JP2012054474A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザチップ11の表面電極(アノード電極)10を、2個のリッジ部8a、8bで共通化する。一方、レーザチップ11の裏面電極(カソード電極)14(14a、14b)は、基板2を貫通する分離溝12によって互いに分離された2つの領域(基板2a、2b)ごとに形成されている。これにより、表面電極10をサブマウント20に対向させてレーザチップ11をサブマウント20にジャンクションダウン実装する際に、レーザチップ11とサブマウント20の位置ずれが生じても、偏光角の回転が生じない構造を実現することができる。
【選択図】図1
Description
第1の面および前記第1の面と反対側の第2の面を有するn型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に形成され、かつ、その内部に複数の発光部を含む半導体層と、
前記半導体層上に配置され、前記複数の発光部に共通の電圧を印加できるように一体形成されたアノード電極と、
前記半導体基板の前記第2の面から前記第1の面方向に形成され、前記半導体基板を複数の領域に電気的に分割する1個または複数個の分離溝と、
前記複数の領域のそれぞれの前記第2の面に形成されたn型のカソード電極と、
を有するマルチビーム構造の半導体レーザチップを備え、
前記アノード電極が接合材を介して支持基板のチップ実装面に接合されることによって、前記半導体レーザチップが前記支持基板に実装されているものである。
本実施の形態は、凸状のリッジ部を有する2ビーム半導体レーザ装置に適用したものであり、図1は、この半導体レーザ装置の主要部の構成を示す断面図である。
図10は、本実施の形態の半導体レーザ装置の主要部の構成を示す平面図、図11は、図10のA−A線に沿った断面図、図12は、図10のB−B線に沿った断面図である。
2、2a、2b、2c、2d 基板(半導体基板)
3 n型クラッド層
4 活性層
5A p型第1クラッド層
5B p型第2クラッド層
6 p型コンタクト層
7 下地電極層
8、8a、8b、8c、8d リッジ部(メサストライプ)
9 パッシベーション膜
10 表面電極(アノード電極)
11 レーザチップ
12 分離溝
13 絶縁膜
14、14a、14b、14c、14d 裏面電極(カソード電極)
16 接続孔
17 絶縁膜
20 サブマウント(支持基板)
21 サブマウント電極
22 半田層
24 支持板
25 接着材
30 ステム
31 キャップ
32 フォトレジスト膜
33 ガラス板
34 丸穴
35 ヒートシンク
36、37、38、39 Auワイヤ
40 フォトダイオードチップ
41、42、43、44 リード
LD1、LD2 レーザダイオード素子
PD フォトダイオード素子
Claims (5)
- 第1の面および前記第1の面と反対側の第2の面を有するn型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に形成され、かつ、その内部に複数の発光部を含む半導体層と、
前記半導体層上に配置され、前記複数の発光部に共通の電圧を印加できるように一体形成されたアノード電極と、
前記半導体基板の前記第2の面から前記第1の面方向に形成され、前記半導体基板を複数の領域に電気的に分割する1個または複数個の分離溝と、
前記複数の領域のそれぞれの前記第2の面に形成されたカソード電極と、
を有するマルチビーム構造の半導体レーザチップを備え、
前記アノード電極が接合材を介して支持基板のチップ実装面に接合されることによって、前記半導体レーザチップが前記支持基板に実装されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記分離溝の内部に絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体層には、レーザ光の共振方向に延在する複数個のリッジ部が所定のピッチで形成されており、前記複数個のリッジ部のそれぞれの近傍に前記発光部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体基板はGaAsからなり、前記複数の発光部は、AlGaInP層からなる障壁層とGaInP層からなる井戸層とを交互に積層した多重量子井戸構造で構成された活性層の内部に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
- 前記カソード電極のそれぞれは、厚膜構造を有し、かつ前記第2の面の一方向に延在するストライプ状の平面パターンを有していることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
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