CN117813735A - 半导体激光器装置、带焊料副装配件、带焊料集合副装配件及半导体激光器装置的检查方法 - Google Patents

Abstract

半导体激光器装置(1)具备基台(3)、经由焊料(30)而与基台(3)接合的副装配件(10)、和被安装于副装配件(10)的半导体激光器(20)，将从安装着半导体激光器(20)的一侧观察副装配件(10)时设为俯视，在俯视中，焊料(30)具有多个凸部(31a)，多个凸部(31a)分别形成在副装配件(10)的外侧的基台(3)上，并且向与副装配件(10)的内部相反的方向突出并周期性地存在。

Description

半导体激光器装置、带焊料副装配件、带焊料集合副装配件及 半导体激光器装置的检查方法

技术领域

本发明涉及半导体激光器装置、在制造半导体激光器装置时使用的带焊料副装配件、用来制造带焊料副装配件的带焊料集合副装配件及半导体激光器装置的检查方法。

背景技术

以往，作为具备半导体激光器的半导体激光器装置，已知有使用TO－CAN封装的光源模组。TO－CAN封装具备圆盘状的底座(base)、竖立于底座的柱(post)、将底座贯通的一对引脚(lead pin)、以及以将柱覆盖的方式固定于底座的金属制的帽(cap)。

在使用TO－CAN封装的半导体激光器装置中，半导体激光器经由副装配件(sub-mount)而安装于成为基台的柱。在这样构成的半导体激光器装置中，通过从引脚对半导体激光器供电，从半导体激光器射出激光。并且，从半导体激光器射出的激光从在帽的顶面设置的透光窗向外部射出。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2020/031944号

发明内容

发明要解决的课题

在经由副装配件将半导体激光器安装于基台的情况下，可以考虑使用在副装配件上预先形成有焊料层的带焊料副装配件。该情况下，通过将带焊料副装配件加热而使焊料层熔融，从而将副装配件和基台用焊料接合。

但是，在使用带焊料副装配件将副装配件与基台接合时，有熔融了的焊料层的焊料从副装配件的外缘伸出的情况。在焊料从副装配件较大地偏倚而伸出时等，副装配件相对于基台倾斜的情况较多。结果，安装于副装配件的半导体激光器也倾斜，半导体激光器装置的光学精度变差。

本公开是为了解决这样的课题而做出的，目的是提供能够抑制副装配件相对于基台的倾斜的半导体激光器装置等。

用来解决课题的手段

为了达成上述目的，本公开的半导体激光器装置的一技术方案，具备：基台；副装配件，经由焊料而与上述基台接合；以及半导体激光器，被安装到上述副装配件；将从安装有上述半导体激光器的一侧观察上述副装配件时设为俯视，在上述俯视中，上述焊料具有多个凸部；上述多个凸部分别形成在上述副装配件的外侧的上述基台上，并且，向与上述副装配件的内部相反的方向突出并周期性地存在。

此外，本公开的带焊料副装配件的一技术方案，是设置于基台的带焊料副装配件，具备：绝缘性部件；金属膜；以及焊料层；设在上述基台上设置有上述带焊料副装配件时成为上述基台侧的方向为下侧，设成为与上述基台侧相反侧的方向为上侧，上述金属膜配置在上述绝缘性部件的下侧的面；上述焊料层配置在上述金属膜的下侧的面；在上述金属膜的下侧的面的外缘，具有存在上述焊料层的第1区域和不存在上述焊料层的第2区域交替地存在的部分。

此外，本公开的带焊料集合副装配件的一技术方案，是设置于基台的带焊料副装配件的集合体，具备：基板；金属膜；以及焊料层；设上述基台侧为下侧，设上述基台侧的相反侧为上侧，上述金属膜配置在上述基板的下侧的面；上述焊料层配置在上述金属膜的下侧的面；在上述带焊料集合副装配件的上侧的面形成有格状的槽，或者，在上述基板的内部形成有格状的变质部；在上述槽或上述变质部的正下方的位置，具有不存在上述焊料层的区域周期性地存在的部分。

此外，本公开的检查方法的一技术方案，是半导体激光器装置的检查方法，上述半导体激光器装置具备：基台；副装配件，经由焊料而与上述基台接合；以及半导体激光器，安装于上述副装配件；将从安装有上述半导体激光器的一侧观察上述副装配件时设为俯视，在上述俯视中，上述焊料具有从上述副装配件的外缘伸出的伸出区域；上述伸出区域具有分别朝向外侧突出的多个凸部；上述半导体激光器装置的检查方法中，通过测定上述多个凸部的状态来评价上述副装配件的倾斜。

发明效果

根据本公开的半导体激光器装置，能够抑制副装配件相对于基台的倾斜。此外，根据本公开的带焊料副装配件，在将副装配件与基台进行了接合时能够抑制副装配件的倾斜。此外，根据本公开的带焊料集合副装配件，能够得到在与基台进行了接合时能够抑制倾斜的带焊料副装配件。此外，根据本公开的半导体激光器装置的检查方法，能够评价被接合于基台的副装配件的倾斜。

附图说明

图1是实施方式的半导体激光器装置的剖视图。

图2是实施方式的半导体激光器装置的剖视图。

图3是表示在实施方式的半导体激光器装置中将副装配件及半导体激光器拆下时的基台及焊料的结构的图。

图4是表示实施方式的半导体激光器装置中的焊料、副装配件和半导体激光器的结构的图。

图5是表示实施方式的半导体激光器装置中的焊料的结构的放大图。

图6是表示在实施方式的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图7是表示在变形例1的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图8是表示在变形例2的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图9是表示在变形例3的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图10是表示在变形例4的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图11是表示在变形例5的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图12是表示在变形例6的半导体激光器装置中焊料从副装配件伸出的状态的图。

图13是变形例7的半导体激光器装置的剖视图。

图14是表示实施方式的带焊料副装配件的结构的图。

图15是实施方式的带焊料副装配件的剖视图。

图16是表示实施方式的半导体激光器装置的制造方法的流程图。

图17是变形例1的带焊料副装配件的后视图。

图18是变形例2的带焊料副装配件的后视图。

图19是变形例3的带焊料副装配件的后视图。

图20是变形例4的带焊料副装配件的后视图。

图21是变形例5的带焊料副装配件的后视图。

图22是表示实施方式的带焊料集合副装配件的结构的图。

图23是表示实施方式的带焊料副装配件的制造方法的流程图。

图24是表示通过实施方式的带焊料副装配件的制造方法得到的带焊料副装配件的结构的图。

图25是表示变形例1的带焊料集合副装配件的结构的图。

图26是表示通过变形例1的带焊料集合副装配件得到的带焊料副装配件的结构的图。

图27是表示带焊料副装配件的制造方法的变形例的流程图。

图28是表示变形例2的带焊料集合副装配件的结构的图。

图29是表示通过变形例2的带焊料集合副装配件得到的带焊料副装配件的结构的图。

图30是表示变形例3的带焊料集合副装配件的结构的图。

图31是表示变形例4的带焊料集合副装配件的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示本公开的一具体例。因而，以下实施方式中表示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态、步骤(工序)及步骤的顺序等作为一例而不意欲限定本公开。由此，关于以下实施方式的构成要素中的、在表示本公开的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，设为任意的构成要素进行说明。

此外，各图是示意图，并不一定严格地图示。因而，在各图中比例尺等并不一定一致。在各图中，对于实质上相同的结构赋予相同的标号，将重复的说明省略或简化。

(实施方式)

[半导体激光器装置]

首先，使用图1～图4说明实施方式的半导体激光器装置1的结构。

图1及图2是实施方式的半导体激光器装置1的剖视图。图1表示俯视副装配件10及半导体激光器20时的剖面，图2表示侧视副装配件10及半导体激光器20时的剖面。

图3是表示在半导体激光器装置1中将副装配件10及半导体激光器20拆下时的基台3及焊料30的结构的图。另外，在图3中表示了半导体激光器装置1的一部分的结构。另外，图3所示的焊料30的形状表示了将副装配件10与基台3接合后的形状(即，通过回流而熔融并被推压后的形状)。

图4是表示半导体激光器装置1中的焊料30、副装配件10和半导体激光器20的结构的图。在图4中，(a)是侧视图，(b)是俯视图。另外，在图4中，为了容易理解侧视图(a)和俯视图(b)中的各部件的连接关系，方便性地施以了阴影。

如图1及图2所示，本实施方式的半导体激光器装置1是将半导体激光器20封装化后的发光模组。具体而言，半导体激光器装置1是TO－CAN封装型的光源模组。

半导体激光器装置1中，作为TO－CAN封装而具备圆盘状的底座2、竖立于底座2的基台3(柱)、将底座2贯通的一对引脚4、以及以将基台3覆盖的方式配置在底座2上的金属制的帽5。

底座2及基台3是带电极端子的管座(stem)。底座2是管座底座，基台3是管座柱。底座2及基台3由金属材料构成。在本实施方式中，底座2及基台3由铜(Cu)构成，但不限于此。

一对引脚4是用来对半导体激光器20供给电流的供电端子。一对引脚4插通在设于底座2的贯通孔中并被固定于底座2。固定于底座2的一对引脚4被绝缘部件6从底座2绝缘。一对引脚4向半导体激光器20的一对电极供给电流。一对引脚4的一方通过金线7而与半导体激光器20的一对电极中的一方的电极连接。此外，一对引脚4的另一方通过金线7而与副装配件10的第2金属膜13(上侧金属层)连接。副装配件10的第2金属膜13与半导体激光器的一对电极的另一方的电极电连接。另外，半导体激光器20中，作为一对电极而具有p侧电极及n侧电极。

帽5是将基台3和安装于基台3的副装配件10及半导体激光器20覆盖的罩。即，副装配件10及半导体激光器20被容纳在由底座2和帽5构成的密闭空间内。帽5以将基台3、副装配件10及半导体激光器20覆盖的方式固定于底座2。底座2和帽5例如通过焊接而被接合。

在帽5的顶面，设有透光窗(光取出窗)，以使从半导体激光器20射出的光能够透过。具体而言，在帽5的顶面设有开口孔，以将该开口孔覆盖的方式配置有透明的玻璃板8。玻璃板8以与半导体激光器20的光射出面面对的方式配置。通过低熔点玻璃等粘接剂9而将玻璃板8与帽5接合。

半导体激光器装置1具备副装配件10和半导体激光器20，使用TO－CAN封装而被封装化。

副装配件10安装于基台3。具体而言，副装配件10安装在基台3之上。

副装配件10经由焊料30而与基台3接合。即，副装配件10和基台3被焊料30接合。因而，焊料30介于副装配件10与基台3之间。焊料30是接合材料的一例。在本实施方式中，作为焊料30而使用AuSn焊料(金锡焊料)。副装配件10作为对半导体激光器20进行支承的支承部件发挥功能，并且作为将半导体激光器20的热散热的散热部件发挥功能。因而，副装配件10优选由导热性优异的材料构成。

