JP2004063969A - 面発光レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】漏れ電流のない高効率で高密度集積化が可能である面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板2上に下部DBR3と、発光層4と、Al酸化層5と、上部DBR6と、開口部17を有するリング電極11とリング電極11に連続したパッド電極8とを積層してなり、パッド電極8の下部に対応する上部DBR6から発光層4までの深さに形成された溝14及びパッド電極部穴38を有し、溝14及びパッド電極部穴38の側面から、発光部16に対応する部分を除いたAl酸化層5を酸化して絶縁層とした。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板2上に下部DBR3と、発光層4と、Al酸化層5と、上部DBR6と、開口部17を有するリング電極11とリング電極11に連続したパッド電極8とを積層してなり、パッド電極8の下部に対応する上部DBR6から発光層4までの深さに形成された溝14及びパッド電極部穴38を有し、溝14及びパッド電極部穴38の側面から、発光部16に対応する部分を除いたAl酸化層5を酸化して絶縁層とした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、 面発光レーザに係り、特に、発光層となるアルミニウムを含む半導体層を酸化することにより発光部の周囲に絶縁層を形成して、良好な電流狭窄構造を形成すると共に、高密度集積化に好適な面発光レーザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
面発光レーザは、低しきい値電流動作及び高密度2次元集積化が可能なデバイスであり、光情報処理用光源として注目を集めている。
面発光レーザにおいては、発光部分に電流を集中させることが不可欠で、そのために電流狭窄構造を形成することが必要である。
【0003】
近年、Alを高濃度に含んだ半導体層(以下、この層をAl酸化層と呼ぶ)を窒素と水蒸気雰囲気中で加熱することにより、半導体層の所定の部分のみを絶縁層に変換することにより、良好な特性を有する酸化電流狭窄構造を得る方法が用いられている。
【0004】
この従来の電流狭窄構造では、まず、所定の半導体層を積層した後、発光部の周囲をエッチングしてエッチング溝を形成し、エッチング溝の側面(エッチング面)を通してAl酸化層を酸化して電流狭窄構造を形成する。
一方、発光部とは別に、エッチング溝を挟んだ反対側の半導体層上に、パッド電極用として、SiO2等からなる絶縁膜を表面に形成した後、その上に電極を形成する。そして、発光部とパッド電極の間のエッチング溝をポリイミドなどで埋め込んで平坦にした後、発光部上の電極とパッド電極までの引き出し電極を形成するのが一般的であった。
電流狭窄構造を得るには、埋め込み工程など煩雑な工程が必要であった。
【0005】
この工程を省略する試みの一つとして、例えば、特許第3164203号公報に開示された方法がある。
以下、その内容を従来の改善例として説明する。
図5は、従来の改善例の面発光レーザを示す構成図である。
同図において、図5の(a)は上面図を、図5の(b)は、図5の(a)に示す直線AB断面図である。
【0006】
同図には説明の簡便のため、1個の面発光レーザ10を形成した場合を示す。基板2上に、下部DBR3と、発光層4と、Al酸化層5と、上部DBRが順次積層されている。
発光部18とパッド電極部19及びそれを接続する電極引き出し部21を取り囲んで、所定幅を有するエッチング溝14を形成してある。エッチング溝14は完全に基板2に達しており、発光部18、パッド電極部19及び電極引き出し部21は、周囲と完全にエッチング溝14で分離されている。
【0007】
この状態で、Al酸化層5を、エッチング溝14の側面(エッチング面)より酸化し、所定幅(エッチング溝14から所定深さ横方向に侵入している)の酸化部5Aを形成する。
これにより、発光部18のAl酸化層5は発光部分16を除き酸化されて、絶縁性の酸化部5Aとなる。電流は、発光部分16のみを流れるから、これにより、電流狭窄構造が得られる。
