CN104040809A - 半导体激光器装置以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。

Description

半导体激光器装置以及其制造方法
技术领域
本发明涉及产业用途的领域中在焊接、接合以及切断等中作为光源使用的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。
背景技术
近年来，半导体激光器装置的高输出化的进展显著，半导体激光器装置作为产业用途的领域中在焊接、接合以及切断等的加工使用的设备的光源备受期待。
半导体激光器装置由于小型且高效率，能通过半导体晶片同时生产众多元件，因此适于数十W级的小型光源。作为这样的数十W级的高输出激光器的光源，使用阵列型半导体激光器装置或组合多个单体型半导体激光器装置的构成。阵列型半导体激光器装置在1个芯片内具有相邻的多个活性区域，具有与芯片的端面相邻的被称作发射器的多个发光点。单体型半导体激光器装置具有1个发射器。
进而，从半导体激光器装置射出的激光由于能聚光在数微米程度，因此聚光性良好。由此，能使光能集中在极微小的区域，最适于局部的加工。
但是，由于这些半导体激光器装置以10W程度到数十W级的光输出进行动作，因此与在光盘等中使用的数百mW级输出的激光器相比，动作电流非常大，在活性区域的发热量也非常大。因此，这些半导体激光器装置为了保证高输出、且确保用于长寿命下进行动作的高的可靠性，将在活性区域产生的热迅速散到外部、抑制活性区域的动作温度的上升非常重要。
为此，如专利文献1～3那样，提出促进芯片的散热这样的构造的半导体激光器装置。使用图15来说明专利文献3记载的现有的半导体激光器装置。
图15是现有的半导体激光器装置100的立体图。
如图15所示，现有的半导体激光器装置100隔着焊料层102将半导体激光器元件101安装在散热器103上，如此形成。现有的半导体激光器装置100从与图15中的近前的面对应的半导体激光器元件101的激光器射出面射出激光104。现有的半导体激光器装置100使半导体激光器元件101的激光器射出面位于与散热器103的侧面同一面上地用焊料层102接合。
通过如此构成，射出的激光104不会被散热器103遮挡，且半导体激光器元件101的热能通过散热器103充分散热。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开平1-281786号公报
专利文献2：JP特开2008-311491号公报
专利文献3：JP特开2010-40933号公报
发明的概要
但是，现有的半导体激光器装置在连结半导体激光器元件101和散热器103时，有焊料层102从半导体激光器元件101的激光器射出面向激光104的射出方向突出的情况。这样的焊料层102的突出会妨碍激光104的行进。由此，变得不能充分取出激光104。
另外，若为了防止焊料层102的突出而使焊料层102的端部从半导体激光器元件101的激光器射出面后退地设置，则不能使成为最高温的激光器射出面的热充分散热到散热器103。
另外，半导体激光器元件101的激光器射出面易于因被称作COD(Catastrophic Optical Damage，光学灾变损伤)的光学性破坏损伤而破损。所谓COD是指由半导体激光器元件101自身出射的激光破坏半导体激光器元件101的激光出射面自身的情况。特别地，因来自与半导体激光器元件101的激光器射出面对置而设的光学部件(未图示)的返回光而产生一般称作光丝效应(filamentation effect)的现象，由此激光密度突然变高。在该状态下，在未进行充分的散热的情况下，有时会损坏半导体激光器元件101。
发明内容
本发明为了解决该课题而提出，提供能确保特性的稳定性、均匀性以及高可靠性的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。
本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件射出激光的发射器端面部之上到达散热部件的侧面之上。
本发明的半导体激光器装置的制造方法具有在导电性的散热部件隔着导电性的第1粘合剂搭载半导体激光器元件的工序。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面之上。
由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。
根据本发明，能实现能确保特性的稳定性、均匀性以及高可靠性的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的半导体激光器装置的俯视图。
图2是实施方式1所涉及的半导体激光器装置，是图1的2-2线的截面图。
图3是实施方式1所涉及的半导体激光器装置，是图1的3-3线的截面图。
图4是实施方式1所涉及的半导体激光器装置的截面图，是图2的点线部分的放大图。
图5是实施方式1所涉及的半导体激光器装置的截面图，是图3的点线部分的放大图。
图6是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的激光器射出面的截面图。