如图3及图4所示，副装配件10具备绝缘性部件11、位于绝缘性部件11的下侧(基台3侧)的第1金属膜12、和位于绝缘性部件11的上侧的第2金属膜13及阻挡膜14。

绝缘性部件11是由绝缘性材料构成的副装配件主体。绝缘性部件11优选由金刚石、SiC或AlN等高导热材料构成。在本实施方式中，绝缘性部件11由金刚石构成。此外，绝缘性部件11的形状大致是长方体。具体而言，绝缘性部件11是矩形的板状。即，绝缘性部件11的俯视形状是矩形。

在本实施方式中，副装配件10的外缘(外周缘)是绝缘性部件11的外缘(外周缘)。因而，副装配件10的俯视形状是矩形。具体而言，副装配件10及绝缘性部件11各自的俯视形状是长方形。

第1金属膜12配置在绝缘性部件11的下表面(基台3侧的面)的大致整面。即，第1金属膜12是位于绝缘性部件11下侧的下侧金属层，设在基台3侧(即半导体激光器20侧的相反侧)。作为一例，第1金属膜12成为形成于绝缘性部件11的下表面的钛层(Ti层)、形成于钛层的下表面的铂层(Pt层)、和形成于铂层的下表面的金层(Au层)的3层构造(Ti/Pt/Au)，第1金属膜12的表面对于焊料的浸润性高。另外，第1金属膜12的平面观察形状是矩形。

第2金属膜13配置在绝缘性部件11的上表面(半导体激光器20侧的面)的大致整面。即，第2金属膜13是位于绝缘性部件11上侧的上侧金属层，设在半导体激光器20侧(即基台3侧的相反侧)。作为一例，第2金属膜13成为形成在绝缘性部件11的上表面的钛层(Ti层)、形成在钛层之上的铂层(Pt层)、和形成在铂层的上表面的金层(Au层)的3层构造(Ti/Pt/Au)。另外，第2金属膜13的平面观察形状是矩形。

阻挡膜14形成在第2金属膜13的上表面(半导体激光器20侧的面)。阻挡膜14是抑制在将半导体激光器20与副装配件10接合时焊料40的元素扩散的焊料阻挡膜。作为一例，阻挡膜14是铂层(Pt层)。另外，阻挡膜14的平面观察形状是矩形。此外，阻挡膜14的宽度比第2金属膜13的宽度小。

半导体激光器20被安装于副装配件10。具体而言，半导体激光器20被安装在副装配件10之上。由于副装配件10位于基台3之上，所以副装配件10位于半导体激光器20与基台3之间。

另外，半导体激光器20的安装形态可以是结朝下安装也可以是结朝上安装，在本实施方式中，半导体激光器20通过结朝下安装而被安装于副装配件10。

半导体激光器20与副装配件10经由焊料40而被接合。即，半导体激光器20与副装配件10被焊料40接合。因而，焊料40介于半导体激光器20与副装配件10之间。在本实施方式中，焊料40介于半导体激光器20与副装配件10的阻挡膜14之间，将半导体激光器20与阻挡膜14接合。焊料40是接合材料的一例。在本实施方式中，作为焊料40而使用AuSn焊料。

另外，焊料30介于基台3与副装配件10的第1金属膜12之间，将基台3与第1金属膜12接合。

此外，半导体激光器20偏向副装配件10的较短方向(宽度方向)的一侧而配置。即，半导体激光器20配置在相对于副装配件10的宽度方向的中心偏移了的位置。具体而言，在图3及图4中，半导体激光器20的位置从副装配件10的宽度方向的中心偏向左侧。

半导体激光器20是射出激光的半导体激光器芯片。半导体激光器20通过被从一对引脚4供给的电流而射出激光。从半导体激光器20射出的激光从设在帽5的顶面处的玻璃板8(透光窗)向外部射出。半导体激光器20射出规定的波长的激光。具体而言，半导体激光器20射出紫外光、可视光或红外光的激光。半导体激光器20例如是由氮化物半导体材料构成的GaN类半导体激光器，但构成半导体激光器20的半导体材料不限于此。

在将半导体激光器20和副装配件10向基台3安装时，将半导体激光器20和副装配件10用焊料40接合，并将副装配件10和基台3用焊料30接合。此时，副装配件10和基台3用熔融的焊料接合，但由于将副装配件10朝向基台3推压，所以通过此时的推压力，如图1～图4所示，存在于副装配件10与基台3之间的熔融状态的焊料30(即熔融前的焊料30)从副装配件10伸出。具体而言，熔融状态的焊料30从副装配件10的外缘朝向外侧扩展，并且在副装配件10的厚度方向上也扩展。

如图3及图4所示，在将从安装有半导体激光器20的一侧观察副装配件10时设为“俯视”的情况下，在该俯视中，焊料30具有焊料30从副装配件10的外缘(向与副装配件10的内部相反的方向)伸出的区域即伸出区域31。在本实施方式中，由于绝缘性部件11的外缘是副装配件10的外缘，所以伸出区域31是焊料30中的从绝缘性部件11伸出的部分。

在俯视中，焊料30的伸出区域31具有分别朝向外侧突出的多个凸部31a。在本实施方式中，多个凸部31a分别是从副装配件10的外缘突出的突出部。此外，多个凸部31a沿副装配件10的整周非连续地存在。多个凸部31a分别是呈大致球形的一部分的形状。因而，在俯视下，多个凸部31a分别成为呈大致圆形的一部分的形状。具体而言，多个凸部31a分别在俯视下是以从副装配件10的外缘鼓起的方式形成的隆起部，成为具有圆形中的半圆以上部分的形状。另外，多个凸部31a分别也可以是大致半球(即在俯视下是大致半圆)，也可以是球中的比半球小的形状(即在俯视下比半圆小的形状)。

作为一例，构成多个凸部31a的球的平均直径是60μm，多个凸部31a的高度(副装配件10的厚度方向的高度)的平均高度是30μm。此外，作为一例，副装配件10与基台3之间的焊料30的厚度(副装配件10与基台3的距离)是2.5μm。

作为另一例，构成多个凸部31a的球的平均直径是120μm，多个凸部31a的高度(副装配件10的厚度方向的高度)的平均高度是60μm。此外，作为一例，副装配件10与基台3之间的焊料30的厚度(副装配件10与基台3的距离)是3.5μm。

伸出区域31的多个凸部31a在俯视形状为矩形的副装配件10中可以存在于4边的全部边，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。在本实施方式中，多个凸部31a存在于全部4边。

在伸出区域31中的全部的凸部31a之中，包含周期性地存在多个凸部31a的情况。即，存在焊料30周期性地从副装配件10的外缘伸出的部分。例如，在俯视形状为矩形的副装配件10中，周期性地存在的多个凸部31a可以存在于4边的全部，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。

此外，周期性地存在的多个凸部31a可以是1边中的全部的凸部31a，也可以是1边中的全部的凸部31a中的某几个。这样，周期性地存在的多个凸部31a存在于副装配件10的整周中的至少一部分即可。

另外，所谓周期性地存在多个凸部31a，不仅包括以一定的间隔存在多个凸部31a的情况，也包括以规则性的间隔(例如遵循一定法则的间隔)存在多个凸部31a的情况等。

这样，焊料30的伸出区域31中的多个凸部31a周期性地存在，从而焊料30不偏倚地从副装配件10伸出，能够抑制副装配件10相对于基台3倾斜的情况。例如，焊料30将基台3与副装配件10平行地接合。由此，能够提高从安装于副装配件10的半导体激光器20射出的激光的光学精度。

特别是，通过使周期性地存在的多个凸部31a以相同的大小均匀地形成，能够有效地抑制副装配件10的倾斜。此外，根据俯视形状为长方形的副装配件10，副装配件10容易在较短方向上倾斜。因此，优选的是在副装配件10的较短方向上对称地形成有多个凸部31a。由此，能够更有效地抑制副装配件10的倾斜。

此外，在本实施方式中，焊料30不从副装配件10的外缘的整周(整个外周缘)伸出，而是从副装配件10的外缘非连续地伸出。因而，在副装配件10的外侧的周边区域，存在焊料30不从副装配件10的外缘伸出的区域即多个非伸出区域32。非伸出区域32是相邻的两个凸部31a之间的区域。在俯视中，多个非伸出区域32分别是向副装配件10的内侧凹陷的凹形的区域。

这样，在本实施方式中，由于在副装配件10的外侧的周边区域中作为非伸出区域32而存在多个凹部，所以通过周期性地存在多个凸部31a，从而周期性地存在副装配件10与多个凸部31a的边界。

此外，即使不是多个凸部31a沿副装配件10的外缘的整周存在的情况，也能够抑制副装配件10的倾斜。具体而言，根据本申请发明人的实验而确认到：在俯视形状为长方形的副装配件10中，即使在副装配件10的短边不存在伸出区域31(凸部31a)、仅在副装配件10的长边存在伸出区域31(凸部31a)的情况下，也能够抑制副装配件10的倾斜。

另外，在本实施方式中，在副装配件10的全部的边存在伸出区域31(凸部31a)，副装配件10不具有不存在伸出区域31的边。即，不存在伸出量为零的边。由此，能够可靠地抑制副装配件10的倾斜。

这里，使用图5及图6对焊料30的伸出区域31的多个凸部31a的优选形态进行说明。图5是表示实施方式的半导体激光器装置1中的焊料30的结构的放大图。图6是表示该焊料30从副装配件10伸出的状态的图。另外，在图5中将副装配件10的外缘用虚线表示。即，图5的由虚线包围的区域是存在副装配件10的副装配件区域10a。

如图5所示，在焊料30的俯视下，在设副装配件10与多个凸部31a中的一个的边界的长度为L1的情况下，长度L1优选为20μm以上200μm以下。即，长度L1是副装配件10的外缘上的各凸部31a的长度，是各凸部31a的根部的宽度。

这样，通过将长度L1设为20μm以上200μm以下，能够抑制副装配件10的倾斜，并且能够经由副装配件10及焊料30将由半导体激光器20产生的热有效地散热。以下对这一点进行说明。

详细情况后述，在本实施方式中，通过使用预先形成有成为焊料30的焊料层的带焊料副装配件，将副装配件10接合于基台3。该情况下，将焊料层加热熔融而对副装配件10施加推压，通过对该副装配件10施加的推压，存在于基台3与副装配件10之间的熔融了的焊料层从副装配件10的外缘(副装配件区域10a)伸出。由此，形成在副装配件10与基台3之间具有伸出区域31(凸部31a)的焊料30。