【0008】
電極引き出し部21のAl酸化層5は、酸化に際して、その幅を適当に設定することにより完全に酸化され,絶縁性となる。
パッド電極部19の上部DBR上にSiO2からなる絶縁膜7を形成する。その後、発光部18上には発光部リング電極11を、電極引き出し部21上には引き出し電極部9を、パッド電極部19の絶縁膜7上にはパッド電極8を形成する。
【0009】
発光部リング電極11、引き出し電極部9、及びパッド電極8は電気的に導通している。
パッド電極8にはワイヤがボンディングされ、外部電源に接続できるようにする。
基板2のパッド電極8の形成されている面の反対側の面上には下部電極1が形成されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この面発光レーザ10に、外部からパッド電極8と下部電極1間に所定の電圧を印加すると、電流は、パッド電極8から引き出し電極部9を経由して発光部リング電極11から、上部DBR6を伝って、狭窄構造をとる発光部分16に流れ込み、発光層4と、下部DBR3と、基板2とを通過して、下部電極1に流れる。これにより、面発光レーザ10はレーザ発光する。この電流経路を、主電流経路として,矢印12で示してある。
【0011】
一方、発光部18に対して、パッド電極部19の面形状ははるかに大きく構成されているので、エッチング溝14を通して、Al酸化層5を酸化する場合、パッド電極8下のAl酸化層5の大半は酸化されずに、未絶縁膜化部15としてそのまま残っている。
従って、パッド電極8と下部電極1間に電圧を印加すると、上部DBRから、パッド電極8の下に存在する導電性の未絶縁膜化部15を通って、発光層4と、下部DBRと、基板2とを通り、下部電極1に到達する電流が存在する。これを漏れ電流経路として、矢印15で示してある。
【0012】
この漏れ電流は、面発光レーザ10の発光に寄与しない無効な電流であり、その改善を求められていた。
また、この無効電流をなくすために、パッド電極8の下のAl酸化層5を全て酸化するように、その形状を定めて構成すると、パッド電極が通常100μm×100μmの大きさであるため、発光部18の酸化しない発光部分16を確保するには、発光部18の大きさを100μm×100μmより大きくする必要があり、面発光レーザ10を高密度に集積化出来ないという問題が発生する。
【0013】
そこで本発明は、漏れ電流のない高効率で高密度集積化が可能である面発光レーザを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、本発明は、半導体基板2上に下部DBR3と、発光層4と、Alを含む半導体層(Al酸化層5)と、上部DBR6と、開口部17を有する(発光部)リング電極11と前記リング電極11に連続したパッド電極8とを積層してなり、前記パッド電極8の下部に対応する前記上部DBR6から前記発光層4までの深さに形成された溝(エッチング溝14、パッド電極部穴38)を有し、前記溝(エッチング溝14、パッド電極部穴38)の側面から、前記発光層4の発光部16の上部の部分を除いた前記Alを含む半導体層(Al酸化層5)を酸化して絶縁層としたことを特徴とする面発光レーザである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
なお、参照符号については、従来例と同一の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【0016】
<第1実施例>
図1は、本発明の面発光レーザの第1実施例を示す構成図である。
図2は、本発明の面発光レーザの製造工程図(1)である。
図3は、本発明の面発光レーザの製造工程図(2)である。
図1の(a)は、上面図を、図1の(b)は、図1の(a)に示される直線ABの断面図である。
【0017】
以下、図1乃至図3により、第1実施例の面発光レーザ20を説明する。
以下、図1を参照しながら、図2、図3に付いて説明する。
まず、図2の(1)(結晶成長工程)に示すように、n−GaAsからなる基板2上に、MOCVD法のような膜厚制御性の良いエピタキシャル成長法により、光の反射機能を有するn−AlAsとn−Al0.15Ga0.85Asとをそれぞれの光学波長の1/4の膜厚で交互に30から40ペア積層して下部DBR3(Distributed Bragg Reflector)を形成する。
