JP5216395B2 - 半導体レーザの製造方法、及び、半導体レーザ - Google Patents
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- 主面と、前記主面に沿って延びる活性層と、前記活性層の二つの端面をそれぞれ含む第1及び第2の共振面と、前記活性層を挟む二つのクラッド層とを有する半導体領域と、前記半導体領域の前記主面上に設けられる電極と、前記第1の共振面に設けられ且つ前記半導体領域の前記主面上に回り込むように設けられた反射防止コートと、を備える半導体レーザの製造方法であって、
前記反射防止コートを形成する工程と、
電子ビーム蒸着法を用いて前記電極を前記半導体領域上に形成する工程と、
を有しており、
前記電極は、前記電極の形成される電極形成面の縁部であって前記第1の共振面を含み前記第1の共振面に沿って延びる仮想面に交差する部分を有しており、
前記反射防止コートは、第1の膜及び第2の膜を有し、
前記第1の膜は、前記第1の共振面に設けられた第1領域と、前記半導体領域の前記主面上に回り込むように設けられた第2領域とを有し、
前記第1の膜における前記第2領域の端面は、前記第2の膜に覆われ、
前記第2領域を覆う前記第2の膜上には、前記電極の前記部分が設けられ、
前記工程において、前記電極を構成する電極材料を含む前記電子ビーム蒸着法の蒸発流を、前記部分に当てる場合に、前記蒸発流を前記仮想面から前記第2の共振面側に所定角度傾けて前記蒸発流を前記部分に当てる、ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記工程において、前記蒸発流を、前記仮想面から前記第2の共振面側に20〜70度傾けて前記部分に当てる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザの製造方法により製造され、
主面と、前記主面に沿って延びる活性層と、前記活性層の二つの端面をそれぞれ含む第1及び第2の共振面と、前記活性層を挟む二つのクラッド層とを有する半導体領域と、
前記半導体領域の前記主面上に設けられた電極と、
前記第1の共振面に設けられ且つ前記半導体領域の前記主面上に回り込むように設けられた反射防止コートと、
を備えた半導体レーザであって、
前記電極は、この電極の縁部であって前記第1の共振面を含み前記第1の共振面に沿って延びる仮想面に交差する部分を有しており、
前記部分の端面は、前記仮想面から前記第2の共振面側に所定角度傾斜して前記半導体領域上に延びており、
前記反射防止コートは、第1の膜及び第2の膜を有し、
前記第1の膜は、前記第1の共振面に設けられた第1領域と、前記半導体領域の前記主面上に回り込むように設けられた第2領域とを有し、
前記第1の膜における前記第2領域の端面は、前記第2の膜に覆われ、
前記第2領域を覆う前記第2の膜上には、前記電極の前記部分が設けられている、ことを特徴とする半導体レーザ。 - 前記端面は、前記仮想面から前記第2の共振面側に20〜70度傾斜して前記半導体領域上に延びている、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ。
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