WO2023182156A1

WO2023182156A1 - 半導体発光装置、基台、半田付き基台、及び、半導体発光装置の製造方法

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Publication number: WO2023182156A1
Application number: PCT/JP2023/010363
Authority: WO
Inventors: 啓希四郎園; 茂生林; 靖利川口; 靖夫馬場; 哲瀬戸口
Original assignee: ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社
Priority date: 2022-03-25
Filing date: 2023-03-16
Publication date: 2023-09-28
Also published as: JP2023143314A

Abstract

半導体発光装置（１）は、配線部材（１０）を有する基台（２）と、半導体レーザバー（３）と、配線部材（１０）と半導体レーザバー（３）との間に配置された半田（４）と、を備え、配線部材（１０）の半導体レーザバー（３）側の面には、半田（４）との界面である接続領域（１０ａ）と、半田（４）に対する接触角が９０度より大きいブロック領域（１０ｂ）とが含まれ、接続領域（１０ａ）は、上面視において、長手方向における半導体レーザバー（３）の側面（Ｓ３）の内側に位置し、ブロック領域（１０ｂ）の少なくとも一部は、上面視において、接続領域（１０ａ）と側面（Ｓ３）との間に位置し、長手方向におけるブロック領域（１０ｂ）の内側部分は、側面（Ｓ３）よりも内側に位置し、半田（４）は、上面視においてリア端面（Ｓ２）から外側に延伸するリア側延伸部（４ａ）を有し、かつ、一対の側面（Ｓ３）から外側には延伸していない。

Description

半導体発光装置、基台、半田付き基台、及び、半導体発光装置の製造方法

　本開示は、半導体レーザバーを備える半導体発光装置、半導体レーザバー等が接合される基台、半導体レーザバー等が接合される半田付き基台、及び、半導体レーザバーを備える半導体発光装置の製造方法に関する。

　半導体レーザ素子は、民生分野や産業分野を問わず、様々な分野の製品の光源に用いられている。例えば、半導体レーザ素子は、ディスプレイやプロジェクタ等の画像表示装置の光源、自動車のヘッドランプの光源、又は、レーザ加工装置等の産業機器の光源等に用いられている。

　中でも、プロジェクタ又はレーザ加工装置の光源に用いられる半導体レーザ素子については、光出力が１ワットを大きく超える高出力化が要求されている。この場合、１つのエミッタ（発光部）から高出力のレーザ光を出射させると、レーザ光が出射するフロント端面の光密度が高くなりすぎて、フロント端面にＣＯＤ（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄａｍａｇｅ）が発生するおそれがある。

　そこで、１つの半導体レーザ素子から高出力でレーザ光を出射させるために、複数のエミッタを有するマルチエミッタ構造の半導体レーザ素子が提案されている。この種の半導体レーザ素子は、例えば、複数のエミッタに対応する複数の利得領域を有する長尺状の半導体レーザバーとして構成される（例えば、特許文献１）。

　半導体レーザバーは、サブマウント等の基台を介してヒートシンク又は冷却装置等の設置部材に設置される。これにより、半導体レーザバーと設置部材との間の熱膨張差による半導体レーザバーへの応力を低減することができる。

特開２００５－１５８９４５号公報

　半導体レーザバーは、半田によってサブマウント等の基台に接合される。例えば、半導体レーザバーは、ジャンクションダウン方式により基台に接合される。半導体レーザバーを半田によって基台に接合する場合、基台に予め半田が形成された半田付き基台を用いて半導体レーザバーと基台とを接合することが考えられる。具体的には、半導体レーザバーを半田付き基台に載置して、半導体レーザバーを押さえ付けながら半田付き基台を加熱することで半田を溶融させて半導体レーザバーと基台とを半田で接合する。

　このとき、加熱により溶融して液状になった半田は、半導体レーザバーで押し付けられることになるので、液状の半田が基台の所定の位置からはみ出してしまうことがある。具体的には、半導体レーザバーと基台との間から半田がはみ出すことがある。

　例えば、溶融した半田は、半導体レーザバーで押さえ付けられることで、半導体レーザバーの短手方向に流動して半導体レーザバーのフロント端面からはみ出すことがある。半導体レーザバーのフロント端面（光出射端面）から半田がはみ出すと、半田がフロント端面に乗り上がって光路を妨害するおそれがある。そこで、半導体レーザバーのフロント端面に半田が付着しないようにするために、フロント端面が基台から少しはみ出すような状態で半導体レーザバーを基台に配置することが考えられる。これにより、溶融した半田が半導体レーザバーの短手方向に流動して基台と半導体レーザバーとの間からはみ出したとしても、半導体レーザバーのフロント端面に乗り上がって光路を妨害することを抑制することができる。なお、フロント端面及びその反対側のリア端面は、共振器を構成する誘電体反射膜を形成するので、半田がはみ出してもｐｎ接合部分が短絡してリークが発生する恐れはない。

　また、半導体レーザバーで押さえ付けられた半田は、半導体レーザバーの長手方向に流動して半導体レーザバーの側面からはみ出すこともある。半導体レーザバーの長手方向の側面には通常被膜を形成しないので、半導体レーザバーの側面から半田がはみ出すと、その側面に半田が付着して半導体レーザバーのｐｎ接合が短絡するおそれがある。そこで、半導体レーザバーの長手方向の側面に半田が付着しないようにするために、半導体レーザバーの長手方向の両端部の各々に、利得領域が存在しない非活性領域を設けて、その非活性領域には半田を形成しないという技術が知られている。

　しかしながら、半導体レーザバーの長手方向の両端部に非活性領域を形成して半導体レーザバーの側面から半田がはみ出すことを確実に防止しようとすると、非活性領域の長さをかなり長くしなければならない。この結果、半導体レーザバーの長手方向の長さが長くなってしまい、基台に実装された半導体レーザバーを備える半導体発光装置の全体サイズが大きくなってしまう。一方、非活性領域の長さを短くしすぎると、半導体レーザバーの側面から半田がはみ出してしまい、結局、半導体レーザバーの側面に半田が付着してｐｎ接合が短絡するおそれがある。

　このように、非活性領域を長くすることなく、半導体レーザバーの長手方向の側面から半田がはみ出すことを抑制することは難しい。

　本開示は、このような課題を解決するものであり、半導体レーザバーを基台に接合する際に、液状の半田が半導体レーザバーの長手方向の側面からはみ出すことを抑制できる半導体発光装置、基台、半田付き基台及び半導体発光装置の製造方法等を提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本開示に係る半導体発光装置の一態様は、配線部材を有する基台と、長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有する端面発光型の半導体レーザバーと、前記配線部材と前記半導体レーザバーとの間に配置された半田と、を備え、前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、前記半導体レーザバーは、ジャンクションダウン方式で前記基台に接続され、前記配線部材の前記半導体レーザバー側の面には、前記半田との界面である接続領域と、前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれ、前記接続領域は、上面視において、前記長手方向における前記側面の内側に位置し、前記ブロック領域の少なくとも一部は、上面視において、前記接続領域と前記側面との間に位置し、前記長手方向における前記ブロック領域の内側部分は、前記側面よりも内側に位置し、前記半田は、上面視において前記リア端面から外側に延伸するリア側延伸部を有し、かつ、前記側面から外側には延伸していない。

　また、本開示に係る基台の一態様は、配線部材を有する直方体の基台であって、前記配線部材の上面には、接続領域とブロック領域とが含まれ、前記ブロック領域は、上面視において、前記長手方向における前記接続領域の外側に位置し、前記接続領域は、半田に対する接触角が９０度より小さく、前記ブロック領域は、半田に対する接触角が９０度より大きい。

　また、本開示に係る半田付き基台の一態様は、配線部材を有する直方体の基台と、前記配線部材の上面に配置された半田と、を有し、前記配線部材の上面は、前記半田との界面であって半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とを含み、前記ブロック領域は、上面視において、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置する。

　また、本開示に係る半導体発光装置の製造方法の一態様は、配線部材を有する基台を準備する第１工程と、前記配線部材の上に半田を配置する第２工程と、前記半田の上に、端面発光型の半導体レーザバーをジャンクションダウンで配置し、前記半導体レーザバーを押さえ付けながら加熱して前記半田を溶融し、前記半田により前記半導体レーザバーを前記基台に接合する第３工程と、を含み、前記半導体レーザバーは、長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有し、前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、前記第１工程では、第１接続部材とブロック部材とを順に形成することで前記配線部材を形成し、前記配線部材の上面には、前記半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置し且つ前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれており、前記第２工程において、前記半田は、前記接続領域上に配置され、前記第３工程において、前記半田は、前記リア端面から外側に延伸し、且つ、前記側面から外側には延伸しない。

