JP6334772B2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
前記半導体チップが実装される支持基板と、
を備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記半導体チップは、
半導体基板の主面上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層の上部に形成された活性層と、
前記活性層の上部に形成された第2導電型クラッド層と、
前記第2導電型クラッド層とその上部に形成された第2導電型のコンタクト層とをそれぞれ含み、前記ビーム間が30μm〜50μmとなるように配列された、凸形の断面形状を有する4個以上の偶数個のリッジ部と、
前記リッジ部のそれぞれと電気的に接続され、前記リッジ部のそれぞれの上部を覆うように形成された表面電極と、
前記表面電極の上部に形成された第1導電層と、
前記第1導電層の上部であって前記リッジ部の上部を除く領域に形成され、前記第1導電層よりも面積の小さい第2導電層と、
前記半導体基板の裏面に形成された裏面電極と、を有し、
前記表面電極と前記第1導電層と前記第2導電層は、それぞれ前記リッジ部の数と同数形成され、
前記支持基板のチップ実装面には、前記リッジ部の数と同数の第1電極が形成され、
前記第1電極のそれぞれの表面には、半田材が形成されており、
前記半導体基板は、前記第2導電層と前記半田材とを溶融接合することによって、前記支持基板の前記チップ実装面に実装されており、
前記第2導電層は、前記リッジ部の両側の一方の上部において前記半田材と接触しており、
前記第2導電層と前記半田材との前記リッジ部の数と同数の接合部は、偶数本の前記ビームの中心に対して外側に配置され、
前記リッジ部の配列方向に沿った前記第2導電層の幅は、前記半田材の幅よりも狭いものである。
本実施の形態は、凸状のリッジ部を有する4ビーム半導体レーザ装置に適用したものであり、図1は、この4ビーム半導体レーザ装置の全体構成を示す要部破断斜視図である。
11 レーザチップ(半導体チップ)
12 GaAs基板
13 裏面電極
14 パッシベーション膜
15 表面電極
16 第1Auメッキ層(第1導電層)
17 第2Auメッキ層(第2導電層)
18 半田材
20 リッジ部(メサストライプ)
21 凹溝
22 n型クラッド層
23 活性層
24 p型第1クラッド層
25 p型第2クラッド層
26 p型コンタクト層
27 サブマウント電極(第1電極)
28 絶縁層
29 認識マーク
30 ステム
31 キャップ
32 フランジ部
33 ガラス板
34 丸穴
35 ヒートシンク
36、37、38 Auワイヤ
39a、39b、39c、39d、39e、39f リード
40 フォトダイオードチップ
Claims (3)
- 4本以上の偶数本のビームを備えた半導体チップと、
前記半導体チップが実装される支持基板と、
を備えたマルチビーム半導体レーザ装置であって、
前記半導体チップは、
半導体基板の主面上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層の上部に形成された活性層と、
前記活性層の上部に形成された第2導電型クラッド層と、
前記第2導電型クラッド層とその上部に形成された第2導電型のコンタクト層とをそれぞれ含み、前記ビーム間が30μm〜50μmとなるように配列された、凸形の断面形状を有する4個以上の偶数個のリッジ部と、
前記リッジ部のそれぞれと電気的に接続され、前記リッジ部のそれぞれの上部を覆うように形成された表面電極と、
前記表面電極の上部に形成された第1導電層と、
前記第1導電層の上部であって前記リッジ部の上部を除く領域に形成され、前記第1導電層よりも面積の小さい第2導電層と、
前記半導体基板の裏面に形成された裏面電極と、を有し、
前記表面電極と前記第1導電層と前記第2導電層は、それぞれ前記リッジ部の数と同数形成され、
前記支持基板のチップ実装面には、前記リッジ部の数と同数の第1電極が形成され、
前記第1電極のそれぞれの表面には、半田材が形成されており、
前記半導体基板は、前記第2導電層と前記半田材とを溶融接合することによって、前記支持基板の前記チップ実装面に実装されており、
前記第2導電層は、前記リッジ部の両側の一方の上部において前記半田材と接触しており、
前記第2導電層と前記半田材との前記リッジ部の数と同数の接合部のうち、偶数本のビームの中心に対して一方側に配置された前記各接合部は、対応する前記リッジ部に対して該一方側に配置され、他方側に配置された前記各接合部は、対応する前記リッジ部に対して該他方側に配置され、
前記リッジ部の配列方向に沿った前記第2導電層の幅は、前記半田材の幅よりも狭いことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ装置。 - 前記半田材の幅に対する前記第2導電層の幅の比は、0.7以下であることを特徴とする請求項1に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
- 前記半田材の幅に対する前記第2導電層の幅の比は、0.5以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のマルチビーム半導体レーザ装置。
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