JP2015522217A - キャビティ内コンタクトを有するvcsel - Google Patents

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Abstract

本発明は、キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つのVCSEL(15)で形成されるレーザデバイスに関する。VCSELは、第1のDBR(4)と第2のDBR(10)との間の活性領域(6)と、第1のDBR(4)と活性領域(6)との間の第1の導電型の第1の電流注入層(5)と、第2のDBR(10)と活性領域(6)との間の第2の導電型の第2の電流注入層(8)とを有する層構造(18)を有する。第1及び第2の電流注入層(5、8)は、それぞれ、第1及び第2の金属コンタクト(11、12)と接触している。第1及び/又は第2のDBR(4、10)は、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成される。提案するこのVCSELの設計は、頂部及び底部のDBRが相当に低減された厚さで形成され得るので、このようなレーザの効率増大及び製造コスト低減を可能にする。

Description

本発明は、第1の分布ブラッグ反射器(DBR)と第2の分布ブラッグ反射器との間の活性層と、第1の分布ブラッグ反射器と活性層との間の第1の導電型の第1の電流注入層と、第2の分布ブラッグ反射器と活性層との間の第2の導電型の第2の電流注入層とを有する層構造を有し、第1及び第2の電流注入層がそれぞれ第1及び第2の金属コンタクトと接触した、キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザ(VCSEL)で形成されるレーザデバイスに関する。
商業的に入手可能な最新のVCSELは、電力変換効率が過度に低く、そのため、ハイパワーのレーザーバー(laser bar)との競争が困難であるということに悩まされている。VCSELアレイの製造コストは比較的低いものの、出力パワー当たりの割合コストは従来光源と厳しい競争にある。
特許文献1は、レーザの効率を向上させるキャビティ内コンタクトを有するVCSELを提案している。キャビティ内コンタクトを設けることは、頂部及び底部のDBRミラーを、これらのミラー内での自由キャリア吸収及びトラップ関連吸収を最小化するアンドープの層構造を用いて実現することを可能にする。吸収損失のこの低減は、レーザの効率を増大させる。ドープされた電流注入層が、これらのDBRと活性領域との間に配置され、適切に配置された金属コンタクトによって接触される。電流注入層のドーピングは、幾つかの高濃度ドープされた領域を、より低濃度ドープされた領域又はドーピングのない領域の間に形成するよう、レーザの光軸の方向に変化する。より高濃度にドープされた領域は、レーザ共振器内で発振するレーザ放射の定在電界の最小の位置に配置される。これは、電流注入層のドーピングによって生じる光吸収損失を低減する。頂部及び底部のDBRは、GaAsとAlGaAsとの交互層で形成されている。代替として、GaAsとAlAsとの交互層も提案されている。
米国特許出願公開第2011/0086452号明細書
本発明の1つの目的は、更に向上された効率を可能にするとともに低コストで製造されることが可能な、キャビティ内コンタクトを有するVCSELを提供することである。
上記目的は、請求項1及び10によるレーザデバイスで達成される。従属請求項に係る事項は、このレーザデバイスの有利な実施形態であり、以下の説明及び好適実施形態の部分にて記述される。
提案するレーザデバイスは、キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つのVCSELで形成される。VCSELは、第1のDBRと第2のDBRとの間の活性領域と、第1のDBRと活性領域との間の第1の導電型の第1の電流注入層と、第2のDBRと活性領域との間の第2の導電型の第2の電流注入層とを有する層構造を有する。第1及び第2の電流注入層は、これら2つの電流注入層による活性領域への電流注入を可能にするため、それぞれ、第1及び第2の金属コンタクトと接触している。提案するVCSELの第1及び/又は第2のDBRは、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成される。
他の一実施形態において、レーザデバイスは、唯一のキャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザで形成される。この垂直キャビティ面発光レーザは、半導体基板上の上部ミラーと下部ミラーとの間の活性領域と、上部ミラーと活性領域との間の電流注入層とを有する層構造を有する。電流注入層は金属コンタクトと接触している。上部ミラーは、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成された分布ブラッグ反射器(以下では、第2のDBRとも称する)である。下部ミラー、すなわち、半導体基板により近く配置されるミラーは、導電性半導体材料で形成され、故に、活性領域への第2のコンタクトを形成する。
