WO2024014140A1

WO2024014140A1 - 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

Info

Publication number: WO2024014140A1
Application number: PCT/JP2023/019495
Authority: WO
Inventors: 和之田村; 義昭渡部
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2022-07-14
Filing date: 2023-05-25
Publication date: 2024-01-18

Abstract

製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる面発光レーザを提供すること。　本技術は、互いに積層された第１及び第２反射鏡と、前記第１及び第２反射鏡の間に配置された活性層と、を含む共振器を備え、前記共振器の少なくとも前記第２反射鏡側の表層に平面視において前記活性層の発光領域を囲む高抵抗領域が設けられ、　前記高抵抗領域は、前記共振器の前記第２反射鏡側の表面を含む積層方向の一部に設けられた第１部分が、前記共振器の前記積層方向の他部に設けられた第２部分よりも面内の一方向の内幅が広い幅広部を有する、面発光レーザを提供する。

Description

面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法に関する。

　従来、基板に垂直な方向に光を出射する垂直共振器型の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が知られている。

　従来の面発光レーザの中には、発光領域を有する活性層と、該活性層を積層方向に挟む第１及び第２クラッド層とを含む半導体構造に電流狭窄のための高抵抗領域が設けられたものがある。

　例えば、特許文献１には、高抵抗領域の横幅が活性層において最も狭く、低抵抗化及び高発光効率を両立できる面発光レーザが開示されている。

特開平６－２３２４９４号公報

　しかしながら、例えば特許文献１に記載の面発光レーザでは、製造を容易にすることに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる面発光レーザを提供することを主目的とする。

　本技術は、互いに積層された第１及び第２反射鏡と、
　前記第１及び第２反射鏡の間に配置された活性層と、
　を含む共振器を備え、
　前記共振器の少なくとも前記第２反射鏡側の表層に平面視において前記活性層の発光領域を囲む高抵抗領域が設けられ、
　前記高抵抗領域は、前記共振器の前記第２反射鏡側の表面を含む積層方向の一部に設けられた第１部分が、前記共振器の前記積層方向の他部に設けられた第２部分よりも面内の一方向の内幅が広い幅広部を有する、面発光レーザを提供する。
　前記第１部分が、少なくとも前記第２反射鏡に設けられ、前記第２部分が、少なくとも前記活性層に設けられていてもよい。
　前記第１部分が、前記幅広部よりも前記一方向の内幅が狭い幅狭部を有していてもよい。
　前記幅広部及び前記幅狭部が、面内で前記一方向に略直交する方向に交互に並んでいてもよい。
　前記幅狭部の前記一方向の端部の、前記一方向に直交する断面が、前記表面に近づくほど幅が狭くなる形状を有していてもよい。
　前記幅広部及び前記第２部分を前記一方向及び前記積層方向のいずれにも平行な平面で一緒に切断した切断面が、段差を有していてもよい。
　前記第１及び第２部分と前記発光領域とを前記一方向に直交する平面で一緒に切断した切断面が、前記表面に近づくほど幅が広くなる形状を有していてもよい。
　前記表面の、少なくとも前記幅広部の内側の領域上に設けられた電極を更に備えていてもよい。
　前記電極は、平面視において前記発光領域を取り囲んでいてもよい。
　前記共振器は、少なくとも前記第２反射鏡及び前記活性層を含むメサを有していてもよい。
　前記共振器は、前記メサに含まれる酸化狭窄層を有していてもよい。
　前記第２部分が、前記酸化狭窄層にも設けられていてもよい。
　前記第２部分が、前記第１反射鏡にも設けられていてもよい。
　本技術は、基板上に少なくとも第１反射鏡、活性層及び第２反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体の前記第２反射鏡側の表面の中央部と周辺部の一部とを覆うマスクパターンを形成する工程と、
　前記マスクパターンをマスクとして、前記積層体に前記表面側からイオン注入を複数回行うイオン注入工程と、
　を含み、
　前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する方向から少なくとも１回イオン注入を行う、面発光レーザの製造方法も提供する。
　前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する第１傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行い、前記積層方向に対して傾斜する、前記第１傾斜方向とは異なる第２傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行ってもよい。
　前記マスクパターンの、前記表面の周辺部の前記一部を覆う部分が、前記表面の中央部を覆う部分から面内で一方向に延在する延在部を含み、前記第１及び第２傾斜方向は、前記一方向に直交する平面に略平行であり、且つ、少なくとも前記表面側において互いに近づく方向であってもよい。
　前記マスクパターンが、面内で前記一方向に略直交する方向に並ぶ複数の前記延在部を含んでいてもよい。
　前記表面の周辺部の少なくとも前記一部上に電極を形成する工程を更に含んでいてもよい。
　前記生成する工程の後、前記積層体をエッチングして少なくとも前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサを形成する工程を更に含んでいてもよい。
　前記生成する工程では、前記基板上に被選択酸化層も積層し、前記メサは、前記被選択酸化層を含み、前記メサを形成する工程の後、前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化する工程を更に含んでいてもよい。

本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの第１断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの第２断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの第３断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザの平面図である。図１の面発光レーザの製造方法を説明するためのフローチャートである。図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第１工程を示す断面図及び平面図である。図７Ａ～図７Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第２工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第２工程を示す平面図である。図９Ａ～図９Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第３工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第３工程を示す平面図である。図１１Ａ～図１１Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第４工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第４工程を示す平面図である。図１３Ａ～図１３Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第５工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第５工程を示す平面図である。図１５Ａ～図１５Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第６工程を示す断面図（その１～その３）である。図１６Ａ～図１６Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第７工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第７工程を示す平面図である。図１８Ａ～図１８Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第８工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第８工程を示す平面図である。図２０Ａ～図２０Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第９工程を示す断面図（その１～その３）である。図１の面発光レーザの製造方法の第９工程を示す平面図である。図１の面発光レーザの製造方法の第１０工程を示す断面図である。図１の面発光レーザの製造方法の第１０工程を示す平面図である。図２４Ａ～図２４Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第１１工程を示す断面図（その１～その３）である。図２５Ａ～図２５Ｃは、それぞれ図１の面発光レーザの製造方法の第１２工程を示す断面図（その１～その３）である。図２６Ａ～図２６Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザの平面図である。図２８Ａ～図２８Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザの平面図である。図３０Ａ～図３０Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザの平面図である。図３２Ａ～図３２Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図３３Ａ～図３３Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図３４Ａ～図３４Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図３５Ａ～図３５Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図３６Ａ～図３６Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザの平面図である。図３８Ａ～図３８Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図３９Ａ～図３９Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図４０Ａ～図４０Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図４１Ａ～図４１Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図４２Ａ～図４２Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図４３Ａ～図４３Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。図４４Ａ～図４４Ｃは、それぞれ本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザの断面図（その１～その３）である。本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザアレイの断面図である。図４６Ａ及び図４６Ｂは、それぞれ比較例に係る面発光レーザの断面図（その１及びその２）である。比較例に係る面発光レーザの平面図である。本技術を適用し得る面発光レーザの構成例を示す平面図である。図４９Ａは、図４８のＸ－Ｘ線断面図である。図４９Ｂは、図４８のＹ－Ｙ線断面図である。本技術に係る面発光レーザの距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ
２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ
３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ
４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ
５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ
６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ
７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ
８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ
９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ
１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ
１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ
１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ
１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ
１４．本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ
１５．本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ
１６．本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ
１７．本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザアレイ
１８．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例
１９．本技術の変形例
２０．電子機器への応用例
２１．面発光レーザを距離測定装置に適用した例
２２．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞

　近年、例えばデータセンター内におけるデータトラフィック量の急増に伴い、光通信用のＶＣＳＥＬに、さらなる高速通信性能が要求されている。面発光レーザを高速変調するためには、光の時間応答性だけでなく、電流を活性層に注入する際の電気的な時間応答性（電気帯域）も改善する必要があり、この電気帯域を制約する要因の一つにメサ内で生じるｐｎ接合での接合容量等の寄生容量が挙げられる。例えば酸化狭窄層を含むメサを持つＶＣＳＥＬでは、高周波電流が酸化狭窄層の外周部を構成する酸化領域にも流れるため、メサ外周部の寄生容量が問題となる。該メサ外周部は、メサにおいてレーザ発光に寄与しない領域であり、できるだけ該領域の影響を低減することが望まれる。

　その低減の一つの手法として、メサ径を小さくして、メサ外周部の面積を削減する方法がある。しかし、面発光レーザにおいては、実用上、光出射窓の径を十分確保して光出射の妨げにならないようにする必要があること、さらには、光出射窓を取り囲むリング電極の電極面積（半導体との接触面積）を十分とって低抵抗を保つ必要があることや、光出射窓及びリング電極の形成のための半導体プロセス（フォトリソグラフィーやエッチング）を行うのにメサ上に十分なスペースが必要なことなどからメサ径を小さくするにも限度がある。

