JPH05243690A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05243690A JPH05243690A JP4079318A JP7931892A JPH05243690A JP H05243690 A JPH05243690 A JP H05243690A JP 4079318 A JP4079318 A JP 4079318A JP 7931892 A JP7931892 A JP 7931892A JP H05243690 A JPH05243690 A JP H05243690A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- solder
- submount
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ジャンクションダウンボンディングされた半
導体レーザ装置において、ＬＤチップとサブマウントの
界面より突出するはんだのウェット性を改善し、突出は
んだによるレーザ光のケラレを防止する。 【構成】 サブマウント２のダイシング面にもメタライ
ズ１４を施した。 【効果】 ＬＤチップとサブマウントのダイボンド時に
はみ出したはんだは、メタライズされたダイシング面全
体へ拡散され突出状態がなくなる。
導体レーザ装置において、ＬＤチップとサブマウントの
界面より突出するはんだのウェット性を改善し、突出は
んだによるレーザ光のケラレを防止する。 【構成】 サブマウント２のダイシング面にもメタライ
ズ１４を施した。 【効果】 ＬＤチップとサブマウントのダイボンド時に
はみ出したはんだは、メタライズされたダイシング面全
体へ拡散され突出状態がなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特に半導体レーザ素子用サブマウントのメタライズ
に関するものである。
し、特に半導体レーザ素子用サブマウントのメタライズ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体レーザ装置を示す図
である。１はＬＤ（レーザダイオード）チップ、２は熱
応力緩和材としてのサブマウント、３はＬＤチップ１が
サブマウント２を介して組み立てられた放熱用ブロッ
ク、４は放熱用ブロック３に組み込まれたモニタ用ＰＤ
チップ、５は放熱用ブロック３が組み立てられたステ
ム、６はＬＤチップ１及びＰＤチップ４にボンディング
された金線、７はリード線であり、金線６によりＬＤチ
ップ１及びＰＤチップ４はリード線７へ電気的に導通さ
れている。また８はステム５に取付けられたキャップで
ある。
である。１はＬＤ（レーザダイオード）チップ、２は熱
応力緩和材としてのサブマウント、３はＬＤチップ１が
サブマウント２を介して組み立てられた放熱用ブロッ
ク、４は放熱用ブロック３に組み込まれたモニタ用ＰＤ
チップ、５は放熱用ブロック３が組み立てられたステ
ム、６はＬＤチップ１及びＰＤチップ４にボンディング
された金線、７はリード線であり、金線６によりＬＤチ
ップ１及びＰＤチップ４はリード線７へ電気的に導通さ
れている。また８はステム５に取付けられたキャップで
ある。
【０００３】図３は従来の半導体レーザ装置におけるＬ
Ｄチップ１がサブマウント２及びブロック３にダイボン
ドされた断面図である。図において、９はＬＤチップ１
における活性層であり、１１はメタライズされたはん
だ、１２ははんだ突出物である。ＬＤチップ１は熱特性
の向上をはかるため、また放熱が効率よく行われるよう
にＬＤチップ１の活性層９がサブマウント２側に近くな
るようにジャンクションダウン（Junction down ）方式
に組み立てられる。サブマウント２はサブマウント基体
１０の両面（図３の上下両面）にはんだがメタライズ１
１されており、ＬＤチップ１，サブマウント２，放熱用
ブロック３が接着される。この時に、接着用のはんだが
はみだし、上記はんだ突出物１２が生じることとなる。
Ｄチップ１がサブマウント２及びブロック３にダイボン
ドされた断面図である。図において、９はＬＤチップ１
における活性層であり、１１はメタライズされたはん
だ、１２ははんだ突出物である。ＬＤチップ１は熱特性
の向上をはかるため、また放熱が効率よく行われるよう
にＬＤチップ１の活性層９がサブマウント２側に近くな
るようにジャンクションダウン（Junction down ）方式
に組み立てられる。サブマウント２はサブマウント基体
１０の両面（図３の上下両面）にはんだがメタライズ１
１されており、ＬＤチップ１，サブマウント２，放熱用
ブロック３が接着される。この時に、接着用のはんだが
はみだし、上記はんだ突出物１２が生じることとなる。
【０００４】次に動作について説明する。図２に示す半
導体レーザ装置では、リード線７に電圧を印加すると、
ＬＤチップ１に電流が流れレーザ発振が始まり、ＬＤチ
ップ１よりレーザ光が図２に矢印で示すように２方向に
放射される。一方の（図２上方への）レーザ光は光シス
テムの光源として用いられ、他方の（図２下方への）レ
ーザ光はモニタ用ＰＤチップ４に入射し、ＬＤ光出力の
制御に用いられる。
導体レーザ装置では、リード線７に電圧を印加すると、
ＬＤチップ１に電流が流れレーザ発振が始まり、ＬＤチ
ップ１よりレーザ光が図２に矢印で示すように２方向に
放射される。一方の（図２上方への）レーザ光は光シス
テムの光源として用いられ、他方の（図２下方への）レ
ーザ光はモニタ用ＰＤチップ４に入射し、ＬＤ光出力の