VCSELのレーザキャビティのエンドミラーを形成する第1及び/又は第2のDBRの設計は、キャビティ内コンタクトとともに、吸収損失の更なる低減、ひいては、レーザ効率の増大を可能にする。DBRの酸化アルミニウム含有層と上記Al(x)Ga(1−x)As含有層との屈折率の大きい差により、例えば99.9%といった高い反射率を有するミラーを、10より少ない数のレイヤー対で実現することができる。それに対し、例えばGaAs及びAlAsの交互層を有するDBRでは、このような高い反射率を達成するには、およそ30という数のレイヤー対を必要とする。提案するVCSELのDBRは、故に、材料コスト及び製造コストを節減し且つこの低減された厚さ故に低減された光損失を呈する有意に低減された厚さで実現されることができる。酸化アルミニウム層は、交互のAlAs層及びGaAs層の層構造を酸化することによって形成されることができる。この酸化プロセスは、電流注入層のうちの一方と活性領域との間でやはり提案するVCSEL内に設けられるのが好ましい電流絞り(アパチャー)層の酸化と同じ工程で実行されることができる。好ましくはAlAsからなる電流絞り層とDBR用の層構造のAlAs層との異なる厚さにより、電流絞り層が所望の電流絞りを達成するように酸化されるのみである間に、DBR AlAs層の完全な酸化を達成することができる。AlAs層に代えて、x≒0.98としたAl(x)Ga(1−x)As層も使用することができる。電流絞りの酸化速度はまた、酸化速度を低下させるために該層に僅かな他の材料を含めることによって、更に調整されることができる。
提案するVCSELの層構造は、好ましくは、GaAs基板のような適切な基板の上にエピタキシャル成長される。エピタキシャル成長されたレイヤシーケンス(一続きの層)は、その後、電流注入層に金属コンタクトを適用することを可能にするため、及び酸化プロセスによる上述の層の酸化を可能にするために、適切なマスキング及びエッチングのプロセスによって構造化される。適切なマスキング、エッチング、及びリフトオフのプロセスは、VCSEL製造の分野から当業者に知られている。同じことが、特には電流注入層のドーピングを周期的に変化させるための、電流注入層のドーピングプロセスにも云える。これらのプロセスは、例えば、上述の特許文献1及びその中で引用されている更なる文献からも知られている。
双方のDBRが上述の設計に従って形成されている場合、酸化物の層に起因して、提案するVCSELは基板上で容易に直列接続されることができる。DBR内の酸化物層は、このような酸化物層を有しない従来のVCSELと比較して、高い電圧の印加を可能にし、また、230Vの電圧での直列接続VCSELの動作を可能にするように直列に接続され得る。電流注入層の金属コンタクトは好ましくは、隣接し合うVCSELの向かい合ったコンタクトが直列接続を形成するように互いに容易に電気接続され得るよう、各VCSELの反対側に配置される。上記反対側とは、DBRの側面ではなく、VCSELの光軸に対しての横側である。
提案するVCSELが隣り合わせて配置される他の一実施形態において、メタライゼーション構造、特に、少なくとも2つのコンタクトパッドを形成するメタライゼーション構造が、このVCSELアレイの1つの面の上に設けられる。コンタクト若しくははんだパッド、及びVCSELの金属コンタクトへの対応する金属接続が、如何なる支持基板も用いずにこのVCSELアレイの機械的安定化を提供するよう、十分に厚い構造として実現される。個々のVCSEL層構造が上に成長された基板は、故に、VCSELの製造後にリフトオフされることができる。この実施形態においては、基板に面するDBRが出力結合ミラーとして設計され、反対側のDBRは非常に高い反射率を実現するように設計される(底面発光VCSEL)。このようなVCSEL構成は、SMD(表面実装デバイス)のようなパッケージとして実現されることができ、それ故に、これらのデバイスは、従来技術に係る他のSMD部品のようにハンドリングされてマウントされることができる。これは、更なるパッケージング工程を必要としない。何故なら、これらのデバイスは、既にウエハーレベルで直接的に所望サイズの寸法に設計されることができるからである。基板の除去は、このようなVCSELアレイが極めて少量の禁止基板(ヒ化物)を有するが故に環境を保全し且つ汚染を抑制することを助けるための要求を満たすという更なる利点を有する。