此时，焊料的伸出从副装配件10的外缘中的存在熔融推压前的焊料层的一点开始。随着该焊料的伸出的进展，副装配件10与伸出区域31(凸部31a)的边界的长度L1变大，但由于熔融了的焊料的表面张力，焊料从副装配件10的外缘中的熔融前的焊料层的配置区域以外伸出到副装配件10的外侧的情况被抑制。因而，所谓长度L1长，与该部分的焊料的伸出量(凸部31a的突出量)多是同义的，在副装配件10的外缘，焊料的量局部地变得过多(即焊料没有被充分地控制)。结果，副装配件10的倾斜的程度变大。因此，为了抑制这样的焊料的量局部地变得过多的情况，长度L1优选的是200μm以下。

另一方面，长度L1短是指，在副装配件10的外缘，焊料的量局部地较少。结果，在安装后的副装配件10与基台3之间存在间隙的可能性变高，在半导体激光器20中产生的热的散热性下降。因此，为了抑制在副装配件10与基台3之间产生间隙，长度L1优选为20μm以上。

作为一例，副装配件10的短边上的长度L1是80μm，副装配件10的长边上的长度L1是80μm。

此外，如图5所示，在焊料30的俯视下，关于焊料30，设没有从副装配件10的外缘伸出而该焊料30的外缘与副装配件10的外缘一致的部分的长度为L2的情况下，长度L2优选的是200μm以下。长度L2是相邻的两个凸部31a之间的区域即非伸出区域32中的沿着焊料30的外缘的长度。即，长度L2是副装配件10的外缘中的不与伸出区域31(凸部31a)相接的部分(伸出非起点区域)的长度。

这样，通过将长度L2设为200μm以下，伸出区域31中的多个凸部31a不会变得过度离散，所以能够有效地抑制副装配件10的倾斜。另外，长度L2的下限没有特别限定，长度L2优选的是20μm以上。

在本实施方式中，长度L2比长度L1短。作为一例，副装配件10的短边上的长度L2是50μm，副装配件10的长边上的长度L1是60μm。

此外，在图5中，伸出区域31中的多个凸部31a的尺寸(大小)在副装配件10的整周中相同，多个凸部31a的伸出量(突出量)一致，但并不限于此。具体而言，如图6所示，在多个凸部31a中，也可以包含不同尺寸(大小)的凸部31a，多个凸部31a的伸出量也可以不一致。

该情况下，在俯视形状为矩形的副装配件10中，当设矩形的1边上的多个凸部31a的个数为n，设多个凸部31a各自的从副装配件10的外缘的伸出量为Di(i为整数，1≤i≤n)时，在矩形的1边中，Di的标准偏差优选为Di的平均值的50％以下。

通过该结构，能够使多个凸部31a的伸出量一致，能够抑制多个凸部31a的尺寸的偏差。由此，能够抑制副装配件10的倾斜。另外，Di的标准偏差更优选为Di的平均值的20％以下。

具体而言，如图6所示，在设矩形的副装配件10的一对短边中的一方(图6的上边)上的多个凸部31a的伸出量为DTi(1≤i≤n)的情况下，在该一方的短边，DTi的标准偏差优选为DTi的平均值的50％以下。作为一例，n＝3，DT1＝30μm，DT2＝80μm，DT3＝40μm，该情况下的平均值是50μm，标准偏差是22μm。

此外，在设矩形的副装配件10的一对短边中的另一方(图6的下边)上的多个凸部31a的伸出量为DBi(1≤i≤n)的情况下，在该另一方的短边，DBi的标准偏差优选为DBi的平均值的50％以下。作为一例，n＝3，DB1＝30μm，DB2＝50μm，DB3＝40μm，该情况下的平均值是40μm，标准偏差是8μm。

此外，在设矩形的副装配件10的一对长边中的一方(图6的左边)上的多个凸部31a的伸出量为DLi(1≤i≤n)的情况下，在该一方的长边，DLi的标准偏差优选为DLi的平均值的50％以下。作为一例，n＝5，DL1＝60μm，DL2＝80μm，DL3＝50μm，DL4＝50μm，DL5＝80μm，该情况下的平均值是64μm，标准偏差是14μm。

此外，在设矩形的副装配件10的一对长边中的一方(图6的右边)上的多个凸部31a的伸出量为DRi(1≤i≤n)的情况下，在该另一方的长边，DRi的标准偏差优选为DRi的平均值的50％以下。作为一例，n＝5，DR1＝80μm，DR2＝60μm，DR3＝60μm，DR4＝80μm，DR5＝70μm，该情况下的平均值是70μm，标准偏差是9μm。

另外，关于多个凸部31a的伸出量Di(1≤i≤n)，在矩形的1边，Di的最大值及Di的最小值优选的是满足Di的最大值/Di的最小值≤3的关系，更优选的是Di的最大值/Di的最小值≤1.5。该情况下，也能够使多个凸部31a的伸出量一致，能够抑制多个凸部31a的尺寸的偏差。该情况下，进一步，在副装配件10的矩形的1边，通过使多个凸部31a的伸出量一致，能够进一步抑制副装配件10的倾斜。

此外，在如本实施方式那样副装配件10的俯视形状是长方形的情况下，设长方形的长边上的多个凸部31a的个数为m，在相对于半导体激光器20的激光的射出方向靠右侧的长边中，设多个凸部31a各自的从副装配件10的外缘的伸出量为DRi(i是整数，1≤i≤m)，在相对于半导体激光器20的激光的射出方向靠左侧的长边中，设多个凸部31a各自的从副装配件10的外缘的伸出量为DLi(i是整数，1≤i≤m)时，DRi的平均值及DLi的平均值优选的是满足1/3≤DRi的平均值/DLi的平均值≤3的关系。

由此，能够抑制多个凸部31a的尺寸的偏差，所以能够有效地抑制副装配件10的倾斜。另外，DRi的平均值及DLi的平均值更优选的是满足1/2≤DRi的平均值/DLi的平均值≤2的关系。进而，该情况下，也更优选的是，在副装配件10的矩形的1边中，多个凸部31a的伸出量一致。

此外，如图3及图4所示，在半导体激光器20靠副装配件10的左侧配置的情况下，在通过焊料将配置有半导体激光器20的副装配件10向基台3安装时，经由半导体激光器20推压副装配件10时的推压向左侧偏倚。由此，副装配件10与基台3之间的焊料的伸出有左侧比右侧变大的趋向。即，有左侧的凸部31a的伸出量比右侧的凸部31a的伸出量变大的趋向。结果，有可能左侧的凸部31a与右侧的凸部31a的尺寸偏差变大。

因此，在半导体激光器20靠左侧的情况下，DRi的平均值及DLi的平均值优选的是满足1/3≤DRi的平均值/DLi的平均值≤1的关系，更优选的是1/3≤DRi的平均值/DLi的平均值≤3/4。由此，能够使左侧的凸部31a与右侧的凸部31a的伸出量的差较小，所以能够有效地抑制副装配件10的倾斜。

相反，在半导体激光器20靠副装配件10的右侧的情况下，DRi的平均值及DLi的平均值优选的是满足1≤DRi的平均值/DLi的平均值≤3的关系，更优选的是4/3≤DRi的平均值/DLi的平均值≤3。由此，即使半导体激光器20靠副装配件10的右侧，也能够使左侧的凸部31a与右侧的凸部31a的伸出量的差较小，所以能够有效地抑制副装配件10的倾斜。

此外，在俯视形状为矩形的副装配件10中，当设矩形的1边上的多个凸部31a的个数为n，设多个凸部31a的间隔为Pi(i是整数，1≤i≤n－1)时，Pi的标准偏差优选为Pi的平均值的20％以下。

通过该结构，能够使多个凸部31a的间隔一致，所以能够抑制多个凸部31a的间隔的偏差而使多个凸部31a的对称性提高。由此，能够进一步抑制副装配件10的倾斜。另外，Pi的标准偏差更优选为Pi的平均值的10％以下。

具体而言，如图6所示，设矩形的副装配件10的一对短边中的一方(图6的上边)上的多个凸部31a的间隔为PTi(1≤i≤n－1)时，在该一方的短边中，PTi的标准偏差优选为DTi的平均值的20％以下。作为一例，n＝3，PT1＝PT2＝130μm。

此外，设矩形的副装配件10的一对短边中的另一方(图6的下边)的多个凸部31a的间隔为PBi(1≤i≤n－1)时，在该另一方的短边，PBi的标准偏差优选为PBi的平均值的20％以下。作为一例，n＝3，PB1＝PB2＝130μm。

此外，设矩形的副装配件10的一对长边中的一方(图6的左边)上的多个凸部31a的间隔为PLi(1≤i≤n－1)时，在该一方的长边中，PLi的标准偏差优选为PLi的平均值的20％以下。作为一例，n＝5，PL1＝PL2＝PL3＝PL4＝140μm。

此外，设矩形的副装配件10的一对长边中的一方(图6的右边)上的多个凸部31a的间隔为PRi(1≤i≤n－1)时，在该另一方的长边中，PRi的标准偏差优选为PRi的平均值的20％以下。作为一例，n＝5，PR1＝PR2＝PR3＝PR4＝140μm。

另外，关于多个凸部31a的间隔Pi(1≤i≤n－1)，在矩形的1边中，Pi的最大值及Pi的最小值优选的是满足Pi的最大值/Di的最小值≤3的关系，更优选的是Pi的最大值/Pi的最小值≦1.5。由此，能够使多个凸部31a的间隔更一致，所以能够进一步抑制多个凸部31a的间隔的偏差。进而，在副装配件10的矩形的1边，优选的是多个凸部31a的伸出量一致。

此外，在图6中，在全部的凸部31a之中，不存在相邻的两个凸部31a合体的部分，但如图7及图8所示，有存在相邻的两个凸部31a合体后的凸部31a的情况。

该情况下，在副装配件10的1边，多个凸部31a的间隔包括由标准偏差为10％以内的第1间隔构成的群、和由标准偏差为10％以内的第2间隔构成的群，第2间隔优选为第1间隔的1.5倍以下。

由此，确认到：虽然与如图6那样相邻的两个凸部31a没有合体的情况相比能够抑制副装配件10的倾斜的效果变小，但在如图7及图8那样相邻的两个凸部31a合体了的情况下，也一定程度具有能够抑制副装配件10的倾斜的效果。

另外，在图7中，相邻的两个凸部31a合体后的1个凸部31a整体是将旋转椭圆体一分为二那样的突出形状，在图8中，相邻的两个凸部31a合体后的1个凸部31a成为相接的半球与半球之间的部分平滑地相连那样的形状。在图7及图8中，相邻的两个凸部31a合体后的1个凸部31a的一边(在图中是长边)上的中心位置成为合体之前的两个凸部31a的中心间的中点附近。作为一例，图7及图8所示的多个凸部31a的间隔是，PT1＝PT2＝130μm，PB1＝PB2＝130μm，PL1＝PL2＝210μm，PL3＝140μm，PR1＝PR2＝140μm，PR3＝210μm。

此外，在图7及图8中，相邻的两个凸部31a合体而成为1个凸部31a的部分存在多个，但各个合体部分彼此不是相邻地存在，但也有如图9所示那样相邻的两个凸部31a合体而成为1个凸部31a的合体部分彼此相邻存在的情况。