【0018】
次に、下部DBR3上に発光層4を形成する。発光層4は、例えば厚さ96nmであるu−Al0.3Ga0.7Asからなるスペーサ層に両側を挟まれた、u−GaAsとu−Al0.7Ga0.3Asとが交互に2乃至6ペア形成されたものより構成される。ここで「u」はアンドープであることを示す。発光層4の厚さは、全体で光学波長になるように、各層の厚さが定められる。発光層4は多重量子井戸発光層である。
【0019】
発光層4上に例えば厚さ10nm程度のp−AlAsからなるAl酸化層5を形成する。
Al酸化層5の上に、上部DBR6を形成する。上部DBR6は、p−Al0.85Ga0.15Asとp−Al0.15Ga0.85Asとをそれぞれ光学波長の1/4の厚さで交互に20から30ペア積層したものである。
上部DBR6上にはp−GaAsからなるコンタクト層を形成する(図示しない)。
【0020】
次に、図2の(2)(素子分離工程)に示すように、ウエットエッチングあるいは、ドライエッチングによって、図1の(a)に上面形状を示す所定幅を有する、基板2に達するエッチング溝14を形成する。ここで、エッチング溝14は発光部18と、電極引き出し部21と、パッド電極部19となるべき部分を取り囲み、基板1にまで達している。
【0021】
パッド電極部19となるべき部分には、直径2乃至3μmである複数のパッド電極部穴38が形成されている。これらのパッド電極部穴38は、基板2にまで達している。ここで、パッド電極部穴38の深さは、後述する酸化によりAl酸化層5を酸化できる深さに形成されていれば良い。パッド電極部穴38の間隔は、後述する酸化により、パッド電極部19のAl酸化層5が全て酸化できるようにされている。
【0022】
次に、図2の(3)(AlAs酸化工程)に示すように、下部DBR3から上部DBR6までが積層され、エッチング溝14及びパッド電極部穴38の形成された基板2を、酸化炉に入れて酸化する。酸化炉内には、70℃に保持した水の入ったバブラーを通過して、水蒸気を含んだ窒素ガスが導入されており、450℃から550℃に保持されている。この酸化炉内で、所要時間の間、加熱保持して、エッチング溝14及びパッド電極部穴38の側面(エッチング面)に露出したAl酸化層5を横方向に酸化する。このとき、酸化された酸化部5Aはエッチング溝14及びパッド電極部穴38の側面の表面より内部に向って、酸化されるに従って広がっていくが、加熱時間を調整することによって、発光部18にあるAl酸化層5のうち発光層4の発光部16に対応する部分が未酸化部5Cとなり、それ以外を酸化部5Aとするようにする。
【0023】
ここで、エッチング溝14で囲まれた発光部18は、例えば30μm×30μmの大きさとし、エッチング溝14で挟まれた電極引き出し部21は、例えば幅10μmとし、エッチング溝14で囲まれたパッド電極部19は、例えば、100μm×100μmとしてある(図1参照)。
例えば、12μm程度酸化させると、Al酸化層5の内、酸化されない発光部対応部16は6μm×6μm程度の大きさとなり、それ以外の周囲は酸化部5Aとなり良好な電流狭窄構造が形成される。
【0024】
電極引き出し部21のAl酸化層5は全て酸化されて酸化部5Aとなる。
パッド電極部19においては、パッド電極部穴38が例えば縦横15μmピッチで形成してあり、パッド電極部19のAl酸化層5も全て酸化されて酸化部5Aとなる。図1の(a)には、点線で示した円の領域がパッド電極部穴38によって酸化される酸化領域39を示してある。酸化領域39は重なるように設定してあるので、パッド電極部19の酸化層5は全領域に亘って酸化され、絶縁化される。
【0025】
次に、図3の(4)(p電極形成工程)に示すように、レジスト膜を全面に形成した後、パターニングして、パッド電極8、引出し電極部9、発光部リング電極11の形成されるべき部分以外のレジスト膜を除去する。但し、パッド電極部穴38上のレジスト膜は残しておく。その後、全面にAu、Zn、Auの積層膜を蒸着により形成し、リフトオフによりレジスト膜を取り除くことによって、発光部18に発光部リング電極11を、電極引き出し部21に引き出し電極部9を、パッド電極部19にパッド電極8を形成する。発光部リング電極11と引き出し電極部9とパッド電極8は連続して繋がっており上部電極となる。