制御に用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されていたので、ＬＤチップとサ
ブマウントのダイボンドにより発生する接着用はんだの
はみ出しが突起物となり、それがサブマウントに接近し
て組立られた活性層の発光点近傍に発生した場合、レー
ザ光が遮られ、光学特性に影響があるなどの問題点があ
った。
置は以上のように構成されていたので、ＬＤチップとサ
ブマウントのダイボンドにより発生する接着用はんだの
はみ出しが突起物となり、それがサブマウントに接近し
て組立られた活性層の発光点近傍に発生した場合、レー
ザ光が遮られ、光学特性に影響があるなどの問題点があ
った。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、はんだのウェット性を改善し
た、高信頼度の半導体レーザ装置を得ることを目的とし
ている。
ためになされたもので、はんだのウェット性を改善し
た、高信頼度の半導体レーザ装置を得ることを目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザ装置は、放熱用ブロック上にサブマウントが載置
され、前記サブマウント上にＬＤチップが載置され、上
記サブマウントは、上記ＬＤチップとのタイボンド面
と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記ＬＤ
チップの光システムの光源として用いられるレーザ光の
発光端面側のダイシング面とにはんだによりメタライズ
を施すようにしたものである。
レーザ装置は、放熱用ブロック上にサブマウントが載置
され、前記サブマウント上にＬＤチップが載置され、上
記サブマウントは、上記ＬＤチップとのタイボンド面
と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記ＬＤ
チップの光システムの光源として用いられるレーザ光の
発光端面側のダイシング面とにはんだによりメタライズ
を施すようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体レーザ装置は、放熱用
ブロック上にサブマウントが載置され、前記サブマウン
ト上にＬＤチップが載置されており、上記サブマウント
は、上記ＬＤチップとのタイボンド面と、上記放熱用ブ
ロックとのダイボンド面と、上記ＬＤチップの光システ
ムの光源として用いられるレーザ光の発光端面側のダイ
シング面とにはんだによりメタライズを施すようにした
ので、ＬＤチップとサブマウントのダイボンドによりは
みだしたはんだのウェット性が向上し、はみ出したはん
だは突出物とならず、ダイシング面のメタライズ部に拡
散する。
ブロック上にサブマウントが載置され、前記サブマウン
ト上にＬＤチップが載置されており、上記サブマウント
は、上記ＬＤチップとのタイボンド面と、上記放熱用ブ
ロックとのダイボンド面と、上記ＬＤチップの光システ
ムの光源として用いられるレーザ光の発光端面側のダイ
シング面とにはんだによりメタライズを施すようにした
ので、ＬＤチップとサブマウントのダイボンドによりは
みだしたはんだのウェット性が向上し、はみ出したはん
だは突出物とならず、ダイシング面のメタライズ部に拡
散する。
【０００９】
【実施例】以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す図であり、図１(a) はその上面図、図１(b) はその
側面断面図である。図において、１，２は従来例と同様
で、ＬＤチップ及びサブマウントであり、１３はＬＤチ
ップ１とサブマウント２のダイボンドによりはみ出した
はんだ、１４はサブマウント基体１０のダイシング面に
メタライズされたはんだである。
る。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す図であり、図１(a) はその上面図、図１(b) はその
側面断面図である。図において、１，２は従来例と同様
で、ＬＤチップ及びサブマウントであり、１３はＬＤチ
ップ１とサブマウント２のダイボンドによりはみ出した
はんだ、１４はサブマウント基体１０のダイシング面に
メタライズされたはんだである。
【００１０】ＬＤチップ１を、サブマウント基体１０の
両面１１及びダイシング面１４に、はんだがメタライズ
されたサブマウント２の上面にヒートアップし、ＬＤチ
ップ１の活性層９がサブマウント２側に近くなるように
ジャンクションダウン方式にて接着すると、はんだ１１
はＬＤチップ１とサブマウント２の間からはみ出す。こ
のはみ出したはんだ１３は、ダイシング面のメタライズ
１４によりはんだのウェット性が向上しているため、表
面張力が働き１箇所に固まることなく広がり、突出はん
だとはならない。その後、従来と同様にして、図２に示
すような半導体装置を組み立てる。
両面１１及びダイシング面１４に、はんだがメタライズ
されたサブマウント２の上面にヒートアップし、ＬＤチ
ップ１の活性層９がサブマウント２側に近くなるように
ジャンクションダウン方式にて接着すると、はんだ１１
はＬＤチップ１とサブマウント２の間からはみ出す。こ
のはみ出したはんだ１３は、ダイシング面のメタライズ
１４によりはんだのウェット性が向上しているため、表
面張力が働き１箇所に固まることなく広がり、突出はん
だとはならない。その後、従来と同様にして、図２に示
すような半導体装置を組み立てる。
【００１１】この半導体レーザ装置では、リード線７に
電圧を印加すると、ＬＤチップ１に電流が流れてレーザ
発振が始まり、ＬＤチップ１よりレーザ光が図２に矢印
で示すように２方向に放射されるが、このうちの光シス