　また、本開示に係る半導体発光装置の製造方法の他の一態様は、配線部材を有する基台を準備する第１工程と、前記配線部材の上に半田を配置する第２工程と、前記半田の上に、端面発光型の半導体レーザバーをジャンクションダウンで配置し、前記半導体レーザバーを押さえ付けながら加熱して前記半田を溶融し、前記半田により前記半導体レーザバーを前記基台に接合する第３工程と、を含み、前記半導体レーザバーは、長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有し、前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、前記第１工程では、ブロック部材と第２接続部材とを順に形成することで前記配線部材を形成し、前記配線部材の上面には、前記半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置し且つ前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれており、前記第２工程において、前記半田は、前記接続領域上に配置され、前記第３工程において、前記半田は、前記リア端面から外側に延伸し、且つ、前記側面から外側には延伸せず、前記第２接続部材の少なくとも一部と前記半田とが組成遷移領域を介して一体化している。

　本開示によれば、半導体レーザバーの長手方向の側面から半田がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバーの側面にリークが発生することを抑制できる。

図１は、実施の形態１に係る半導体発光装置の上面図である。図２は、実装の形態１に係る半導体発光装置の正面図である。図３Ａは、図１のIIIA－IIIA線における実施の形態１に係る半導体発光装置の断面図である。図３Ｂは、図１のIIIB－IIIB線における実施の形態１に係る半導体発光装置の断面図である。図３Ｃは、図１のIIIC－IIIC線における実施の形態１に係る半導体発光装置の断面図である。図４は、半導体レーザバーが接合される前の実施の形態１に係る基台の構成を示す図である。図５は、実施の形態１に係る半導体発光装置の拡大断面図である。図６は、実施の形態１に係る半田付き基台の構成を示す図である。図７は、実施の形態１に係る半田付き基台を作製する方法を説明するための図である。図８は、実施の形態１に係る半田付き基台に半導体レーザバーを実装する方法を説明するための図である。図９は、実施の形態１に係る半田付き基台に半導体レーザバーを実装するときの応用例を説明するための図である。図１０Ａは、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置の上面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのXB－XB線における実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図１０Ｃは、図１０ＡのXC－XC線における実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図１０Ｄは、図１０ＡのXD－XD線における実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図１１は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置の他の例を示す断面図である。図１２は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光装置及び半導体レーザバーを実装するための基台の構成を示す図である。図１３は、実施の形態１の変形例２に係る半田付き基台の構成を示す図である。図１４は、実施の形態１の変形例３に係る、半導体発光装置、半導体レーザバーを実装するための基台、及び、半導体レーザバーの構成を示す図である。図１５は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光装置及び半導体レーザバーを実装するための基台の構成を示す図である。図１６は、実施の形態１の変形例５に係る半導体発光装置の断面図である。図１７は、実施の形態１の変形例５に係る他の半導体発光装置の断面図である。図１８は、実施の形態２に係る半導体発光装置の上面図である。図１９は、実装の形態２に係る半導体発光装置の正面図である。図２０Ａは、図１８のXXA－XXA線における実施の形態２に係る半導体発光装置の断面図である。図２０Ｂは、図１８のXXB－XXB線における実施の形態２に係る半導体発光装置の断面図である。図２０Ｃは、図１８のXXC－XXC線における実施の形態２に係る半導体発光装置の断面図である。図２１は、半導体レーザバーが接合される前の実施の形態２に係る基台の構成を示す図である。図２２は、実施の形態２に係る半導体発光装置の拡大断面図である。図２３は、実施の形態２に係る半田付き基台の構成を示す図である。図２４は、実施の形態２に係る半田付き基台を作製する方法を説明するための図である。図２５は、実施の形態２に係る半田付き基台に半導体レーザバーを実装する方法を説明するための図である。図２６Ａは、実施の形態２の変形例１に係る半導体発光装置の上面図である。図２６Ｂは、図２６ＡのXXVIB－XXVIB線における実施の形態２の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図２６Ｃは、図２６ＡのXXVIC－XXVIC線における実施の形態２の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図２６Ｄは、図２６ＡのXXVID－XXVID線における実施の形態２の変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図２７は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光装置及び半導体レーザバーを実装するための基台の構成を示す図である。図２８は、実施の形態３に係る半導体発光装置の上面図である。図２９は、実装の形態３に係る半導体発光装置の正面図である。図３０Ａは、図２８のXXXA－XXXA線における実施の形態３に係る半導体発光装置の断面図である。図３０Ｂは、図２８のXXXB－XXXB線における実施の形態３に係る半導体発光装置の断面図である。図３０Ｃは、図２８のXXXC－XXXC線における実施の形態３に係る半導体発光装置の断面図である。図３１は、半導体レーザバーが接合される前の実施の形態３に係る基台の構成を示す図である。図３２は、実施の形態３に係る半導体発光装置の拡大断面図である。図３３は、実施の形態３に係る半田付き基台の構成を示す図である。図３４は、実施の形態３に係る半田付き基台を作製する方法を説明するための図である。図３５は、実施の形態３に係る半田付き基台に半導体レーザバーを実装する方法を説明するための図である。図３６Ａは、実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置の上面図である。図３６Ｂは、図３６ＡのXXXVIB－XXXVIB線における実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置の断面図である。図３６Ｃは、図３６ＡのXXXVIC－XXXVIC線における実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置の断面図である。図３６Ｄは、図３６ＡのXXXVID－XXXVID線における実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置の断面図である。図３７は、実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置の拡大断面図である。図３８は、変形例１に係る半導体発光装置の上面図である。図３９は、変形例１に係る半導体発光装置の断面図である。図４０は、変形例１に係る基台の上面図である。図４１は、変形例２に係る半田付き基台の上面図及び半導体発光装置の上面図である。図４２は、変形例３に係る半田付き基台の上面図及び半導体発光装置の上面図である。図４３は、変形例４に係る半導体発光装置の断面図である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、ステップ（工程）及びステップの順序等は、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺・角度等は必ずしも一致していないし、角度も正確に図示されていないことがある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

　また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。

　（実施の形態１）
　［半導体発光装置］
　まず、実施の形態１に係る半導体発光装置１の構成について、図１、図２、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃを用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体発光装置１の上面図である。図２は、実装の形態１に係る半導体発光装置１の正面図である。図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、それぞれ、図１のIIIA－IIIA線、IIIB－IIIB線及びIIIC－IIIC線における実施の形態１に係る半導体発光装置１の断面図である。

　図１及び図２に示すように、半導体発光装置１は、配線部材１０を有する基台２と、半導体レーザバー３と、半田４とを備える。基台２と半導体レーザバー３とは、半田４を介して接合されている。具体的には、半田４は、基台２と半導体レーザバー３との間に介在している。つまり、半田４は、基台２の上に配置され、半導体レーザバー３は、半田４の上に配置されている。具体的には、半田４は、基台２の配線部材１０の上に配置されている。したがって、半田４は、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に配置されている。

　半田４は、基台２と半導体レーザバー３とを接合するための接合部材の一例である。本実施の形態において、半田４は、基台２の配線部材１０と半導体レーザバー３とを接合している。これにより、配線部材１０と半導体レーザバー３とが電気的に接続される。

　半田４は、例えば、ＡｕＳｎ系又はＳｎＡｕＣｕ系の鉛フリー半田であるが、これに限るものではない。半田４は、鉛（Ｐｂ）を用いた鉛半田であってもよい。また、半田４は、高温半田であってもよいし、低温半田であってもよい。本実施の形態において、半田４は、ＡｕＳｎ半田である。具体的には、半田４として、ＡｕＳｎ共晶半田を用いた。

　半導体レーザバー３は、レーザ光を出射する長尺状の半導体レーザ素子の一例である。本実施の形態において、半導体レーザバー３は、半導体レーザバー３の長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有する端面発光型の半導体レーザ素子である。具体的には、半導体レーザバー３は、複数の利得領域に対応する複数のエミッタを有するマルチエミッタ構造の半導体レーザ素子であり、複数本のレーザ光を出射する。