该情况下，在副装配件10的1边中，多个凸部31a的间隔可能进一步包括由为与上述第1间隔及上述第2间隔不同的间隔并且标准偏差为10％以内的第3间隔构成的群，该第3间隔优选为第1间隔的2倍以下。

由此，如图9所示，即使是相邻的两个凸部31a合体而成为1个凸部31a的合体部分彼此相邻而存在的情况，也能够抑制副装配件10的倾斜。作为一例，在图9中，PL1＝210μm，PL2＝280μm。

此外，半导体激光器20的发光点E(激光射出的部位)发热量多而成为高温，所以如图10所示，优选的是，在俯视下，多个凸部31a的至少一个位于半导体激光器20的光轴L上。

通过该结构，由于在半导体激光器20的发光点E的正下方存在凸部31a，所以能够将由半导体激光器20产生的热经由焊料30效率良好地散热。由此，能够使半导体激光器装置的热可靠性提高。

此外，在图6～图10中，在焊料30的伸出区域31中，存在焊料30不从副装配件10的外缘伸出的区域即非伸出区域32，但不限于此。具体而言，也可以如图11所示，在焊料30的伸出区域31中不存在非伸出区域32，伸出区域31沿副装配件10的外缘的整周的全部而存在。即，焊料30也可以从副装配件10的外缘的整周的全部伸出。该情况下，伸出区域31由多个凸部31a和外周部31b构成，多个凸部31a向副装配件10的内部的相反的方向突出并且周期性地存在。

此外，焊料30中的多个凸部31a的伸出量优选是一致的，但也可以不一致。该情况下，如图12所示，优选的是，关于多个凸部31a的伸出量，在俯视下，由虚线箭头表示的距副装配件10的中心的距离越远则越小。

此外，在本实施方式的半导体激光器装置1中，焊料30的多个凸部31a的形状构成球的一部分，但不限于此。例如，也可以如图13所示的半导体激光器装置1A那样，焊料30的多个凸部31a呈不规则的形状。

[半导体激光器装置的制造方法]

接着，对图1及图2所示的半导体激光器装置1的制造方法进行说明。

在本实施方式的半导体激光器装置1中，使用图14及图15所示的带焊料副装配件10A，将副装配件10向基台3接合。在将副装配件10向基台3接合时，将带焊料副装配件10A设置于基台3。本实施方式中，设将带焊料副装配件10A设置在基台3上时成为基台3侧的方向为下侧(下方)，设成为与基台3侧相反侧(即半导体激光器20侧)的方向为上侧(上方)。

图14是表示实施方式的带焊料副装配件10A的结构的图。在图14中，(a)是从第2焊料层40A侧(表侧：上侧)观察带焊料副装配件10A时的平面图，(b)是从第1焊料层30A侧(背侧：下侧)观察带焊料副装配件10A时的平面图，(c)是带焊料副装配件10A的剖视图。此外，图15是图14的带焊料副装配件10A的剖视图。图15的(a)是图14的(b)的XVa－XVa线的剖视图，图15的(b)是图14的(b)的XVb－XVb线的剖视图，图15的(c)是图14的(b)的XVc－XVc线的剖视图。

带焊料副装配件10A是在副装配件10上预先形成了焊料层的结构。如图14及图15所示，本实施方式的带焊料副装配件10A具备副装配件10、第1焊料层30A和第2焊料层40A。

第1焊料层30A在制造半导体激光器装置1时通过加热而熔融，从而将副装配件10与基台3接合。即，第1焊料层30A成为图1所示的半导体激光器装置1的焊料30。

第2焊料层40A在制造半导体激光器装置1时通过加热而熔融，从而将副装配件10与半导体激光器20接合。即，第2焊料层40A成为图1所示的半导体激光器装置1的焊料40。

第1焊料层30A配置在副装配件10的下侧的面(下表面)。第2焊料层40A配置在副装配件10的上侧的面(上表面)。即，副装配件10被第1焊料层30A和第2焊料层40A夹着。第1焊料层30A及第2焊料层40A是由焊料构成的厚度一定的焊料层。在本实施方式中，第1焊料层30A及第2焊料层40A都由AuSn焊料构成。

带焊料副装配件10A中的副装配件10如上述那样，具备绝缘性部件11、第1金属膜12、第2金属膜13和阻挡膜14。

绝缘性部件11如上述那样，由金刚石等绝缘性材料构成。在本实施方式中，在绝缘性部件11的端面的上部形成有阶差部50。因而，绝缘性部件11的下侧的面的宽度比绝缘性部件11的上侧的面的宽度宽。

第1金属膜12配置在绝缘性部件11的下侧的面。另一方面，第2金属膜13配置在绝缘性部件11的上侧的面。阻挡膜14形成在第2金属膜13的上侧的面。作为第1金属膜12及第2金属膜13，如上述那样，能够使用Ti/Pt/Au的层叠膜。另外，第1金属膜12及第2金属膜13的平面观察形状是矩形。此外，作为阻挡膜14，能够使用Pt膜。

第1焊料层30A配置在副装配件10的绝缘性部件11的下侧。在本实施方式中，第1焊料层30A配置在第1金属膜12的下侧的面(下表面)。这样，通过在第1金属膜12的下表面形成第1焊料层30A，当第1焊料层30A熔融时能够使焊料的浸润性提高，并且能够使副装配件10与基台3的密接性提高。

第2焊料层40A配置在副装配件10的绝缘性部件11的上侧。在本实施方式中，第2焊料层40A配置在阻挡膜14的上侧的面(上表面)。这样，通过在作为金属膜的阻挡膜14的上表面形成第2焊料层40A，在第2焊料层40A熔融时能够使焊料的浸润性提高，并且能够使副装配件10与半导体激光器20的密接性提高。此外，通过设置阻挡膜14，在由AuSn焊料构成的第2焊料层40A熔融时，能够抑制在第2金属膜13的表面层中Au层被Sn侵蚀的情况。

另外，带焊料副装配件10A的尺寸的一例是以下这样的。副装配件10(绝缘性部件11)的下表面的较长方向的长度(长边的长度)W1是400μm～4000μm，具体而言设为1200μm。此外，由于在带焊料副装配件10A的端面的上部形成有阶差部50，所以副装配件10(绝缘性部件11)的上表面的较长方向的长度W2比长度W1短(W2<W1)。例如，长度W2是1150μm。副装配件10(绝缘性部件11)的下表面的较短方向的长度(短边的长度)W3是200μm～600μm，具体而言设为300μm。

绝缘性部件11的厚度H是270μm～330μm，具体而言设为300μm。第1焊料层30A的厚度T1在安装前是4.5μm～8.0μm，在安装后是2.0μm～3.5μm，具体而言在安装前是6.0μm，在安装后是3.0μm。第1金属膜12的厚度T2是0.56μm～0.84μm，具体而言设为0.70μm。第2金属膜13的厚度T3是0.56μm～0.84μm，具体而言设为0.70μm。阻挡膜14的厚度T4是0.24μm～0.36μm，具体而言设为0.30μm。第2焊料层40A的厚度T5在安装前是2.0μm～3.0μm，在安装后是1.0μm～2.0μm，具体而言，在安装前是2.5μm，在安装后是1.5μm。

并且，在本实施方式的带焊料副装配件10A中，在第1焊料层30A的外周端部形成有开口部33。开口部33是不存在第1焊料层30A的区域。即，开口部33是第1焊料层30A的开口孔。开口部33沿着第1焊料层30A的外缘形成有多个。

各开口部33以将第1焊料层30A的外周端部切口的方式形成。即，在上述焊料层的平面观察中，各开口部33以从绝缘性部件11的外周端部朝向内侧后退的方式被切口。具体而言，在第1焊料层30A的平面观察中，开口部33以使第1焊料层30A的边的一部分凹陷的方式形成。在本实施方式中，在第1焊料层30A的1边形成的开口部33的形状是三角形。作为一例，在第1焊料层30A的平面观察中，在第1焊料层30A的1边形成的开口部33的形状是开口部33的底部(最大程度地从边后退了的部位)成为直角的顶角的等腰三角形，此外，在第1焊料层30A的平面观察中，在第1焊料层30A的角部形成的开口部33的形状是以倒角的方式形成的等腰三角形。另外，具有开口部33的第1焊料层30A能够通过用抗蚀剂将焊料剥离(liftoff)而形成。

通过在第1焊料层30A中形成开口部33，第1金属膜12从开口部33露出。因而，由于在第1焊料层30A的外周端部非连续地存在多个开口部33，从而在第1金属膜12的下侧的面(下表面)的外缘，有存在第1焊料层30A的第1区域34a和不存在第1焊料层30A的第2区域34b交替地存在的部分。即，在第1金属膜12的外缘，存在多个第1区域34a和多个第2区域34b。开口部33处的第1金属膜12的下侧的面的外缘是第2区域34b。

开口部33既可以存在于第1焊料层30A的4边的全部，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。因而，与开口部33对应的第2区域34b也既可以存在于第1金属膜12的外缘的4边的全部，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。在本实施方式中，开口部33及第2区域34b形成在第1焊料层30A及第1金属膜12的4边的全部。

并且，在形成于第1焊料层30A的全部的开口部33中，包含周期性地存在多个开口部33的情况。开口部33由于与不存在第1焊料层30A的第2区域34b对应，所以在存在于第1金属膜12的下表面的外缘处的全部的第2区域34b中，包含周期性地存在多个第2区域34b的情况。

周期性地存在的多个开口部33既可以存在于第1焊料层30A的4边的全部，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。即，周期性地存在的多个第2区域34b既可以存在于第1金属膜12的下表面的外缘的4边的全部，也可以存在于4边中的1边、2边或3边。

此外，周期性地存在的多个开口部33(第2区域34b)既可以是1边中的全部的开口部33(第2区域34b)，也可以是1边中的全部的开口部33(第2区域34b)中的某几个。这样，周期性地存在的多个开口部33(第2区域34b)只要存在于第1焊料层30A或第1金属膜12的整周中的至少一部分即可。

另外，所谓周期性地存在多个开口部33(第2区域34b)，不仅包括多个开口部33(第2区域34b)以一定间隔存在的情况，也包括多个开口部33(第2区域34b)以规则性的间隔存在的情况等。

接着，参照图1～图4及图14等，并利用图16对利用带焊料副装配件10A制造半导体激光器装置1的方法进行说明。图16是表示实施方式的半导体激光器装置1的制造方法的流程图。

首先，向图1及图2所示的由安装有引脚4及基台3的底座2构成的带电极端子的管座的基台3，设置带焊料副装配件10A(步骤S11)。此时，使得第1焊料层30A朝向基台3而将带焊料副装配件10A设置于基台3。具体而言，使得第1焊料层30A与基台3相接而设置带焊料副装配件10A。