　そこで、例えば、図４６Ａ、図４６Ｂ及び図４７に示す比較例のように、メサ径を大きくし、メサ外周部にイオン注入を行い高抵抗化する手法がある。

　図４６Ａ及び図４６Ｂは、比較例に係る面発光レーザ１Ｃの断面図（その１及びその２）である。図４４は、比較例に係る面発光レーザ１Ｃの平面図である。図４６Ａは、図４７の４６Ａ－４６Ａ線断面図である。図４６Ｂは、図４７の４６Ｂ－４６Ｂ線断面図である。面発光レーザ１Ｃでは、基板１０１Ｃ上に第１半導体多層膜反射鏡１０２Ｃと、第１クラッド層１０３Ｃと、活性層１０４Ｃと、第２クラッド層１０５Ｃと、非酸化領域１０６Ｃ１が酸化領域１０６Ｃ２で取り囲まれた酸化狭窄層１０６Ｃが内部に設けられた第２半導体多層膜反射鏡１０７Ｃとがこの順に積層されている。面発光レーザ１Ｃは、第１半導体多層膜反射鏡１０２Ｃの一部（上部）、第１クラッド層１０３Ｃ、活性層１０４Ｃ、第２クラッド層１０５Ｃ、酸化狭窄層１０６Ｃ及び第２半導体多層膜反射鏡１０７Ｃを含むメサＭが形成されている。メサＭの頂部には、リング電極１０８Ｃが設けられている。メサＭは、リング電極１０８Ｃを露出させる絶縁膜１１１Ｃで覆われている。基板１０１Ｃの裏面には、ベタ電極１０９Ｃが設けられている。メサＭの周辺部にイオン注入領域ＩＩＡが平面視において酸化狭窄層１０６Ｃの非酸化領域１０６Ｃ１を取り囲むように設けられている。

　面発光レーザ１Ｃにおいて、高抵抗化された領域である高抵抗領域（イオン注入領域ＩＩＡ）は活性層１０４Ｃの電流注入径を規定する。しかし、面発光レーザ１Ｃでは、リング電極１０８Ｃの内径とイオン注入領域ＩＩＡの内径であるイオン注入径とには制約があり、高速変調のために（発光効率を高めるために）イオン注入径を小さくするほどリング電極１０８Ｃと第２半導体多層膜反射鏡１０７Ｃの非イオン注入領域（イオン注入されていない領域）との接触面積が小さくなり、接触抵抗が増加することが懸念される。

　一方、例えば特許文献１に記載の面発光レーザでは、高抵抗領域（例えばイオン注入領域）の横幅を活性層において最も狭くすることにより低抵抗化及び高発光効率を両立することができるが、製造を容易にすることに関して改善の余地があった。

　そこで、発明者らは、鋭意検討の末、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる面発光レーザとして、本技術に係る面発光レーザを開発した。

　以下、本技術に係る面発光レーザの一実施形態について幾つかの実施例を挙げて詳細に説明する。以下では、便宜上、図１等の断面図における上方を上、下方を下として説明する。

＜１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ＞

≪面発光レーザの構成≫
（全体構成）
　図１は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０の第１断面図である。図２は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０の第２断面図である。図３は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０の第３断面図である。図４は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０の平面図である。図１は、図４の１－１線断面図である。図２は、図４の２－２線断面図である。図３は、図４の３－３線断面図である。

　面発光レーザ１０は、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）である。面発光レーザ１０は、発振波長λが例えば８５０ｎｍのＶＣＳＥＬを構成することができる。面発光レーザ１０は、特に光通信用のＶＣＳＥＬとして好適である。この場合に、面発光レーザ１０は、例えば光ファイバと結合して用いられる。面発光レーザ１０及び光ファイバによるデータ伝送として、比較的近距離（例えば１００ｍ程度）のサーバ間のデータ伝送が挙げられる。面発光レーザ１０は、一例として、レーザドライバにより駆動される。

　面発光レーザ１０は、図１～図４に示すように、一例として、互いに積層された第１及び第２反射鏡１０２、１０７と、第１及び第２反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０４とを含む共振器Ｒを備えている。一例として、第２反射鏡１０７が出射側の反射鏡である。すなわち、面発光レーザ１０は、表面側（第２反射鏡１０７側）にレーザ光を出射する表面出射型の面発光レーザ１０である。第１反射鏡１０２は「下部反射鏡」とも呼ばれ、第２反射鏡１０７は「上部反射鏡」とも呼ばれる。以下では、基板１０１、第１反射鏡１０２、活性層１０４及び第２反射鏡１０７等が積層された方向（上下方向）を「積層方向」とも呼ぶ。

　共振器Ｒは、さらに、一例として、第１反射鏡１０２と活性層１０４との間に配置された第１クラッド層１０３と、第２反射鏡１０７と活性層１０４との間に配置された第２クラッド層１０５と、第２反射鏡１０７内に配置された酸化狭窄層１０６とを含む。

　すなわち、面発光レーザ１０では、一例として、基板１０１上に第１反射鏡１０２と、第１クラッド層１０３と、活性層１０４と、第２クラッド層１０５と、酸化狭窄層１０６が内部に配置された第２反射鏡１０７とがこの順に積層されている。

　共振器Ｒは、一例として、第１反射鏡１０２の一部（上部）と、第１クラッド層１０３と、活性層１０４と、第２クラッド層１０５と、酸化狭窄層１０６を内部に含む第２反射鏡１０７とを含んで構成されるメサＭを有する。

　メサＭの頂部（第２反射鏡１０７の活性層１０４側とは反対側の面）には、例えばリング状のアノード電極１０８（ｐ側電極）が設けられている。アノード電極１０８は、平面視において活性層１０４の発光領域ＬＡ（電流注入領域）を取り囲んでいる。アノード電極１０８の内径側が出射口となる。メサＭは、アノード電極１０８が設けられた領域（リング状の電極設置領域）以外の領域が絶縁膜１１１で覆われている。アノード電極１０８は、メサＭに絶縁膜１１１を介して設けられたアノード配線１１２（図３参照）を介してレーザドライバの陽極（正極）に電気的に接続される。

　基板１０１の裏面（下面）には、例えばベタ状のカソード電極１０９（ｎ側電極）が設けられている。カソード電極１０９は、レーザドライバの陰極（負極）に電気的に接続される。

　共振器Ｒの少なくとも第２反射鏡１０７側の表層に平面視において活性層１０４の発光領域LAを囲む高抵抗領域（電気抵抗が高い領域）としてのイオン注入領域ＩＩＡが設けられている。

（基板）
　基板１０１は、一例として、ｎ－ＧａＡｓ基板である。

（第１反射鏡）
　第１反射鏡１０２は、一例として、半導体多層膜反射鏡（半導体ＤＢＲ）である。第１反射鏡１０２としての半導体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（半導体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第１反射鏡１０２としての半導体多層膜反射鏡は、一例として、ｎ型である。第１反射鏡１０２としての半導体多層膜反射鏡は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する材料系（ＧａＡｓ系化合物半導体）からなる。ここでは、第１反射鏡１０２は、例えばｎ－ＡｌＧａＡｓ／ｎ－ＡｌＧａＡｓで構成されている。

　基板１０１と第２反射鏡１０２との間にバッファー層が配置されてもよい。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０３は、例えばｎ－ＡｌＧａＡｓからなる。「クラッド層」は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（活性層）
　活性層１０４は、一例として、ＧａＡｓ系化合物半導体からなる。詳述すると、活性層１０４は、一例として、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。ここでは、活性層１０４は、例えばＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸層からなる。該ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸層は、発光波長が例えば８００～９００ｎｍとなるように組成と膜厚が設計されるが、井戸層とバリア層に相反する歪を導入することが好ましい。この場合、例えば歪の大きさは１％前後、井戸数は４～８とすることができる。活性層１０４は、後述する、酸化狭窄層１０６の非酸化領域１０６ａに対応する領域が発光領域LA（電流注入領域）となっている。
（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０５は、例えばｐ－ＡｌＧａＡｓからなる。「クラッド層」は「スペーサ層」とも呼ばれる。

（第２反射鏡）
　第２反射鏡１０７は、一例として、半導体多層膜反射鏡（半導体ＤＢＲ）である。第２反射鏡１０７としての半導体多層膜反射鏡は、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の屈折率層（半導体層）が発振波長λの１／４（λ／４）の光学厚さで交互に積層された構造を有する。第２反射鏡１０７としての半導体多層膜反射鏡は、一例として、ｐ型である。第２反射鏡１０７としての半導体多層膜反射鏡は、一例として、ＧａＡｓに格子整合する材料系（ＧａＡｓ系化合物半導体）からなる。ここでは、第２反射鏡１０７は、例えばｐ－ＡｌＧａＡｓ／ｐ－ＡｌＧａＡｓで構成されている。第２反射鏡１０７は、第１反射鏡１０２よりも反射率が僅かに低く設定されている。

　第２反射鏡１０７の電極設置領域（アノード電極１０８が設置されるリング状の領域）は、イオン注入された領域（高抵抗領域）と、イオン注入されていない領域である非イオン注入領域（低抵抗領域）とを有する。該非イオン注入領域は、１－１線方向に延びる櫛歯部を持つ（図４参照）。