【0026】
次に、図3の(5)(n電極形成工程)に示すように、基板1の裏面にn型電極となるAuGe、Ni、Au等を蒸着し、その後、450℃程度で10分間アニールしてオーミックコンタクトさせ下部電極1を形成する。
このようにして、本第1実施例の面発光レーザ20を得る。
【0027】
これは、図1の(b)に示すように、パッド電極部19のAl酸化層5は全て酸化部5Aとなって絶縁化されているので、パッド電極8と下部電極1に所定の電圧を印加すると、電流は発光部18の発光部リング電極11から電流狭窄構造を形成している発光層4の発光部16に対応する未酸化部5Cを通り、矢印32で示される電流経路をとり、下部電極1に流れる。ここでは、漏れ電流の発生がないので、効率の良いレーザ発光が出来る。
また、発光部18とパッド電極部19を任意の形状に設定しても、パッド電極穴部38を適宜に設けることにより、パッド電極19の下の部分のAl酸化層5を絶縁化できてパッド電極部19における漏れ電流を防止できるので、高密度化が可能となる。
【0028】
<第2実施例>
図4は、本発明の面発光レーザの第2実施例を示す構成図である。
同図に示すように、第2実施例の面発光レーザ20Aは、第1実施例の面発光レーザ20において、パッド電極部穴38に代えて、パッド電極部矩形穴38Aとし、従って、酸化されるAl酸化層5の酸化領域39に代わって、酸化領域39Aとなる以外は、第1実施例の面発光レーザ20と同様に構成したものである。
【0029】
パッド電極部矩形穴38Aは幅2乃至3μmであり、例えば90μmの長さを有するものである。Al酸化層5の酸化に際して、酸化領域39Aが互いに一部重複して、酸化領域39Aがパッド電極部19のAl酸化層5の全面を覆うように、パッド電極部矩形穴38Aが設けられている。
従って、Al酸化層5の酸化において、パッド電極部19の酸化層5は、パッド電極部矩形穴38Aの側面(エッチング面)より、所定の横方向に酸化されて、全面が酸化絶縁される。
【0030】
発光部18においては、Al酸化層5のうち発光部16に対応する部分をそのまま未酸化部5Cとし、それ以外を酸化部5Aとするようにする。
電極引き出し部21のAl酸化層5は全て酸化されて酸化部5Aとなる。
パッド電極8と下部電極1に所定の電圧を印加すると、電流は発光部18の発光部リング電極11から電流狭窄構造を形成している発光部16上の未酸化部5Cを通り、第1実施例の面発光レーザ20と同様の電流経路をとり、下部電極1に流れる。ここでは、漏れ電流の発生がないので、効率の良いレーザ発光が出来る。
また、発光部18とパッド電極部19を任意の形状に設定しても、パッド電極部矩形穴38Aを適宜に設けることにより、パッド電極部19の下のAl酸化層5を絶縁化できてパッド電極部19における漏れ電流を防止できるので、高密度化が可能となる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の面発光レーザは、半導体基板上に下部DBRと、発光層と、Alを含む半導体層と、上部DBRと、開口部を有するリング電極と前記リング電極に連続したパッド電極とを積層してなり、前記パッド電極の下部に対応する前記上部DBRから前記発光層までの深さに形成された溝を有し、前記溝の側面から、前記発光層の発光部の上部に部分を除いた前記Alを含む半導体層を酸化して絶縁層としたことにより、漏れ電流のない高効率で高密度集積化が可能である面発光レーザを提供出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の面発光レーザの第1実施例を示す構成図である。
【図2】本発明の面発光レーザの製造工程図(1)である。
【図3】本発明の面発光レーザの製造工程図(2)である。
【図4】本発明の面発光レーザの第2実施例を示す構成図である。
【図5】従来の改善例の面発光レーザを示す構成図である。
【符号の説明】