接着，向图14所示的带焊料副装配件10A设置半导体激光器20(步骤S12)。具体而言，在带焊料副装配件10A的第2焊料层40A之上设置半导体激光器20。另外，在本实施方式中，半导体激光器20以成为结朝下安装的方式设置于带焊料副装配件10A。

接着，通过加热，使带焊料副装配件10A的焊料熔融(步骤S13)。具体而言，一边将配置在带焊料副装配件10A之上的半导体激光器20从上方推压，一边将带焊料副装配件10A加热。作为一例，以330℃的温度加热约10秒。

这样，带焊料副装配件10A被加热，从而第1焊料层30A和第2焊料层40A熔融。由此，通过熔融了的第1焊料层30A的焊料将基台3与副装配件10接合，并且通过熔融了的第2焊料层40A的焊料将半导体激光器20与副装配件10接合。

在本实施方式中，由于第1焊料层30A和第2焊料层40A由相同的焊料材料构成，所以能够将半导体激光器20、副装配件10和基台3同时接合。

此外，在本实施方式中，由于一边将半导体激光器20推压一边将带焊料副装配件10A加热，所以副装配件10被朝向基台3推压。即，副装配件10朝向基台3赋予推压力。因此，通过该副装配件10的推压力，存在于副装配件10与基台3之间的熔融了的第1焊料层30A的焊料从副装配件10伸出。具体而言，熔融了的第1焊料层30A的焊料从副装配件10的外缘朝向外侧扩展，并且在副装配件10厚度方向上也扩展。即，熔融了的第1焊料层30A的焊料沿着基台3上的副装配件2的设置面的水平方向扩展，并且在副装配件10的侧方还向基台3的上方扩展。

此时，熔融了的第1焊料层30A的焊料在第1焊料层30A的外周端部以焊料存在的区域为起点而从副装配件10的外缘伸出，在本实施方式中，由于在第1焊料层30A的外周端部非连续地形成有开口部33，所以在第1焊料层30A的外周端部，存在焊料存在的区域和焊料不存在的区域。

具体而言，如图14所示，在第1金属膜12的下表面的外缘，具有第1焊料层30A存在的第1区域34a和第1焊料层30A不存在的第2区域34b交替地存在的部分。因此，熔融了的第1焊料层30A的焊料以存在第1焊料层30A的第1区域34a为起点而从副装配件10的外缘伸出。

并且，随着该焊料的伸出的进展，沿着副装配件10的外缘的不存在第1焊料层30A的第2区域34b的长度变小(即，开口部33被焊料逐渐填埋)，但通过熔融了的焊料的表面张力，熔融了的焊料从熔融前的不存在第1焊料层30A的第2区域34b(开口部33)从副装配件10向外侧伸出的情况被抑制。即，抑制了焊料从副装配件10的外缘处的熔融前的第1焊料层30A的配置区域以外向副装配件10的外侧伸出的情况。结果，从副装配件10的外缘伸出的第1焊料层30A的焊料成为图3及图4所示的形状的伸出区域31。具体而言，第1焊料层30A的熔融了的焊料在冷却后如图3及图4所示，成为在伸出区域31中形成有多个凸部31a的形状的焊料30。

此时，在本实施方式中，如图14所示，在第1焊料层30A的开口部33之中，包括周期性地存在多个开口部33的情况。即，在存在于第1金属膜12的下表面的外缘处的第2区域34b(不存在第1焊料层30A的区域)之中，包括周期性地存在多个第2区域34b的情况。由此，焊料30的伸出区域31具有周期性地存在的多个凸部31a。通过周期性地存在多个凸部31a，焊料30不偏倚地伸出，能够避免副装配件10的倾斜地将副装配件10与基台3接合。

另外，关于副装配件10的倾斜，能够通过测定焊料30中的多个凸部31a的状态来评价。因而，此时，也可以通过对副装配件10的倾斜进行评价来进行做出合格/不合格的判定的检查。关于该检查方法的详细情况在后面叙述。

接着，将半导体激光器20与引脚4进行引线键合(步骤S14)。具体而言，将半导体激光器20的一对电极的一方与一对引脚4的一方通过金线7连接，并且将副装配件10的第2金属膜13与一对引脚4的另一方通过金线7连接。

接着，将帽5焊接于底座2(步骤S15)。具体而言，在将半导体激光器20与引脚4引线键合后，进行UV照射臭氧清洗，然后，将帽5配置于底座2，通过将底座2与帽5焊接来进行接合。

由此，图1及图2所示的TO－CAN封装型的半导体激光器装置1完成。

这里，参照图14对带焊料副装配件10A中的第1焊料层30A的优选形态进行说明。

首先，如图14的(b)所示，在第1焊料层30A的平面观察中，第1金属膜12的下侧的面的外缘处的第1区域34a的长度(图14的d2、d5)优选的是20μm以上200μm以下。

第1区域34a由于是存在第1焊料层30A的区域，所以是第1焊料层30A的焊料熔融时、当熔融了的焊料从副装配件10伸出时成为起点的区域。

此时，如果第1区域34a的长度过长，则当第1焊料层30A的焊料熔融而向副装配件10的外侧扩展时，副装配件10与焊料的伸出区域(凸部31a)之间的边界的长度有可能变得过长。即，焊料30的凸部31a的根部的宽度有可能变得过长，该凸部31a的焊料的伸出量有可能局部地变得过多。这样，如果凸部31a的根部的宽度变得过长，则焊料30的伸出区域31(凸部31a)的对称性破坏，被焊料30接合的副装配件10有可能倾斜。因此，第1区域34a的长度优选的是200μm以下。由此，能够抑制凸部31a的根部的宽度变得过长，能够抑制副装配件10的倾斜。

另一方面，如果第1区域34a的长度过短，则当第1焊料层30A的焊料熔融时，熔融了的焊料难以从副装配件10的第1区域34a伸出，熔融了的焊料的去向有可能被限制。此时，去向被限制了的焊料向第2区域34b(不存在第1焊料层30A的区域)扩展，熔融了的焊料有可能不是从第1区域34a(存在第1焊料层30A的区域)向副装配件10的外侧伸出，而是从第2区域34b向副装配件10的外侧伸出。这样，如果焊料从第2区域34b伸出，则焊料30的伸出区域31(凸部31a)的对称性破坏，被焊料30接合的副装配件10有可能倾斜。因此，第1区域34a的长度优选的是20μm以上。由此，能够抑制熔融了的焊料从第2区域34b向外侧伸出的情况，能够抑制副装配件10的倾斜。

作为一例，在矩形的副装配件10中，长边的第1区域34a的长度d2是80μm，短边的第1区域34a的长度d5是80μm。另外，在本实施方式中，长边的第1区域34a的长度d2与短边的第1区域34a的长度d5相同，但不限于此。该情况下，短边的第1区域34a的长度d5优选的是比长边的第1区域34a的长度d2大(d5>d2)。由此，能够使从长边伸出的凸部31a的伸出量与从短边伸出的凸部31a的伸出量均等。

此外，如图14的(b)所示，在第1焊料层30A的平面观察中，第1金属膜12的下侧的面的外缘处的第2区域34b的长度(图14的d1、d4)优选的是20μm以上200μm以下。

这样，通过将第2区域34b的长度设为200μm以下，当第1焊料层30A的焊料熔融而从多个第1区域34a向副装配件10的外侧伸出时，能够抑制从多个第1区域34a分别伸出的焊料(多个凸部31a)过度离散的情况。在伸出的焊料变得离散的情况下，伸出的部位的个数变少，各凸部31a的大小的差容易使伸出量的均等性破坏。由此，在伸出的焊料不过度离散的情况下，能够抑制被焊料30接合的副装配件10倾斜。此外，通过将第2区域34b的长度设为20μm以上，当第1焊料层30A的焊料熔融而从多个第1区域34a向副装配件10的外侧伸出时，能够抑制从多个第1区域34a分别伸出了的焊料接触而一体化的情况。即，能够抑制相邻的两个凸部31a彼此接触而一体化的情况。

作为一例，在矩形的副装配件10中，长边的第2区域34b的长度d1是60μm，短边的第2区域34b的长度d4是50μm。另外，在本实施方式中，长边的第2区域34b的长度d1与短边的第2区域34b的长度d4不同，但也可以相同。此外，在长边的第2区域34b的长度d1与短边的第2区域34b的长度d4不同的情况下，如本实施方式那样，优选的是长边的第2区域34b的长度d1比短边的第2区域34b的长度d5大。由此，能够使从长边伸出的凸部31a的伸出量与从短边伸出的凸部31a的伸出量均等。

此外，如图14的(b)所示，在第1焊料层30A的平面观察中，绝缘性部件11的外周端部处的开口部33的一端部以及与一端部相反侧的另一端部的长度(图14的d3、d6)优选的是20μm以上100μm以下。即，以从绝缘性部件11的外周端部朝向内侧后退的方式被切口的开口部33的后退量优选的是20μm以上100μm以下。

这样，通过将开口部33的后退量设为20μm以上，当第1焊料层30A的焊料熔融时，能够抑制熔融了的焊料从第2区域34b(不存在第1焊料层30A的区域)向副装配件10的外侧伸出的情况。此外，通过将开口部33的后退量设为100μm以下，在副装配件10(绝缘性部件11)的内侧区域中，能够抑制在副装配件10与基台3之间产生焊料变得不存在的部分(孔隙)。由此，由于能够抑制在焊料30中产生孔隙，所以能够抑制由半导体激光器20产生的热的散热性的下降。

作为一例，在矩形的副装配件10中，开口部33的从长边后退的后退量的长度d3是30μm，开口部33的从短边后退的后退量的长度d6是30μm。另外，在本实施方式中，长度d3与长度d6相同，但长度d3与长度d6也可以不同。

此外，如图14的(b)所示，优选的是，在矩形的副装配件10(绝缘性部件11)的外缘的1边中，该1边的中央部的第1区域34a的长度比距该1边的端部最近的部分的第1区域34a的长度短。

在将副装配件10与基台3及半导体激光器20接合时，对半导体激光器20的中央施加载荷。此时，若第1焊料层30A的1边上的多个第1区域34a的长度相同，第2区域34b是等间隔的，则距副装配件10的端部越近，从副装配件10伸出的焊料(凸部31a)的大小越小。因此，在第1焊料层30A的1边中，通过使位于中央部的第1区域34a的长度比位于距端部最近的部分的第1区域34a的长度短，能够使从副装配件10伸出的焊料(凸部31a)的大小均匀。由此，在副装配件10的1边中，能够使从副装配件10伸出的多个凸部31a的伸出量均匀。因而，能够抑制用焊料30接合的副装配件10的倾斜。

该情况下，优选的是，使第1焊料层30A的1边上的多个第1区域34a的长度随着从中央部接近于端部而逐渐变长。例如，在图14的(a)中，在第1焊料层30A的长边上存在5个第1区域34a，优选的是，使中央的第1区域34a的长度最短(例如40μm)，使两端的两个第1区域34a的长度最长(例如80μm)，将中央的第1区域34a与两端的第1区域34a之间的中间的两个第1区域34a的长度设为其中间的长度(例如60μm)。