（酸化狭窄層）
　酸化狭窄層１０６は、電流狭窄機能及び光狭窄機能を併有する。酸化狭窄層１０６は、非酸化領域１０６ａと該非酸化領域１０６ａを取り囲む酸化領域１０６ｂとを有する。非酸化領域１０６ａは、例えばＡｌＧａＡｓからなり、酸化領域１０６ｂは、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁物を含む。酸化領域１０６ｂは、非酸化領域１０６ａよりも電気抵抗が大きく且つ屈折率が低く、電流狭窄領域及び光狭窄領域として機能する。非酸化領域１０６ａは、電流通過領域として機能する。酸化狭窄径（酸化領域１０６ｂの内径）により発光領域LAの径（電流注入領域の電流注入径）が設定される。

（絶縁膜１１１）
　絶縁膜１１１は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。

（アノード電極及びアノード配線）
　アノード電極１０８及びアノード配線１１２の各々は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。

　アノード電極１０８と第２反射鏡１０７との間に第２反射鏡１０７よりも低抵抗なコンタクト層が配置されてもよい。

（カソード電極）
　カソード電極１０９は、例えばＡｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ等からなる。

（高抵抗領域）
　高抵抗領域としてのイオン注入領域ＩＩＡは、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面を含む積層方向の一部（上部）に設けられた第１部分ＩＩＡｂが、共振器Ｒの積層方向の他部（下部）に設けられた第２部分ＩＩＡａよりも面内の一方向（１－１線方向）の内幅が広い幅広部ＩＩＡｂ１を有する（図４参照）。ここでは、第１部分ＩＩＡｂは、面内で１－１線方向に略直交する方向（例えば２－２線方向）に並ぶ複数の幅広部ＩＩＡｂ１を含む幅広部群を３－３線の両側に有する。イオン注入領域ＩＩＡのイオン種としては、例えばＨ、Ｈｅ、Ｏ、Ｂ等のイオンが挙げられる。

　各幅広部ＩＩＡｂ１は、１－１線方向において、内縁が、第２反射鏡１０７の電極設置領域の内縁よりも外側に位置し、該電極設置領域に非イオン注入領域ＮＩＩＡ（低抵抗領域）が存在する。アノード電極１０８は、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面の、少なくとも幅広部ＩＩＡｂ１の内側の領域（電極設置領域の非イオン注入領域ＮＩＩＡ）上に設けられる。これにより、アノード電極１０８と、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面との接触抵抗が低減される。

　第１部分ＩＩＡｂは、少なくとも第２反射鏡１０７に設けられている。ここでは、第１部分ＩＩＡｂは、第２反射鏡１０７の上面と酸化狭窄層１０６の上面との間（例えば第２反射鏡１０７内）に連続して存在する（図１参照）。

　第２部分ＩＩＡａは、少なくとも活性層１０４に設けられている。ここでは、第２部分ＩＩＡａは、第２反射鏡１０７の上面と第１反射鏡１０２の下面との間（例えば第２反射鏡１０７内から第１反射鏡１０２内にかけて）に連続して存在する（図１参照）。すなわち、第２部分ＩＩＡａは、酸化狭窄層１０６にも設けられ、第１反射鏡１０２にも設けられている。一例として、第１及び第２部分ＩＩＡｂ、ＩＩＡａは、連続している。

　幅広部ＩＩＡｂ１及び第２部分ＩＩＡａを１－１線方向及び積層方向のいずれにも平行な平面で一緒に切断した切断面が、段差を有する（図１参照）。ここでは、該段差の積層方向の位置が第２反射鏡１０７の上面と酸化狭窄層１０６の上面との間に位置する。

　第１及び第２部分ＩＩＡｂ、ＩＩＡａと活性層１０４の発光領域LAとを１－１線方向に直交する平面（図４参照）で一緒に切断した切断面（３－３線断面、図４参照）が、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面に近づくほど幅が広くなる形状を有する（図３参照）。これにより、電極設置領域に非イオン注入領域ＮＩＩＡ（低抵抗領域）を存在させ、且つ、酸化狭窄層１０６及び活性層１０４でのイオン注入径（イオン注入領域ＩＩＡの内径）を小さくすることができる。

　第２部分ＩＩＡａは、１－１線方向及び３－３線方向のいずれの内幅も第１部分ＩＩＡｂよりも狭い（図４参照）。これにより、酸化狭窄層１０６及び活性層１０４でのイオン注入径（電流狭窄径）を小さくすることができ、発光効率を向上させることができる。

　第１部分ＩＩＡｂは、幅広部ＩＩＡｂ１よりも１－１線方向の内幅が狭い幅狭部ＩＩＡｂ２を有する（図４参照）。ここでは、第１部分ＩＩＡｂは、面内で１－１線方向に略直交する方向（例えば２－２線方向）に並ぶ複数の幅狭部ＩＩＡｂ２を含む幅狭部群を３－３線の両側に有する。各幅狭部ＩＩＡｂ２は、第２部分ＩＩＡａよりも１－１線方向の内幅が広い。３－３線の各側において、幅広部ＩＩＡｂ１及び幅狭部ＩＩＡｂ２が、２－２線方向に交互に並んでいる。

　図４に示す幅狭部ＩＩＡｂ２の１－１線方向の端部の、１－１線方向に直交する断面（例えば２－２線断面）が、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面に近づくほど幅が狭くなる形状（例えば順テーパ形状）を有する（図２参照）。逆に言うと、各幅狭部ＩＩＡｂ２の２－２線方向の一側及び他側に存在する非イオン注入領域ＮＩＩＡの、面内で１－１線方向に直交する断面（例えば２－２線断面）が、逆テーパ形状（詳しくは積層方向を高さ方向とする二等辺三角形状）を有する。

≪面発光レーザの動作≫
　以下、面発光レーザ１０の動作について説明する。面発光レーザ１０では、電流がレーザドライバの陽極側からアノード電極１０８を介して第２反射鏡１０７の非イオン注入領域ＮＩＩＡ（低抵抗領域）へ流入される。該非イオン注入領域ＮＩＩＡに流入された電流は、酸化狭窄層１０６で狭窄され、第２クラッド層１０５を経て活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光が第１及び第２反射鏡１０２、１０７の間を酸化狭窄層１０６で狭窄され且つ活性層１０４で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたときに第２反射鏡１０７側（表面側）からレーザ光として出射される。活性層１０４に注入された電流は、第１クラッド層１０３、第２反射鏡１０２、基板１０１及びカソード電極１０９をこの順に介してレーザドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光レーザの製造方法≫
　以下、面発光レーザ１０の製造方法について、図５のフローチャート等を参照して説明する。ここでは、一例として、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材となる１枚のウェハ上に複数の面発光レーザ１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光レーザ１０を分離して、チップ状の複数の面発光レーザ１０（面発光レーザチップ）を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体Ｌを生成する（図６Ａの断面図、図６Ｂの平面図参照）。具体的には、一例として、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気層成長法）により、基板１０１（例えばｎ－ＧａＡｓ基板）上に第１反射鏡１０２（例えばＡｌＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）と、第１クラッド層１０３と、活性層１０４と、第２クラッド層１０５と、被選択酸化層１０６Ｓ（例えばＡｌＧａＡｓ層）を含む第２反射鏡１０７とをこの順に積層して積層体Ｌを生成する。

　次のステップＳ２では、マスクパターンＭＰを形成する（図７Ａ～図７Ｃの断面図及び図８の平面図参照）。図７Ａ～図７Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、フォトリソグラフィーにより、積層体の第２反射鏡１０７側の表面（積層体の上面）の中央部（端部でない部分、以下同様）と周辺部（該中央部の周辺の部分、以下同様）の一部とを覆う、イオン注入領域ＩＩＡを形成するためのマスクパターンＭＰを形成する（図８参照）。詳述すると、第２反射鏡１０７上に例えばレジスト膜、酸化膜等をＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により成膜し、その膜をレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより、図７Ａ及び図８に示す、中央部の両側に櫛歯部を持つ形状にパターニングする。補足すると、マスクパターンＭＰの、積層体の上面の周辺部の当該一部を覆う部分が、該上面の中央部を覆う部分から面内で１－１線方向（図４参照）に延在する複数の延在部ＭＰａを含む櫛歯部を３－３線方向（図４参照）の両側に有する（図８参照）。

　次のステップＳ３では、イオン注入を行う（図９Ａ～図９Ｃの断面図及び図１０の平面図参照）。図９Ａ～図９Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、イオン注入装置を用いて、マスクパターンＭＰをマスクとして、積層体に第２反射鏡１０７側の表面（積層体の上面）側からイオン注入を複数回行う。ここでは、積層方向に対して傾斜する方向から積層体に複数回イオン注入を行う。詳述すると、積層方向に対して傾斜する第１傾斜方向ＴＤ１から積層体に少なくとも１回イオン注入を行い、積層方向に対して傾斜する、第１傾斜方向とは異なる第２傾斜方向ＴＤ２から積層体に少なくとも１回イオン注入を行う。一例として、第１及び第２傾斜方向ＴＤ１、ＴＤ２は、図９Ａの断面（１－１線方向に直交する平面）に略平行な方向であり、且つ、少なくとも積層体の上面側において互いに近づく方向（図９Ａの断面に直交する方向から見て互いに交差する方向）である。手順としては、先ず、第１傾斜方向ＴＤ１から積層体にイオン注入を行い、ウェハを１８０°回転させて、第２傾斜方向ＴＤ２から積層体にイオン注入を行う。第１及び第２傾斜方向ＴＤ１、ＴＤ２の各々の積層方向に対する傾斜角は、酸化狭窄層１０６及び活性層１０４におけるイオン注入径が所望の大きさとなるように設定されている。第１及び第２傾斜方向ＴＤ１、ＴＤ２の積層方向に対する傾斜角は、同一であることが好ましいが、異なっていてもよい。イオン注入の注入深さは、少なくとも活性層１０４に到達するまでとする。第１及び第２傾斜方向ＴＤ１、ＴＤ２の双方からイオン注入を行うことにより、電極設置領域において非イオン注入領域ＮＩＩＡを存在させつつ、酸化狭窄層１０６及び活性層１０４において所望の（小さい）イオン注入径を得ることができる。

