JP6015340B2 - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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請求項2は、前記基板上に複数の発光部が形成され、隣接する2つの、発光部間、電極パッド間、または発光部と電極パッド間において、第1の延在部分と第2の延在部分の少なくとも一部が出射面側から見たときに重なる、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、面発光型半導体レーザはさらに、前記溝を介して前記発光部から隔離されたパッド形成領域を含み、前記パッド形成領域上には、前記第1の配線層に接続された第1の電極パッドと、前記第2の配線層に接続された第2の電極パッドとが形成され、前記第1の電極パッドおよび前記第2の電極パッドは同一平面上にある、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記溝は、前記パッド形成領域内に延在し、前記第1の電極パッドおよび前記第2の電極パッドの少なくとも一方が前記絶縁材上に形成される、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記第1の配線層は、前記溝内に形成された接続孔を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記接続孔は、前記第2の配線層の直下には形成されない、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、前記第1の配線層は、前記溝内に形成された接続孔を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記接続孔は、パッド形成領域側に部分的に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、前記絶縁部材には前記第1の配線層の端部を露出させる露出領域が形成されており、前記第1の電極パッドは、前記露出領域内の絶縁部材の傾斜面に形成されたパッド接続配線を介して前記第1の配線層に接続されている、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項8は、前記絶縁部材は、比誘電率が4よりも小さい低誘電率材料から構成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項9は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザに電気的に接続された外部リードとを含む、面発光型半導体レーザ装置。
請求項10は、請求項1ないし8いずれか1つに記載された面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザと光学的に結合された光学部材とを有する光伝送装置。
請求項11は、前記光学部材は、1本の光ファイバ内に複数のコアが形成されたマルチコアファイバであり、前記面発光型半導体レーザの複数の発光部から出射されたレーザ光は、前記マルチコアファイバの複数のコアのそれぞれに入射される、請求項10に記載の光伝送装置。
請求項12は、請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。
請求項1によれば、出射面側から見て重複しない構成と比較して、さらに面発光型半導体レーザの小型化を図ることができる。
請求項2によれば、2つの、隣接する発光部間、発光部と電極パッド間、あるいは電極パッド間のピッチを狭くすることができる。
請求項3によれば、外部リード等への接続を容易にすることができる。
請求項4によれば、電極パッド部の規制容量を低減することができる。
請求項5によれば、絶縁部材の表面の平坦化を図ることができる。
請求項6によれば、発光部間のピッチをさらに狭くすることができる。
請求項7によれば、第1の配線層と第1の電極パッド間の接続において断線を防止することができる。
請求項8によれば、第1の配線層と第2の配線層間のノイズを防止することができる。
請求項9ないし12によれば、小型化された面発光型半導体レーザを利用した高速動作が可能な面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置を提供することができる。
100:基板
102:コンタクト層
104:下部DBR
106:活性領域
108:上部DBR
110:n側電極
112:引き出し配線
112A:端部
114:電極パッド
114A:パッド接続配線
120:p側電極
122:引き出し配線
124:電極パッド
130:層間絶縁膜
130A、130B:開口
140:絶縁材
142:コンタクト領域
144:傾斜面
150:コンタクトホール
Claims (12)
- 基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む発光部が形成された面発光型半導体レーザであって、
前記発光部の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、第1の方向に延在する第1の延在部分を含む第1の配線層と、
前記発光部の第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記第1の方向に延在する第2の延在部分を含む第2の配線層と、
前記発光部の周囲に形成された溝を充填する絶縁部材とを含み、
前記第1の延在部分は、前記絶縁部材の底面側を前記発光部から前記第1の方向に延在し、前記第2の延在部分は、前記絶縁部材の上面側を前記発光部から前記第1の方向に延在し、
出射面側から見たときに、前記第1の延在部分と前記第2の延在部分の少なくとも一部が重なった状態で前記第1の方向に向けて延在している、面発光型半導体レーザ。 - 前記基板上に複数の発光部が形成され、隣接する2つの、発光部間、電極パッド間、または発光部と電極パッド間において、第1の延在部分と第2の延在部分の少なくとも一部が出射面側から見たときに重なる、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、前記溝を介して前記発光部から隔離されたパッド形成領域を含み、前記パッド形成領域上には、前記第1の配線層に接続された第1の電極パッドと、前記第2の配線層に接続された第2の電極パッドとが形成され、前記第1の電極パッドおよび前記第2の電極パッドは同一平面上にある、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記溝は、前記パッド形成領域内に延在し、前記第1の電極パッドおよび前記第2の電極パッドの少なくとも一方が前記絶縁材上に形成される、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の配線層は、前記溝内に形成された接続孔を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記接続孔は、前記第2の配線層の直下には形成されない、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の配線層は、前記溝内に形成された接続孔を介して前記第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記接続孔は、パッド形成領域側に部分的に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記絶縁部材には前記第1の配線層の端部を露出させる露出領域が形成されており、前記第1の電極パッドは、前記露出領域内の絶縁部材の傾斜面に形成されたパッド接続配線を介して前記第1の配線層に接続されている、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記絶縁部材は、比誘電率が4よりも小さい低誘電率材料から構成される、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザに電気的に接続された外部リードとを含む、面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項1ないし8いずれか1つに記載された面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザと光学的に結合された光学部材とを有する光伝送装置。 - 前記光学部材は、1本の光ファイバ内に複数のコアが形成されたマルチコアファイバであり、前記面発光型半導体レーザの複数の発光部から出射されたレーザ光は、前記マルチコアファイバの複数のコアのそれぞれに入射される、請求項10に記載の光伝送装置。
- 請求項1ないし8いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。
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