图7是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的激光器射出面的变形例1的截面图。
图8是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的激光器射出面的变形例2的截面图。
图9是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的激光器射出面的变形例3的截面图。
图10是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的激光器射出面的变形例4的截面图。
图11是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的制造方法的截面图。
图12是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的制造方法的截面图。
图13是说明实施方式1所涉及的半导体激光器装置的制造方法的截面图。
图14是实施方式2所涉及的半导体激光器装置的截面图。
图15是现有的半导体激光器装置的立体图。
具体实施方式
以下参考附图来说明本发明的实施方式。另外，对相同的构成要素赋予相同的标号，有时会省略说明。另外，附图为了易于理解而主体性、示意地示出各个构成要素。
(实施方式1)
图1是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的俯视图。图2是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10，是图1的2-2线的截面图。图3是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10，是图1的3-3线的截面图。图4是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的截面图，是图2的点线部分的放大图。图5是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的截面图，是图3的点线部分的放大图。
如图1～3所示，本实施方式的半导体激光器装置10具有：半导体激光器元件11；作为导电性的第1粘合剂的焊料层12；和作为导电性的第1散热部件的副底座13。进而，本实施方式的半导体激光器装置10具有：作为导电性的第2粘合剂的焊料层14；作为导电性的第2散热部件的散热器15；导电性的粘结板16；和绝缘性的粘合带17。半导体激光器元件11的图1、2中的右侧侧面是激光器射出面，从激光器射出面向右侧射出激光。
焊料层12的材料是以金锡(AuSn)为主成分的焊料，焊料层12的厚度为2～5μm。半导体激光器元件11通过焊料层12粘合到副底座13。焊料层12通过蒸镀或镀敷形成在副底座13上，半导体激光器元件11与形成在副底座13上的焊料层12粘合。
焊料层12与半导体激光器元件11的全部底面相接地形成即可。如图1～3所示，优选焊料层12从半导体激光器元件11的激光器射出面以外的侧面超出。由此，能使焊料层12形成在半导体激光器元件11的全部底面。另外，焊料层12形成在副底座13的全部上表面也没关系。
副底座13的材料主要是铜钨(CuW)，副底座13的厚度为约300μm。作为副底座13的材料，也可以使用氮化铝(AlN)等。
焊料层14的材料是以锡银(SnAg)为主成分的焊料，焊料层14的厚度为约20μm。副底座13通过焊料层14粘合在散热器15。焊料层14将箔状物形成在散热器15上，副底座13与形成在散热器15上的焊料层14粘合。能在以该焊料层14的厚度缓和了散热器15的表面的凹凸的状态下将副底座13搭载在散热器15。由此，能进一步提升从副底座13向散热器15的散热。
在本实施方式中，在射出激光一侧，副底座13的侧面和散热器15的侧面位于大致同一平面。但是，只要是不妨碍来自半导体激光器元件11的激光的状态，则也可以使副底座13的侧面位于散热器15的侧面的内侧(未图示)。另外，只要使确保向散热器15的散热的状态，则也可以使副底座13的侧面比散热器15的侧面更突出(未图示)。
焊料层14形成在副底座13与散热器15重合的全部区域即可。这是因为，比起从半导体激光器元件11向副底座13的散热给半导体激光器元件11带来的影响，从副底座13向散热器15的散热给半导体激光器元件11带来的影响更小。如图1～3所示，优选焊料层14从半导体激光器元件11的激光器射出面以外的侧面超出。由此，能使从副底座13向散热器15的散热变得可靠。
粘合带17的材料是聚酰亚胺。粘结板16通过粘合带17粘合在散热器15。粘合带17只要是绝缘性的材料即可，并不限于带状态，材料也并不限于聚酰亚胺。另外，粘合带17只要粘合粘结板16和散热器15即可，没有形成在粘结板16的全部底面也没关系。
粘结板16的材料为铜。粘结板16通过金线与半导体激光器元件11的上表面连接(未图示)。粘结板16的平面形状如图1为“コ”字形状，包围半导体激光器元件11地配置。由此，能使连接半导体激光器元件11和粘结板16的金线较多。但是，粘结板16的平面形状并不限于“コ”字形状，另外，粘结板16的材料只要是导电性的材料即可，不限于铜。
