JPH08330672A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH08330672A JPH08330672A JP13397595A JP13397595A JPH08330672A JP H08330672 A JPH08330672 A JP H08330672A JP 13397595 A JP13397595 A JP 13397595A JP 13397595 A JP13397595 A JP 13397595A JP H08330672 A JPH08330672 A JP H08330672A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat sink
- solder
- layer
- metal layer
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒートシンク側面の内、少なくとも半導体レー
ザチップのビーム出射方向に相当する側面に金属の層を
形成し、ソルダによるレーザ光の乱れを防ぐ。 【構成】ヒートシンク材料１に金属層２、ソルダ層３を
側面にまで形成する。次に、半導体レーザチップ４をヒ
ートシンク１のソルダ層３上の所定の位置にマウント
し、加熱してソルダ層３を溶融させ、半導体レーザペレ
ット４のマウント側の電極を溶着することにより半導体
レーザ装置は形成される。この時、特に半導体レーザペ
レットのビーム出射方向に相当する側面で溶融したソル
ダ層３は、その下地が金属層であるため留まることなく
下方に伸びる。これにより、これまでのヒートシンクで
見られたソルダによる球状突起物は発生せず前端面から
のレーザ出射光の乱れを防ぐことが出来る。
ザチップのビーム出射方向に相当する側面に金属の層を
形成し、ソルダによるレーザ光の乱れを防ぐ。 【構成】ヒートシンク材料１に金属層２、ソルダ層３を
側面にまで形成する。次に、半導体レーザチップ４をヒ
ートシンク１のソルダ層３上の所定の位置にマウント
し、加熱してソルダ層３を溶融させ、半導体レーザペレ
ット４のマウント側の電極を溶着することにより半導体
レーザ装置は形成される。この時、特に半導体レーザペ
レットのビーム出射方向に相当する側面で溶融したソル
ダ層３は、その下地が金属層であるため留まることなく
下方に伸びる。これにより、これまでのヒートシンクで
見られたソルダによる球状突起物は発生せず前端面から
のレーザ出射光の乱れを防ぐことが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報機器、光通信等
に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザにおける半導体レー
ザチップとヒートシンクとの断面構造を図３に示す。ヒ
ートシンク１の上面にはＴｉ、Ｐｔ、Ａｕが順に真空蒸
着され金属層２が形成される。さらにそのうえに低融点
金属（例えばＡｕＳｎ）を蒸着しソルダ層３が形成され
る。このヒートシンク１を加熱し、ソルダ層３を溶融さ
せて半導体レーザチップ４のマウント側の電極を溶着す
ることにより半導体レーザ装置は形成される。
ザチップとヒートシンクとの断面構造を図３に示す。ヒ
ートシンク１の上面にはＴｉ、Ｐｔ、Ａｕが順に真空蒸
着され金属層２が形成される。さらにそのうえに低融点
金属（例えばＡｕＳｎ）を蒸着しソルダ層３が形成され
る。このヒートシンク１を加熱し、ソルダ層３を溶融さ
せて半導体レーザチップ４のマウント側の電極を溶着す
ることにより半導体レーザ装置は形成される。
【０００３】この時、ヒートシンク１のマウント面に蒸
着されるソルダ層３の量が少ないと、半導体レーザチッ
プ４との接触面積が小さくなり接着強度不足となる。し
かしながらソルダの量を多くすると、半導体レーザチッ
プ４をマウントした時に、余ったソルダが表面張力によ
り這いあがり、また半導体レーザチップ４のエッジ５と
ヒートシンク１のエッジ６の間には、ソルダによる球状
の突起物が発生する。
着されるソルダ層３の量が少ないと、半導体レーザチッ
プ４との接触面積が小さくなり接着強度不足となる。し
かしながらソルダの量を多くすると、半導体レーザチッ
プ４をマウントした時に、余ったソルダが表面張力によ
り這いあがり、また半導体レーザチップ４のエッジ５と
ヒートシンク１のエッジ６の間には、ソルダによる球状
の突起物が発生する。
【０００４】このソルダの這いあがりおよび球状突起物
は、半導体レーザチップ４の側面に接触することにより
出射レーザ光のファーフィールドパターンの乱れを生じ
させ発光不良を招く原因となる。
は、半導体レーザチップ４の側面に接触することにより
出射レーザ光のファーフィールドパターンの乱れを生じ
させ発光不良を招く原因となる。
【０００５】この点を解決するため、図４（ａ），
（ｂ）のように溝部７をヒートシンク１に形成し、ソル
ダの流れを制御する技術が報告されている（特開平３−
２１７０６５）。また、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
にヒートシンク１に凹部８を形成し、ソルダの流れを制
御するものもある（特開平４−２６７５７７）。
（ｂ）のように溝部７をヒートシンク１に形成し、ソル
ダの流れを制御する技術が報告されている（特開平３−
２１７０６５）。また、図５（ａ），（ｂ）に示すよう
にヒートシンク１に凹部８を形成し、ソルダの流れを制
御するものもある（特開平４−２６７５７７）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４、図５で示される
従来の方法では、ばらつきによってソルダ厚が設計値よ
り小さい時や、半導体レーザチップ４が傾いてマウント
された時には、溝部７や凹部８でソルダと半導体レーザ
の接着が悪くなり、放熱が十分行われないために短時間
で半導体レーザチップ４を劣化させる可能性がある。さ
らに、ヒートシンク１の製作に当たり溝部７や凹部８を
形成する工程が必要となり、工数およびコスト面での問
題もある。
従来の方法では、ばらつきによってソルダ厚が設計値よ
り小さい時や、半導体レーザチップ４が傾いてマウント
された時には、溝部７や凹部８でソルダと半導体レーザ
の接着が悪くなり、放熱が十分行われないために短時間
で半導体レーザチップ４を劣化させる可能性がある。さ
らに、ヒートシンク１の製作に当たり溝部７や凹部８を
形成する工程が必要となり、工数およびコスト面での問
題もある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記のような問題を解決
するために、本発明は、ヒートシンク面上に金属層とソ
ルダ層を形成し半導体レーザチップを接着する半導体レ
ーザ装置において、ヒートシンク側面の内、少なくとも
半導体レーザチップのビーム出射方向に相当する側面
に、ソルダが馴染みやすい様に金属層をもうけることを
特徴とし、それによって、ソルダが広がり易くした半導
体レーザ装置を作製する。
するために、本発明は、ヒートシンク面上に金属層とソ
ルダ層を形成し半導体レーザチップを接着する半導体レ
ーザ装置において、ヒートシンク側面の内、少なくとも
半導体レーザチップのビーム出射方向に相当する側面
に、ソルダが馴染みやすい様に金属層をもうけることを
特徴とし、それによって、ソルダが広がり易くした半導
体レーザ装置を作製する。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図である。図２（ａ）〜（ｄ）には、本発明の半導
体レーザ装置を構成するヒートシンクの製造工程を示
す。図中の番号は１がヒートシンク（材料）、２が金属
層、３がソルダ層、４が半導体レーザチップである。