　半導体レーザバー３は、基板と、基板の上に形成された半導体積層構造体とを有する。例えば、半導体レーザバー３は、ＧａＮ系半導体レーザ又はＧａＡｓ系半導体レーザ等である。本実施の形態において、半導体レーザバー３は、ＧａＮ系半導体レーザであり、成長基板であるＧａＮ基板と、ＧａＮ基板の上に形成された窒化物半導体材料によって構成された半導体積層構造体とを備える。具体的には、半導体積層構造体は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成されたｐ型半導体層とを備える。ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に形成された活性層は、ｐｎ接合部となる。

　図２に示すように、ｐ型半導体層は、例えば、複数の光導波路として複数のリッジ部３ａを有する。複数のリッジ部３ａ（光導波路）は、複数の利得領域に対応している。複数のリッジ部３ａは、平行に形成されており、また、半導体レーザバー３の長手方向に直交する方向に延在している。ｐ型半導体層の上面は、リッジ部３ａ上を除いて、ＳｉＮ又はＳｉＯ２等からなる絶縁膜３ｂで覆われている。つまり、絶縁膜３ｂは、リッジ部３ａの上方に開口部を有する。また、ｐ型半導体層の上には、ｐ側電極が形成され、ＧａＮ基板の裏面（半導体積層構造体が形成された面とは反対側の面）には、ｎ側電極が形成されている。ｐ側電極は、例えば、リッジ部３ａの上に形成されている。

　また、半導体レーザバー３は、パッド電極５を有する。パッド電極５は、半導体レーザバー３のｐ側電極上に形成されている。パッド電極５は、全てのリッジ部３ａをまたぐように長尺状に形成されている。パッド電極５は、金属材料によって構成されている。パッド電極５は、単一の金属層によって構成されていてもよいし、複数の金属層によって構成されていてもよい。一例として、パッド電極５は、ｐ側電極から離れる方向に、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順に積層された３層構造である。

　図１に示すように、半導体レーザバー３は、レーザ光を出射する端面であるフロント端面Ｓ１と、フロント端面Ｓ１とは反対側の端面であるリア端面Ｓ２と、半導体レーザバー３の長手方向の端面である一対の側面Ｓ３とを有する。半導体レーザバー３の光導波路は、フロント端面Ｓ１とリア端面Ｓ２とを共振器反射ミラーとしている。したがって、フロント端面Ｓ１及びリア端面Ｓ２は、共振器端面となる。

　半導体レーザバー３は、ジャンクションダウン方式（フェイスダウン方式）で基台２に接続されている。つまり、半導体レーザバー３は、パッド電極５側の面（ｐ側電極側の面）が基台２に向くように配置されて基台２に実装されている。

　また、図１及び図３Ｂに示すように、本実施の形態において、半導体レーザバー３は、フロント端面Ｓ１が基台２の前端面から少しはみ出すような状態で基台２に実装されている。これにより、半導体レーザバー３を基台２に実装する際、加熱により溶融して液状になった半田４が半導体レーザバー３の短手方向に流動して基台２と半導体レーザバー３との間からはみ出したとしても、液状の半田４は、半導体レーザバー３の突出部分の基台２側の面にとどまることになる。したがって、液状の半田４がフロント端面Ｓ１に乗り上がって半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１に半田４が付着することを抑制できるので、半田４によるフロント端面Ｓ１でのレーザ光の光路妨害を防止できる。

　基台２は、半導体レーザバー３が実装されるサブマウントである。基台２は、全体として直方体である。一例として、基台２は、矩形の平板状である。図１～図３Ｃに示すように、基台２は、配線部材１０と、支持体２０とを有する。

　支持体２０は、基台２の本体を構成している。支持体２０は、絶縁体であり、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はダイヤモンド等の高熱伝導材料によって構成されている。これにより、半導体レーザバー３で発生する熱を支持体２０によって効率よく放熱させることができる。つまり、支持体２０は、ヒートシンクとして機能する。支持体２０の形状は、直方体であり、一例として、矩形の平板状である。したがって、支持体２０の上面は、矩形の平面である。

　配線部材１０は、支持体２０の上方に形成されている。具体的には、配線部材１０は、支持体２０の上面に形成されている。配線部材１０の少なくとも一部は、半田４に接続されている。つまり、半田４は、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に介在している。

　配線部材１０は、配線本体１１とブロック部材１２とを有する。本実施の形態では、配線本体１１とブロック部材１２とをこの順に形成することで配線部材１０が構成されている。

　配線本体１１は、単一の導電層によって構成されていてもよいし、複数の導電層によって構成されていてもよい。本実施の形態において、配線本体１１は、複数の金属層によって構成されている。具体的には、配線本体１１は、第１金属層１１ａと、第１金属層１１ａの上に形成された第２金属層１１ｂと、第２金属層１１ｂの上に形成された第３金属層１１ｃとの３層構造である。

　第１金属層１１ａは、例えば、ＴｉからなるＴｉ層又はＡｕからなるＡｕ層である。一例として、第１金属層１１ａの厚さは、０．５μｍである。第１金属層１１ａは、例えば、支持体２０と配線本体１１との密着性を向上させるために形成された密着層として機能する。したがって、第１金属層１１ａは、支持体２０との密着性に優れた金属材料によって構成するとよい。第１金属層１１ａは、配線本体１１の最下層である。

　第２金属層１１ｂは、例えば、ＰｔからなるＰｔ層である。一例として、第２金属層１１ｂの厚さは、０．２μｍである。第２金属層１１ｂは、不要な金属の拡散を抑制するためのバリア層として機能する。本実施の形態において、第２金属層１１ｂは、半田４に含まれるＳｎが拡散することを抑制する。第２金属層１１ｂは、配線本体１１の中間層であり、第１金属層１１ａと第３金属層１１ｃとの間に配置されている。

　第３金属層１１ｃは、例えば、ＡｕからなるＡｕ層である。一例として、第３金属層１１ｃの厚さは、１．０μｍである。第３金属層１１ｃは、配線本体１１の最上層である。図３Ａに示すように、本実施の形態では、配線本体１１における半田４の下方部分に、第３金属層１１ｃが存在していない。

　詳細は後述するが、これは、半導体レーザバー３を半田４で配線部材１０に接合する際に、ＡｕＳｎからなる半田４の組成成分であるＳｎがＡｕ層である第３金属層１１ｃに拡散してＡｕとＳｎとが合金化し、組成遷移領域としてＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１が形成され、第３金属層１１ｃが半田４の一部となって半田４と一体化したからである。このため、半田４によって半導体レーザバー３と基台２とが接合された後では、第３金属層１１ｃと半田４とが一体化した合金化層１１ｃ１を含む半田４は、配線本体１１の第２金属層１１ｂと接合しているように見える。

　一方、半導体レーザバー３が配線部材１０に接合される前の基台２である基台２００については、図４に示すように、配線部材２１０の配線本体２１１の第３金属層１１ｃには組成遷移領域（合金化層１１ｃ１）が形成されておらず、配線部材２１０の配線本体２１１は、全領域において、第１金属層１１ａと第２金属層１１ｂと第３金属層１１ｃとの３層構造になっている。図４は、半導体レーザバー３が接合される前の基台２００の構成を示す図である。図４において、（ａ）は、基台２００の上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　基台２及び基台２００において、第１金属層１１ａ、第２金属層１１ｂ及び第３金属層１１ｃは、例えば、めっき法によって形成されためっき膜であるが、これに限らない。例えば、第１金属層１１ａ、第２金属層１１ｂ及び第３金属層１１ｃは、蒸着法等のめっき法以外の方法によって形成されてもよい。また、本実施の形態において、配線本体１１は、支持体２０側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＡｕ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造になっているが、これに限らない。例えば、配線本体１１は、支持体２０側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ａｕの５層構造であってもよい。

　図４の（ａ）に示すように、基台２００において、配線本体２１１は、第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とに分離されている。第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とは、半導体レーザバー３の表面電極と裏面電極とに接続される配線部材である。さらに第１配線本体１１１と第２配線本体１１２から電源供給部にワイヤボンディング等で容易に接続できるように、それぞれが配置される。例えば図４の（ａ）では、上面視で左右方向に電源供給部が形成できるように配置されている。もちろん、リア端面Ｓ２側（上面視で上側）に、第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とが並んで配置されていても良い。