　次のステップＳ４では、マスクパターンＭＰを除去する（図１１Ａ～図１１Ｃの断面図及び図１２の平面図参照）。図１１Ａ～図１１Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、例えばウェットエッチングにより、マスクパターンＭＰを除去する。

　次のステップＳ５は、メサＭを形成する（図１３Ａ～図１３Ｃの断面図及び図１４の平面図参照）。図１３Ａ～図１３Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、積層体の、メサＭが形成されることとなる箇所を覆う酸化膜（例えばＳｉＯ_２膜）からなるハードマスクを形成する。この際、ハードマスクとしての酸化膜の成膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により行われ、該酸化膜のパターニングは、レジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにより行われる。次いで、ハードマスクをマスクとして、ドライエッチングにより、積層体をエッチングしてメサＭを形成する。ここでのエッチングは、少なくとも被選択酸化層１０６Ｓの側面が露出するまで、例えばエッチング底面が第１反射鏡１０２内に到達するまで行われる。その後、該酸化膜を例えばウェットエッチングにより除去する。

　次のステップＳ６では、酸化狭窄層１０６を形成する（図１５Ａ～図１５Ｃの断面図参照）。図１５Ａ～図１５Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、メサＭを高温の水蒸気雰囲気中に曝し、被選択酸化層１０６Ｓを側面側から選択的に酸化する。

　次のステップＳ７では、アノード電極１０８を形成する（図１６Ａ～図１６Ｃの断面及び図１７の平面図参照）。図１６Ａ～図１６Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、例えばリフトオフ法により、メサＭの頂部の周辺部の少なくとも上記一部（非イオン注入領域ＮＩＩＡが存在する電極設置領域）上にリング状のアノード電極１０８を形成する。このときのアノード電極１０８の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行われる。

　次のステップＳ８では、絶縁膜１１１を成膜する（図１８Ａ～図１８Ｃの断面図及び図１９の平面図参照）。図１８Ａ～図１８Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、絶縁膜１１１を積層体の全面に成膜する。

　次のステップＳ９では、絶縁膜１１１の一部を除去する（図２０Ａ～図２０Ｃの断面図及び図２１の平面図参照）。図２０Ａ～図２０Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、先ず、フォトリソグラフィーにより、絶縁膜１１１の、アノード電極１０８を覆う部分を覆うレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、積層体を例えばドライエッチングによりエッチングすることにより、アノード電極１０８を露出させる。

　次のステップＳ１０では、アノード配線１１２を形成する（図２２の断面図及び図２３の平面図参照）。図２２は、図４の３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、例えばリフトオフ法により、アノード配線１１２をアノード電極１０８上及び該アノード電極１０８の外周側の絶縁膜１１１上に形成する。このときのアノード配線１１２の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行われる。

　次のステップＳ１１では、基板１０１を薄膜化する（図２４Ａ～図２４Ｃの断面図参照）。図２４Ａ～図２４Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、基板１０１の裏面をグラインダーやＣＭＰ装置で研磨して基板１０１を薄膜化する。

　最後のステップＳ１２では、カソード電極１０９を形成する（図２５Ａ～図２５Ｃの断面図参照）。図２５Ａ～図２５Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。具体的には、例えばリフトオフ法により、薄膜化された基板１０１の裏面にカソード電極１０９をベタ状に形成する。このときのカソード電極１０９の電極材料の成膜は、スパッタ法や蒸着法により行われる。その後、洗浄し、面発光レーザ１０を個片化し、該面発光レーザ１０のアノード配線１１２及びカソード電極１０９を例えばワイヤーボンディングによりレーザドライバの対応する端子に接続する。

　以上説明した面発光レーザ１０の製造方法において、イオン注入を行った後、メサＭを形成しているが、メサＭを形成した後、イオン注入を行ってもよい。また、酸化狭窄層１０６の形成は、メサＭを形成した後であれば、イオン注入を行う前後のいずれに行ってもよい。

≪面発光レーザ及びその製造方法の効果≫
　本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光レーザ１０は、互いに積層された第１及び第２反射鏡１０２、１０７と、第１及び第２反射鏡１０２、１０７の間に配置された活性層１０４と、を含む共振器Ｒを備える。共振器Ｒの少なくとも第２反射鏡１０７側の表層に平面視において活性層１０４の発光領域ＬＡを囲む高抵抗領域としてのイオン注入領域ＩＩＡが設けられ、該イオン注入領域ＩＩＡは、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面を含む積層方向の一部（上部）に設けられた第１部分ＩＩＡｂが、共振器Ｒの積層方向の他部（下部）に設けられた第２部分ＩＩＡａよりも面内の一方向の内幅が広い幅広部ＩＩＡｂ１を有する。

　この場合、第１部分ＩＩＡｂが当該一方向の内幅が広い幅広部ＩＩＡｂ１を有するので、共振器Ｒの少なくとも第２反射鏡１０７側の表層のイオン注入領域ＩＩＡの内側に、電極が設置される、イオン注入されていない領域（低抵抗領域）を十分に確保できる。さらに、第２部分ＩＩＡａの当該一方向の内幅を相対的に狭くすること（第２部分ＩＩＡａの体積を増やすこと）ができ、共振器Ｒの寄生容量を低減することができ、且つ、所望のイオン注入径（電流注入径）を得ることができる。また、イオン注入領域ＩＩＡにおける内幅が最も狭くなる積層方向の位置を特定の位置に限定する必要がない。

　結果として、面発光レーザ１０によれば、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる面発光レーザを提供することができる。

　第１部分ＩＩＡｂが、少なくとも第２反射鏡１０７に設けられ、第２部分ＩＩＡａが、少なくとも活性層１０４及び酸化狭窄層１０６に設けられている。これにより、共振器Ｒのレーザ発振に寄与しない部分を十分に高抵抗化でき、共振器Ｒの寄生容量を十分に低減することができる。

　第１部分ＩＩＡｂが、幅広部ＩＩＡｂ１よりも当該一方向の内幅が狭い幅狭部ＩＩＡｂ２を有する。これにより、共振器Ｒの寄生容量をより低減することができる。

　幅広部ＩＩＡｂ１及び幅狭部ＩＩＡｂ２が、面内で当該一方向に略直交する方向に交互に並んでいる。これにより、イオン注入領域と非イオン注入領域とを当該一方向に略直交する方向に交互に並べて設けることができる。

　幅狭部ＩＩＡｂ２の当該一方向の端部の、当該一方向に直交する断面が、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面に近づくほど幅が狭くなる形状を有する。これにより、非イオン注入領域の面積を該表面に近いほど大きくすることができ、イオン注入領域の面積を該表面から遠いほど大きくすることができる。

　幅広部ＩＩＡｂ１及び第２部分ＩＩＡａを当該一方向及び積層方向のいずれにも平行な平面で一緒に切断した切断面が、段差を有する。これにより、幅広部ＩＩＡｂ１及び第２部分ＩＩＡａの当該一方向の内幅の差を実効的な大きさとすることができる。

　第１及び第２部分ＩＩＡｂ、ＩＩＡａと発光領域ＬＡとを当該一方向に直交する平面で一緒に切断した切断面が、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面に近づくほど幅が広くなる形状を有する。これにより、共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表層の、電極が設置される、イオン注入されていない領域の大きくすることができ、且つ、共振器Ｒの酸化狭窄層１０６及び活性層１０４付近のイオン注入径を小さくすることができる。

　共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面の、少なくとも幅広部ＩＩＡｂ１の内側の領域上に設けられたアノード電極１０８を含む。これにより、アノード電極１０８と共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面との接触抵抗を低減することができる。

　アノード電極１０８は、平面視において発光領域ＬＡを取り囲んでいる。これにより、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる、表面出射型の面発光レーザ１０を提供できる。