る。図１は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図である。図２（ａ）〜（ｄ）には、本発明の半導
体レーザ装置を構成するヒートシンクの製造工程を示
す。図中の番号は１がヒートシンク（材料）、２が金属
層、３がソルダ層、４が半導体レーザチップである。
【０００９】この半導体レーザ装置は次のような工程で
作製される。まず任意の厚さ（例えば２００μｍ〜３０
０μｍ）のヒートシンク材料１を準備し、任意の大きさ
（例えば１ｍｍ×１ｍｍ）になるようにダイシングを行
う。このとき、ヒートシンクが個々に分かれないように
ダイシングの深さはヒートシンクの厚さの半分から３分
の２になるように調整する。またダイシング幅は出来る
だけ大きくする（例えば５０μｍ〜１００μｍ）（図２
（ａ）、（ｂ））。
作製される。まず任意の厚さ（例えば２００μｍ〜３０
０μｍ）のヒートシンク材料１を準備し、任意の大きさ
（例えば１ｍｍ×１ｍｍ）になるようにダイシングを行
う。このとき、ヒートシンクが個々に分かれないように
ダイシングの深さはヒートシンクの厚さの半分から３分
の２になるように調整する。またダイシング幅は出来る
だけ大きくする（例えば５０μｍ〜１００μｍ）（図２
（ａ）、（ｂ））。
【００１０】所定の表面処理を行ったあと、金属層２を
形成する。金属層２の例としてはＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを合
計０．７μｍ前後になるようにＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの順に
真空蒸着を行う。この時、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕはヒートシ
ンク１の側面上部にも蒸着される。ダイシングの幅が大
きい程、この金属層は側面へ回り込み易くなる（図２
（ｃ））。
形成する。金属層２の例としてはＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを合
計０．７μｍ前後になるようにＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの順に
真空蒸着を行う。この時、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕはヒートシ
ンク１の側面上部にも蒸着される。ダイシングの幅が大
きい程、この金属層は側面へ回り込み易くなる（図２
（ｃ））。
【００１１】さらにこの金属層２の上に低融点金属を数
μｍ蒸着する。このソルダ層３も金属層２と同様にヒー
トシンク材料１の側面上部に蒸着される。ソルダ層形成
後ブレーキングを行い所望のヒートシンクを形成する
（図２（ｄ））。
μｍ蒸着する。このソルダ層３も金属層２と同様にヒー
トシンク材料１の側面上部に蒸着される。ソルダ層形成
後ブレーキングを行い所望のヒートシンクを形成する
（図２（ｄ））。
【００１２】次に、半導体レーザチップ４をヒートシン
ク１のソルダ層３上の所定の位置にマウントし、加熱し
てソルダ層３を溶融させ、半導体レーザチップ４のマウ
ント側の電極を溶着することにより半導体レーザ装置は
形成される。
ク１のソルダ層３上の所定の位置にマウントし、加熱し
てソルダ層３を溶融させ、半導体レーザチップ４のマウ
ント側の電極を溶着することにより半導体レーザ装置は
形成される。
【００１３】この時、特に半導体レーザチップのビーム
出射方向に相当する側面で溶融したソルダ層３は、その
下地が金属層であるため留まることなく下方に伸びる。
これにより、これまでのヒートシンクで見られたソルダ
による球状突起物は発生せず前端面からのレーザ出射光
の発光不良は従来より低減される。
出射方向に相当する側面で溶融したソルダ層３は、その
下地が金属層であるため留まることなく下方に伸びる。
これにより、これまでのヒートシンクで見られたソルダ
による球状突起物は発生せず前端面からのレーザ出射光
の発光不良は従来より低減される。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明はヒートシンクに
溝や凹部を設けることなく、ヒートシンク側面の内、少
なくとも半導体レーザチップのビーム出射方向に相当す
る側面に、ソルダが馴染みやすい金属層をもうけること
によってソルダが広がり易くしたことにより、ソルダー
の球状突起物の発生を抑えることに効果がある。
溝や凹部を設けることなく、ヒートシンク側面の内、少
なくとも半導体レーザチップのビーム出射方向に相当す
る側面に、ソルダが馴染みやすい金属層をもうけること
によってソルダが広がり易くしたことにより、ソルダー
の球状突起物の発生を抑えることに効果がある。
【図１】本発明による一実施例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明によるヒートシンクの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図３】従来例の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は溝構造を持つ従来例の断面図
と平面図である。
と平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は凹構造を持つ従来例の断面図
と平面図である。
と平面図である。
１ ヒートシンク（材料） ２ 金属層 ３ ソルダ層 ４ 半導体レーザチップ ５ 半導体レーザチップのエッジ ６ ヒートシンクのエッジ ７ 溝部 ８ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒートシンク面上に金属層とソルダ層を
形成し半導体レーザチップを接着する半導体レーザ装置
において、ヒートシンク側面の内、少なくとも半導体レ
ーザチップのビーム出射方向に相当する側面に、金属層
が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13397595A JPH08330672A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13397595A JPH08330672A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330672A true JPH08330672A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15117457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13397595A Pending JPH08330672A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330672A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2371404A (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Univ Glasgow | An optical device with a heat sink |
| GB2380061A (en) * | 2001-05-16 | 2003-03-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser array |
| KR100781917B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-04 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 반도체 소자의 히트씽크 제조방법 |