1…下部電極、2…基板、3…下部DBR、4…発光層、5…Al酸化層(Alを含む半導体層)、5A…酸化部、5B…未酸化部、5C…未酸化部、6…上部DBR、7…絶縁膜、8…パッド電極、9…引出し電極部、10…面発光レーザ、11…発光部リング電極、12…主電流経路、13…漏れ電流経路、14…エッチング溝、15…パッド電極下部未絶縁膜化部、16…発光部、17…開口部、18…発光部、19…パッド電極部、20…面発光レーザ、20A…面発光レーザ、21…電極引き出し部、32…電流経路、38…パッド電極部穴、38A…パッド電極部矩形穴、39…酸化領域、39A…酸化領域。
【発明の属する技術分野】
本発明は、 面発光レーザに係り、特に、発光層となるアルミニウムを含む半導体層を酸化することにより発光部の周囲に絶縁層を形成して、良好な電流狭窄構造を形成すると共に、高密度集積化に好適な面発光レーザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
面発光レーザは、低しきい値電流動作及び高密度2次元集積化が可能なデバイスであり、光情報処理用光源として注目を集めている。
面発光レーザにおいては、発光部分に電流を集中させることが不可欠で、そのために電流狭窄構造を形成することが必要である。
【0003】
近年、Alを高濃度に含んだ半導体層(以下、この層をAl酸化層と呼ぶ)を窒素と水蒸気雰囲気中で加熱することにより、半導体層の所定の部分のみを絶縁層に変換することにより、良好な特性を有する酸化電流狭窄構造を得る方法が用いられている。
【0004】
この従来の電流狭窄構造では、まず、所定の半導体層を積層した後、発光部の周囲をエッチングしてエッチング溝を形成し、エッチング溝の側面(エッチング面)を通してAl酸化層を酸化して電流狭窄構造を形成する。
一方、発光部とは別に、エッチング溝を挟んだ反対側の半導体層上に、パッド電極用として、SiO2等からなる絶縁膜を表面に形成した後、その上に電極を形成する。そして、発光部とパッド電極の間のエッチング溝をポリイミドなどで埋め込んで平坦にした後、発光部上の電極とパッド電極までの引き出し電極を形成するのが一般的であった。
電流狭窄構造を得るには、埋め込み工程など煩雑な工程が必要であった。
【0005】
この工程を省略する試みの一つとして、例えば、特許第3164203号公報に開示された方法がある。
以下、その内容を従来の改善例として説明する。
図5は、従来の改善例の面発光レーザを示す構成図である。
同図において、図5の(a)は上面図を、図5の(b)は、図5の(a)に示す直線AB断面図である。
【0006】
同図には説明の簡便のため、1個の面発光レーザ10を形成した場合を示す。基板2上に、下部DBR3と、発光層4と、Al酸化層5と、上部DBRが順次積層されている。
発光部18とパッド電極部19及びそれを接続する電極引き出し部21を取り囲んで、所定幅を有するエッチング溝14を形成してある。エッチング溝14は完全に基板2に達しており、発光部18、パッド電極部19及び電極引き出し部21は、周囲と完全にエッチング溝14で分離されている。
【0007】
この状態で、Al酸化層5を、エッチング溝14の側面(エッチング面)より酸化し、所定幅(エッチング溝14から所定深さ横方向に侵入している)の酸化部5Aを形成する。
これにより、発光部18のAl酸化層5は発光部分16を除き酸化されて、絶縁性の酸化部5Aとなる。電流は、発光部分16のみを流れるから、これにより、電流狭窄構造が得られる。
【0008】
電極引き出し部21のAl酸化層5は、酸化に際して、その幅を適当に設定することにより完全に酸化され,絶縁性となる。
パッド電極部19の上部DBR上にSiO2からなる絶縁膜7を形成する。その後、発光部18上には発光部リング電極11を、電極引き出し部21上には引き出し電極部9を、パッド電極部19の絶縁膜7上にはパッド電極8を形成する。
【0009】
発光部リング電極11、引き出し電極部9、及びパッド電極8は電気的に導通している。
パッド電極8にはワイヤがボンディングされ、外部電源に接続できるようにする。
基板2のパッド電極8の形成されている面の反対側の面上には下部電極1が形成されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この面発光レーザ10に、外部からパッド電極8と下部電極1間に所定の電圧を印加すると、電流は、パッド電極8から引き出し電極部9を経由して発光部リング電極11から、上部DBR6を伝って、狭窄構造をとる発光部分16に流れ込み、発光層4と、下部DBR3と、基板2とを通過して、下部電極1に流れる。これにより、面発光レーザ10はレーザ発光する。この電流経路を、主電流経路として,矢印12で示してある。