　共振器Ｒは、少なくとも第２反射鏡１０７及び活性層１０４を含むメサＭを有する。これにより、共振器Ｒの寄生容量をさらに低減することができる。

　共振器Ｒは、メサＭに含まれる酸化狭窄層１０６を有する。これにより、電流狭窄効果及び光狭窄効果を得ることができる。

　第２部分ＩＩＡａが、酸化狭窄層１０６にも設けられている。これにより、共振器Ｒの寄生容量をより低減することができる。

　第２部分ＩＩＡａが、第１反射鏡１０２にも設けられている。これにより、共振器Ｒの寄生容量をより一層低減することができる。

　面発光レーザ１０の製造方法は、基板１０１上に少なくとも第１反射鏡１０２、活性層１０４及び第２反射鏡１０７をこの順に積層して積層体Ｌを生成する工程と、積層体Ｌの第２反射鏡１０７側の表面の中央部と周辺部の一部とを覆うマスクパターンＭＰを形成する工程と、マスクパターンＭＰをマスクとして、積層体Ｌに該表面側からイオン注入を複数回行うイオン注入工程と、を含む。該イオン注入工程では、積層方向に対して傾斜する方向から少なくとも１回（例えば複数回）イオン注入を行う。これにより、低抵抗化及び高発光効率を両立することができる面発光レーザを容易に製造することができる。

　上記イオン注入工程では、積層方向に対して傾斜する第１傾斜方向ＴＤ１から積層体Ｌにイオン注入を行い、積層方向に対して傾斜する、第１傾斜方向ＴＤ１とは異なる第２傾斜方向ＴＤ２から積層体にイオン注入を行う。これにより、例えば図２の非イオン注入領域ＮＩＩＡのテーパ角を大きくすることができ、共振器Ｒ下部におけるイオン注入領域をより大きくでき（イオン注入径をより小さくでき）、且つ、共振器Ｒ上部における非イオン注入領域をより大きくすることができる。

　マスクパターンＭＰの、該表面の周辺部の該一部を覆う部分が、該表面の中央部を覆う部分から面内で一方向に延在する延在部ＭＰａを含み、第１及び第２傾斜方向ＴＤ１、ＴＤ２は、当該一方向に直交する平面に略平行であり、且つ、少なくとも該表面側において互いに近づく方向である。これにより、共振器Ｒ下部におけるイオン注入径を確実に小さくすることでき、且つ、共振器Ｒ上部における非イオン注入領域を確実に大きくすることができる。

　マスクパターンＭＰが、面内で当該一方向に略直交する方向に並ぶ複数の延在部ＭＰａを含む。これにより、当該一方向に略直交する方向に並ぶ複数の幅広部ＩＩＡｂ１を形成することができる。

　共振器Ｒの第２反射鏡１０７側の表面の周辺部の少なくとも一部上にアノード電極１０８を形成する工程を更に含む。これにより、アノード電極１０８と共振器Ｒとの接触抵抗が低減される面発光レーザ１０を製造することができる。

　積層体Ｌを生成する工程の後、積層体Ｌをエッチングして少なくとも活性層１０４及び第２反射鏡１０７を含むメサＭを形成する工程を更に含む。これにより、共振器Ｒの寄生容量をより低減可能な面発光レーザ１０を製造することができる。

　積層体Ｌを生成する工程では、基板１０１上に被選択酸化層１０６Ｓも積層し、メサＭは、被選択酸化層１０６Ｓを含み、メサＭを形成する工程の後、被選択酸化層１０６Ｓを側面側から選択的に酸化する工程を更に含む。これにより、電流狭窄機能及び光狭窄機能を兼備する面発光レーザ１０を製造することができる。

＜２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ＞
　図２６Ａは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ２０の断面図（その１）である。図２６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ２０の断面図（その２）である。図２６Ｃは、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ２０の断面図（その３）である。図２７は、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光レーザ２０の平面図である。図２６Ａは、図２７の２６Ａ－２６Ａ線断面図である。図２６Ｂは、図２７の２６Ｂ－２６Ｂ線断面図である。図２６Ｃは、図２７の２６Ｃ－２６Ｃ線断面図である。

　面発光レーザ２０は、イオン注入領域ＩＩＡが、複数の幅広部ＩＩＡｂ１を含む幅広部群と複数の幅狭部ＩＩＡｂ２を含む幅狭部群の組を中央部の四方に有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ２０は、複数の延在部から成る櫛歯部を四方に有するマスクパターンを形成する点及びイオン注入を少なくとも４回行う点（２６Ａ－２６Ａ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ、２６Ｂ－２６Ｂ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ）を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ２０によれば、面発光レーザ１０に比べて製造時のイオン注入回数が増えるものの、共振器上部に非イオン注入領域ＮＩＩＡがより大きく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径をより均一に小さくすることができ、ひいては製造が容易であり、且つ、更なる一層の低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ＞
　図２８Ａは、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０の断面図（その１）である。図２８Ｂは、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０の断面図（その２）である。図２８Ｃは、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０の断面図である。図２９は、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光レーザ３０の平面図である。図２８Ａは、図２９の２８Ａ－２８Ａ線断面図である。図２８Ｂは、図２９の２８Ｂ－２８Ｂ線断面図である。図２８Ｃは、図２９の２８Ｃ－２８Ｃ線断面図である。

　面発光レーザ３０は、イオン注入領域ＩＩＡが、単一の幅広部ＩＩＡｂ１を中央部の四方に有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。イオン注入領域ＩＩＡにおける周方向に隣り合う２つの幅広部ＩＩＡｂ１の間が幅狭部ＩＩＡｂ２となっている。

　面発光レーザ３０は、単一の延在部を中央部の四方に有するマスクパターンを形成する点及びイオン注入を少なくとも４回行う点（２８Ａ－２８Ａ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ、２８Ｂ－２８Ｂ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ）を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ３０によれば、面発光レーザ１０に比べて製造時のイオン注入の回数が多くなるものの、マスクパターンの形状が簡素であるため、同等に製造容易であり、同等の低抵抗化を実現でき、且つ、更なる高発光効率を実現できる。

＜４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ＞
　図３０Ａは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ４０の断面図（その１）である。図３０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ４０の断面図（その２）である。図３０Ｃは、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ４０の断面図（その３）である。図３１は、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光レーザ４０の平面図である。図３０Ａは、図３１の３０Ａ－３０Ａ線断面図である。図３１Ｂは、図３１の３０Ｂ－３０Ｂ線断面図である。図３１Ｃは、図３１の３０Ｃ－３０Ｃ線断面図である。

　面発光レーザ４０は、イオン注入領域ＩＩＡの第１部分ＩＩＡｂが、中央部の四方に設けられた小径部群を含む。各小径部群は、平面視において、リング状の電極設置領域に沿って並ぶ複数の小径部を有する。ここでは、各小径部の平面視形状は、円形とされているが、例えば楕円形、多角形等の他の形状であってもよい。なお、図３１では、便宜上、符号ＩＩＡｂの引き出し線を、小径部を表す円形破線から引き出している。

　面発光レーザ４０は、複数の小径部をそれぞれ形成するための複数の小孔を持つマスクパターンを形成する点及びイオン注入を少なくとも４回行う点（３０Ａ－３０Ａ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ、３０Ｂ－３０Ｂ線断面に平行な第１及び第２傾斜方向から少なくとも１回ずつ）を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ３０によれば、面発光レーザ１０に比べて製造時のイオン注入回数が増えるものの、共振器上部に非イオン注入領域ＮＩＩＡがより大きく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径をより均一に小さくすることができ、ひいては製造が容易であり、且つ、更なる一層の低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ＞
　図３２Ａは、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５０の断面図（その１）である。図３２Ｂは、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５０の断面図（その２）である。図３２Ｃは、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光レーザ５０の断面図（その３）である。図３２Ａ～図３２Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ５０は、図３２Ａの断面において非イオン注入領域ＮＩＩＡが直角三角形状の領域（図２の二等辺三角形状の非イオン注入領域ＮＩＩＡを横方向に２等分して得られる２つの直角三角形状の領域の一方）である点及び図３２Ｃの断面においてイオン注入領域ＩＩＡが片側のみ傾斜部を有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ５０は、積層方向に対して傾斜する所定の傾斜方向（例えば第１傾斜方向又は第２傾斜方向）から積層体にイオン注入を少なくとも１回行い、積層方向に平行な方向から積層体にイオン注入を少なくとも１回行う点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ５０によれば、面発光レーザ１０に比べて、共振器上部にアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡがより小さく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径の均一性が小さくなるが、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ＞
　図３３Ａは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ６０の断面図（その１）である。図３３Ｂは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ６０の断面図（その２）である。図３３Ｃは、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光レーザ６０の断面図（その３）である。図３３Ａ～図３３Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ６０は、図３３Ａの断面において非イオン注入領域ＮＩＩＡが直角三角形状の領域（図２６Ａの二等辺三角形状の非イオン注入領域ＮＩＩＡを横方向に２等分して得られる２つの直角三角形状の領域の一方）である点及び図３３Ｃの断面においてイオン注入領域ＩＩＡが片側のみ段差を有する点を除いて、実施例２に係る面発光レーザ２０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ６０は、積層方向に対して傾斜する所定の傾斜方向（例えば第１傾斜方向又は第２傾斜方向）から積層体にイオン注入を少なくとも１回行い、積層方向に平行な方向から積層体にイオン注入を少なくとも１回行う点を除いて、面発光レーザ２０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ６０によれば、面発光レーザ２０に比べて、共振器上部にアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡがより小さく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径の均一性が小さくなるが、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ＞
　図３４Ａは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ７０の断面図（その１）である。図３４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ７０の断面図（その２）である。図３４Ｃは、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光レーザ７０の断面図（その３）である。図３４Ａ～図３４Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ７０は、図３４Ａの断面において非イオン注入領域ＮＩＩＡが直角三角形状の領域（図２８Ａの二等辺三角形状の非イオン注入領域ＮＩＩＡを横方向に２等分して得られる２つの直角三角形状の領域の一方）である点及び図３４Ｃの断面においてイオン注入領域ＩＩＡが片側のみ段差を有する点を除いて、実施例３に係る面発光レーザ３０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ７０は、積層方向に対して傾斜する所定の傾斜方向（例えば第１傾斜方向又は第２傾斜方向）から積層体にイオン注入を少なくとも１回行い、積層方向に平行な方向から積層体にイオン注入を少なくとも１回行う点を除いて、面発光レーザ３０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ７０によれば、面発光レーザ３０に比べて、共振器上部にアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡがより小さく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径の均一性が小さくなるが、製造容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ＞
　図３５Ａは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ８０の断面図（その１）である。図３５Ｂは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ８０の断面図（その２）である。図３５Ｃは、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光レーザ８０の断面図である。図３５Ａ～図３５Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ８０は、図３５Ａの断面において非イオン注入領域ＮＩＩＡが直角三角形状の領域（図３０Ａの二等辺三角形状の非イオン注入領域ＮＩＩＡを横方向に２等分して得られる２つの直角三角形状の領域の一方）である点及び図３５Ｃの断面においてイオン注入領域ＩＩＡが片側のみ段差を有する点を除いて、実施例４に係る面発光レーザ４０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ８０は、積層方向に対して傾斜する所定の傾斜方向（例えば第１傾斜方向又は第２傾斜方向）から積層体にイオン注入を少なくとも１回行い、積層方向に平行な方向から積層体にイオン注入を少なくとも１回行う点を除いて、面発光レーザ４０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ８０によれば、面発光レーザ４０に比べて、共振器上部にアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡがより小さく設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径の均一性が小さくなるが、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ＞
　図３６Ａは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ９０の断面図（その１）である。図３６Ｂは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ９０の断面図（その２）である。図３６Ｃは、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ９０の断面図（その３）である。図３７は、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光レーザ９０の平面図である。図３６Ａは、図３７の３６Ａ－３６Ａ線断面図である。図３６Ｂは、図３７の３６Ｂ－３６Ｂ線断面図である。図３６Ｃは、図３７の３６Ｃ－３６Ｃ線断面図である。