| KR100787705B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-21 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 반도체 장치용 내장형 금속 히트 싱크 및 그 제조방법 |
| JP2008034874A (ja) * | 2007-10-09 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| EP1939993A2 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-02 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| WO2012152307A1 (de) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelementträgerverbund mit einer bauelementträgerbereiche abtrennenden grabenstruktur und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von bauelementträgerbereichen |
| WO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2015106567A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 |
| JP2015173218A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ光源 |
| JP2017055056A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージおよび電子装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04150086A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Nec Corp | レーザーダイオード用ヒートシンク |
| JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13397595A patent/JPH08330672A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04150086A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Nec Corp | レーザーダイオード用ヒートシンク |
| JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2371404A (en) * | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Univ Glasgow | An optical device with a heat sink |
| GB2371404B (en) * | 2001-01-23 | 2003-07-09 | Univ Glasgow | Improvements in or relating to optical devices |
| GB2380061A (en) * | 2001-05-16 | 2003-03-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser array |
| GB2380061B (en) * | 2001-05-16 | 2005-06-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser array |
| KR100781917B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-04 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 반도체 소자의 히트씽크 제조방법 |
| KR100787705B1 (ko) * | 2006-06-26 | 2007-12-21 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 반도체 장치용 내장형 금속 히트 싱크 및 그 제조방법 |
| US7768120B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-08-03 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| EP1939993A2 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-02 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
| JP2008034874A (ja) * | 2007-10-09 | 2008-02-14 | Fujifilm Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| WO2012152307A1 (de) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelementträgerverbund mit einer bauelementträgerbereiche abtrennenden grabenstruktur und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von bauelementträgerbereichen |
| US9623527B2 (en) | 2011-05-06 | 2017-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Component carrier assembly having a trench structure which separates component carrier regions, and method for producing a plurality of component carrier regions |
| WO2013150715A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US8897328B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-11-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing same |
| JP2015106567A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 |
| JP2015173218A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ光源 |
| JP2017055056A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージおよび電子装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971021 |