提案するVCSEL設計は、最新のVCSELと比較して、エピタキシャル層厚さ及びエピタキシャル設計の複雑さの有意な低減を可能にする。DBRミラーにおける、より低い吸収損失は、レーザの効率増大をもたらす。提案するVCSELのエピタキシャル設計は、ハードインタフェースとしてMBE(分子線エピタキシ)反応炉を用いて成長されることに良く適しており、グラジュアルレイヤ(漸進的/段階的な層)はほとんど必要とされない。
以下、請求項によって定められる保護範囲を限定することなく、添付の図面に関して、例として、提案するVCSELを説明する。図面は以下を示す。
提案するVCSELを形成するのに使用されるエピタキシャル層構造の一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELを形成するために図1の層構造を処理する様々な工程のうちの他の1つの一例を示す図である。 提案するVCSELのレイアウトの一例を示す上面図である。 単一のモノリシックチップ上での提案するVCSELの直列接続の一例を示す図である。 本発明によるVCSELアレイのSMDライクなパッケージの一例を示す上面図である。 本発明によるVCSELアレイのSMDライクなパッケージの一例を示す側面図である。 本発明によるVCSELアレイのSMDライクなパッケージの一例を示す下面図である。
図1は、提案するVCSELを頂面エミッタとして形成するためのエピタキシャル層構造の一例を模式的に示している。このエピタキシャル層設計は、GaAs基板1上の一対のAlAs/Al(x)Ga(1−x)As層(0≦x≦0.3)から始まる。AlAs層2の、例えばGaAs層3であるAl(x)Ga(1−x)As層との組み合わせは、AlAs層2をAlAsから酸化アルミニウムに変換した後に、高い反射性を有する高コントラストDBRを与える。短波長VCSELでは、GaAs層は、ミラー内での基礎吸収を回避するために、AlGaAs層によって交換されるべきである。高い反射性を達成するため、この例では8対のAlAs/GaAs層が使用される。
この底部(ボトム)DBRの上に、n電流注入層5を形成するSiドープされたスペーサ領域が配置される。ドーピングプロファイルは、これらの層及び基板1に垂直であるVCSELの光軸の方向に、周期的に変化する。この変化は、より高いドーピング濃度が、VCSELキャビティ内で共振する光放射の定在波パターンの電界の最小の位置にあるようにされる。n電流注入層5の上に、活性領域6が、従来のVCSEL設計と同様に数個の量子井戸で形成される。それに続くのは、酸化されて電流/光モード絞り(アパチャー)を形成する薄いAlAs層7である。これも従来のVCSELと同様である。AlAs層7の上に、活性領域6に注入されるラテラルp型電荷キャリアを得るために、Cドープされたスペーサ層が配置される。このスペーサ層は、VCSELのp電流注入層8を形成する。光損失を回避するために、この層の高濃度ドーピングは、定在波パターンの節(ノード)のみに適用される。これは、高濃度ドープされた、すなわち、1×1020cm−3以上のC原子を有するドーピング濃度を有した、およそ10nmのみの厚さの薄い領域群を有する周期構造をもたらす。残りの材料は、アンドープのままであるか、非常に少量のドーピングのみを有するかである。p電流注入層8の最上部の高濃度ドープ領域の上に、薄いエッチングストッパ層9が、30モノレイヤのAlAsから形成される。これは、電気(金属)コンタクトを作製するために、処理中にp電流注入層8の最上部の高濃度ドープ領域へのアクセスを得るのに必要とされる。エピタキシャル層は、通常は3対乃至4対である数対のAlAs/GaAs層で終了し、これらは、処理の最後の酸化工程の後に、この頂面発光VCSELの例ではVCSELの出力結合ミラーである頂部(トップ)DBR10を形成する。このエピタキシャルレイヤシーケンス(一続きのエピタキシャル層)の全体厚さは、たったのおよそ3μmである。p電流注入層の高濃度ドープ領域におけるドーピング濃度は1×1018cm−3と1×1021cm−3との間であり、n電流注入層では1×1018cm−3と4×1018cm−3との間である。
提案するVCSELを形成する所望の層構造を得るために、図1のこのレイヤシーケンスが処理される。様々な処理工程を図2a−2iに模式的に示す。典型的に、ウエハー全体上に延在するよう、図1に従った対応するエピタキシャルレイヤシーケンスを構築することによって、多数のVCSELがウエハーレベルで製造される。
処理において、個々のVCSELの出力結合ミラー(頂部DBR10)が配置されることになる領域を保護するために、レジスト19が設けられる(図2a)。次いで、p電流注入層8の上部領域に金属コンタクトを適用することを可能にするため、エッチングストッパ層9まで下方に、個々の層の各々の選択ウェットエッチング工程が実行される(図2b)。pコンタクトのリフトオフ用のレジスト20が設けられ(図2c)、そして、pコンタクトの蒸着及びリフトオフが実行されて、個々のVCSELに所望の金属pコンタクト11がもたらされる(図2d)。図2では、それらのVCSELのうちの1つのみが示されている。