【0011】
一方、発光部18に対して、パッド電極部19の面形状ははるかに大きく構成されているので、エッチング溝14を通して、Al酸化層5を酸化する場合、パッド電極8下のAl酸化層5の大半は酸化されずに、未絶縁膜化部15としてそのまま残っている。
従って、パッド電極8と下部電極1間に電圧を印加すると、上部DBRから、パッド電極8の下に存在する導電性の未絶縁膜化部15を通って、発光層4と、下部DBRと、基板2とを通り、下部電極1に到達する電流が存在する。これを漏れ電流経路として、矢印15で示してある。
【0012】
この漏れ電流は、面発光レーザ10の発光に寄与しない無効な電流であり、その改善を求められていた。
また、この無効電流をなくすために、パッド電極8の下のAl酸化層5を全て酸化するように、その形状を定めて構成すると、パッド電極が通常100μm×100μmの大きさであるため、発光部18の酸化しない発光部分16を確保するには、発光部18の大きさを100μm×100μmより大きくする必要があり、面発光レーザ10を高密度に集積化出来ないという問題が発生する。
【0013】
そこで本発明は、漏れ電流のない高効率で高密度集積化が可能である面発光レーザを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、本発明は、半導体基板2上に下部DBR3と、発光層4と、Alを含む半導体層(Al酸化層5)と、上部DBR6と、開口部17を有する(発光部)リング電極11と前記リング電極11に連続したパッド電極8とを積層してなり、前記パッド電極8の下部に対応する前記上部DBR6から前記発光層4までの深さに形成された溝(エッチング溝14、パッド電極部穴38)を有し、前記溝(エッチング溝14、パッド電極部穴38)の側面から、前記発光層4の発光部16の上部の部分を除いた前記Alを含む半導体層(Al酸化層5)を酸化して絶縁層としたことを特徴とする面発光レーザである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
なお、参照符号については、従来例と同一の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【0016】
<第1実施例>
図1は、本発明の面発光レーザの第1実施例を示す構成図である。
図2は、本発明の面発光レーザの製造工程図(1)である。
図3は、本発明の面発光レーザの製造工程図(2)である。
図1の(a)は、上面図を、図1の(b)は、図1の(a)に示される直線ABの断面図である。
【0017】
以下、図1乃至図3により、第1実施例の面発光レーザ20を説明する。
以下、図1を参照しながら、図2、図3に付いて説明する。
まず、図2の(1)(結晶成長工程)に示すように、n−GaAsからなる基板2上に、MOCVD法のような膜厚制御性の良いエピタキシャル成長法により、光の反射機能を有するn−AlAsとn−Al0.15Ga0.85Asとをそれぞれの光学波長の1/4の膜厚で交互に30から40ペア積層して下部DBR3(Distributed Bragg Reflector)を形成する。
【0018】
次に、下部DBR3上に発光層4を形成する。発光層4は、例えば厚さ96nmであるu−Al0.3Ga0.7Asからなるスペーサ層に両側を挟まれた、u−GaAsとu−Al0.7Ga0.3Asとが交互に2乃至6ペア形成されたものより構成される。ここで「u」はアンドープであることを示す。発光層4の厚さは、全体で光学波長になるように、各層の厚さが定められる。発光層4は多重量子井戸発光層である。
【0019】
発光層4上に例えば厚さ10nm程度のp−AlAsからなるAl酸化層5を形成する。
Al酸化層5の上に、上部DBR6を形成する。上部DBR6は、p−Al0.85Ga0.15Asとp−Al0.15Ga0.85Asとをそれぞれ光学波長の1/4の厚さで交互に20から30ペア積層したものである。
上部DBR6上にはp−GaAsからなるコンタクト層を形成する(図示しない)。
