JP4892941B2 - 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
104:n側電極 106:下部半導体多層膜
108:活性層 110:上部半導体多層膜
112:コンタクトメタル 112a:開口
114:保護膜 116:層間絶縁膜
118:コンタクトホール 120:p側電極
120a:開口 122:配線電極
124:電流狭窄層 126:コンタクト層
210、230:無機膜
Claims (22)
- 垂直共振構造を有する面発光型半導体レーザ装置であって、
基板上に形成された第1および第2の半導体多層反射膜と、
第1および第2の半導体多層反射膜の間に形成された活性層と、
第1および第2の半導体多層反射膜の間に形成された電流狭窄層と、
第2の半導体多層反射膜上に形成され、第2の半導体多層反射膜と電気的に接続され、活性層で発生されたレーザ光を出射する開口が形成された第1の金属層と、
第1の金属層の開口を覆う第1の保護膜と、
少なくとも第1の金属層の外縁を覆う第2の保護膜と、
第1および第2の保護膜によって露出された第1の金属層の露出領域に接続される第2の金属層と、
第1の保護膜と第2の金属層によって露出された第1の金属層の露出領域を覆う無機膜と、
を有する面発光型半導体レーザ装置。 - 基板上にポストが形成され、当該ポストは、少なくとも第1の金属層、第2の半導体多層反射膜および電流狭窄層を含み、第2の保護膜は、ポスト側部およびポスト頂部の一部を覆う、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第1の保護膜は、ポスト形成前に第2の半導体多層膜上に形成された絶縁膜である、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第1の金属層は、第2の半導体多層反射膜の上層に形成されたコンタクト層とオーミック接続される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第2の金属層は、第2の半導体多層反射膜へ電流を注入するための電極である、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第1の金属層の開口は、電流狭窄層に形成された導電領域と整合し、かつ、第1の金属層の開口の径は、前記導電領域の径よりも小さい、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 前記導電領域は、ポスト側面から酸化された酸化領域によって囲まれている、請求項6に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第2の金属層は、金または金を含む積層金属である、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 前記無機膜は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、またはインジウム系酸化物のいずれかから選択される、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 前記無機膜は、少なくとも0.4μmの厚さを有する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 垂直共振構造を有する面発光型半導体レーザ装置であって、
基板上に形成された第1および第2の半導体多層反射膜と、
第1および第2の半導体多層反射膜の間に形成された活性層と、
第1および第2の半導体多層反射膜の間に形成された電流狭窄層と、
第2の半導体多層反射膜上に形成され、第2の半導体多層反射膜と電気的に接続され、かつ第1の開口が形成された第1の金属層と、
第1の開口に整合され第1の開口よりも大きな第2の開口を有し、第1の金属層に接続された第2の金属層と、
第2の金属層の第2の開口によって露出された第1の金属層の露出領域を覆い、かつ第1の開口に整合し第1の開口よりも小さな第3の開口を有する無機膜と、
を有する面発光型半導体レーザ装置。 - 前記無機膜は、第2の金属層と同一材料である、請求項11に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 第2の金属層は、第2の半導体多層反射膜へ電流を注入するための電極である、請求項11または12に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 無機膜は、金または金を含む積層金属から構成され、少なくとも0.8μmの厚さを有する、請求項11ないし13いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 無機膜は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、またはインジウム系酸化物のいずれかから選択される、請求項11ないし14いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 無機膜は、少なくとも0.4μmの厚さを有する、請求項11ないし15いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 基板上にポストまたはメサが形成され、当該ポストは、少なくとも第1の金属層、第2の半導体多層反射膜および電流狭窄層を含み、電流狭窄層は、ポスト側面から酸化された酸化領域によって囲まれた導電領域を含み、第3の開口は、電流狭窄層の導電領域の径とほぼ等しい、請求項11ないし16いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 請求項1ないし17いずれか1つに記載の面発光型半導体装置を実装したモジュール。
- 請求項18に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を光媒体を介して送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項18に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項18に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
- 請求項18に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
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