nドープされた電流注入層5内までのウェットエッチング及びnコンタクトのリフトオフ用のレジストマスク21が設けられる(図2e)。この工程にnコンタクトの蒸着及びリフトオフが続いて、n電流注入層5と電気的に接触するのに必要なnコンタクト12が設けられる(図2f)。
この工程の後、この構造に対して、ドライエッチング用のレジスト22が設けられる(図2g)。図2g−2iは、図2a−2fに示した断面に垂直な、レイヤシーケンスの断面を示している。このレジストは、レイヤシーケンス全体が下方に基板1までエッチングされる領域を規定する。この設計は、酸化工程で所望形態の電流絞りを達成することができるように選定される。一方で、活性領域をnコンタクト及びpコンタクトと接続する層構造の部分は、この部分内のDBR AlAs層2の完全な酸化を可能にするように十分に薄くなければならない。このレジストを設けた後、酸化されるべき全てのAlAs層2、7がちょうど今、外側に露出されるように、全てのエピタキシャル層を貫いてドライエッチングが実行される(図2h)。続く酸化プロセスにて、DBRミラー内のAlAs層2の全てと電流絞り用のAlAs層7とが酸化される(図2i)。電流絞りのAlAs層7はたったおよそ20nm厚であり、DBRのAlAs層2は>100nm厚であるので、電流絞りの酸化速度はDBR内のAlAsの酸化速度より低く、この酸化工程で所望の電流絞り24を達成することができる一方で、同じ工程でDBRのAlAs層2が完全に酸化されて所望の酸化アルミニウム層23がもたらされる。高温での酸化工程中に、nコンタクト12が合金になり、故に、nコンタクト12とn側のn電流注入層5との間に低オーミックコンタクトが達成される。
これらのVCSELはもはや、オンウエハーでの特性評価の準備が整っている。チップが製品になるべき場合、パッシベーション、ボンドパッドプロセス、ウエハー薄化、及びダイシングが追加される必要がある。これは、従来のVCSEL製造と究めて同様であるので、ここでは更には説明しない。
図3は、上述のように処理されたVCSEL15の例示的なレイアウト(上面図)を示している。破線は、図2g−2iに示した断面のラインを示している。このレイアウトにおいて、発光領域13は、4つの側面から迫りくる酸化によって取り囲まれている。これら4つの側面は、エピタキシャル層の全てを貫くドライエッチングプロセスによって提供される。既に上述したように、このエッチングは、所望の電流絞りを達成することを可能にするように実行される。例えば、円形の電流絞りの場合、エッチング後に全ての側面からレーザの光軸までの距離がおおよそ等しい。この図はまた、VCSELの反対側に配置されたpコンタクト11とnコンタクト12とを示している。コンタクト領域からレーザの中心領域までキャリアを渡すために、エピタキシャル層構造の、4つのエッチングされていないバー(架け橋部)14が存在している。リーク電流を回避するため、バーの幅は、図示のように、酸化幅の2倍より大きくされるべきでない。当業者には明らかなように、このデザインは、このようなVCSELの単なる1つの可能性である。nコンタクト又はpコンタクトとVCSELの中心領域との間の接続には、2つのバーに代えて、1つ又は3つ以上のこのようなバーも実現可能である。
典型的な動作条件において、単一のVCSELは各々およそ2Vを有する。VCSELデバイスを230Vで動作させるためには、230Vに対応するように直列に230/2個のVCSELを有するレイアウトが提供されなければならない。そのようなデバイスの製造プロセスは、単一のVCSELに関して既に上述したのと同様にすることができる。この場合には、個々のVCSEL各々のカソードが、対応する隣接VCSELのアノードと接続される必要がある。提案した設計ではカソード同士は共通の半導体層によって接続されていないので、図4に示すように単にレイアウトを適応させることによって直列接続を実現することができる。この図は、単一のモノリシックチップ(図示せず)内で直列接続された複数のVCSEL15を示している。このレイアウトにおいて、VCSELのカソードは各列内の隣接VCSELのアノードに面しており、あるいはそれと重なっている。そして、隣接し合う列も、この例ではトータルで115個の単一VCSELの直列を達成するよう、然るべくそれらのコンタクトと接続される。
