JP6308319B2 - 面発光型半導体レーザアレイ - Google Patents
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Description
図1ないし図5を参照して、本実施の形態に係る面発光型半導体レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)アレイ10について説明する。
VCSELアレイ10は、このポストPを複数含んで構成されている。
半絶縁性のGaAs基板とは、不純物がドーピングされていないGaAs基板であり、抵抗率が非常に高く、そのシート抵抗値は数MΩ程度の値を示す。なお、半絶縁性基板に代えて導電性基板や絶縁性基板を使用してもよい。この場合、一例として、VCSELアレイ10をGaAs基板上で形成した後にGaAs基板とVCSELアレイ10を分離し、分離したVCSELアレイ10を絶縁性のAlN基板や導電性のCu基板など熱伝導性の高い基板に張り付けた構造としてもよい。
図6を参照して、本実施の形態に係るVCSELアレイ10aについて説明する。VCSELアレイ10aは、VCSELアレイ10において、アノード電極パッドAPの構造を変えた形態である。従って、VCSELアレイ10と同じ構成には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図7を参照して本実施の形態に係るVCSELアレイ10bについて説明する。VCSELアレイ10bは、VCSELアレイ10aにおいて、第1金属層M1の形成領域を変えたものである。従って、VCSELアレイ10aと同じ構成には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
12 基板
14 バッファ層
16 下部DBR
24 共振器
26 上部DBR
30 カソード電極
32 電流狭窄層
34 層間絶縁膜
36 電極配線
38 出射保護膜
100a、100b、100c、100d VCSELアレイ
I 層間絶縁膜
M 多層金属層
M1 第1金属層
M2 第2金属層
mesa1、mesa2 メサ
AP、APa アノード電極パッド
KP カソード電極パッド
NC n側コンタクト領域
PC p側コンタクト領域
P ポスト
Claims (4)
- 基板上に形成されたコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成された複数の面発光レーザ素子と、
前記複数の面発光レーザ素子の各々の間の前記コンタクト層上に形成されると共に一部が第1導電型の電極パッドである第1の金属層と、
前記第1の金属層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上でかつ前記複数の面発光レーザ素子の各々の間に形成されると共に一部が第2導電型の電極パッドである第2の金属層と、
を含む面発光型半導体レーザアレイ。 - 前記面発光レーザ素子はメサ構造であり、
前記第1の金属層は、前記メサ構造の側面の少なくとも一部を覆っている
請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。 - 前記面発光レーザ素子はメサ構造であり、
前記第1の金属層は、前記メサ構造の側面には形成されていない
請求項1に記載の面発光型半導体レーザアレイ。 - 前記第2導電型の電極パッドの下方には前記第1の金属層が形成されていない
請求項1〜3のいずれか1項に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
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