　図１に示す基台２における配線本体１１は、基台２００における配線本体２１１と同様の形状である。つまり、配線本体１１は、互いに分離された第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とによって構成されている。

　図１に示すように、半導体レーザバー３は、第１配線本体１１１の上に配置されている。したがって、図３Ａに示すように、半導体レーザバー３と第１配線本体１１１とは半田４によって接合されている。また、図１に示すように、第２配線本体１１２と半導体レーザバー３とは、配線ワイヤの一例である金ワイヤ６によって接続されている。ワイヤボンディングは、半導体レーザバー３の利得領域（リッジ部）に対応するように行う。すなわち、半導体レーザバー３の長手方向に並ぶ利得領域に対応して、金ワイヤ６もその長手方向に平行に並べて配置される。このようにワイヤボンディングすることで、半導体レーザバー３の長手方向で均一に発光させることが可能となる。また、金ワイヤ６は、隣り合う利得領域の間に配置されているとよい。これにより、ワイヤボンディング時の応力による不良発生を低減できる。本実施の形態では、複数本の金ワイヤ６が第２配線本体１１２と半導体レーザバー３とを架張するようにワイヤボンディングされているが、これに限らない。例えば、金ワイヤ６は、半導体レーザバー３の長手方向で均一な発光が得られるのであれば、１本であってもよいし、２本であってもよい。なお、金ワイヤ６ではなく、金以外の材料によって構成された配線ワイヤを用いてもよい。

　第１配線本体１１１及び第２配線本体１１２には、電力が供給される。本実施の形態では、第１配線本体１１１には、給電ワイヤ７ａがワイヤボンディングされており、第２配線本体１１２には、給電ワイヤ７ｂがワイヤボンディングされている。給電ワイヤ７ａに供給された電力は、第１配線本体１１１及び半田４を介して半導体レーザバー３のパッド電極５（ｐ側電極）に供給される。一方、給電ワイヤ７ｂに供給された電力は、第２配線本体１１２及び金ワイヤ６を介して半導体レーザバー３のｎ側電極に供給される。ここで、第２配線本体１１２は、金ワイヤ６の長さを短くするために、半導体レーザバー３に沿ってリア端面Ｓ２側に、かつ第１配線本体１１１と離間して配置される。一方、レーザ光の光路を考えると、フロント端面Ｓ１側には金ワイヤ６を配置することができないので、給電ワイヤ７ａおよび７ｂは、基台２００の長手方向端部付近に形成される。よって、第２配線本体１１２は、基台２００のリア側と長手方向端部に沿うＬ字型をしている。本実施の形態では、複数本の給電ワイヤがワイヤボンディングされているが、太い１本のワイヤでもよいし、変形しにくい金属配線部材が半田付けされていてもよい。

　図２及び図３Ａに示すように、ブロック部材１２は、配線本体１１の上に配置されている。具体的には、ブロック部材１２は、配線本体１１の第３金属層１１ｃの上に配置されている。本実施の形態において、ブロック部材１２は、半導体レーザバー３の長手方向において対向するように一対形成されている。一対のブロック部材１２は、半導体レーザバー３の長手方向における一対の端部と重なる位置に形成されている。半田４は、一対のブロック部材１２の間に存在している。

　一対のブロック部材１２は、いずれも第１配線本体１１１の上に配置されている。各ブロック部材１２は、第１配線本体１１１の幅方向の一方の端部から他方の端部にわたって形成されている。本実施の形態において、各ブロック部材１２の上面視形状は、矩形状である。一例として、ブロック部材１２の上面視形状は、縦１．２５ｍｍで、横０．３ｍｍの長方形である。また、ブロック部材１２の厚さは、例えば、０．２μｍである。

　ブロック部材１２は、導電層によって構成されている。本実施の形態において、ブロック部材１２は、金属層である。具体的には、ブロック部材１２は、ＰｔからなるＰｔ層である。Ｐｔ層であるブロック部材１２は、例えば蒸着法によって配線本体１１の上面に形成されている。ただし、ブロック部材１２の形成方法は、蒸着法に限るものではない。また、ブロック部材１２を金属ブロックとし、金属ブロックであるブロック部材１２を導電性接着剤又は絶縁性接着剤で配線本体１１に接合してもよい。また、ブロック部材１２の長手方向の外側部分に離間して、給電ワイヤ７ａおよび７ｂが配置されている。

　このように、本実施の形態において、配線本体１１とブロック部材１２とは、いずれも導電性を有するが、これに限らない。例えば、ブロック部材１２は、絶縁材料によって構成されていてもよい。具体的には、ブロック部材１２は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）からなる酸化シリコン膜であってもよいし、酸化ニッケル（ＮｉＯ_ｘ）からなる酸化ニッケル膜であってもよい。

　図２～図３Ｃに示すように、配線部材１０の半導体レーザバー３側の面には、接続領域１０ａ（接続部）と、ブロック領域１０ｂ（ブロック部）とが含まれている。つまり、配線部材１０の上面には、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとが含まれている。

　配線部材１０の接続領域１０ａは、配線部材１０と半田４との界面である。接続領域１０ａは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における半導体レーザバー３の側面Ｓ３の内側に位置している。具体的には、接続領域１０ａは、半導体レーザバー３の一対の側面Ｓ３の間に位置している。

　図３Ａに示すように、半導体レーザバー３と配線部材１０とが半田４で接合された後では、配線部材１０における半田４との界面は、配線本体１１の第２金属層１１ｂと半田４との接続面になっている。つまり、接続領域１０ａは、第２金属層１１ｂの上面の一部である。具体的には、第２金属層１１ｂはＰｔ層であるので、接続領域１０ａは、Ｐｔの表面である。このように、本実施の形態では、配線本体１１の第２金属層１１ｂが半田４に接続されている。つまり、第２金属層１１ｂは、半田４に接続する接続部材（第１接続部材）になっている。

　なお、半導体レーザバー３が配線部材１０に接合される前の基台２００については、図４に示すように、半田４が接続される領域に、配線部材２１０の配線本体２１１の第３金属層１１ｃが存在している。このため、基台２００において、半田４が接続される予定である接続領域１０ｃは、第３金属層１１ｃの上面の一部である。つまり、基台２００において、接続領域１０ｃは、半田４が配置される半田配置領域である。この場合、接続領域１０ｃは、半田４に対する接触角が９０度より小さくなっている。つまり、液状の半田４に対する接続領域１０ｃの接触角は９０度よりも小さい鋭角になっている。本実施の形態において、第３金属層１１ｃはＡｕ層であるので、基台２００における接続領域１０ｃは、Ａｕの表面である。また、ブロック部材１２は、Ｐｔ、ＳｉＯ_ｘ又はＮｉＯ_ｘによって構成されているので、ブロック領域１０ｂは、Ｐｔ、ＳｉＯ_ｘ又はＮｉＯ_ｘの表面である。これにより、接続領域１０ｃとブロック領域１０ｂとの濡れ性の差を容易に実現することができる。

　図２及び図３Ａに示すように、第３金属層１１ｃの上に形成される一対のブロック部材１２は、第２金属層１１ｂ（第１接続部材）の上方に位置している。つまり、第２金属層１１ｂの上面は、半田４に接しているだけではなく、第３金属層１１ｃにも接している。このように、第２金属層１１ｂの上面には、半田４に接続される接続領域１０ａと第３金属層１１ｃに接続される領域とが含まれている。

　また、上記のように、半田４は、一対のブロック部材１２の間に形成されている。したがって、半田４に接続される第２金属層１１ｂ（第１接続部材）は、上面視において、一対のブロック部材１２の間に接続領域１０ａを有している。つまり、接続領域１０ａは、一対のブロック部材１２の間に位置している。

　配線部材１０のブロック領域１０ｂは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの外側に位置している。また、ブロック領域１０ｂの少なくとも一部は、接続領域１０ａと半導体レーザバー３の側面Ｓ３との間に位置している。