明らかなように、提案したVCSELは同様に底面エミッタとしても実現されることができる。そのような構成では、各VCSELが、ヒートシンクの近くに、あるいは少なくとも、GaAs基板より低い熱抵抗を有する材料の近くに配置され得る。全てのコンタクトが、エピ側から、すなわち、GaAs基板上に成長されたエピタキシャルレイヤシーケンスの最上層の側からアクセスされることができる。これが意味することは、一組のパッシベーション及びメタライゼーション工程を用いて、アノードコンタクトとカソードコンタクトとを、VCSELアレイの左/右側に分離することができるということである。VCSELアレイ内の機械的安定性を確保するために、アノード及びカソードを形成する厚い銅めっき16(この例では100μmの厚さを有する)を、例えばSU8レジストといった厚パッシベーションプロセスとともに使用することができる。底面エミッタは、湿式化学エピタキシャルリフトオフ技術によって、GaAs基板から分離される。これは、単にこの目的で底部DBRと基板との間にもう1つの酸化アルミニウム層を有することによって可能である。最終的なVCSELアレイを図5に示す。図5aの上面図(エピ側)にて、パッシベーション層17と、アノード及びカソード用の銅めっき16とを認識することができる。この例では、チップ全体で、1mm×2mmの寸法とおよそ100μmの厚さとを有し、故に、SMDデバイスとして使用可能である。
厚いパッシベーション層17及び厚い銅めっき16はまた、図5bの側面図において、VCSEL層構造18の上に示されている。基板のエピタキシャルリフトオフ後の図5cの下面図には、層構造18の底面側の見た目が示されており、これは、底面側の平坦なGaAs層を介して発光する何千個ものVCSEL(図示せず)を隣り合わせで含んでいる。砒素化合物で形成されているのは、このチップの10%未満であり、それにより、このようなVCSELデバイスの環境安全性が向上される。
図面及び以上の記載にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきであり、本発明は、開示の実施形態に限定されるものではない。開示の実施形態へのその他の変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、特許請求に係る発明を実施する当業者によって理解されて実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“a”又は“an”は複数であることを排除するものではない。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。デバイスの全ての請求項の特徴が自由に組み合わされ得る。請求項中の如何なる参照符号も、発明の範囲を限定するものとして解されるべきでない。
1 GaAs基板
2 DBRのAlAs層
3 DBRのGaAs層
4 底部DBR
5 n電流注入層
6 活性領域
7 電流絞り用のAlAs層
8 p電流注入層
9 エッチングストッパ層
10 頂部DBR
11 pコンタクト
12 nコンタクト
13 発光領域
14 エッチングされていないバー(架け橋部)
15 VCSEL
16 銅めっき
17 パッシベーション層
18 VCSEL層構造
19 レジスト
20 pコンタクトリフトオフ用のレジスト
21 レジストマスク
22 ドライエッチング用のレジスト
23 DBRの酸化アルミニウム層
24 電流絞り
上記目的は、請求項1によるレーザデバイスで達成される。従属請求項に係る事項は、このレーザデバイスの有利な実施形態であり、以下の説明及び好適実施形態の部分にて記述される。
提案するレーザデバイスは、キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザ(VCSELで形成される。VCSELは、第1のDBRと第2のDBRとの間の活性領域と、第1のDBRと活性領域との間の第1の導電型の第1の電流注入層と、第2のDBRと活性領域との間の第2の導電型の第2の電流注入層とを有するエピタキシャル層構造を有する。第1及び第2の電流注入層は、これら2つの電流注入層による活性領域への電流注入を可能にするため、それぞれ、第1及び第2の金属コンタクトと接触している。VCSELは電流絞りを更に有する。提案するVCSELの第1及び/又は第2のDBRは、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム層及びAl(x)Ga(1−x)As層で形成される。第1の金属コンタクトと第2の金属コンタクトとは、VCSELの各々の反対側に配置され、第1及び第2の金属コンタクトのコンタクト領域から当該レーザデバイスの発光領域まで電荷キャリアを渡すために、エピタキシャル層構造の、少なくとも1つのエッチングされていないバー(架け橋部)が存在する。上記少なくとも1つのエッチングされていないバーの幅は、電流絞りの酸化幅の2倍以下である。
のレーザデバイスは、唯一のキャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザで形成される。この垂直キャビティ面発光レーザは、半導体基板上の上部ミラーと下部ミラーとの間の活性領域と、上部ミラーと活性領域との間の電流注入層とを有する層構造を有する。電流注入層は金属コンタクトと接触している。上部ミラーは、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成された分布ブラッグ反射器(以下では、第2のDBRとも称する)である。下部ミラー、すなわち、半導体基板により近く配置されるミラーは、導電性半導体材料で形成され、故に、活性領域への第2のコンタクトを形成する。
