JP4860499B2 - 半導体発光素子および半導体発光素子製造方法 - Google Patents
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- 光活性層を含む半導体層と、前記半導体層の上に設けられたリッジ部と、前記半導体層の上に前記リッジ部の両側に溝部を挟んで設けられた1対の段差部と、を備え、
前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記リッジ部の側壁面から前記段差部の前記溝部側の側壁面まで形成された第1絶縁層と、前記リッジ部を挟んで一方の前記溝部の底面から他方の前記溝部の底面まで形成された第1金属層と、前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記溝部の底面から前記段差部の上面まで形成された第2絶縁層と、前記リッジ部を挟んで一方の前記段差部の上面から他方の前記段差部の上面まで形成された第2金属層と、が順に形成され、
前記第2金属層が前記第1金属層を介して前記リッジ部の上面に電気的に接続されており、
前記溝部の底面において前記第1金属層および前記第2絶縁層それぞれの一部が互いに重なっている、
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2金属層が複数層の金属膜であって、そのうちの最下層がTi膜である、ことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1絶縁層が前記リッジ部の側壁面から前記段差部の上面まで形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 光活性層を含む半導体層と、前記半導体層の上に設けられたリッジ部と、前記半導体層の上に前記リッジ部の両側に溝部を挟んで設けられた1対の段差部と、を備える半導体発光素子を製造する方法であって、
前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記リッジ部の側壁面から前記段差部の前記溝部側の側壁面まで第1絶縁層を形成する第1絶縁層形成工程と、
前記リッジ部を挟んで一方の前記溝部の底面から他方の前記溝部の底面まで第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、
前記リッジ部の両側それぞれにおいて前記溝部の底面から前記段差部の上面まで、前記溝部の底面において前記第1金属層と一部が互いに重なる第2絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程と、
前記リッジ部を挟んで一方の前記段差部の上面から他方の前記段差部の上面まで、前記第1金属層を介して前記リッジ部の上面に電気的に接続される第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
を順に行うことを特徴とする半導体発光素子製造方法。 - 前記第2金属層形成工程において、最下層がTi膜である複数層の金属膜を前記第2金属層として形成する、ことを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子製造方法。
- 前記第1絶縁層形成工程において、前記リッジ部の側壁面から前記段差部の上面まで前記第1絶縁層を形成する、ことを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007026004A JP4860499B2 (ja) | 2007-02-05 | 2007-02-05 | 半導体発光素子および半導体発光素子製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008192846A JP2008192846A (ja) | 2008-08-21 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4860499B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017139319A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3348024B2 (ja) * | 1998-08-17 | 2002-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP3566107B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | 光通信用モジュール |
JP2003347658A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4547933B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2010-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP2006278661A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Opnext Japan Inc | 光半導体素子及びその製造方法並びに光半導体装置 |
JP2006324427A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
JP4091647B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2008-05-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
JP4105216B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2008-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
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- 2007-02-05 JP JP2007026004A patent/JP4860499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008192846A (ja) | 2008-08-21 |
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