另外，在本实施方式的带焊料副装配件10A中，将形成于第1焊料层30A的开口部33的形状(开口形状)设为三角形，但不限于此。

例如，也可以如图17所示的带焊料副装配件10B那样，形成于第1焊料层30A的开口部33的形状是半圆形。通过这样将开口部33的形状设为半圆形，能够使焊料的抗蚀剂的剥离变得容易。

此外，如图18所示的带焊料副装配件10C那样，形成于第1焊料层30A的开口部33的形状也可以是矩形。通过这样将开口部33的形状设为矩形，在如后述那样将带焊料集合副装配件分割而制作带焊料副装配件10A时，能够抑制与分割时的错位对应的开口宽度的变动，能够抑制带焊料副装配件的元件偏差。

另外，根据周期性地形成焊料30的多个凸部31a的观点，第1焊料层30A的开口部33的形状优选的是三角形。关于熔融了的第1焊料层30A的焊料向副装配件10的外侧伸出时的伸出难度，虽然依赖于开口部33的形状，但通过将开口部33的形状设为三角形，与开口部33的形状为半圆形及矩形的情况相比，抑制了熔融了的焊料将开口部33填埋而从第2区域34b从副装配件10的外侧伸出的情况。结果，能够稳定地形成周期性的凸部31a。

此外，第1焊料层30A的开口部33的位置也并不限于图14的(b)所示的位置。

例如，如图19所示的带焊料副装配件10D那样，第1焊料层30A的开口部33也可以仅形成于短边及长边中的长边。副装配件10由于容易在较短方向上倾斜，所以即使在短边上不形成凸部31a，也只要在长边上形成周期性的凸部31a，就能够抑制副装配件10的倾斜。

此外，如图20所示的带焊料副装配件10E那样，第1焊料层30A的开口部33也可以不形成在第1焊料层30A的角部。由于熔融了的第1焊料层30A的焊料从距中心最远的角部伸出，所以即使在第1焊料层30A的角部不形成开口部33，整体上也能够形成尺寸一致的多个凸部31a。进而，在将带焊料集合副装配件分割而制作带焊料副装配件10E的情况下，在第1焊料层30A的角部分不存在焊料能够使分割面的形状成为直线。

此外，如图21所示的带焊料副装配件10F那样，也可以构成为，在第1焊料层30A的多个角部，交替地存在形成有开口部33的角部和形成有开口部33的角部。通过该结构，在半导体激光器20被安装到相对于副装配件10的宽度方向的中心偏移了的位置的情况下，容易将第1区域34a配置在半导体激光器20的发光点的正下方，在该结构下，能够使由半导体激光器20产生的热的散热性提高。

另外，在图19～图21中，第1焊料层30A的开口部33没有左右对称或上下对称地形成，通过利用这些带焊料副装配件10F制作半导体激光器装置，能够抑制副装配件10的倾斜。

[带焊料集合副装配件]

关于上述的带焊料副装配件10A～10F，虽然也能够一个个单独地制作，但是还能够通过将1个带焊料集合副装配件分割为多个，来制作带焊料副装配件10A～10F。

以下，使用图22对这样的带焊料集合副装配件10X进行说明。图22是表示实施方式的带焊料集合副装配件10X的结构的图。在图22中，(a)是俯视图，(b)及(c)是侧视图，(d)是后视图。

带焊料集合副装配件10X是带焊料副装配件的集合体。通过将带焊料集合副装配件10X分割为多个，能够得到多个带焊料副装配件。

如图22所示，带焊料集合副装配件10X具备基板11X、第1金属膜12X、第2金属膜13X、阻挡膜14X、第1焊料层30X和第2焊料层40X。

在带焊料集合副装配件10X的上侧的面，形成有格状的槽50X。槽50X形成于基板11X。具体而言，槽50X以从基板11X的上表面朝向下表面陷入的方式形成。

基板11X是由绝缘性材料构成的绝缘基板。基板11X成为副装配件10的绝缘性部件11。因而，基板11X由与绝缘性部件11相同的材料构成。

第1金属膜12X配置在基板11X的下侧的面。第1金属膜12X跨格状的槽50X而形成在基板11X的下侧的面的整个面。第1金属膜12X由与副装配件10的第1金属膜12相同的材料构成。

第2金属膜13X配置在基板11X的上侧的面。在俯视中，第2金属膜13X按格状的槽50X的多个框的每个而形成。第2金属膜13X由与副装配件10的第2金属膜13相同的材料构成。

阻挡膜14X形成在各第2金属膜13X的上侧的面。在俯视中，阻挡膜14X按格状的槽50X的多个框的每个而形成。阻挡膜14X由与副装配件10的阻挡膜14相同的材料构成。

第1焊料层30X配置在基板11X的下侧。在本实施方式中，第1焊料层30X配置在第1金属膜12X的下侧的面。第1焊料层30X与第1金属膜12X同样，跨格状的槽50X而遍及第1金属膜12X的下侧的面的整面形成。第1焊料层30X由与带焊料副装配件10A的第1焊料层30A相同的材料构成。即，第1焊料层30X由与半导体激光器装置1的焊料30相同的材料构成。

第2焊料层40X配置在基板11X的上侧。在本实施方式中，第2焊料层40X配置在各阻挡膜14X的上侧的面。在俯视中，第2焊料层40X按格状的槽50X的多个框的每个而形成。第2焊料层40X由与带焊料副装配件10A的第2焊料层40A相同的材料构成。即，第2焊料层40X由与半导体激光器装置1的焊料40相同的材料构成。

在带焊料集合副装配件10X中，在第1焊料层30X中形成有多个开口部33X。多个开口部33X分别是不存在第1焊料层30X的区域。多个开口部33X形成在槽50X的正下方的位置。此外，多个开口部33X周期性地形成。因而，在槽50X的正下方的位置，具有不存在第1焊料层30X的区域周期性地存在的部分。具体而言，多个开口部33X对应于格状的槽50X地使缝纫线状的多个直线(虚线)正交而形成。另外，1个开口部33X的形状的一例是矩形。该情况下，多个开口部33X使相邻的两个开口部33X的矩形的角部彼此对置而排列。

通过在第1焊料层30X中形成开口部33X，第1金属膜12X从开口部33X露出。因而，在槽50X的正下方的位置，由于在第1焊料层30X中周期性地存在多个开口部33X，从而在第1金属膜12X的下侧的面，存在第1焊料层30X的区域和不存在第1焊料层30X的区域周期性地交替存在。

接着，一边参照图22，一边使用图23说明使用图22所示的带焊料集合副装配件10X制作带焊料副装配件10A的方法。图23是表示实施方式的带焊料副装配件10A的制造方法的流程图。

首先，在基板11X上形成格状的槽50X(步骤S21)。具体而言，如图22所示，以从基板11X的上表面朝向下表面陷入的方式形成槽50X。作为基板11X，能够使用金刚石基板、SiC基板或AlN基板。该情况下，通过激光加工、旋转刀具加工或蚀刻(湿式蚀刻、干式蚀刻)，能够在基板11X上形成格状的槽50X。另外，槽50X以连续的直线状形成，但也可以以虚线状形成。

接着，在基板11X上形成背面金属膜(步骤S22)。具体而言，如图22所示，在基板11X的下侧的面，作为背面金属膜而形成第1金属膜12X。作为一例，作为第1金属膜12X，通过蒸镀而形成T1/Pt/Au的3层的层叠膜。第1金属膜12X成为第1焊料层30X的焊料基底层。

接着，在背面金属膜上形成背面焊料(步骤S23)。具体而言，如图22所示，在作为背面金属膜的第1金属膜12X的下侧的面上，作为背面焊料而形成第1焊料层30X。此时，如图22所示，形成具有位于格状的槽50X的正下方的多个开口部33X的第1焊料层30X。

该情况下，例如，在第1金属膜12X的表面将背面抗蚀剂形成图案，通过蒸镀而形成AuSn焊料等焊料，然后，将背面抗蚀剂剥离。由此，能够形成具有多个开口部33X的第1焊料层30X。

接着，在基板11X上形成表面金属膜(步骤S24)。具体而言，如图22所示，在基板11X的上侧的面，作为表面金属膜而形成第2金属膜13X。作为一例，作为第2金属膜13X，通过蒸镀而形成T1/Pt/Au的3层的层叠膜。第2金属膜13X成为第2焊料层40X的焊料基底层。

接着，在表面金属膜上形成阻挡膜14X(步骤S25)。具体而言，如图22所示，在作为表面金属膜的第2金属膜13X的上侧的面形成阻挡膜14X。作为一例，将表面抗蚀剂形成图案，通过蒸镀形成铂膜，然后，将表面抗蚀剂剥离。由此，能够按格状的槽50X的每个框形成阻挡膜14X。

接着，在阻挡膜14X上形成表面焊料(步骤S26)。具体而言，如图22所示，在阻挡膜14X的上侧的面，作为表面焊料而形成第2焊料层40X。具体而言，以将阻挡膜14X覆盖的方式在基板11X的整面上将表面抗蚀剂形成图案，通过蒸镀而形成AuSn焊料等焊料，然后将表面抗蚀剂剥离。由此，能够按格状的槽50X的每个框形成第2焊料层40X。

通过以上，如图22所示，能够制作形成有槽50X的带焊料集合副装配件10X。

接着，将带焊料集合副装配件10X向膨胀片(expanded sheet)粘贴(步骤S27)。膨胀片是具有粘着性的伸缩性片。具体而言，在膨胀片之上配置带焊料集合副装配件10X。由此，通过膨胀片的粘着层将带焊料集合副装配件10X粘贴于膨胀片。

接着，挤压而断开带焊料集合副装配件10X的槽50X(步骤S28)。具体而言，从膨胀片的背面将槽50X挤压。由此，槽50X成为分割线而沿着槽50X将带焊料集合副装配件10X分割为多个。该情况下，例如，首先将长边侧的槽50X挤压，然后将短边侧的槽50X挤压。另外，优选的是，短边侧的承接台使用橡胶部件，长边侧的承接台使用不锈钢部件。

此外，此时，位于槽50X的正下方的多个开口部33X也被分割。具体而言，矩形状的开口部33X被分割为两个而成为三角形的开口部33。

这样，通过事先形成格状的槽50X(分割线)，能够容易地将具有多个开口部33X的第1焊料层30X分割。即，在想要不形成槽50X地将第1焊料层30X分割的情况下，有可能因第1焊料层30X中的焊料的柔软度的影响而仅基板11X分割，第1焊料层30X不被分割。相对于此，通过以与多个开口部33X对置的方式事先形成槽50X，通过将带焊料集合副装配件10X断开，能够容易地沿着槽50X将第1焊料层30X分割。