　面発光レーザ９０は、イオン注入領域ＩＩＡの幅広部ＩＩＡｂ１がアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡを３６Ｃ－３６Ｃ線の片側にのみ有している点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ９０は、複数の延在部を含む櫛歯部を片側にのみ有するマスクパターンを形成する点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ９０によれば、面発光レーザ１０に比べて、共振器上部にアノード電極１０８と接する非イオン注入領域ＮＩＩＡが片側にのみ設けられ、且つ、共振器下部のイオン注入領域ＩＩＡのイオン注入径の均一性が小さくなるが、製造が容易であり、且つ、低抵抗化及び高発光効率を実現可能な面発光レーザを提供できる。

＜１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ＞
　図３８Ａは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ１００の断面図（その１）である。図３８Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ９０の断面図（その２）である。図３８Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光レーザ１００の断面図（その３）である。図３８Ａ～図３８Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１００は、イオン注入領域ＩＩＡの段差が酸化狭窄層１０６と活性層１０４との間（例えば第２クラッド層１０５内）に位置する点（図３８Ｂ参照）を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１００は、面発光レーザ１０の製造方法に比べて、イオン注入を行う際の第１及び第２傾斜方向の各々と積層方向との成す角度（鋭角）が小さい点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１００によれば、共振器の寄生容量が若干高くなるものの、面発光レーザ１０と概ね同様の効果を得ることができる。

＜１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ＞
　図３９Ａは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１１０の断面図（その１）である。図３９Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１１０の断面図（その２）である。図３９Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光レーザ１１０の断面図（その３）である。図３９Ａ～図３９Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１１０は、酸化狭窄層１０６を有していない点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１１０は、酸化狭窄層１０６を形成しない点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１１０によれば、酸化狭窄層１０６による電流狭窄効果及び光狭窄効果を得ることができない点を除いて面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、酸化狭窄層１０６を形成しない分、製造プロセスを簡略化できる面発光レーザを提供できる。

＜１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ＞
　図４０Ａは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１２０の断面図（その１）である。図４０Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１２０の断面図（その２）である。図４０Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光レーザ１２０の断面図（その３）である。図４０Ａ～図４０Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１２０は、裏面出射型である点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１２０では、アノード電極１０８がメサＭの頂部にベタ状に設けられ、カソード電極１０９が基板１０１の裏面にリング状に設けられている。カソード電極１０９の内径側が出射口となっている。面発光レーザ１２０では、第２反射鏡１０７の反射率が第１反射鏡１０２の反射率よりも僅かに高く設定されている。

　面発光レーザ１２０は、アノード電極１０８をベタ状に設け、且つ、カソード電極１０９をリング状に設ける点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１２０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる、裏面出射型の面発光レーザを提供できる。

＜１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ＞
　図４１Ａは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１３０の断面図（その１）である。図４１Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１３０の断面図（その２）である。図４１Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光レーザ１３０の断面図（その３）である。図４１Ａ～図４１Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１３０は、イントラキャビティ構造を有する点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。ここでは、基板１０１は、ノンドープのＧａＡｓ基板（ｉ－ＧａＡｓ基板）であってもよい。

　面発光レーザ１３０では、第１反射鏡１０２の、メサＭの周辺の領域上にカソード電極１０９がリング状に設けられている。

　面発光レーザ１３０では、イオン注入領域ＩＩＡが例えばメサＭ内にのみ設けられている。

　面発光レーザ１３０は、カソード電極１０９を第１反射鏡１０２の、メサＭの周辺の領域上にリング状に設ける点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１３０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より低抵抗な面発光レーザを提供できる。

　なお、例えばメサＭの底面を第１クラッド層１０３内に位置させ、且つ、第１クラッド層１０３の、メサＭの周辺の領域上にカソード電極１０９を設けてもよい。この場合、第１反射鏡１０２は、ノンドープの半導体多層膜反射鏡（例えばｉ－ＡｌＧａＡｓ／ｉ－ＡｌＧａＡｓ）であってもよい。

＜１４．本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ＞
　図４２Ａは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１４０の断面図（その１）である。図４２Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１４０の断面図（その２）である。図４２Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１４に係る面発光レーザ１４０の断面図（その３）である。図４２Ａ～図４２Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１４０は、イントラキャビティ構造を有する、裏面出射型の面発光レーザである点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と概ね同様の構成を有する。

　面発光レーザ１４０では、メサＭの頂部にアノード電極１０８がベタ状に設けられ、且つ、第１反射鏡１０２の、メサＭの周辺の領域上にカソード電極１０９がリング状に設けられている。面発光レーザ１４０では、第２反射鏡１０７の反射率が第１反射鏡１０２の反射率よりも僅かに高く設定されている。面発光レーザ１４０は、基板１０１の裏面側に光を出射する。ここでは、基板１０１は、ノンドープのＧａＡｓ基板（ｉ－ＧａＡｓ基板）であってもよい。

　面発光レーザ１４０は、アノード電極１０８をメサＭの頂部にベタ状に設け、且つ、カソード電極１０９を第１反射鏡１０２の、メサＭの周辺の領域上にリング状に設ける点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１４０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができ、且つ、より低抵抗な面発光レーザを提供できる。

＜１５．本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ＞
　図４３Ａは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１５０の断面図（その１）である。図４３Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１５０の断面図（その２）である。図４３Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１５に係る面発光レーザ１５０の断面図（その３）である。図４３Ａ～図４３Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１５０は、酸化狭窄層１０６が第２反射鏡１０７と活性層１０４との間に設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１５０では、酸化狭窄層１０６が第２クラッド層１０５内に設けられている。

　面発光レーザ１５０は、酸化狭窄層１０６を第２クラッド層１０５内に設ける点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１５０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる。

　なお、酸化狭窄層１０６を第２反射鏡１０７と第２クラッド層１０５との間に設けてもよい。

＜１６．本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ＞
　図４４Ａは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１６０の断面図（その１）である。図４４Ｂは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１６０の断面図（その２）である。図４４Ｃは、本技術の一実施形態の実施例１６に係る面発光レーザ１６０の断面図（その３）である。図４４Ａ～図４４Ｃは、それぞれ図４の２－２線断面、１－１線断面及び３－３線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザ１６０は、酸化狭窄層１０６が第１反射鏡１０２と活性層１０４との間に設けられている点を除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の構成を有する。

　面発光レーザ１６０では、酸化狭窄層１０６が第１クラッド層１０３内に設けられている。

　面発光レーザ１６０は、酸化狭窄層１０６を第１クラッド層１０３内に設ける点を除いて、面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザ１６０によれば、面発光レーザ１０と同様の効果を得ることができる。

　なお、酸化狭窄層１０６を第１反射鏡１０２と第１クラッド層１０３との間に設けてもよい。

＜１７．本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザアレイ＞
　図４５は、本技術の一実施形態の実施例１７に係る面発光レーザアレイ１７０の断面図である。図４５は、図４の１－１線断面に対応する断面図である。