　ブロック領域１０ｂは、半田４に対する接触角が９０度より大きい。つまり、液状の半田４に対するブロック領域１０ｂの接触角は、９０度よりも大きい鈍角になっている。本実施の形態において、ブロック領域１０ｂは、ブロック部材１２の上面である。上記のように、ブロック部材１２は、Ｐｔ層であるので、ブロック領域１０ｂは、Ｐｔの表面である。なお、ブロック部材１２がＳｉＯ_ｘ又はＮｉＯ_ｘによって構成されている場合、ブロック領域１０ｂは、ＳｉＯ_ｘ又はＮｉＯ_ｘの表面である。

　本実施の形態において、配線部材１０は、一対のブロック部材１２を有するので、ブロック領域１０ｂも一対存在する。一対のブロック領域１０ｂの一方は、半導体レーザバー３の長手方向において、接続領域１０ａの一方側に存在している。また、一対のブロック領域１０ｂの他方は、半導体レーザバー３の長手方向において、接続領域１０ａの他方側に存在している。つまり、ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向において、接続領域１０ａの両外側に一対存在している。

　半導体レーザバー３の側面Ｓ３は、ブロック領域１０ｂの上方に位置している。つまり、半導体レーザバー３の側面Ｓ３は、上面視において、ブロック領域１０ｂと重なっている。具体的には、半導体レーザバー３の一対の側面Ｓ３の一方は、一対のブロック領域１０ｂの一方の上方に位置しており、半導体レーザバー３の一対の側面Ｓ３の他方は、一対のブロック領域１０ｂの他方の上方に位置している。

　半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック領域１０ｂの内側部分は、上面視において、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置している。具体的には、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック部材１２の内側の側面が、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置している。

　本実施の形態では、一対のブロック領域１０ｂの対向部分が半導体レーザバー３の一対の側面Ｓ３の間に位置している。つまり、一対のブロック部材１２の対向する両側面は、一対の側面Ｓ３の間に位置している。

　一方、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック領域１０ｂの外側部分は、上面視において、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも外側に位置している。具体的には、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック部材１２の外側の側面が、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも外側に位置している。

　また、図１及び図４に示すように、一対のブロック領域１０ｂの各々は、上面視において、半導体レーザバー３の直下の部分からリア端面Ｓ２側の外方に延伸している。また、半導体レーザバー３の各側面Ｓ３におけるリア端面Ｓ２側の端部は、上面視において、ブロック領域１０ｂに重なっている。

　一対のブロック領域１０ｂは、上面視において、基台２の短手方向の一方側に寄せて配置されている。つまり、一対のブロック領域１０ｂは、基台２の短手方向の片側に偏在している。本実施の形態において、一対のブロック領域１０ｂは、第１配線本体１１１の上方に位置しており、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側（半導体発光装置１の前方側）に寄せて配置されている。

　図２及び図３Ａに示すように、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に介在する半田４は、一対のブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）の間に存在しており、半導体レーザバー３の長手方向においては、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から外側には延伸していない。つまり、半田４は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から外側にははみ出していない。

　一方、図１、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に介在する半田４は、半導体レーザバー３の短手方向においては、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側にはみだしている。具体的には、半田４は、上面視において半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側に延伸するリア側延伸部４ａを有する。

　図示されていないが、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１及びリア端面Ｓ２は、ＳｉＯｘやＡｌＯｘやＴｉＯｘなどの誘電体からなる被膜が形成されている。これらの被膜は、各種半田に対する接触角が９０度より大きい。よって、半田４のリア側延伸部４ａは、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側にはみだしているが、リア端面Ｓ２には接していない。また、図１に示すように、半田４のリア側延伸部４ａは、半導体レーザバー３の側面Ｓ３にも接していない。

　図１に示すように、半田４と配線部材１０との界面である接続領域１０ａは、上面視において、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側に延伸する接続領域延伸部１０ａ１を有する。図３Ｂに示すように、半田４のリア側延伸部４ａは、接続領域１０ａの接続領域延伸部１０ａ１と接続されている。

　本実施の形態において、接続領域延伸部１０ａ１に存在するリア側延伸部４ａの高さは、一定ではない。具体的には、図３Ｂに示すように、リア側延伸部４ａの高さは、半導体レーザバー３の短手方向において、半導体レーザバー３から離れるにしたがって、いったん高くなった後に低くなっている。

　図３Ａに示すように、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に介在する半田４は、一対のブロック部材１２の間に存在するとともに、その一部がブロック部材１２の上面に乗り上がっている。このため、半田４は、配線本体１１と半導体レーザバー３との間だけではなく、ブロック部材１２と半導体レーザバー３との間にも介在している。したがって、図３Ａに示される断面視において、半田４と半導体レーザバー３との界面の幅Ｗ１は、半田４と配線部材１０との界面の幅Ｗ２より大きくなっている。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１では、半導体レーザバー３の長手方向の両端部の各々に、利得領域が存在しない非活性領域が設けられている。この非活性領域は、レーザ光は出射する部分と同じ半導体積層構造によって構成されているが、絶縁膜によって半田４とは絶縁されており、電流が流れない。このため、非活性領域からは発熱がなく、直下の基台２００との間に半田４等の熱伝導部材がなくても熱的な問題は少ない。本実施の形態における半導体レーザバー３では、この非活性領域の長さが従来技術よりも短くなっている。

　この場合、本実施の形態における半導体発光装置１では、図５の断面視において、半導体レーザバー３の下面外端とブロック領域１０ｂの内端（ブロック部材１２の上面内端）とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ１は、４５度未満である。

　また、ブロック部材１２の下面内端と複数の利得領域３ｃのうちブロック部材１２に最も近い利得領域３ｃの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ２は、４５度未満である。

　次に、実施の形態１に係る半導体発光装置１の製造方法について説明する。具体的には、半田４によって半導体レーザバー３と基台２の配線部材１０とを接合する方法について説明する。

　本実施の形態では、支持体２０に予め半田４が形成された半田付き基台２０１を用いて半導体レーザバー３を実装している。そこで、まず、半田付き基台２０１の構成について、図６を用いて説明する。図６は、実施の形態１に係る半田付き基台２０１の構成を示す図である。図６において、（ａ）は、半田付き基台２０１の上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図６に示すように、半田付き基台２０１は、図４に示される基台２００の配線部材２１０に半田４が配置された構成になっている。具体的には、半田付き基台２０１は、配線部材２１０を有する直方体の支持体２０（基台）と、配線部材２１０の上面に配置された半田層である半田４とを備える。半田４は、蒸着又は印刷等によって所定形状に形成することができる。

　配線部材２１０は、配線本体２１１と、ブロック部材１２とを有する。配線本体２１１は、第１金属層１１ａと第２金属層１１ｂと第３金属層１１ｃとの３層構造になっている。また、配線本体２１１は、上記の半導体発光装置１における配線部材１０の配線本体１１と同様に、互いに分離された第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とによって構成されている。

　半田付き基台２０１において、配線部材２１０の上面は、半田４との界面である接続領域１０ｃである。具体的には、接続領域１０ｃは、配線本体２１１における第３金属層１１ｃの上面の一部である。第３金属層１１ｃはＡｕ層であるので、半田付き基台２０１における接続領域１０ｃは、Ａｕの表面である。この場合、接続領域１０ｃは、半田４に対する接触角が９０度より小さくなっている。つまり、接続領域１０ｃは、半田４に対する濡れ性が高くなっている。

　配線部材２１０のブロック部材１２は、上記の半導体発光装置１における配線部材１０のブロック部材１２と同じである。半田付き基台２０１においても、ブロック部材１２の上面がブロック領域１０ｂになっている。したがって、ブロック領域１０ｂの半田４に対する接触角は９０度より大きい。このように、半田付き基台２０１では、ブロック領域１０ｂの半田４に対する接触角が、接続領域１０ｃの半田４に対する接触角よりも大きくなっている。

　ブロック領域１０ｂは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ｃの両外側に位置している。半田付き基台２０１には、一対のブロック部材１２が設けられているので、ブロック領域１０ｂも一対存在している。具体的には、ブロック領域１０ｂは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ｃの両外側に一対存在している。

　また、半田４は、上面視において、基台２００の短手方向の一方側に寄せて配置されている。つまり、半田４は、基台２の短手方向の片側に偏在している。本実施の形態において、半田４は、第１配線本体１１１の上方に位置している。

