JP2011014632A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに並列配置された複数のリッジ部30の上面には上部電極33、配線層35および絶縁層36が設けられている。上部電極33は、リッジ部30の延在方向に延在する帯状の形状となっており、中心軸AX上に配置されている。配線層35は、一の上部電極35と、一のパッド電極34とを互いに接続しており、全てのリッジ部30を跨いで形成されている。上部電極33および配線層35のうちリッジ部30の上面と対向する部分は、リッジ部30の中心軸を中心として左右対称の形状となっている。
【選択図】図1
Description
1.実施の形態(図1,図2)
○リッジ部が複数形成されている例
○各配線層が全てのリッジ部を跨いでいる例
○溝部が埋め込まれていない例
2.変形例
○各配線層の端部がリッジ部上面の端部に形成されている例(図6、図7)
○ダミー配線層がリッジ部上に形成されている例(図6)
○溝部が埋め込まれている例(図8)
○溝部の代わりに高抵抗領域が形成されている例(図9)
○リッジ部が1つだけ形成されている例(図10)
図1(A)は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ1の上面構成の一例を表したものである。図1(B)は図1(A)の半導体レーザ1のA−A矢視方向の断面構成の一例を表したものである。本実施の形態の半導体レーザ1は、ストライプ状のエミッタを複数備えたマルチビーム半導体レーザであり、各エミッタの端面からレーザビームが射出される端面発光型の半導体レーザである。
次に、図2を参照して、各リッジ部30の上面レイアウトについて説明する。図2は、半導体レーザ1に設けられた各リッジ部30の上面レイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、各リッジ部30の上面レイアウトが、リッジ部30の中心軸AXを中心として左右対称となっている。中心軸AXは、リッジ部30の延在方向に延在しており、リッジ部30の幅方向の中心を貫く線分である。
上記実施の形態では、配線層35が一方の台座部32から他方の台座部32にかけて延在している場合が例示されていたが、例えば、配線層35が接触部35Aの近傍で終端となっていてもよい。その場合に、例えば、図6(A),(B)、図7(A),(B)に示したように、配線層35の終端がリッジ部30の上面の端部またはその近傍に設けられていてもよい。また、例えば、図示しないが、配線層35が配線層35と接する上部電極33を乗り越え、配線層35の終端が上部電極33の側面近傍に設けられていてもよい。また、配線層35の終端がリッジ部30の上面の端部もしくはその近傍、または上部電極33の側面近傍に設けられている場合に、例えば、図6(A),(B)に示したように、配線層として機能しないダミー配線層35Bがリッジ部30上に設けられていてもよい。ダミー配線層35Bは、各リッジ部30上の配線層の数を互いに等しくする目的で設けられたものである。このようにした場合には、リッジ部30上の配線層の数の違いによって偏光角が変化するのを抑制することができる。
Claims (10)
- 互いに並列配置されると共に、下部クラッド層、活性層および上部クラッド層をこの順に含む帯状の複数のレーザ構造部と、
各レーザ構造部の上面に1つずつ形成されると共に前記上部クラッド層と電気的に接続された帯状の複数の上部電極と、
各上部電極と少なくとも1つずつ電気的に接続された複数の配線層と、
前記複数のレーザ構造部とは異なる部位に形成され、かつ前記配線層を介して各上部電極と1つずつ電気的に接続された複数のパッド電極と
を備え、
各配線層は、前記上部電極と接している部位とは異なる部位で終端となっている
半導体レーザ。 - 各配線層のうち前記レーザ構造部の直上の部分は、前記レーザ構造部の中心軸を中心として左右対称の形状となっている
請求項1に記載の半導体レーザ。 - 各配線層は、全てのレーザ構造部を跨いで形成されている
請求項2に記載の半導体レーザ。 - 前記レーザ構造部の上面レイアウトが、前記レーザ構造部の中心軸を中心として左右対称となっている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 各配線層は、前記レーザ構造部の上面の端部に形成されている
請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ。 - 前記複数のレーザ構造部のうち所定のレーザ構造部の上面に、配線層として機能しない1または複数のダミー配線層を備え、
各レーザ構造部の上面における前記配線層および前記ダミー配線層の合計数が互いに等しくなっている
請求項5に記載の半導体レーザ。 - 各レーザ構造部の間に、前記レーザ構造部の延在方向に延在する溝部を備え、
各配線層は、少なくとも前記溝部上において中空に配置されている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 各レーザ構造部の間に、前記レーザ構造部の延在方向に延在する溝部と、
前記溝部を埋め込む埋め込み層と
を備え、
各配線層は、前記溝部上において前記埋め込み層に接して形成されている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 各レーザ構造部の間に、前記レーザ構造部を分離する高抵抗領域を備え、
各配線層は、前記高抵抗領域に接して形成されている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体レーザ。 - 下部クラッド層、活性層および上部クラッド層をこの順に含む帯状のレーザ構造部と、
前記レーザ構造部の上面に形成されると共に前記上部クラッド層と電気的に接続された帯状の上部電極と、
前記上部電極と電気的に接続された配線層と、
前記レーザ構造部とは異なる部位に形成され、かつ前記配線層を介して前記上部電極と電気的に接続されたパッド電極と
を備え、
前記配線層は、前記上部電極と接している部位とは異なる部位で終端となっている
半導体レーザ。
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