離溝を有しており、該分離溝を分離するブリッジが、前記引出線と同じ角度位置に形成される、請求項1〜3の何れか一に記載の面発光型レーザ素子。
- 前記上部DBRミラーが、誘電体DBRミラーである、請求項1〜4の何れかに記載の面発光型レーザ素子。
- 基板と、該基板上に形成される下部DBRミラーと上部DBRミラーからなる1対のDBRミラー、活性層、及び、活性層近傍もしくは上部又は下部DBRミラーの内部に形成され、中心部に電流注入領域を有する酸化狭窄層を含む積層構造と、を備える面発光型レーザ素子において、
少なくとも前記酸化狭窄層を含む積層構造はメサポストを形成しており、
前記電流注入領域は、前記メサポスト中心軸を通り且つ相互に直交する2つの平面のそれぞれに関して略対称構造を有し、且つ、前記2つの平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第1の外周部分が、前記2つの平面が成す角度を等分する平面と前記電流注入領域の外周とが交差する近傍の第2の外周部分よりも、メサポスト半径方向外側に突出しており、
前記メサポスト上部に形成され、前記電流注入領域に電流を供給する電極の引出線に、メサポストの半径方向外側で且つメサポスト近傍に曲線からなる屈曲部分が形成されていることを特徴とする面発光型レーザ素子。
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JP2007287582A JP5100316B2 (ja) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 面発光型レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007287582A JP5100316B2 (ja) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 面発光型レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117540A JP2009117540A (ja) | 2009-05-28 |
JP5100316B2 true JP5100316B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=40784354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007287582A Active JP5100316B2 (ja) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | 面発光型レーザ素子 |
Country Status (1)
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-
2007
- 2007-11-05 JP JP2007287582A patent/JP5100316B2/ja active Active
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