另外，粘结板16和散热器15通过粘合带而绝缘。能经由粘结板16对半导体激光器元件11的上表面施加第1电压。能一起地经由散热器15以及副底座13对半导体激光器元件11的下表面施加与第1电压不同的第2电压。由此，能使半导体激光器元件11发光。
接下来，使用图4以及图5来说明半导体激光器元件11的构造。图4是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的截面图，是图2的点线部分的放大图。图5是本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的截面图，是图3的点线部分的放大图。
如图4、5所示，本实施方式的半导体激光器元件11具有：n型的半导体基板21、电流狭窄层22、电流传输窗层23、激光器射出发射器24、活性层25、p型的半导体层26、p电极27、n电极28、反射防止膜29。p电极27形成在p型的半导体层26上，n电极28形成在n型的半导体基板21上。反射防止膜29形成在半导体激光器元件11的射出激光一侧的侧面。
作为反射防止膜29的材料，而使用氧化铝(AlO)、硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)等。另外，反射防止膜29由于妨害焊料层12的紧贴性，因此优选不绕到p电极27地形成。
激光向图4的右侧所示的箭头方向射出。另外，电流流向图5所示的箭头的方向。
图6是说明本实施方式所涉及的半导体激光器装置10射出激光的侧面的截面图。
如图6所示，半导体激光器元件11射出激光的侧面、和副底座13的侧面位于大致同一平面。进而，焊料层12在射出激光的侧面充满半导体激光器元件11与副底座13间，并进一步到达副底座13的侧面。
半导体激光器元件11的激光器射出面在射出激光时为高温，易于使半导体激光器元件11破损。但是，通过设为本实施方式的构造，通过使焊料层12充满到半导体激光器元件11的底面的激光射出侧的端部，能确保充分的散热性。进而，通过使焊料层12到达副底座13的侧面，能进一步增加与副底座13的接触面积，提高散热性。另外，通过将焊料层12引导到副底座13的侧面，不会妨碍从半导体激光器元件11射出的激光。
(变形例1)
图7是说明本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的射出激光的侧面的变形例1的截面图。
如图7所示，半导体激光器元件11的射出激光的侧面，位于副底座13的侧面的内侧。即，半导体激光器元件11的射出激光的侧面位于比副底座13的侧面更靠副底座13的中心的位置。由此，在射出激光的侧面，能更确实地充满半导体激光器元件11与副底座13间地形成焊料层12，能提升散热性。
半导体激光器元件11的射出激光的侧面、与副底座13的侧面的俯视观察下的距离优选为5μm以下。由此，能防止从半导体激光器元件11射出的激光被焊料层12妨碍。
(变形例2)
图8是说明本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的射出激光的侧面的变形例2的截面图。
如图8所示，半导体激光器元件11的射出激光的侧面位于副底座13的侧面的外侧。即，半导体激光器元件11的射出激光的侧面位于比副底座13的侧面更靠远离副底座13的中心的位置。由此，能确实地防止从半导体激光器元件11射出的激光被焊料层12妨碍。
半导体激光器元件11的射出激光的侧面、与副底座13的侧面的俯视观察下的距离优选为10μm以下，更优选为5μm以下。由此，还能充分确保从半导体激光器元件11向副底座13的散热。
(变形例3)
图9是说明本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的射出激光的侧面的变形例3的截面图。
如图9所示，焊料层12形成在副底座13的侧面整体。由此，能使焊料层12确实地到达副底座13地将其形成，能确实地充满半导体激光器元件11与副底座13间。
(变形例4)
图10是说明本实施方式所涉及的半导体激光器装置10的射出激光的侧面的变形例4的截面图。
如图10所示，副底座13的上表面，半导体激光器元件11的射出激光的面一侧的端部倾斜。由此，能更确实地防止从半导体激光器元件11射出的激光被焊料层12妨碍。进而，在射出激光的侧面，能更确实地充满半导体激光器元件11与副底座13间地形成焊料层12，能提升散热性。
另外，在本变形例中，副底座13的端部的截面形状是呈圆弧样地倾斜，但也可以是斜方向的直线。
如图6～10所示，为了使焊料层12到达副底座13的侧面地形成，更优选在副底座13的侧面被覆焊料层12的润湿性(亲和性)高的焊料层引导膜(未图示)。由此，焊料层12被引导到副底座13，能更确实地防止焊料层12妨碍来自半导体激光器元件11的激光。
另外，如图6～10所示，在半导体激光器元件11的射出激光的面形成的反射防止膜29优选是对焊料层12亲和性低的材料。由此，能防止焊料层12绕到半导体激光器元件11的射出激光的面，能更确实地防止焊料层12妨碍来自半导体激光器元件11的激光。