　面発光レーザアレイ１７０は、基板１０１上にアレイ状に設けられた複数の面発光レーザ１０を有する。

　面発光レーザアレイ１７０では、一例として、複数の面発光レーザ１０が、基板１０１、第１反射鏡１０２の一部（下部）及びカソード電極１０９を共有している。

　図４５の例では、面発光レーザ１０が２つのみ図示されているが、３つ以上設けられてもよい。また、面発光レーザ１０が３つ以上設けられる場合に、３つ以上の面発光レーザ１０の配置は、１次元配置でも２次元配置でもよい。

　面発光レーザアレイ１７０は、最終的にウェハ上に形成される素子（面発光レーザ１０）が複数となることを除いて、実施例１に係る面発光レーザ１０の製造方法と同様の製法により製造することができる。

　面発光レーザアレイ１７０によれば、各素子が実施例１に係る面発光レーザ１０と同様の効果を奏し、且つ、各素子を独立駆動可能な面発光レーザアレイを実現できる。

　なお、実施例２～１６のいずれかに係る面発光レーザがアレイ状に複数配置された面発光レーザアレイを構成することもできる。

＜１８．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例＞
　図４８は、本技術を適用し得る面発光レーザの構成例である面発光レーザ２０００を示す平面図である。図４９Ａは、図４８のＸ－Ｘ線断面図である。図４９Ｂは、図４８のＹ－Ｙ線断面図である。

　面発光レーザ２０００の各構成要素は、基板２００１に積層されている。基板２００１は例えばＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓＰ等の半導体を含んで構成することができる。

　面発光レーザ２０００は、保護領域２００２（図４９Ａ及び図４９Ｂの透過性灰色領域）を含む。図４８に示すように、保護領域２００２は、平面視において円形状であるが、例えば楕円形状、多角形状等の別の形状であってもよく、特定の形状に限定されない。保護領域２００２は電気的な分離をもたらす材料を含み、例えばイオン注入された領域である。

　更に、面発光レーザ２０００は、図４９Ａ及び図４９Ｂに示すように、第１電極２００３と第２電極２００４とを含む。図４８に示すように、第１電極２００３は、平面視において、不連続箇所（断続箇所）を有するリング形状、すなわちスプリットリング形状であるが、特定の形状に限定されない。図４９Ａ又は図４９Ｂに示すように、第２電極２００４は、基板２００１に接触している。第１電極２００３及び第２電極２００４は、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ、ＰｄＧｅＡｕ等の導電材料を含んで構成される。第１電極２００３及び第２電極２００４は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。

　更に、面発光レーザ２０００は、保護領域２００２の周囲に設けられたトレンチ２００５を含む。図４８は、一例として平面視矩形のトレンチ２００５が６箇所に設けられた構造を示すが、その数や、平面視における形状は特定のものに限定されない。トレンチ２００５は酸化狭窄層２００６（酸化領域２００６ａ及び非酸化領域２００６ｂを含む）を形成するための開口である。面発光レーザ２０００の製造工程において、トレンチ２００５を介して高温水蒸気が供給されることで酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが形成される。例えば、酸化領域２００６ａはＡｌＡｓ又はＡｌＧａＡｓ層の酸化の結果として形成されるＡｌ_２Ｏ_３である。トレンチ２００５には酸化狭窄層２００６を形成する工程の後において、任意の誘電体が埋め込まれる場合もある。また、誘電体膜による表面被膜を行う場合もある。

　更に、面発光レーザ２０００は、第１電極２００３上の誘電体層２００７に設けられた誘電体開口２００８（コンタクトホール）を含む。誘電体層２００７は、図４９Ａ及び図４９Ｂに示すような積層構造を有していてもよいし、単層構造を有していてもよい。誘電体層２００７は、一例として酸化シリコンや窒化シリコンなどを含む。図４８に示すように、誘電体開口２００８は、第１電極２００３と同じ形状に形成されている。ただし、誘電体開口２００８の形状は第１電極２００３の形状には限定されず、第１電極２００３上に部分的に形成されていてもよい。誘電体開口２００８には不図示の導電材料が充填され、該導電材料が第１電極２００３と接触する。

　更に、図４９Ａ及び図４９Ｂに示すように、面発光レーザ２０００は第１電極２００３の内側に光学開口２００９を含む。面発光レーザ２０００は、光学開口２００９を介して光線を出射する。更に、面発光レーザ２０００は、酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが、電流及び光を閉じ込める電流・光閉じ込め領域として機能する。酸化狭窄層２００６の非酸化領域２００６ｂは、光学開口２００９の下方に位置し、電流及び光を通過させる電流・光通過領域として機能する。

　更に、面発光レーザ２０００は、第１多層反射鏡２０１１及び第２多層反射鏡２０１２を含む。多層反射鏡は一例として半導体多層膜反射鏡であり、分布型ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector）とも呼ばれる。

　更に、面発光レーザ２０００は、活性層２０１３を含む。活性層２０１３は、第１多層反射鏡２０１１と第２多層反射鏡２０１２との間に配置され、注入キャリアを閉じ込め、面発光レーザ２０００の発光波長を規定する。

　本構成例では、一例として、面発光レーザ２０００が表面出射型面発光レーザである場合を例にとって説明したが、面発光レーザ２０００は裏面出射型面発光レーザを構成することもできる。

　図４８及び図４９Ａに示すように、本構成例の面発光レーザ２０００の実質的な径はトレンチ２００５によって規定される仮想的な円の直径ｄである。

　本構成例の面発光レーザ２０００は、一例として、以下の工程１～８の手順で製造される。
（工程１）基板２００１の表面に第１多層反射鏡２０１１、活性層２０１３、酸化狭窄層２００６となる被選択酸化層、及び第２多層反射鏡２０１２をエピタキシャル成長させる。
（工程２）例えばリフトオフ法を用いて、第１電極２００３を第２多層反射鏡２０１２上に形成する。
（工程３）例えばフォトリソグラフィーによりトレンチ２００５を形成する。
（工程４）被選択酸化層の側面を露出させ、該被選択酸化層を側面から選択酸化することにより酸化狭窄層２００６を形成する。
（工程５）保護領域２００２をイオン注入などによって形成する。
（工程６）誘電体層２００７を例えば蒸着、スパッタ等により成膜する。
（工程７）例えばフォトリソグラフィーにより誘電体層２００７に誘電体開口２００８を形成して第１電極２００３の接点を露出させる。
（工程８）基板２００１の裏面を研磨して薄膜化した後、第２電極２００４を基板２００１の裏面に形成する。

　以上説明した面発光レーザ２０００を構成する層の層数、配置、厚さ、配置順、対称性等は一例であって適宜変更可能である。すなわち、面発光レーザ２０００は、図４８、図４９Ａ及び図４９Ｂに示すものより多数の層、少数の層、異なる層、異なる構造の層、又は異なる配置の層を含んでもよい。

　本技術は、以上説明した面発光レーザ２０００及びその変形例に適用することができる。

＜１９．本技術の変形例＞
　本技術は、上記実施形態（実施例１～１７）に限定されることなく、種々の変形が可能である。

　上記実施形態ではＧａＡｓ系のＶＣＳＥＬを例にとって説明したが、本技術は、例えばＩｎＰ系、ＧａＮ系等のＶＣＳＥＬにも適用可能である。

　本技術に係る面発光レーザは、通信用途のみならず、例えばセンシング用途にも適用可能である。

　共振器Ｒに設けられる高抵抗領域は、イオン注入領域ＩＩＡに限らず、例えば絶縁体（例えば酸化物、窒化物等）により構成されてもよい。

　例えばアノード電極１０８及びカソード電極１０９の形状や材料は、適宜変更可能である。

　例えば第１及び第２反射鏡１０２、１０７の少なくとも一方は、誘電体多層膜反射鏡であってもよいし、半導体多層膜反射鏡及び金属反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよいし、誘電体多層膜反射鏡及び金属反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよいし、半導体多層膜反射鏡及び誘電体多層膜反射鏡を含むハイブリッドミラーであってもよい。

　上記各実施例に係る面発光レーザにおいて、導電型（ｐ型及びｎ型）を入れ替えてもよい。

　上記各実施例に係る面発光レーザの構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施例において、面発光レーザや面発光レーザアレイを構成する各構成要素の材質、導電型、厚み、幅、長さ、形状、大きさ、配置等は、面発光レーザや面発光レーザアレイとして機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜２０．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力デバイス（例えばスマートフォン、タブレット、マウス等）に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光レーザは、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜２１．面発光レーザを距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記各実施例に係る面発光レーザのセンシング用途への適用例について説明する。

　図５０は、電子機器の一例としての、面発光レーザ１０を備えた距離測定装置１０００の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、光源として面発光レーザ１０を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、レンズ１１５、１３５、信号処理部１４５、制御部１５５、表示部１６５および記憶部１７５を備えている。

　受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１１５は、面発光レーザ１０から出射された光を平行光化するためのレンズであり、コリメートレンズである。レンズ１３５は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、集光レンズである。