　そして、図６に示される半田付き基台２０１を用いて半導体発光装置１を製造する際、まず、図７に示すようにして、半田付き基台２０１を作製する。図７は、実施の形態１に係る半田付き基台２０１を作製する方法を説明するための図である。なお、図７において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　まず、図７の（ａ）～（ｃ）に示すように、第１工程として、配線部材２１０を有する基台２００を準備する。本実施の形態では、配線本体２１１及びブロック部材１２を含む配線部材２１０が形成された基台２００を作製する。この第１工程では、半導体レーザバー３を実装したときに半田４に接続される第１接続部材とブロック部材１２とを順に形成することで配線部材２１０を形成する。本実施の形態では、半田４に接続される第１接続部材として第２金属層１１ｂが含まれる配線部材２１０を形成する。

　具体的には、まず、図７の（ａ）に示すように、支持体２０を準備する。本実施の形態では、ＡｌＮからなる直方体の支持体２０を準備した。

　次いで、図７の（ｂ）に示すように、支持体２０の上面に、第１金属層１１ａと第２金属層１１ｂと第３金属層１１ｃとからなる配線本体２１１を所定の形状で形成する。本実施の形態では、第１金属層１１ａ、第２金属層１１ｂ及び第３金属層１１ｃとして、それぞれ、Ａｕ層、Ｐｔ層及びＡｕ層をめっき法により形成した。なお、配線本体２１１は、第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とに分離されている。

　次いで、図７の（ｃ）に示すように、配線本体２１１の上に、一対のブロック部材１２を形成する。具体的には、配線本体２１１の第３金属層１１ｃの上に、所定の間隔をあけて対向するようにして、所定形状の一対のブロック部材１２を形成する。本実施の形態において、一対のブロック部材１２の各々は、矩形板状であり、上面視形状が、半導体レーザバー３の短手方向に長尺をなす長方形である。また、一対のブロック部材１２は、配線本体２１１における第１配線本体１１１及び第２配線本体１１２のうち第１配線本体１１１の上に形成されている。なお、本実施の形態では、ブロック部材１２としてＰｔ層を形成した。

　このようにして、配線本体２１１とブロック部材１２とで構成された配線部材２１０が形成された基台２００を作製することができる。

　次に、図７の（ｄ）に示すように、第２工程として、基台２００の配線部材２１０の上面に所定形状の半田４を配置する。具体的には、半田４は、配線本体２１１の第３金属層１１ｃの上に形成されている。第３金属層１１ｃは、配線本体２１１の最上層であり、半田４が接続される接続領域１０ｃである。つまり、半田４は、接続領域１０ｃの上に配置される。

　また、第２工程では、半田４は、一対のブロック部材１２の間に形成されている。つまり、半田４は、一対のブロック部材１２で挟まれることになる。本実施の形態において、半田４は、矩形板状であり、上面視形状が、半導体レーザバー３の長手方向に長尺をなす長方形である。本実施の形態では、ＡｕＳｎ層（Ａｕ８０％）である半田４を蒸着法により形成した。また、半田４の厚さは、ブロック部材１２の厚さよりも厚くしている。

　以上により、配線本体２１１及びブロック部材１２を有する配線部材２１０の上面に半田４が形成された半田付き基台２０１が完成する。

　次に、図８に示すように、第３工程として、半田付き基台２０１に半導体レーザバー３を実装する。図８は、半田付き基台２０１に半導体レーザバー３を実装する方法を説明するための図である。なお、図８において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　第３工程では、まず、図８の（ａ）に示すように、半田付き基台２０１の半田４の上に半導体レーザバー３をジャンクションダウンで配置し、次いで、図８の（ｂ）に示すように、半導体レーザバー３を押さえ付けながら加熱して半田４を溶融させる。その後、溶融して液状になった半田４が硬化することで、半田４によって半導体レーザバー３を基台２に接合することができる。一例として、半田付き基台２０１を２５０℃まで加熱し、その後、半田付き基台２０１に半導体レーザバー３をジャンクションダウンで配置し、半田付き基台２０１の加熱温度を３２０℃として１０秒保持し、その後、降温する。その後、図８の（ｃ）に示すように、金ワイヤ６と給電ワイヤ７ａ及び７ｂとをワイヤボンディングする。これにより、半導体発光装置１が完成する。

　この第３工程では、図８の（ｂ）に示すように、溶融して液状になった半田４は、半導体レーザバー３で押し付けられることになる。このため、液状の半田４は、半導体レーザバー３からの押圧によって、半導体レーザバー３と配線部材２１０との間で押し広げられることになる。

　ここで、半田４が接触する接触面の濡れ性が低いと、液状の半田４は、広がりが阻害（ブロック）される。本実施の形態では、半田４が接続される接続領域１０ａの両外側には、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂが存在している。つまり、接続領域１０ａは、半田４に対して濡れ性が低い一対のブロック領域１０ｂで挟まれている。これにより、接続領域１０ａから半導体レーザバー３の長手方向に広がる液状の半田４をブロック領域１０ｂではじくことができるので、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを抑制できる。この結果、一対のブロック領域１０ｂによってはじかれた液状の半田４の広がりは、半導体レーザバー３の短手方向（基台２の短手方向）に向けて促されることになる。つまり、液状の半田４の流れの向きを半導体レーザバー３の側面Ｓ３に向かう方向から半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２に向かう方向へと変えることができる。このようにして、半導体レーザバー３の長手方向に流動する半田４を半導体レーザバー３の短手方向に向けて逃がすことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを抑制できる。

　特に、本実施の形態では、ブロック領域１０ｂを上面に有する厚みのある一対のブロック部材１２によって半田４を挟んでいるので、半導体レーザバー３の長手方向に流動する半田４は、低い濡れ性で液状の半田４の広がりを規制しているだけではなく、一対のブロック部材１２の厚みによっても、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に移動することを物理的に規制している。具体的には、一対のブロック部材１２の各々の内側の側面によって液状の半田４をせき止めることができる。つまり、一対のブロック部材１２は、液状の半田４の流れを止めるストッパとしても機能している。これにより、半導体レーザバー３の長手方向の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを効果的に抑制できる。なお、一対のブロック部材１２では、上面（ブロック領域１０ｂ）だけではなく側面も濡れ性が低くなっている。

　一方、半導体レーザバー３からの押圧によって半導体レーザバー３の短手方向に流動する半田４及び一対のブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）によって半導体レーザバー３の短手方向に逃がされた半田４は、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２からはみ出すことになる。したがって、第３工程において、半田４には、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側に延伸したリア側延伸部４ａが形成される。

　このとき、本実施の形態では、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２からはみ出した半田４の下面の濡れ性が高くなっている。このため、リア側延伸部４ａは、一部が盛り上がった状態に形成され、はみ出す方向に向かって距離が伸びにくい。具体的には、リア側延伸部４ａの高さは、半導体レーザバー３の短手方向において、半導体レーザバー３から離れるにしたがって、いったん高くなった後に低くなる。

　また、第３工程では、図９に示すように、半田付き基台２０１を加熱しながら半田４に加熱用のレーザ光を照射するとよい。具体的には、まず、図９の（ａ）に示すように、半田４の上に半導体レーザバー３が配置された半田付き基台２０１をヒータ３００で加熱し、次いで、図９の（ｂ）に示すように、半田付き基台２０１をヒータ３００で加熱しながら、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２よりも外側の領域に存在する半田４に加熱用のレーザ光を局所的に照射する。これにより、半田４における半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側に近い部分（後端部）の温度が、半田４における半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１に近い部分（前端部）の温度よりも高くなる。

　そして、図９の（ｃ）に示すように、加熱用のレーザ光を照射し続けると、半田４は後端部の温度が前端部の温度よりも高い状態が維持される。液状の半田４は、温度が高い方が高い流動性を有する。このため、加熱用のレーザ光により後端部が加熱された液状の半田４には、後方側に向かう流れが発生する。これにより、液状の半田４は、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から後方側に一層はみ出しやすくなる。

　このように、半田付き基台２０１を加熱しながら半田４の後端部に加熱用のレーザ光を局所的に照射することで、半田４に、一部が盛り上がったリア側延伸部４ａを容易に形成することができる。なお、半田４の後端部を加熱するときのレーザ光の照射条件は、一例として、レーザ光としては波長が８０８ｎｍのＣＷレーザ光を用い、レーザ光の出力を１Ｗ／ｃｍ^２とし、照射領域を１ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｕｍとし、照射時間を０．５秒とし、有効吸収率を１０％とし、想定温度差を２０℃とした。

