JP2015076425A - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015076425A JP2015076425A JP2013209907A JP2013209907A JP2015076425A JP 2015076425 A JP2015076425 A JP 2015076425A JP 2013209907 A JP2013209907 A JP 2013209907A JP 2013209907 A JP2013209907 A JP 2013209907A JP 2015076425 A JP2015076425 A JP 2015076425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- layer
- semiconductor layer
- array
- emitting semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
- H01S5/04257—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration having positive and negative electrodes on the same side of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
- H01S5/18352—Mesa with inclined sidewall
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザは、GaAs基板100上に、n型の下部DBR102、活性層を含む活性領域104、p型の半導体層106、電流狭窄層110およびp型の上部DBR108を含み、上部DBR108から半導体層106に至るメサMが形成される。メサMを覆うように層間絶縁膜112が形成され、メサMの底部の層間絶縁膜112には、半導体層106を露出するためのコンタクトホール112Bが形成される。コンタクトホール112Bを介して放熱用金属130が半導体層106に接続される。
【選択図】図1
Description
さらに本発明は、アレイ全体の温度の均一性を高めることができる面発光型半導体レーザアレイを提供することを目的とする。
請求項2は、前記放熱用金属が前記半導体層に接触する面から前記電流狭窄層までの距離は、前記半導体層の膜厚の1/2よりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記半導体層の膜厚は、光路長がλ/4(λは発振波長)となる膜厚よりも大きくかつλ/4の奇数倍である、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記半導体層は、第2の半導体多層膜反射鏡を構成する一対の層の内で相対的に熱伝導率の高い材料と同じ組成である、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記半導体層は、前記活性層上に形成されたスペーサ層である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、前記柱状構造の底部、側面および頂部が層間絶縁膜によって覆われ、前記柱状構造の頂部の層間絶縁膜の開口部を介して配線電極が形成され、前記柱状構造の底部の層間絶縁膜の開口部を介して前記放熱用金属が前記半導体層に接続され、前記配線電極および前記放熱用金属は同一材料から構成される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、アレイ中心部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属と前記半導体層との接触面積は、アレイ周辺部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属と前記半導体層との接触面積よりも大きい、面発光型半導体レーザアレイ。
請求項8は、アレイ中心部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属の表面積は、アレイ周辺部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属の表面積よりも大きい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
請求項9は、請求項1ないし8に記載の面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイと、面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項10は、請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。
請求項11は、請求項1ないし8に記載の面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイと、前記面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
請求項12は、基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性層、半導体層、および電流狭窄層を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を形成する工程と、第2の半導体多層膜反射鏡から前記半導体層に至る柱状構造を形成する工程と、前記柱状構造を絶縁膜によって被覆する工程と、前記柱状構造の底部で前記半導体層を露出させるため前記絶縁膜に第1の開口を形成する工程と、前記第1の開口によって露出された半導体層に放熱用金属を接続する工程とを有する面発光型半導体レーザの製造方法。
請求項13は、前記柱状構造の頂部を露出させるため前記絶縁膜に第2の開口を形成する工程を含み、第2の開口を形成する工程は、第1の開口を形成する工程と同時に行われる、請求項12に記載の製造方法。
請求項14は、前記第2の開口を介して配線電極を接続する工程を含み、当該配線電極を接続する工程は、前記放熱用金属を接続する工程と同時に行われる、請求項13に記載の製造方法。
請求項2、4、5によれば、当該構成を有さない場合と比較して、放熱効果をさらに向上させることができる。
請求項3によれば、第2の半導体多層膜反射鏡の光学的損失を小さくすることができる。
請求項6、13、14によれば、放熱用金属の形成を容易に行うことができる。
請求項7、8によれば、アレイ全体の温度の均一性を高めることができる。
が放熱部材130側へ逃げ易くなり、放熱効果を高めることができる。他方、上部DBR108の光学的損失を抑制するため、半導体層106の膜厚Tは、λ/4の奇数倍、例えば、3λ/4に形成される。この場合、半導体層106も上部DBRの一部として機能することになる。
12、14:VCSELアレイ
100:GaAs基板
102:下部DBR
104:活性領域
104A:下部スペーサ層
104B:量子井戸活性層
104C:上部スペーサ層
106:半導体層
108:上部DBR
110:電流狭窄層
110A:酸化領域
110B:非酸化領域
112:層間絶縁膜
112A、112B:コンタクトホール
114:p側電極
116:出射保護膜
118:金属配線
120:n側電極
122:電極パッド
130:放熱部材(放熱電極)
132:連結電極
200:エッチングマスク
Claims (14)
- 基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性層、半導体層、および電流狭窄層を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡が形成され、
第2の半導体多層膜反射鏡から前記半導体層に至る柱状構造が形成され、
前記柱状構造の底部で露出された前記半導体層に放熱用金属が接続される、面発光型半導体レーザ。 - 前記放熱用金属が前記半導体層に接触する面から前記電流狭窄層までの距離は、前記半導体層の膜厚の1/2よりも小さい、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記半導体層の膜厚は、光路長がλ/4(λは発振波長)となる膜厚よりも大きくかつλ/4の奇数倍である、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記半導体層は、第2の半導体多層膜反射鏡を構成する一対の層の内で相対的に熱伝導率の高い材料と同じ組成である、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記半導体層は、前記活性層上に形成されたスペーサ層である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記柱状構造の底部、側面および頂部が層間絶縁膜によって覆われ、前記柱状構造の頂部の層間絶縁膜の開口部を介して配線電極が形成され、前記柱状構造の底部の層間絶縁膜の開口部を介して前記放熱用金属が前記半導体層に接続され、前記配線電極および前記放熱用金属は同一材料から構成される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし6いずれか1つに記載の柱状構造が複数形成された面発光型半導体レーザアレイであって、
アレイ中心部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属と前記半導体層との接触面積は、アレイ周辺部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属と前記半導体層との接触面積よりも大きい、面発光型半導体レーザアレイ。 - アレイ中心部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属の表面積は、アレイ周辺部の柱状構造の底部に形成された放熱用金属の表面積よりも大きい、請求項7に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
- 請求項1ないし8に記載の面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイと、
面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項9に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし8に記載の面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイと、
前記面発光型半導体レーザまたは面発光型半導体レーザアレイから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。 - 基板上に、少なくとも第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性層、半導体層、および電流狭窄層を含む第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を形成する工程と、
第2の半導体多層膜反射鏡から前記半導体層に至る柱状構造を形成する工程と、
前記柱状構造を絶縁膜によって被覆する工程と、
前記柱状構造の底部で前記半導体層を露出させるため前記絶縁膜に第1の開口を形成する工程と、
前記第1の開口によって露出された半導体層に放熱用金属を接続する工程とを有する面発光型半導体レーザの製造方法。 - 前記柱状構造の頂部を露出させるため前記絶縁膜に第2の開口を形成する工程を含み、第2の開口を形成する工程は、第1の開口を形成する工程と同時に行われる、請求項12に記載の製造方法。
- 前記第2の開口を介して配線電極を接続する工程を含み、当該配線電極を接続する工程は、前記放熱用金属を接続する工程と同時に行われる、請求項13に記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013209907A JP2015076425A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
US14/275,227 US9252562B2 (en) | 2013-10-07 | 2014-05-12 | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, information processing apparatus, and method of producing surface emitting semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013209907A JP2015076425A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015076425A true JP2015076425A (ja) | 2015-04-20 |
Family
ID=52777261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013209907A Pending JP2015076425A (ja) | 2013-10-07 | 2013-10-07 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9252562B2 (ja) |