另外，在图6～8中，焊料层12仅形成在副底座13的侧面的上部，但焊料层12形成在副底座13的侧面整体也没关系。此时，在副底座13的侧面的上部的焊料层12的厚度，大于副底座13的侧面的上部以外的焊料层12的厚度。
另外，在图9和图10中，如图7和图8那样设为使半导体激光器元件11的激光器射出面与副底座13的激光射出侧的侧面偏离的关系也可以。
接下来使用图11～13来说明本实施方式的半导体激光器装置的制造方法。
(制造方法)
图11～13是表示本实施方式的半导体激光器装置的制造方法的截面图。
如图11所示，在副底座13上形成焊料层12。此时，在副底座13的上表面以及侧面用蒸镀或镀敷来形成焊料层12。并不一定非要在副底座13的侧面整面地形成，至少在上部形成即可。另外，副底座13的上表面的焊料层12的厚度为约2μm，副底座13的侧面的焊料层12的厚度更小。另外，焊料层12在搭载了半导体激光器元件11之后，以全部充满半导体激光器元件11与副底座13间的量形成。
接下来，如图12所示，使半导体激光器元件11的射出激光的侧面、和副底座13的侧面位于大致同一平面地，将半导体激光器元件11搭载在副底座13。此时，焊料层12在半导体激光器元件11的射出激光的侧面到达副底座13的侧面。这是因为，被引导到副底座13的侧面的至少上部形成的焊料层12。另外，焊料层12在半导体激光器元件11的射出激光的侧面以外的侧面，也从半导体激光器元件11超出。
由此，能提高从半导体激光器元件11向副底座13的散热性，还能防止焊料层12妨碍来自半导体激光器元件11。
另外，作为在副底座13搭载半导体激光器元件11的位置，如图7和图8所示那样搭载也没关系。通过各个搭载位置，能分别达成图7、图8中说明的效果。
另外，在副底座13形成焊料层12的工序中，还在副底座的侧面整面也形成焊料层12，并设为图9所示那样的构造也没关系。由此，能达成图9中说明的效果。
另外，副底座13的上表面的半导体激光器元件11的射出激光的面一侧的端部倾斜，但设为图10所示的构造也没关系。由此，能达成图10中说明的效果。
接下来，如图13所示，使副底座13隔着焊料层14搭载于散热器15。进而，使粘结板16隔着粘合带17搭载于散热器15。由此，形成图1～3所示的半导体激光器装置。
(实施方式2)
接下来，图14是本实施方式所涉及的半导体激光器装置中的半导体激光器元件的截面图。对与实施方式1共通的点则省略说明。
如图14所示，本实施方式的半导体激光器元件具有4个电流传输窗层23和4个激光器射出发射器24。即，本实施方式的半导体激光器元件能射出4个激光。
由此，能以1个半导体激光器装置取出多个激光，能实现小型化以及低成本化。另外，比起从多个半导体激光器装置取出多个激光，能大幅削减制作工序。
产业上的利用可能性
根据本发明，能实现能确保特性的稳定性、均匀性以及高可靠性的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。由此，作为产业用途的领域中在焊接、接合以及切断等的加工中使用的设备的光源有用，另外作为通信用、其它民生设备的半导体激光器的光源有用。
标号的说明
10、100 半导体激光器装置
11 半导体激光器元件
12 焊料层
13 副底座
14 焊料层
15 散热器
16 粘结板
17 粘合带
21 n型的半导体基板
22 电流狭窄层
23 电流传输窗层
24 激光器射出发射器
25 活性层
26 p型的半导体层
27 p电极
28 n电极
29 反射防止膜
101 半导体激光器元件
102 焊料层
103 散热器
104 激光
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种半导体激光器装置，具备：
导电性的第1散热部件；
设于所述第1散热部件之上的导电性的第1粘合剂；
设于所述第1粘合剂之上的半导体激光器元件；和
形成于所述半导体激光器元件的激光器射出面的反射防止膜，
所述第1粘合剂，在所述半导体激光器元件的所述激光器射出面之下到达所述第1散热部件的侧面，
所述第1粘合剂与所述反射防止膜的亲和性低于所述第1粘合剂与散热部件的亲和性。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面和所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面在同一平面上。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠所述散热部件的中心的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面，位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠远离所述散热部件的中心的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1粘合剂设于所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面整面。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度，大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度。