　また、本実施の形態では、図８の（ａ）に示すように、半田付き基台２０１の配線本体２１１の最上層である第３金属層１１ｃに半田４が接して配置されている。そして、第３金属層１１ｃは、Ａｕ層であり、半田４は、ＡｎＳｎ層である。このため、第３工程において、半導体レーザバー３を押さえ付けながら半田付き基台２０１を加熱して半田４を溶融させたときに、ＡｕＳｎ層である半田４は、Ａｕ層である第３金属層１１ｃの上で溶融することになる。このとき、半田４の組成成分であるＳｎが第３金属層１１ｃに拡散して第３金属層１１ｃのＡｕを侵食するので、図８の（ｂ）に示すように、ＡｕとＳｎとが合金化して第３金属層１１ｃが組成遷移領域であるＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１になる。つまり、半田４の下方に位置する第３金属層１１ｃがＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１になる。これにより、配線部材２１０の一部である第３金属層１１ｃと半田４とが組成遷移領域（合金化層１１ｃ１）を介して一体化することになる。したがって、半導体発光装置１における配線部材１０と半田４との接合強度を向上させることができるので、半導体レーザバー３と基台２とを強固に接合することができる。

　このとき、本実施の形態では、第３工程において、半田付き基台２０１における半田４が配置された部分の第３金属層１１ｃの全体が、ＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１になっている。つまり、半田４が配置された部分の第３金属層１１ｃの厚み方向の全体が半田４の一部になっている。したがって、第３工程によって、半田４は、半田４が配置された部分の第３金属層１１ｃが合金化した合金化層１１ｃ１を取り込んだ状態となり、第２金属層１１ｂと接合しているように見える。これにより、半田４が接続された第２金属層１１ｂを含む配線本体１１が形成される。

　以上説明したように、本実施の形態に係る半導体発光装置１は、配線部材１０を有する基台２と、半導体レーザバー３と、配線部材１０と半導体レーザバー３との間に配置された半田４と、を備えている。そして、配線部材１０の半導体レーザバー３側の面には、半田４との界面である接続領域１０ａと、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂとが含まれており、接続領域１０ａは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における半導体レーザバー３の側面Ｓ３の内側に位置しており、ブロック領域１０ｂの少なくとも一部は、上面視において、接続領域１０ａと半導体レーザバー３の側面Ｓ３との間に位置し、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック領域１０ｂの内側部分は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置している。つまり、半導体レーザバー３の長手方向において、接続領域１０ａの側方に、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂが存在している。

　具体的には、本実施の形態における半導体発光装置１において、配線部材１０は、半田４が接続する第１接続部材として第２金属層１１ｂを含む配線本体１１と、配線本体１１の上方に位置するブロック部材１２とを有しており、ブロック部材１２の上面の少なくとも一部がブロック領域１０ｂであり、第１接続部材である第２金属層１１ｂの上面の少なくとも一部が接続領域１０ａである。

　このような構成の半導体発光装置１は、配線部材２１０を備える基台２００を用いて作製することができる。具体的には、半田４に対する接触角が９０度より小さい接続領域１０ｃと半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂとを上面に含む配線部材２１０を備える基台２００を用いることで、半田４を介して半導体レーザバー３を配線部材２１０に接合することができる。

　本実施の形態では、基台２００に予め半田４が形成された半田付き基台２０１を用いて、半導体レーザバー３を配線部材２１０に接合している。具体的には、接続領域１０ｃとブロック領域１０ｂとを上面に含む配線部材２１０とこの配線部材２１０の接続領域１０ｃに配置された半田４とを備える半田付き基台２０１を用いて、半導体レーザバー３を半田４を介して配線部材２１０に接合している。

　そして、基台２００又は半田付き基台２０１を用いて半導体レーザバー３を実装する際、溶融して液状になった半田４によって、基台２００又は半田付き基台２０１の配線部材２１０と半導体レーザバー３とが接合される。

　このとき、本実施の形態では、半導体レーザバー３の長手方向において、半田４が接続される接続領域１０ａの側方に、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２の上面）が存在している。つまり、接続領域１０ａの側方には、半田４に対して濡れ性が低いブロック領域１０ｂが存在している。

　これにより、溶融して液状になった半田４が半導体レーザバー３で押さえ付けられて広がっていってブロック領域１０ｂに到達したときに、液状の半田４は、半田４に対する濡れ性が低いブロック領域１０ｂではじかれることになる。つまり、半導体レーザバー３の長手方向に広がる液状の半田４をブロック領域１０ｂではじくことができる。これにより、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から外側に液状の半田４がはみ出して延伸することを抑制できる。この結果、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着することで側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる。

　また、本実施の形態において、ブロック領域１０ｂではじかれた半田４は、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２からはみ出すことになる。これにより、半田４の後方部分にリア側延伸部４ａが形成されることになる。半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２には、半田４に対して濡れ性の低い材料からなるリア端面コート膜が形成されている。このため、このリア側延伸部４ａは、半導体レーザバー３の側面Ｓ３には接しない。したがって、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２からはみ出した半田４が側面Ｓ３に回り込んで側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡することを抑制できる。

　さらに、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から半田４がはみ出してリア側延伸部４ａが形成されることで、半田４が外気に触れる面積が大きくなるので、半導体レーザバー３で発生する熱を後方側から効率的に放熱させることができる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１において、ブロック領域１０ｂは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側の各々に存在している。つまり、上面視において、半田４が接続される接続領域１０ａは、一対のブロック領域１０ｂの間に存在している。具体的には、接続領域１０ａは、上面がブロック領域１０ｂである一対のブロック部材１２の間に位置している。同様に、基台２００又は半田付き基台２０１において、半田４が配置される接続領域１０ｃは、一対のブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）の間に存在している。

　この構成により、一対のブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）が、半田４が形成されていない部位として、半導体レーザバー３の長手方向の両端部付近に存在させることができる。これにより、半田４の中央部付近から半導体レーザバー３の一対の側面Ｓ３の各々に向かって広がった液状の半田４が、半田４の端部付近の広がりに影響を及ぼすことを抑制できる。したがって、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを一層抑制することができる。特に、本実施の形態のように、ブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）を１つではなく複数設けることで、その効果が一層大きくなる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１において、ブロック領域１０ｂは、上面視で、半導体レーザバー３の直下の部分からリア端面Ｓ２側の外方に延伸しており、また、半導体レーザバー３の側面Ｓ３におけるリア端面Ｓ２側の端部は、上面視で、ブロック領域に重なっている。

　この構成により、加熱溶融して液状になった半田４は、半導体レーザバー３の長手方向に広がろうとしても、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に到達しにくくなる。これにより、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２からはみ出した半田４が半導体レーザバー３の側面Ｓ３まで回り込むことを効果的に抑制することができる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１では、図３Ａに示すように、半田４と半導体レーザバー３との界面の幅Ｗ１が、半田４と配線部材１０との界面の幅Ｗ２よりも大きくなっている。

　この構成により、半導体レーザバー３にブロック部材１２を設ける場合と比べて、半導体発光装置１を小型化できるとともに、半導体レーザバー３等の部品の取り扱いが容易になる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１では、図５に示すように、半導体レーザバー３の下面外端とブロック領域１０ｂの内端（ブロック部材１２の上面内端）とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ１は、４５度未満になっている。

　この構成により、基台２００又は半田付き基台２０１を用いて半導体レーザバー３を実装する際に、加熱により溶融した半田４がブロック部材１２からはみ出すことを抑制できる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１では、図５に示すように、ブロック部材１２の下面内端と複数の利得領域のうちブロック部材１２に最も近い利得領域３ｃの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ２は、４５度未満になっている。

　この構成により、最も外側に位置する利得領域３ｃからの放熱を十分に行うことができる。つまり、最も外側に位置する利得領域３ｃの熱を、他の利得領域３ｃと遜色なく放熱させることができる。