【0020】
次に、図2の(2)(素子分離工程)に示すように、ウエットエッチングあるいは、ドライエッチングによって、図1の(a)に上面形状を示す所定幅を有する、基板2に達するエッチング溝14を形成する。ここで、エッチング溝14は発光部18と、電極引き出し部21と、パッド電極部19となるべき部分を取り囲み、基板1にまで達している。
【0021】
パッド電極部19となるべき部分には、直径2乃至3μmである複数のパッド電極部穴38が形成されている。これらのパッド電極部穴38は、基板2にまで達している。ここで、パッド電極部穴38の深さは、後述する酸化によりAl酸化層5を酸化できる深さに形成されていれば良い。パッド電極部穴38の間隔は、後述する酸化により、パッド電極部19のAl酸化層5が全て酸化できるようにされている。
【0022】
次に、図2の(3)(AlAs酸化工程)に示すように、下部DBR3から上部DBR6までが積層され、エッチング溝14及びパッド電極部穴38の形成された基板2を、酸化炉に入れて酸化する。酸化炉内には、70℃に保持した水の入ったバブラーを通過して、水蒸気を含んだ窒素ガスが導入されており、450℃から550℃に保持されている。この酸化炉内で、所要時間の間、加熱保持して、エッチング溝14及びパッド電極部穴38の側面(エッチング面)に露出したAl酸化層5を横方向に酸化する。このとき、酸化された酸化部5Aはエッチング溝14及びパッド電極部穴38の側面の表面より内部に向って、酸化されるに従って広がっていくが、加熱時間を調整することによって、発光部18にあるAl酸化層5のうち発光層4の発光部16に対応する部分が未酸化部5Cとなり、それ以外を酸化部5Aとするようにする。
【0023】
ここで、エッチング溝14で囲まれた発光部18は、例えば30μm×30μmの大きさとし、エッチング溝14で挟まれた電極引き出し部21は、例えば幅10μmとし、エッチング溝14で囲まれたパッド電極部19は、例えば、100μm×100μmとしてある(図1参照)。
例えば、12μm程度酸化させると、Al酸化層5の内、酸化されない発光部対応部16は6μm×6μm程度の大きさとなり、それ以外の周囲は酸化部5Aとなり良好な電流狭窄構造が形成される。
【0024】
電極引き出し部21のAl酸化層5は全て酸化されて酸化部5Aとなる。
パッド電極部19においては、パッド電極部穴38が例えば縦横15μmピッチで形成してあり、パッド電極部19のAl酸化層5も全て酸化されて酸化部5Aとなる。図1の(a)には、点線で示した円の領域がパッド電極部穴38によって酸化される酸化領域39を示してある。酸化領域39は重なるように設定してあるので、パッド電極部19の酸化層5は全領域に亘って酸化され、絶縁化される。
【0025】
次に、図3の(4)(p電極形成工程)に示すように、レジスト膜を全面に形成した後、パターニングして、パッド電極8、引出し電極部9、発光部リング電極11の形成されるべき部分以外のレジスト膜を除去する。但し、パッド電極部穴38上のレジスト膜は残しておく。その後、全面にAu、Zn、Auの積層膜を蒸着により形成し、リフトオフによりレジスト膜を取り除くことによって、発光部18に発光部リング電極11を、電極引き出し部21に引き出し電極部9を、パッド電極部19にパッド電極8を形成する。発光部リング電極11と引き出し電極部9とパッド電極8は連続して繋がっており上部電極となる。
【0026】
次に、図3の(5)(n電極形成工程)に示すように、基板1の裏面にn型電極となるAuGe、Ni、Au等を蒸着し、その後、450℃程度で10分間アニールしてオーミックコンタクトさせ下部電極1を形成する。
このようにして、本第1実施例の面発光レーザ20を得る。
【0027】
これは、図1の(b)に示すように、パッド電極部19のAl酸化層5は全て酸化部5Aとなって絶縁化されているので、パッド電極8と下部電極1に所定の電圧を印加すると、電流は発光部18の発光部リング電極11から電流狭窄構造を形成している発光層4の発光部16に対応する未酸化部5Cを通り、矢印32で示される電流経路をとり、下部電極1に流れる。ここでは、漏れ電流の発生がないので、効率の良いレーザ発光が出来る。