テムの光源として用いられるレーザ光の光学特性には、
従来と違い、接着用はんだのはみ出しが突起物とならな
いため、ケラレによる不具合が発生するということがな
くなる。
電圧を印加すると、ＬＤチップ１に電流が流れてレーザ
発振が始まり、ＬＤチップ１よりレーザ光が図２に矢印
で示すように２方向に放射されるが、このうちの光シス
テムの光源として用いられるレーザ光の光学特性には、
従来と違い、接着用はんだのはみ出しが突起物とならな
いため、ケラレによる不具合が発生するということがな
くなる。
【００１２】このように本実施例によれば、ＬＤチップ
とサブマウントのダイボンドにより発生する接着用はん
だのはみ出しが突起物となることを防ぐことができるの
で、突起はんだが活性層の発光点近傍に発生した際に生
じていた、ＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学
特性の不具合の問題を解決することができる。
とサブマウントのダイボンドにより発生する接着用はん
だのはみ出しが突起物となることを防ぐことができるの
で、突起はんだが活性層の発光点近傍に発生した際に生
じていた、ＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学
特性の不具合の問題を解決することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体レー
ザ装置によれば、放熱用ブロック上にサブマウントが、
前記サブマウント上にＬＤチップが載置されており、上
記サブマウントは、上記ＬＤチップとのタイボンド面
と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記ＬＤ
チップの光システムの光源として用いられるレーザ光の
発光端面側のダイシング面とにメタライズが施されるよ
うにしたので、前記ダイシング面でのはんだのウェット
性を向上させることができ、ＬＤチップとサブマウント
のダイボンドにより発生する接着用はんだのはみ出しが
拡散され、突起物となることを防ぐことができる。これ
によりＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学特性
の不具合の発生を防止することができるという効果があ
る。
ザ装置によれば、放熱用ブロック上にサブマウントが、
前記サブマウント上にＬＤチップが載置されており、上
記サブマウントは、上記ＬＤチップとのタイボンド面
と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記ＬＤ
チップの光システムの光源として用いられるレーザ光の
発光端面側のダイシング面とにメタライズが施されるよ
うにしたので、前記ダイシング面でのはんだのウェット
性を向上させることができ、ＬＤチップとサブマウント
のダイボンドにより発生する接着用はんだのはみ出しが
拡散され、突起物となることを防ぐことができる。これ
によりＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学特性
の不具合の発生を防止することができるという効果があ
る。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す図である。
示す図である。
【図２】従来の半導体レーザ装置を示す図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置のＬＤチップがサブマ
ウント及びブロックにダイボンドされた断面図である。
ウント及びブロックにダイボンドされた断面図である。
１ ＬＤチップ ２ サブマウント ３ 放熱用ブロック ４ ＰＤチップ ５ ステム ６ 金線 ７ リード線 ８ キャップ ９ 活性層 １０ サブマウント基板 １１ メタライズ １２ はんだ突出物 １３ はみ出しはんだ １４ ダイシング面のメタライズ
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】このように本実施例によれば、ＬＤチップ
とサブマウントのダイボンドにより発生する接着用はん
だのはみ出しが突起物となることを防ぐことができるの
で、突起はんだが活性層の発光点近傍に発生した際に生
じていた、ＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学
特性の不具合の問題を解決することができる。なお、上
記実施例では、メタライズ部はレーザ光の発光端面側の
ダイシング面の全面に施されているが、ＬＤチップとサ
ブマウントの間からはみ出したはんだが突出はんだとな
らないようにメタライズ部に拡散すればよいので、はみ
出すはんだの量によっては、上記メタライズ部は上記ダ
イシング面のＬＤチップとサブマウントの間の縁に沿っ
た上半面にメタライズを施したものであってもよく、上
記実施例と同様の効果を得ることができる。
とサブマウントのダイボンドにより発生する接着用はん
だのはみ出しが突起物となることを防ぐことができるの
で、突起はんだが活性層の発光点近傍に発生した際に生
じていた、ＬＤチップの出射光のリップル不良等の光学
特性の不具合の問題を解決することができる。なお、上
記実施例では、メタライズ部はレーザ光の発光端面側の
ダイシング面の全面に施されているが、ＬＤチップとサ
ブマウントの間からはみ出したはんだが突出はんだとな
らないようにメタライズ部に拡散すればよいので、はみ
出すはんだの量によっては、上記メタライズ部は上記ダ
イシング面のＬＤチップとサブマウントの間の縁に沿っ
