JP4980091B2 - 半導体発光素子製造方法 - Google Patents
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- 光活性層を含む半導体層と、前記半導体層の上に設けられたリッジ部と、前記半導体層の上に前記リッジ部の両側に溝部を挟んで設けられた1対の段差部と、を備える半導体発光素子を製造する方法であって、
第1絶縁層の形成およびレジストの塗布を全面に行い、セルフアライメント方式による露光および現像により前記リッジ部および前記1対の段差部それぞれの上面のレジストを選択的に除去し、残ったレジスト層をマスクとして用いてドライエッチングを行うことで、前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記リッジ部の側壁面から前記段差部の前記溝部側の側壁面まで第1絶縁層を形成する第1絶縁層形成工程と、
前記第1絶縁層の材料のエッチングレートより大きい材料からなる第2絶縁層の形成およびレジストの塗布を全面に行い、所定パターンのマスクを用いた露光および現像により残ったレジスト層をマスクとして用いてドライエッチングを行うことで、前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記溝部の底面から前記段差部の上面まで第2絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程と、
前記リッジ部を挟んで一方の前記段差部の上面から他方の前記段差部の上面まで、前記リッジ部の上面に電気的に接続される金属層を形成する金属層形成工程と、
を順に行うことを特徴とする半導体発光素子製造方法。 - 前記金属層形成工程において、最下層がTi膜である複数層の金属膜を前記金属層として形成する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子製造方法。
- 前記第1絶縁層形成工程において、前記リッジ部の側壁面から前記段差部の上面まで前記第1絶縁層を形成する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子製造方法。
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