JP5410195B2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、凸状のリッジ部を有する4ビーム半導体レーザ装置に適用したものであり、図1は、この4ビーム半導体レーザ装置の全体構成を示す要部破断斜視図である。
ここで、Pmは、各ビーム位置に対応する光量加重面積であり、下記の数1で定義される。
ΔPm={MAX(Pm)−MIN(Pm)}/MAX(Pm)×100% (2)
ただし、MAX(Pm)=全ビームの中で最大のPm、MIN(Pm)=全ビームの中で最小のPmである。
図13は、本実施の形態の4ビーム半導体レーザ装置におけるサブマウントのチップ実装面を示す概略平面図である。
図15は、本実施の形態の8ビーム半導体レーザ装置におけるサブマウントのチップ実装面を示す概略平面図である。
ただし、h(μm)=サブマウントの上面(チップ実装面)からレーザチップの発光点までの高さ、θFWHM−V(deg)=レーザチップの垂直方向のビーム拡がりの半値全幅である。
3 n型クラッド層
4 活性層
5 p型第1クラッド層
6 p型第2クラッド層
7 p型コンタクト層
8、8a、8b、8c、8d リッジ部(メサストライプ)
9 パッシベーション膜
10 サブマウント
11 レーザチップ
12 裏面電極
13、13a、13b、13c、13d 電極パターン
13S、13Sa、13Sc 補助電極パターン
13P ボンディングパッド
14 フォトダイオードチップ
15 表面電極
16 Auメッキ層
17 絶縁層
18 反射率低減膜
21 レーザチップ
23、23a〜23h 電極パターン
23P ボンディングパッド
23 補助電極パターン
30 ステム
31 キャップ
32 フランジ部
33 ガラス板
34 丸穴
35 ヒートシンク
36、37、38 Auワイヤ
39、39a、39b、39c、39d、39e、39f リード
LD1、LD2、LD3、LD4 レーザダイオード素子
PD フォトダイオード素子
Claims (2)
- 複数個のレーザダイオード素子が形成された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップが実装されたサブマウントと、
前記サブマウントのチップ実装面に形成され、前記複数個のレーザダイオード素子のそれぞれと電気的に接続された複数個の電極パターンと、
前記サブマウントの近傍に配置され、前記第1半導体チップの一端面から出射された複数のレーザビームを受光して電流に変換するフォトダイオード素子が形成された第2半導体チップとを備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記複数個のレーザダイオード素子は、4個以上であり、
前記第1半導体チップの一端面から出射されて前記サブマウントの表面で反射する前記レーザビームのうち、前記第2半導体チップに入射する割合の多い領域において、前記レーザビームの光路に平行な方向に沿った前記複数個の電極パターンの長さが同一であり、
前記第2半導体チップに入射する割合の多い領域(La)は、h=前記サブマウントの前記チップ実装面から前記第1半導体チップの発光点までの高さ(単位はμm)、θFWHM−V(deg)=前記第1半導体チップの垂直方向のビーム拡がりの半値全幅としたとき、下記の式
La(μm)=170×h/θFWHM−V
で定義される距離であることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記第1半導体チップは、ジャンクションダウン方式によって前記サブマウントの前記チップ実装面に実装されていることを特徴とする請求項1記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
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