た上半面にメタライズを施したものであってもよく、上
記実施例と同様の効果を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱用ブロック上に載置されたサブマウ
ントと、前記サブマウント上に載置されたＬＤチップと
を有する半導体レーザ装置において、 上記サブマウントは、上記ＬＤチップとのダイボンド面
と、上記放熱用ブロックとのダイボンド面と、上記ＬＤ
チップの光システムの光源として用いられるレーザ光の
発光端面側のダイシング面とにメタライズを施したもの
であることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079318A JPH05243690A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079318A JPH05243690A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243690A true JPH05243690A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13686526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079318A Pending JPH05243690A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243690A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040031A (ko) * | 1998-12-17 | 2000-07-05 | 구자홍 | 레이저 다이오드 조립을 위한 솔더 증착방법 |
| KR20040025181A (ko) * | 2002-09-18 | 2004-03-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트 및 그 방법 |
| EP1939993A2 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-02 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| WO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO2015071306A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
| CN104966705A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-10-07 | 北京工业大学 | 一种半导体器件散热模块的焊料分布 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4079318A patent/JPH05243690A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040031A (ko) * | 1998-12-17 | 2000-07-05 | 구자홍 | 레이저 다이오드 조립을 위한 솔더 증착방법 |
| KR20040025181A (ko) * | 2002-09-18 | 2004-03-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 레이저 다이오드용 유전체 서브마운트 및 그 방법 |
| EP1939993A2 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-02 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| US7768120B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-08-03 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| WO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US8897328B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing same |
| EP2835882A4 (en) * | 2012-04-05 | 2015-09-02 | Panasonic Ip Man Co Ltd | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JPWO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2015-12-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| WO2015071306A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
| CN104966705A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-10-07 | 北京工业大学 | 一种半导体器件散热模块的焊料分布 |
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