　信号処理部１４５は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５５から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５５は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５５から入力される信号であってもよいし、面発光レーザ１０の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５５は、例えば、面発光レーザ１０、受光装置１２５、信号処理部１４５、表示部１６５および記憶部１７５を制御するプロセッサである。制御部１５５は、信号処理部１４５で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６５に出力する。表示部１６５は、制御部１５５から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７５に格納する。

　本適用例において、面発光レーザ１０に代えて、上記面発光レーザ１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、面発光レーザアレイ１７０のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。
＜２２．距離測定装置を移動体に搭載した例＞

　図５１は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図５１に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図５１の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図５２は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図５２では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図５２には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）互いに積層された第１及び第２反射鏡と、
　前記第１及び第２反射鏡の間に配置された活性層と、
　を含む共振器を備え、
　前記共振器の少なくとも前記第２反射鏡側の表層に平面視において前記活性層の発光領域を囲む高抵抗領域が設けられ、
　前記高抵抗領域は、前記共振器の前記第２反射鏡側の表面を含む積層方向の一部に設けられた第１部分が、前記共振器の前記積層方向の他部に設けられた第２部分よりも面内の一方向の内幅が広い幅広部を有する、面発光レーザ。
（２）前記第１部分が、少なくとも前記第２反射鏡に設けられ、前記第２部分が、少なくとも前記活性層に設けられている、（１）に記載の面発光レーザ。
（３）前記第１部分が、前記幅広部よりも前記一方向の内幅が狭い幅狭部を有する、（１）又は（２）に記載の面発光レーザ。
（４）前記幅広部及び前記幅狭部が、面内で前記一方向に略直交する方向に交互に並んでいる、（３）に記載の面発光レーザ。
（５）前記幅狭部の前記一方向の端部の、前記一方向に直交する断面が、前記表面に近づくほど幅が狭くなる形状を有する、（３）又は（４）に記載の面発光レーザ。
（６）前記幅広部及び前記第２部分を前記一方向及び前記積層方向のいずれにも平行な平面で一緒に切断した切断面が、段差を有する、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（７）前記第１及び第２部分と前記発光領域とを前記一方向に直交する平面で一緒に切断した切断面が、前記表面に近づくほど幅が広くなる形状を有する、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（８）前記表面の、少なくとも前記幅広部の内側の領域上に設けられた電極を更に備える、（１）～（７）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（９）前記電極は、平面視において前記発光領域を取り囲んでいる、（８）に記載の面発光レーザ。
（１０）前記共振器は、少なくとも前記第２反射鏡及び前記活性層を含むメサを有する、（１）～（９）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１１）前記共振器は、前記メサに含まれる酸化狭窄層を有する、（１０）に記載の面発光レーザ。
（１２）前記第２部分が、前記酸化狭窄層にも設けられている、（１１）に記載の面発光レーザ。
（１３）前記第２部分が、前記第１反射鏡にも設けられている、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光レーザ。
（１４）基板上に少なくとも第１反射鏡、活性層及び第２反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体の前記第２反射鏡側の表面の中央部と周辺部の一部とを覆うマスクパターンを形成する工程と、
　前記マスクパターンをマスクとして、前記積層体に前記表面側からイオン注入を複数回行うイオン注入工程と、
　を含み、
　前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する方向から少なくとも１回イオン注入を行う、面発光レーザの製造方法。
（１５）前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する第１傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行い、前記積層方向に対して傾斜する、前記第１傾斜方向とは異なる第２傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行う、（１４）に記載の面発光レーザの製造方法。
（１６）前記マスクパターンの、前記表面の周辺部の前記一部を覆う部分が、前記表面の中央部を覆う部分から面内で一方向に延在する延在部を含み、前記第１及び第２傾斜方向は、前記一方向に直交する平面に略平行であり、且つ、少なくとも前記表面側において互いに近づく方向である、（１５）に記載の面発光レーザの製造方法。
（１７）前記マスクパターンが、面内で前記一方向に略直交する方向に並ぶ複数の前記延在部を含む、（１６）に記載の面発光レーザの製造方法。
（１８）前記表面の周辺部の少なくとも前記一部上に電極を形成する工程を更に含む、（１４）に記載の面発光レーザ。
（１９）前記生成する工程の後、前記積層体をエッチングして少なくとも前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサを形成する工程を更に含む、（１４）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２０）前記生成する工程では、前記基板上に被選択酸化層も積層し、前記メサは、前記被選択酸化層を含み、前記メサを形成する工程の後、前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化する工程を更に含む、（１９）に記載の面発光レーザの製造方法。
（２１）（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザを複数備える、面発光レーザアレイ。
（２２）（１）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光レーザを備える、電子機器。
（２３）（２１）に記載の面発光レーザアレイを備える、電子機器。

　１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０：面発光レーザ
　１０１：基板
　１０２：第１反射鏡
　１０４：活性層
　１０６：酸化狭窄層
　１０７：第２反射鏡
　１０８：アノード電極（電極）
　ＩＩＡ：イオン注入領域（高抵抗領域）
　ＩＩＡｂ：第１部分
　ＩＩＡｂ１：幅広部
　ＩＩＡｂ２：幅狭部
　ＩＩＡａ：第２部分
　Ｒ：共振器
　Ｍ：メサ
　ＭＰ：マスクパターン
　延在部：ＭＰａ

Claims

　互いに積層された第１及び第２反射鏡と、
　前記第１及び第２反射鏡の間に配置された活性層と、
　を含む共振器を備え、
　前記共振器の少なくとも前記第２反射鏡側の表層に平面視において前記活性層の発光領域を囲む高抵抗領域が設けられ、
　前記高抵抗領域は、前記共振器の前記第２反射鏡側の表面を含む積層方向の一部に設けられた第１部分が、前記共振器の前記積層方向の他部に設けられた第２部分よりも面内の一方向の内幅が広い幅広部を有する、面発光レーザ。
　前記第１部分が、少なくとも前記第２反射鏡に設けられ、
　前記第２部分が、少なくとも前記活性層に設けられている、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１部分が、前記幅広部よりも前記一方向の内幅が狭い幅狭部を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記幅広部及び前記幅狭部が、面内で前記一方向に略直交する方向に交互に並んでいる、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記幅狭部の前記一方向の端部の、前記一方向に直交する断面が、前記表面に近づくほど幅が狭くなる形状を有する、請求項３に記載の面発光レーザ。
　前記幅広部及び前記第２部分を前記一方向及び前記積層方向のいずれにも平行な平面で一緒に切断した切断面が、段差を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記第１及び第２部分と前記発光領域とを前記一方向に直交する平面で一緒に切断した切断面が、前記表面に近づくほど幅が広くなる形状を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記表面の、少なくとも前記幅広部の内側の領域上に設けられた電極を更に備える、請求項１に記載の面発光レーザ。
　前記電極は、平面視において前記発光領域を取り囲んでいる、請求項８に記載の面発光レーザ。
　前記共振器は、少なくとも前記第２反射鏡及び前記活性層を含むメサを有する、請求項２に記載の面発光レーザ。
　前記共振器は、前記メサに含まれる酸化狭窄層を有する、請求項１０に記載の面発光レーザ。
　前記第２部分が、前記酸化狭窄層にも設けられている、請求項１１に記載の面発光レーザ。
　前記第２部分が、前記第１反射鏡にも設けられている、請求項２に記載の面発光レーザ。
　基板上に少なくとも第１反射鏡、活性層及び第２反射鏡をこの順に積層して積層体を生成する工程と、
　前記積層体の前記第２反射鏡側の表面の中央部と周辺部の一部とを覆うマスクパターンを形成する工程と、
　前記マスクパターンをマスクとして、前記積層体に前記表面側からイオン注入を複数回行うイオン注入工程と、
　を含み、
　前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する方向から少なくとも１回イオン注入を行う、面発光レーザの製造方法。
　前記イオン注入工程では、前記積層方向に対して傾斜する第１傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行い、前記積層方向に対して傾斜する、前記第１傾斜方向とは異なる第２傾斜方向から前記積層体にイオン注入を行う、請求項１４に記載の面発光レーザの製造方法。
　前記マスクパターンの、前記表面の周辺部の前記一部を覆う部分が、前記表面の中央部を覆う部分から面内で一方向に延在する延在部を含み、
　前記第１及び第２傾斜方向は、前記一方向に直交する平面に略平行であり、且つ、少なくとも前記表面側において互いに近づく方向である、請求項１５に記載の面発光レーザの製造方法。
　前記マスクパターンが、面内で前記一方向に略直交する方向に並ぶ複数の前記延在部を含む、請求項１６に記載の面発光レーザの製造方法。
　前記表面の周辺部の少なくとも前記一部上に電極を形成する工程を更に含む、請求項１４に記載の面発光レーザ。
　前記生成する工程の後、前記積層体をエッチングして少なくとも前記活性層及び前記第２反射鏡を含むメサを形成する工程を更に含む、請求項１４に記載の面発光レーザの製造方法。
　前記生成する工程では、前記基板上に被選択酸化層も積層し、
　前記メサは、前記被選択酸化層を含み、
　前記メサを形成する工程の後、前記被選択酸化層を側面側から選択的に酸化する工程を更に含む、請求項１９に記載の面発光レーザの製造方法。