另外，槽50X的深度优选为基板11X的厚度的1/4以上3/4以下。如果槽50X的深度小于基板11X的厚度的1/4，则有可能无法将带焊料集合副装配件10X良好地分割。另一方面，如果槽50X的深度超过基板11X的厚度的3/4，则在带焊料集合副装配件10X的处理时带焊料集合副装配件10X有可能破裂。即，带焊料集合副装配件10X的操作性下降。在本实施方式中，槽50X的深度设为基板11X的厚度的1/2左右。

接着，使膨胀片膨胀而分离为各个带焊料副装配件10A(步骤S29)。由此，沿着槽50X而被分割的带焊料集合副装配件10X被分离为多个带焊料副装配件10A。

另外，即使在带焊料集合副装配件10X的断开时在第1焊料层30X中存在没有被分割的部位，通过使粘贴着带焊料集合副装配件10X的膨胀片膨胀，也能够将在断开时没有被分割的部位分割。由此，能够抑制应分离的带焊料副装配件10A不分离而残留的情况(所谓的双体的发生)。

接着，将带焊料副装配件10A拾取(pick up)(步骤S30)。例如，通过将在膨胀片上被分离为多个的带焊料副装配件10A一个个地从膨胀片的背侧用顶起针顶起，将带焊料副装配件10A拾取。

通过以上，能够得到图24所示的带焊料副装配件10A。具体而言，能够得到具有与槽50X对应的阶差部50的带焊料副装配件10A。即，带焊料集合副装配件10X的槽50X被分断为两个，作为阶差部50而残留在带焊料副装配件10A的侧面。

这里，参照图22对带焊料集合副装配件10X中的第1焊料层30X的优选形态进行说明。

首先，如图22的(d)所示，在槽50X的较长方向的中央部的正下方的位置，沿着槽50X的较长方向而存在第1焊料层30X的区域的长度(图22的D2、D5)优选的是200μm以下。即，在槽50X的正下方的位置，第1焊料层30X的相邻的两个开口部33X间的距离优选的是200μm以下。

在带焊料集合副装配件10X的计划分割部位(格状的槽50X)的正下方的位置，如果相邻的两个开口部33X的距离过长，则较多地存在第1焊料层30X，在使膨胀片膨胀时难以将第1焊料层30X分离，通过将相邻的两个开口部33X的距离设为200μm以下，能够容易地沿着多个开口部33X将第1焊料层30X分割。

另外，在第1焊料层30X中，优选的是，长边侧的相邻的两个开口部33X的距离D2比短边侧的相邻的两个开口部33X的距离52大(D2>D5)。由此，能够有效地抑制容易在较短方向上倾斜的副装配件10的倾斜。此外，考虑到分割后的副装配件的使用形态，D2及D5优选为20μm以上200μm以下。

此外，如图22的(d)所示，在槽50X的较长方向的中央部的正下方的位置，沿着槽50X的较长方向而不存在第1焊料层30X的区域的长度(图22的D1、D4)优选的是20μm以上。即，在槽50X的正下方的位置，沿着槽50X的开口部33X的长度优选的是20μm以上。

由此，在将带焊料集合副装配件10X分割时成为分割阻碍因素的第1焊料层30X的存在区域减少，所以能够容易地将第1焊料层30X分割。此外，考虑到分割后的副装配件的使用形态，D1及D4优选为20μm以上200μm以下。

此外，如图22的(d)所示，在槽50X的较长方向上，槽50X的中心线与不存在第1焊料层30X的区域的端部之间的距离(图22的D6)优选的是20μm以上。即，在槽50X的正下方的位置，槽50X的中心线与开口部33X的端部之间的距离优选的是20μm以上。

在通过物理应力将带焊料集合副装配件10X分割时，分割面并不一定相对于分割主面垂直，有分割面偏移的情况。此时，在从槽50X的剩余厚度到基板11X的表面的距离是100μm左右的情况下，分割面的偏移距槽50X的中心线小于20μm。因此，通过将槽50X的中心线与开口部33X的端部之间的距离D6设为20μm以上，到从槽50X的中心线离开了20μm以上的部位为止存在开口部33X。由此，分割面的端部与开口部33X重叠，所以在使膨胀片膨胀时能够抑制第1焊料层30X不被分离的情况(发生所谓的双体)。如果该距离D6过大，则在上表面上安装半导体激光器的空间变少。由此，例如该距离D6优选的是200μm以下。此外，考虑到分割后的副装配件的使用形态，D6优选的是作为d3及d6的倍数的40μm以上200μm以下。

另外，在图22所示的带焊料集合副装配件10X中，多个开口部33X没有形成在第1焊料层30X的外周端部，但不限于此。例如，也可以如图25所示的变形例1的带焊料集合副装配件10Y那样，多个开口部33X以位于格状的槽50X的正下方的方式非连续地形成，并且沿着第1焊料层30X的外周端部非连续地形成。该情况下，位于第1焊料层30X的外周端部处的多个开口部33X分别以将第1焊料层30X的外周端部切口的方式形成。图25是表示变形例1的带焊料集合副装配件10Y的结构的图。在图25中，(a)是俯视图，(b)及(c)是侧视图，(d)是后视图。

关于图25所示的带焊料集合副装配件10Y，也能够与图22所示的带焊料集合副装配件10X同样地制作。例如，能够通过照射激光等方式形成基板11X的槽50X。

此外，关于图25所示的带焊料集合副装配件10Y，也能够通过施加物理应力进行断开而沿着格状的槽50X将带焊料集合副装配件10Y分割为多个，然后通过膨胀片的膨胀而分离为各个带焊料副装配件10A。

此时，在使用图25所示的带焊料集合副装配件10Y的情况下，如图26所示，不仅能得到在宽度方向的两端部形成有阶差部50的带焊料副装配件10A，还能够得到仅在宽度方向的两端部的一方形成有阶差部50的带焊料副装配件10A。即，还能制作左右非对称的带焊料副装配件10A。

这样，在将上述的图22的带焊料集合副装配件10X分割而制作了多个带焊料副装配件10A的情况下，虽然成为分割线的槽50X不是形成在基板11X的端部而是形成在从端部进入到内侧的部位从而发生分割损失，但是所制作的多个带焊料副装配件10A是左右对称的。

另一方面，在将图25的带焊料集合副装配件10Y分割而制作了多个带焊料副装配件10A的情况下，虽然成为分割线的槽50X不是形成在基板11X的端部从而不发生分割损失，但是在所制作的多个带焊料副装配件10A中混杂有左右非对称的结构。

此外，在图22所示的带焊料集合副装配件10X中，通过形成分割用的槽50X而制作了多个带焊料副装配件10A，但不限于此。即，也可以不在基板11X上形成槽50X而将带焊料集合副装配件分割为多个。例如，如果基板11X是SiC基板或AlN基板，则即使在基板11X上没有形成槽50X，也能够将带焊料集合副装配件分割为多个。

该情况下，通过图27所示的方法，能够将带焊料集合副装配件分割为多个。图27是表示带焊料副装配件的制造方法的变形例的流程图。

首先，在基板11X上形成背面金属膜(步骤S31)。具体而言，与图23的步骤S22同样，在基板11X的下侧的面，作为背面金属膜而形成第1金属膜12X。

接着，在背面金属膜上形成背面焊料(步骤S32)。具体而言，与图23的步骤S23同样，在作为背面金属膜的第1金属膜12X的下侧的面上作为背面焊料而形成第1焊料层30X。此时，形成具有格状的多个开口部33X的第1焊料层30X。

接着，在基板11X上形成表面金属膜(步骤S33)。具体而言，与图23的步骤S24同样，在基板11X的上侧的面上作为表面金属膜而形成第2金属膜13X。

接着，在表面金属膜上形成阻挡膜14X(步骤S34)。具体而言，与图23的步骤25同样，在作为表面金属膜的第2金属膜13X的上侧的面上形成阻挡膜14X。

接着，在阻挡膜14X上形成表面焊料(步骤S35)。具体而言，与图23的步骤26同样，在阻挡膜14X的上侧的面上作为表面焊料而形成第2焊料层40X。

通过以上，能够制作没有形成槽50X的带焊料集合副装配件。

接着，将带焊料集合副装配件粘贴到膨胀片上(步骤S36)。具体而言，与图23的步骤S27同样，在膨胀片之上配置带焊料集合副装配件。

接着，将带焊料集合副装配件切割(步骤S37)。具体而言，从膨胀片的背面将带焊料集合副装配件切割。此时，沿着被形成为框状的多个开口部33X将带焊料集合副装配件切割。由此，带焊料集合副装配件被分割为多个带焊料副装配件。

接着，使膨胀片膨胀而分离为各个带焊料副装配件(步骤S38)。具体而言，与图23的步骤39同样，使膨胀片膨胀。

接着，将带焊料副装配件拾取(步骤S39)。具体而言，与图23的步骤30同样，将带焊料副装配件拾取。

通过以上，能得到多个带焊料副装配件。这样得到的带焊料副装配件由于在带焊料集合副装配件上没有形成槽50X，所以没有形成与槽50X对应的阶差部。

此外，作为其他变形例，也可以使用图28所示的带焊料集合副装配件10Z制作多个带焊料副装配件10A。图28是表示变形例2的带焊料集合副装配件10Z的结构的图。在图28中，(a)是俯视图，(b)及(c)是侧视图，(d)是后视图，(e)是(d)的e－e线的剖视图。

在图28所示的带焊料集合副装配件10Z中，在基板11X上不形成槽50X，代替槽50X而在基板11X的内部形成了格状的变质部50Z。

该情况下，例如，作为基板11X而使用金刚石基板，对基板11X以格状照射激光，从而能够在基板11X的内部形成格状的变质部50Z。在对基板11X照射激光的情况下，金刚石因激光而熔融，基板11X的内部变质为由导电性碳构成的变质部50Z。

关于这样得到的带焊料集合副装配件10Z，也通过施加物理应力而断开从而沿着格状的变质部50Z将带焊料集合副装配件10Z分离为多个，然后，由膨胀片进行膨胀，从而能够分离为各个带焊料副装配件10A。此时，如图29所示，制作出在绝缘性部件11(基板11X)的侧面存在变质部50Z的带焊料副装配件10A。

另外，作为其他变形例，也可以使用图30所示的带焊料集合副装配件10P。图30是表示变形例3的带焊料集合副装配件10P的结构的图。在图30中，(a)是后视图，(b)是(a)的b－b线的剖视图。

在图30所示的带焊料集合副装配件10P中，在位于格状的槽50X的正下方的格状的多个开口部33X的框的各自的中央部(即不对分割做出贡献的部位)，还形成有露出了第1金属膜12X的开口部33P。即，在分割后，在成为带焊料副装配件10A的绝缘性部件11的中央部，有不存在第1焊料层30X的区域。