9.(修改后)根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器装置还具备：
导电性的第2散热部件；
设于所述第2散热部件之上的导电性的第2粘合剂；
设于所述第2散热部件之上的绝缘性的粘合带；和
设于所述绝缘性的粘合带之上的导电性的粘结板，
所述第1散热部件设于所述第2粘合剂之上，
所述粘结板的平面形状为包围所述半导体激光器元件的“コ”字状。
10.(修改后)一种半导体激光器装置的制造方法，具备：
在半导体激光器元件的激光器射出面形成反射防止膜的工序；和
在导电性的第1散热部件，隔着导电性的第1粘合剂搭载所述半导体激光器元件的工序，
所述第1粘合剂在所述半导体激光器元件的激光器射出面之下到达第1散热部件的侧面之上，
所述第1粘合剂与所述反射防止膜的亲和性低于所述第1粘合剂与散热部件的亲和性。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
在搭载所述半导体激光器元件的工序前，还具备：
在所述第1散热部件的上表面以及激光器射出侧的侧面形成所述第1粘合剂的工序。
12.根据权利要求11所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
形成所述第1粘合剂的工序中，通过蒸镀或镀敷来形成所述第1粘合剂。
13.根据权利要求11或12所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
搭载所述半导体激光器元件的工序中，按照所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度的方式来搭载所述半导体激光器元件。

Claims (13)

1.一种半导体激光器装置，具备：
导电性的第1散热部件；
设于所述第1散热部件之上的导电性的第1粘合剂；和
设于所述第1粘合剂之上的半导体激光器元件，
所述第1粘合剂，在所述半导体激光器元件的激光器射出面之下到达所述第1散热部件的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面和所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面在同一平面上。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠所述散热部件的中心的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面，位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠远离所述散热部件的中心的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1粘合剂设于所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面整面。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度，大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器装置还具备：
导电性的第2散热部件；
设于所述第2散热部件之上的导电性的第2粘合剂；
设于所述第2散热部件之上的绝缘性的粘合带；和
设于所述绝缘性的粘合带之上的导电性的粘结板，
所述第1散热部件设于所述第2粘合剂之上，
所述粘结板的平面形状为包围所述半导体激光器元件的“コ”字状。
10.一种半导体激光器装置的制造方法，具备：
在导电性的第1散热部件，隔着导电性的第1粘合剂搭载半导体激光器元件的工序，
所述第1粘合剂在所述半导体激光器元件的激光器射出面之下到达第1散热部件的侧面之上。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
在搭载所述半导体激光器元件的工序前，还具备：
在所述第1散热部件的上表面以及激光器射出侧的侧面形成所述第1粘合剂的工序。
12.根据权利要求11所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
形成所述第1粘合剂的工序中，通过蒸镀或镀敷来形成所述第1粘合剂。
13.根据权利要求11或12所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
搭载所述半导体激光器元件的工序中，按照所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度的方式来搭载所述半导体激光器元件。
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