JP5041421B2 - 面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子 - Google Patents
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はじめに、本発明の実施の形態に係る面発光レーザ素子について説明する。本実施の形態に係る面発光レーザ素子は、GaAs系半導体材料からなる面発光レーザ素子である。
なお、上記実施の形態では、p側引き出し電極116に環状の接触部116aを設けたが、接触部の形状は環状に限られず、円弧状でもよい。以下、実施の形態の変形例として、接触部を円弧状にした面発光レーザ素子について説明する。
101、301 基板
102、302 下部DBRミラー
103、303 バッファ層
104、304 n型コンタクト層
105、305 活性層
106、306 下部傾斜組成層
107、307 電流狭窄層
107a、307a 電流狭窄部
107b、307b 電流注入部
108、308 上部傾斜組成層
109、309 p型クラッド層
110、310 p+型コンタクト層
111、118、211、311 p側円環電極
111a、311a 開口部
112、312 n側電極
113、313 パッシベーション膜
114、314 n側引き出し電極
115、315 上部DBRミラー
116〜316 p側引き出し電極
116a、216a 接触部
117 被酸化層
L1〜L4 線
M1、M3 メサポスト
θ 角度
Claims (6)
- 垂直共振器型の面発光レーザ素子の製造方法であって、
基板上に下部多層膜反射鏡を積層し、前記下部多層膜反射鏡上に活性層を含む複数の半導体層を積層する積層工程と、
前記積層した半導体層上に金属からなり中心に開口部を有する円環電極を形成する円環電極形成工程と、
前記形成した円環電極をマスクとして前記積層した半導体層をメサポスト状にエッチングするメサポスト形成工程と、
前記形成したメサポストに、電気抵抗が増大するような前記円環電極の変質を伴う熱処理を施す熱処理工程と、
前記円環電極に周方向に沿って接触する開口角度が0度より大きく180度以下の円弧状の接触部を設けた引き出し電極を形成する引き出し電極形成工程と、
を含み、
前記円環電極形成工程は、Ptを含む円環電極を形成し、
前記熱処理工程は、前記円環電極に含まれるPtのPtAs 2 への変質を伴う熱処理を施す
ことを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。 - 前記積層工程は、AlAsまたはAl1−xGaxAs(0<x<1)からなる被酸化層を積層する被酸化層積層工程を含み、
前記熱処理工程は、前記積層した被酸化層を選択酸化熱処理してAlAsまたはAl1−xGaxAsからなる電流注入部とAl2O3または(Al1−xGax)2O3からなる電流狭窄部とを有する電流狭窄層を形成することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子の製造方法。 - 前記円環電極上に誘電体からなる上部多層膜反射鏡を形成する上部多層膜反射鏡形成工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
- 垂直共振器型の面発光レーザ素子であって、
基板と、
前記基板上に積層した下部多層膜反射鏡と、
前記下部多層膜反射鏡上に形成された、活性層を含む複数の半導体層を有するメサポストと、
前記メサポスト上に形成され、中心に開口部を有するとともに前記メサポストの外周と一致する外周を有する円環電極と、
前記円環電極に周方向に沿って接触する開口角度が0度より大きく180度以下の円弧状の接触部を設けた引き出し電極と、
を備え、
前記円環電極は、当該円環電極に含まれていたPtが変質して形成されたPtAs 2 を含む
ことを特徴とする面発光レーザ素子。 - 前記メサポストは、選択酸化熱処理によって形成された、AlAsまたはAl1−xGaxAs(0<x<1)からなる電流注入部とAl2O3または(Al1−xGax)2O3からなる電流狭窄部とを有する電流狭窄層を含むことを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ素子。
- 前記円環電極上に誘電体からなる上部多層膜反射鏡を備えたことを特徴とする請求項4または5に記載の面発光レーザ素子。
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