JP (1) | JP2015076425A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6004063B1 (ja) * | 2015-09-09 | 2016-10-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2018120988A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6176298B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-08-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザアレイ及び面発光型半導体レーザアレイの製造方法 |
JP6700027B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2020-05-27 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
JP6245319B1 (ja) * | 2016-06-30 | 2017-12-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光部品、プリントヘッド、画像形成装置及び半導体積層基板 |
EP3528296B1 (en) | 2018-02-16 | 2020-06-03 | Nichia Corporation | Light emitting element and light emitting device |
US11101418B1 (en) | 2019-09-10 | 2021-08-24 | Facebook Technologies, Llc | Spacer for self-aligned mesa |
US11164995B2 (en) | 2020-02-20 | 2021-11-02 | Facebook Technologies, Llc | 3-D structure for increasing contact surface area for LEDs |
US20220293854A1 (en) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Phase change memory device and method for manufacturing the same |
US11827037B2 (en) * | 2021-08-23 | 2023-11-28 | Xerox Corporation | Semiconductor array imager for printing systems |
CN114784612B (zh) * | 2022-06-20 | 2022-11-11 | 深圳市埃尔法光电科技有限公司 | 一种拓扑结构激光芯片的晶圆排布方法 |
CN114784613B (zh) * | 2022-06-20 | 2022-11-11 | 深圳市埃尔法光电科技有限公司 | 一种单元化双拓扑结构的激光芯片 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261153A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2004319553A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2005354061A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率の高い垂直共振器型面発光レーザ |
JP2007053243A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザアレイ |
JP2007073585A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光インターコネクションシステム |
JP2007299897A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム |
JP2008311491A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679152A (en) * | 1994-01-27 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method of making a single crystals Ga*N article |
US6657237B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
JP3692060B2 (ja) | 2001-09-14 | 2005-09-07 | 株式会社東芝 | 垂直共振器型半導体発光素子 |
JP3885677B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-02-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法ならびにその製造装置 |
JP2006294811A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Fuji Xerox Co Ltd | トンネル接合型面発光半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP5034368B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2012-09-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 高周波特性が改善された表面発光型半導体レーザ素子 |
US7839913B2 (en) * | 2007-11-22 | 2010-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and image forming apparatus including surface emitting laser |
JP5824802B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-12-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
CN104040809B (zh) * | 2012-04-05 | 2017-03-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体激光器装置以及其制造方法 |
-
2013
- 2013-10-07 JP JP2013209907A patent/JP2015076425A/ja active Pending
-
2014
- 2014-05-12 US US14/275,227 patent/US9252562B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261153A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2004319553A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2005354061A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Agilent Technol Inc | 熱伝導率の高い垂直共振器型面発光レーザ |
JP2007053243A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザアレイ |
JP2007073585A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイおよび電子写真システムおよび光インターコネクションシステム |
JP2007299897A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム |
JP2008311491A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6004063B1 (ja) * | 2015-09-09 | 2016-10-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2017054898A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2018120988A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及びその製造方法、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9252562B2 (en) | 2016-02-02 |
US20150099317A1 (en) | 2015-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015076425A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 | |
JP5593700B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP4479804B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP5824802B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US9219349B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing apparatus | |
JP2008192733A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、光学装置、光照射装置、情報処理装置、光送信装置、光空間伝送装置および光伝送システム。 | |
JP2008078612A (ja) | 面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置 | |
JP5151317B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP2010186899A (ja) | 面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法 | |
JP4479803B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
JP2016046453A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2011124314A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2015099870A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5434421B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2012009727A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP5672012B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US20160248228A1 (en) | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser array, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
US9502863B2 (en) | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP6252222B2 (ja) | 面発光レーザアレイ及びレーザ装置 | |
JP5447719B2 (ja) | 面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置 | |
JP2013021278A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP6015220B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
US8270448B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
JP5515722B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
JP2015072992A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170214 |