这样，通过在格状的槽50X的正下方以外的部位另外形成开口部33P，能够使膨胀片与带焊料集合副装配件10P的接触面积减小，所以能够容易地将带焊料副装配件10A拾取。即，能够容易地将膨胀片上的带焊料副装配件10A通过顶起针顶起，能够使拾取性提高。并且，开口部33P由于形成在不与成为分割线的槽50X相交的部位，所以开口部33P不会对带焊料集合副装配件10P的分割带来影响。另外，通过形成多个开口部33P，能够使膨胀片与带焊料集合副装配件10P的接触面积进一步减小，所以能够使拾取性进一步提高。进而，开口中的露出部是对于焊料的浸润性高的第1金属膜12X，从而能够使安装时的焊料的扩展良好。

此外，也可以使用图31所示的带焊料集合副装配件10Q。图31是表示变形例4的带焊料集合副装配件10Q的结构的图。在图31中，(a)是后视图，(b)是(a)的b－b线的剖视图。

在图31所示的带焊料集合副装配件10Q中，在由露出了多个第1金属膜12X的开口部33X构成的各个格状的框(即不对分割做出贡献的部位)，形成有1条或多条与副装配件10的较长方向平行的带状的开口部33Q。

通过该结构，在通过使粘贴着带焊料集合副装配件10Q的膨胀片膨胀而分离为多个带焊料副装配件10A时，能够提高由膨胀带来的分离性。进而，还能够使膨胀片与带焊料集合副装配件10Q的接触面积减小，所以还能够容易地拾取带焊料副装配件10A。

[半导体激光器装置的检查方法]

接着，参照图1～图4对图1及图2所示的半导体激光器装置1的检查方法进行说明。

如上述那样，通过向管座的基台3设置带焊料副装配件10A和半导体激光器20并进行加热，能够将副装配件10和基台3用焊料30接合。此时，通过测定焊料30的多个凸部31a的状态，能够评价副装配件10的倾斜(平行性)。

具体而言，通过使用相机的借助图像识别的外观检查，测定焊料30的多个凸部31a的数量、位置、尺寸及/或形状等，对均匀性进行评价，从而能够评价副装配件10的倾斜。例如，在副装配件10的一对长边或一对短边中凸部31a的数量相同的情况下，能够判断为左右或上下的焊料30的状态均匀，能够评价为副装配件10没有倾斜。另外，能够根据副装配件10的倾斜程度进行半导体激光器装置1的拣选。

另外，半导体激光器装置1的检查方法能够作为上述的半导体激光器装置1的制造方法中的检查工序来实现。此外，半导体激光器装置1的检查方法还能够作为半导体激光器装置1的评价方法来实现。

(变形例)

以上，基于实施方式对本公开的半导体激光器装置等进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式。

例如，在上述实施方式中，半导体激光器20、副装配件10与基台3的接合同时进行，但不限于此。例如，也可以将半导体激光器20预先安装于副装配件10，将安装有半导体激光器20的副装配件10设置于基台3，进行加热将第1焊料层30a熔融从而将副装配件10和基台3用焊料30接合。

另外，除此以外，通过对上述实施方式施以本领域技术人员想到的各种变形而得到的形态或在不脱离本公开的主旨的范围内将各实施方式1及2中的构成要素及功能任意组合而实现的形态也包含在本公开中。

工业实用性

本公开的半导体激光器装置，作为投影仪等图像显示装置、车载用头灯等汽车用零件、聚光灯等照明器具、或者激光加工装置等工业用设备等各种各样的领域的制品的光源是有用的。

标号说明

1、1A 半导体激光器装置

2 底座

3 基台

4 引脚

5 帽

6 绝缘部件

7 金线

8 玻璃板

9 粘接剂

10 副装配件

10a 副装配件区域

10A、10B、10C、10D、10E、10F 带焊料副装配件

10X、10Y、10Z、10P、10Q 带焊料集合副装配件

11 绝缘性部件

11X 基板

12、12X 第1金属膜

13、13X 第2金属膜

14、14X 阻挡膜

20 半导体激光器

30 焊料

30A、30X 第1焊料层

31 伸出区域

31a 凸部

31b 外周部

32 非伸出区域

33、33X、33P、33Q 开口部

34a 第1区域

34b 第2区域

40 焊料

40A、40X 第2焊料层

50 阶差部

50X 槽

50Z 变质部

Claims (23)

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，

具备：

基台；

副装配件，经由焊料而与上述基台接合；以及

半导体激光器，被安装到上述副装配件；

将从安装有上述半导体激光器的一侧观察上述副装配件时设为俯视；

在上述俯视中，

上述焊料具有多个凸部；

上述多个凸部分别形成在上述副装配件的外侧的上述基台上，并且，向与上述副装配件的内部相反的方向突出并周期性地存在。

2.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在上述俯视中，上述副装配件与上述多个凸部之间的边界周期性地存在。

3.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

上述焊料具有从上述副装配件的外缘伸出的外周部；

上述多个凸部从上述外周部向与上述副装配件的内部相反的方向突出。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在上述俯视中，上述多个凸部的至少一个位于上述半导体激光器的光轴上。

5.如权利要求1、2、4中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在上述俯视中，上述副装配件与上述多个凸部中的一个之间的边界的长度是20μm以上200μm以下。

6.如权利要求1、2、4、5中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在上述俯视中，在上述焊料中，不从上述副装配件的外缘伸出从而该焊料的外缘与上述副装配件的外缘一致的部分的长度是200μm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

上述副装配件的俯视形状是矩形；

设上述矩形的一边的上述多个凸部的个数为n，设上述多个凸部各自的从上述副装配件的外缘的伸出量为Di时，其中i是整数，1≤i≤n；

在上述矩形的一边，Di的标准偏差是Di的平均值的50％以下。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

上述副装配件的俯视形状是长方形；

设上述长方形的长边的上述多个凸部的个数为m；

设在相对于上述半导体激光器的激光的射出方向靠右侧的长边中上述多个凸部各自的从上述副装配件的外缘的伸出量为DRi，其中i是整数，1≤i≤m；

设在相对于上述半导体激光器的激光的射出方向靠左侧的长边中上述多个凸部各自的从上述副装配件的外缘的伸出量为DLi时，其中i是整数，1≤i≤m；

满足1/3≤DRi的平均值/DLi的平均值≤3的关系。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，

上述副装配件的俯视形状是矩形；

设上述矩形的一边的上述多个凸部的个数为n，设上述多个凸部的间隔为Pi时，其中i是整数，1≤i≤n－1；

Pi的标准偏差是Pi的平均值的20％以下。

10.如权利要求9所述的半导体激光器装置，其特征在于，

上述副装配件的俯视形状是矩形；

在上述矩形的一边，上述多个凸部的间隔包括由标准偏差为10％以内的第1间隔构成的群和由标准偏差为10％以内的第2间隔构成的群；

上述第2间隔是第1间隔的1.5倍以下。

11.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在上述矩形的一边，上述多个凸部的间隔还包括由为与上述第1间隔及上述第2间隔不同的间隔且标准偏差为10％以内的第3间隔构成的群；

上述第3间隔是上述第1间隔的2倍以下。

12.一种带焊料副装配件，设置于基台，其特征在于，

具备：

绝缘性部件；

金属膜；以及

焊料层；

设在上述基台上设置有上述带焊料副装配件时成为上述基台侧的方向为下侧，设成为与上述基台侧相反侧的方向为上侧；

上述金属膜配置在上述绝缘性部件的下侧的面；

上述焊料层配置在上述金属膜的下侧的面；

在上述金属膜的下侧的面的外缘，具有存在上述焊料层的第1区域和不存在上述焊料层的第2区域交替地存在的部分。

13.如权利要求12所述的带焊料副装配件，其特征在于，

上述绝缘性部件的下侧的面的宽度大于上述绝缘性部件的上侧的面的宽度。

14.如权利要求12所述的带焊料副装配件，其特征在于，

在上述绝缘性部件的侧面存在变质部。

15.如权利要求12～14中任一项所述的带焊料副装配件，其特征在于，

在上述焊料层的平面观察中，上述金属膜的下侧的面的外缘处的上述第1区域的长度分别是20μm以上200μm以下。

16.如权利要求12～15中任一项所述的带焊料副装配件，其特征在于，

在上述焊料层的平面观察中，上述金属膜的下侧的面的外缘处的上述第2区域各自的长度是20μm以上200μm以下。

17.如权利要求12～16中任一项所述的带焊料副装配件，其特征在于，

在上述焊料层的外周端部，形成有开口部；

在上述焊料层的平面观察中，上述开口部以从上述绝缘性部件的外周端部朝向内侧后退的方式被进行了切口；

上述开口部处的上述金属膜的下侧的面的外缘是上述第2区域；

在上述焊料层的平面观察中，上述绝缘性部件的外周端部的上述开口部的一端部和与上述一端部相反侧的另一端部的长度是20μm以上100μm以下。

18.如权利要求12～17中任一项所述的带焊料副装配件，其特征在于，

在上述绝缘性部件的外缘的一边，该一边的中央部的上述第1区域的长度小于距该一边的端部最近的部分的上述第1区域的长度。

19.一种带焊料集合副装配件，是设置于基台的带焊料副装配件的集合体，其特征在于，

具备：

基板；

金属膜；以及

焊料层；

设上述基台侧为下侧，设上述基台侧的相反侧为上侧；

上述金属膜配置在上述基板的下侧的面；

上述焊料层配置在上述金属膜的下侧的面；

在上述带焊料集合副装配件的上侧的面形成有格状的槽，或者，在上述基板的内部形成有格状的变质部；

在上述槽或上述变质部的正下方的位置，具有不存在上述焊料层的区域周期性地存在的部分。

20.如权利要求19所述的带焊料集合副装配件，其特征在于，

在上述槽或上述变质部的较长方向的中央部的正下方的位置，沿着上述较长方向而存在上述焊料层的区域的长度是200μm以下。

21.如权利要求19或20所述的带焊料集合副装配件，其特征在于，

在上述槽或上述变质部的较长方向的中央部的正下方的位置，沿着上述较长方向而不存在上述焊料层的区域的长度是20μm以上200μm以下。

22.如权利要求19～21中任一项所述的带焊料集合副装配件，其特征在于，

在上述槽或上述变质部的较长方向上，上述槽或上述变质部的中心线与不存在上述焊料层的区域的端部之间的距离是20μm以上200μm以下。

23.一种半导体激光器装置的检查方法，其特征在于，

上述半导体激光器装置具备：

基台；

副装配件，经由焊料而与上述基台接合；以及

半导体激光器，安装于上述副装配件；

将从安装有上述半导体激光器的一侧观察上述副装配件时设为俯视；

在上述俯视中，

上述焊料具有从上述副装配件的外缘伸出的伸出区域；

上述伸出区域具有分别朝向外侧突出的多个凸部；

上述半导体激光器装置的检查方法中，通过测定上述多个凸部的状态来评价上述副装配件的倾斜。