双方のDBRが上述の設計に従って形成されている場合、酸化物の層に起因して、提案するVCSELは基板上で容易に直列接続されることができる。DBR内の酸化物層は、このような酸化物層を有しない従来のVCSELと比較して、高い電圧の印加を可能にし、また、230Vの電圧での直列接続VCSELの動作を可能にするように直列に接続され得る。電流注入層の金属コンタクトは、隣接し合うVCSELの向かい合ったコンタクトが直列接続を形成するように互いに容易に電気接続され得るよう、各VCSELの反対側に配置される。上記反対側とは、DBRの側面ではなく、VCSELの光軸に対しての横側である。

Claims (10)

  1. キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザで形成されるレーザデバイスであって、
    前記垂直キャビティ面発光レーザは、第1の分布ブラッグ反射器と第2の分布ブラッグ反射器との間の活性領域と、前記第1の分布ブラッグ反射器と前記活性領域との間の第1の導電型の第1の電流注入層と、前記第2の分布ブラッグ反射器と前記活性領域との間の第2の導電型の第2の電流注入層とを有する層構造を有し、
    前記第1及び第2の電流注入層は、それぞれ、第1及び第2の金属コンタクトと接触し、
    前記第1及び/又は第2の分布ブラッグ反射器は、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成されている、
    レーザデバイス。
  2. 前記第1の電流注入層は、nドープされた半導体層であり、前記第2の電流注入層は、pドープされた半導体層である、請求項1に記載のレーザデバイス。
  3. 前記第1及び/又は第2の電流注入層のドーピング濃度は、前記第1の導電型の、複数の、より高濃度にドープされた領域を、より低濃度にドープされた領域又はドーピングのない領域の間に形成するよう、レーザの光軸の方向に変化し、前記より高濃度にドープされた領域は、レーザ動作中に前記第1の分布ブラッグ反射器と前記第2の分布ブラッグ反射器との間に形成する定在電界の最小の位置に配置される、請求項1に記載のレーザデバイス。
  4. 前記層構造はエピタキシャル成長され且つ基板上に配置されている、請求項1に記載のレーザデバイス。
  5. 複数の前記垂直キャビティ面発光レーザが、隣り合わせて前記基板上に配置され、且つ前記基板上で電気的に直接接続されている、請求項4に記載のレーザデバイス。
  6. 前記第1及び第2の金属コンタクトは、前記垂直キャビティ面発光レーザの各々の反対側に配置され、前記レーザの少なくともグループが、該グループの前記レーザの前記第1の金属コンタクトが、該グループのうちの隣接レーザの前記第2の金属コンタクトに面するように配置されている、請求項5に記載のレーザデバイス。
  7. 複数の前記垂直キャビティ面発光レーザが、隣り合わせて配置され、且つ前記レーザの出力結合側とは反対側に設けられたメタライゼーション構造に電気的に接続され、前記メタライゼーション構造は、基板なしで前記レーザを機械的に支持するのに好適な厚さを有するように設計されている、請求項1に記載のレーザデバイス。
  8. 前記メタライゼーション構造は、前記レーザに電気接触するためのコンタクトパッドを形成している、請求項7に記載のレーザデバイス。
  9. 前記第1及び第2の分布ブラッグ反射器の一方は、10対未満の酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層を有し、前記第1及び第2の分布ブラッグ反射器の他方は、5対未満の酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層を有する、請求項1に記載のレーザデバイス。
  10. キャビティ内コンタクトを有する少なくとも1つの垂直キャビティ面発光レーザで形成されるレーザデバイスであって、
    前記垂直キャビティ面発光レーザは、半導体基板上の上部ミラーと下部ミラーとの間の活性領域と、前記上部ミラーと前記活性領域との間の電流注入層とを有する層構造を有し、
    前記電流注入層は金属コンタクトと接触し、
    前記上部ミラーは、0≦x≦0.3として、交互にされた酸化アルミニウム含有層及びAl(x)Ga(1−x)As含有層で形成された分布ブラッグ反射器である、
    レーザデバイス。
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