また、発光部18とパッド電極部19を任意の形状に設定しても、パッド電極穴部38を適宜に設けることにより、パッド電極19の下の部分のAl酸化層5を絶縁化できてパッド電極部19における漏れ電流を防止できるので、高密度化が可能となる。
【0028】
<第2実施例>
図4は、本発明の面発光レーザの第2実施例を示す構成図である。
同図に示すように、第2実施例の面発光レーザ20Aは、第1実施例の面発光レーザ20において、パッド電極部穴38に代えて、パッド電極部矩形穴38Aとし、従って、酸化されるAl酸化層5の酸化領域39に代わって、酸化領域39Aとなる以外は、第1実施例の面発光レーザ20と同様に構成したものである。
【0029】
パッド電極部矩形穴38Aは幅2乃至3μmであり、例えば90μmの長さを有するものである。Al酸化層5の酸化に際して、酸化領域39Aが互いに一部重複して、酸化領域39Aがパッド電極部19のAl酸化層5の全面を覆うように、パッド電極部矩形穴38Aが設けられている。
従って、Al酸化層5の酸化において、パッド電極部19の酸化層5は、パッド電極部矩形穴38Aの側面(エッチング面)より、所定の横方向に酸化されて、全面が酸化絶縁される。
【0030】
発光部18においては、Al酸化層5のうち発光部16に対応する部分をそのまま未酸化部5Cとし、それ以外を酸化部5Aとするようにする。
電極引き出し部21のAl酸化層5は全て酸化されて酸化部5Aとなる。
パッド電極8と下部電極1に所定の電圧を印加すると、電流は発光部18の発光部リング電極11から電流狭窄構造を形成している発光部16上の未酸化部5Cを通り、第1実施例の面発光レーザ20と同様の電流経路をとり、下部電極1に流れる。ここでは、漏れ電流の発生がないので、効率の良いレーザ発光が出来る。
また、発光部18とパッド電極部19を任意の形状に設定しても、パッド電極部矩形穴38Aを適宜に設けることにより、パッド電極部19の下のAl酸化層5を絶縁化できてパッド電極部19における漏れ電流を防止できるので、高密度化が可能となる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の面発光レーザは、半導体基板上に下部DBRと、発光層と、Alを含む半導体層と、上部DBRと、開口部を有するリング電極と前記リング電極に連続したパッド電極とを積層してなり、前記パッド電極の下部に対応する前記上部DBRから前記発光層までの深さに形成された溝を有し、前記溝の側面から、前記発光層の発光部の上部に部分を除いた前記Alを含む半導体層を酸化して絶縁層としたことにより、漏れ電流のない高効率で高密度集積化が可能である面発光レーザを提供出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の面発光レーザの第1実施例を示す構成図である。
【図2】本発明の面発光レーザの製造工程図(1)である。
【図3】本発明の面発光レーザの製造工程図(2)である。
【図4】本発明の面発光レーザの第2実施例を示す構成図である。
【図5】従来の改善例の面発光レーザを示す構成図である。
【符号の説明】
1…下部電極、2…基板、3…下部DBR、4…発光層、5…Al酸化層(Alを含む半導体層)、5A…酸化部、5B…未酸化部、5C…未酸化部、6…上部DBR、7…絶縁膜、8…パッド電極、9…引出し電極部、10…面発光レーザ、11…発光部リング電極、12…主電流経路、13…漏れ電流経路、14…エッチング溝、15…パッド電極下部未絶縁膜化部、16…発光部、17…開口部、18…発光部、19…パッド電極部、20…面発光レーザ、20A…面発光レーザ、21…電極引き出し部、32…電流経路、38…パッド電極部穴、38A…パッド電極部矩形穴、39…酸化領域、39A…酸化領域。
Claims (1)
- 半導体基板上に下部DBRと、発光層と、Alを含む半導体層と、上部DBRと、開口部を有するリング電極と前記リング電極に連続したパッド電極とを積層してなり、前記パッド電極の下部に対応する前記上部DBRから前記発光層までの深さに形成された溝を有し、前記溝の側面から、前記発光層の発光部の上部の部分を除いた前記Alを含む半導体層を酸化して絶縁層としたことを特徴とする面発光レーザ。
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