　（実施の形態１の変形例１）
　次に、実施の形態１の変形例１について、図１０Ａ～図１０Ｄを用いて説明する。図１０Ａは、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光装置１Ａの上面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのXB－XB線における断面図であり、図１０Ｃは、図１０ＡのXC－XC線における断面図であり、図１０Ｄは、図１０ＡのXD－XD線における断面図である。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１では、半田付き基台２０１における配線部材２１０と半導体レーザバー３とを半田４によって接合する際、配線部材２１０の第３金属層１１ｃのうちの半田４の下方に位置する部分が合金化して合金化層１１ｃ１になった。この結果、半導体発光装置１では、半導体レーザバー３と基台２とを接合する半田４は、配線部材１０の配線本体１１における第２金属層１１ｂに接続されていた。つまり、上記実施の形態１では、配線本体１１の第２金属層１１ｂが半田４に接続される接続部材（第１接続部材）であり、半田４と配線部材１０との界面である接続領域１０ａは、第２金属層１１ｂの上面であった。

　一方、本変形例に係る半導体発光装置１Ａでは、図１０Ａ～図１０Ｄに示すように、半田付き基台２０１における配線部材２１０と半導体レーザバー３とが半田４によって接合される際に、配線部材２１０の第３金属層１１ｃのうちの半田４の下方に位置する部分が合金化しておらず、残っている。この結果、半導体レーザバー３と基台２Ａとを接合するＡｕＳｎ層である半田４は、配線部材１０Ａの配線本体１１Ａにおける第３金属層１１ｃと接続されている。したがって、本変形例において、半導体レーザバー３と基台２Ａとを接合する半田４は、配線部材１０Ａの配線本体１１Ａにおける第３金属層１１ｃと接続されている。つまり、本変形例では、配線本体１１Ａの第３金属層１１ｃが半田４に接続される接続部材（第１接続部材）であり、半田４と配線部材１０Ａとの界面である接続領域１０ａは、配線部材１０Ａの第３金属層１１ｃの上面である。具体的には、第３金属層１１ｃは、Ａｕ層であるので、接続領域１０ａは、Ａｕの表面である。半田４としてＡｕＳｎではなくＳｎを使用しない半田を使った場合、第３金属層１１ｃは合金化せずに残ることになる。

　本変形例でも、ブロック部材１２は、Ｐｔ層であるので、ブロック領域１０ｂは、Ｐｔの表面である。これにより、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとの濡れ性の差を容易に実現することができる。また、ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置している。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ａと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ａは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様の効果を奏する。例えば、本変形例でも、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　なお、本変形例における半導体発光装置１Ａでは、半田４の下方に存在する第３金属層１１ｃが全く合金化していないが、これに限らない。例えば、図１１に示す半導体発光装置１Ｂのように、配線部材１０Ｂの配線本体１１Ｂにおける第３金属層１１ｃのうち、半田４の下方に存在する部分の一部が、合金化層１１ｃ１になっていてもよい。具体的には、加熱時間を少なく、もしくは加熱温度を低くすることにより、第３金属層１１ｃの厚み方向の半導体レーザバー３側の上層部のみが合金化層１１ｃ１になってもよい。図１１に示す半導体発光装置１Ｂでも、半導体レーザバー３と基台２Ｂとを接合する半田４は、配線部材１０Ｂの配線本体１１Ｂにおける第３金属層１１ｃと接続されている。つまり、半田４と配線部材１０Ｂとの界面である接続領域１０ａは、半田４と第３金属層１１ｃとの界面である。

　（実施の形態１の変形例２）
　次に、実施の形態１の変形例２について、図１２を用いて説明する。図１２は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光装置１Ｃ及び半導体レーザバー３を実装するための基台２００Ｃの構成を示す図である。図１２において、（ａ）は、半導体レーザバー３を実装する際に用いられる基台２００Ｃの上面図であり、（ｂ）は、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃの上面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のｃ－ｃ線における断面図であり、（ｄ）は、（ｂ）のｄ－ｄ線における断面図である。なお、図１２に示す半導体発光装置１Ｃにおいて、金ワイヤ６、給電ワイヤ７ａ及び７ｂは、省略している。

　図１２の（ｂ）～（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１とブロック部材１２Ｃとで構成された配線部材１０Ｃを有する基台２Ｃと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｃと半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　また、図１２の（ａ）に示すように、本変形例に係る基台２００Ｃは、上記実施の形態１に係る基台２００と同様に、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｃとで構成された配線部材２１０Ｃと、配線部材２１０Ｃを支持する支持体２０とを備える。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１では、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２の内側部分の間隔は、一定になっていたが、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃでは、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｃの内側部分の間隔が一定になっていない。

　具体的には、図１２に示すように、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｃの内側部分の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側より半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。このため、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔は、フロント端面Ｓ１側である一方側よりもリア端面Ｓ２側である他方側（一方側とは反対側）の方が大きくなっている。

　また、ブロック部材１２Ｃ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔がこのように変化することで、本変形例における半導体発光装置１Ｃでは、図１２の（ｂ）に示すように、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの幅は、フロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。同様に、本変形例における基台２００Ｃでは、図１２の（ａ）に示すように、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ｃの幅は、フロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。

　本変形例において、各ブロック部材１２Ｃの上面視形状は台形であり、一対のブロック部材１２Ｃは、台形のテーパ部分（傾斜部分）が互いに対向するように配置されている。したがって、一対のブロック部材１２Ｃ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１からリア端面Ｓ２側に向かって漸次大きくなっている。同様に、接続領域１０ａ及び１０ｃの幅も、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１からリア端面Ｓ２側に向かって漸次大きくなっている。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃ及び基台２００Ｃは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１及び基台２００と同様の効果を奏する。例えば、本変形例においても、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　また、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃ及び基台２００Ｃでは、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｃ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔が半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。

　液状の半田４は、半導体レーザバー３で押さえ付けられて広がったときにブロック領域１０ｂで反射するような力が加わる。このとき、一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔が一定でない場合には、液状の半田４は、一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔が広い方に押し広げられることになる。本変形例では、一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。したがって、半導体レーザバー３で押さえ付けられて広がった液状の半田４は、一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔が広いリア端面Ｓ２側に向けて押し広げられることになる。つまり、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に向かって進行する成分の液状の半田４の流れの向きを半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２の方向へと変える効果を促進させることができる。これにより、半導体レーザバー３の長手方向に流動する成分の半田４をさらに効果的に半導体レーザバー３の短手方向に向けて逃がすことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを一層抑制できる。

　また、本変形例に係る半導体発光装置１Ｃ及び基台２００Ｃでは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａ及び１０ｃの幅が、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。

　この構成により、接続領域１０ａ及び１０ｃの両外側に存在するブロック領域１０ｂの長手方向の幅を、フロント端面Ｓ１側の幅＜リア端面Ｓ２側の幅の関係を満たすように容易に実現することができる。

　なお、接続領域１０ａ及び１０ｃの幅を、フロント端面Ｓ１側の幅＜リア端面Ｓ２側の幅の関係を満たすようにすることで、上記実施の形態１のように、半導体レーザバー３を配置する前の半田４の上面視形状が長方形であっても（つまり、溶融前の半田４の長手方向の幅が一定であっても）、液状の半田４がブロック領域１０ｂでブロックされた結果、接続領域１０ａの長手方向の幅を一対のブロック領域１０ｂの内側部分の幅と同じにすることができる。

　ただし、基台２００に予め半田４を形成する場合、図１３に示される半田付き基台２０１Ｃのように、半導体レーザバー３の長手方向における半田４の幅を、フロント端面Ｓ１側の幅＜リア端面Ｓ２側の幅の関係を満たすようにするとよい。例えば、半田４の上面視形状を、フロント端面Ｓ１側の幅とリア端面Ｓ２側の幅とが同じである長方形ではなく、リア端面Ｓ２側の幅がフロント端面Ｓ１側の幅よりも大きい台形にするとよい。

　これにより、溶融して液状になった半田４が半導体レーザバー３によって押さえ付けられたときに、半導体レーザバー３の長手方向に流動する半田４を半導体レーザバー３の短手方向に向けてより効果的に逃がすことができる。したがって、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを一層抑制できる。

　（実施の形態１の変形例３）
　次に、実施の形態１の変形例３について、図１４を用いて説明する。図１４は、実施の形態１の変形例３に係る、半導体発光装置１Ｄ、半導体レーザバー３Ｄを実装するための基台２００Ｄ、及び、半導体レーザバー３Ｄの構成を示す図である。図１４において、（ａ）は、本変形例に係る半導体発光装置１Ｄの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図であり、（ｃ）は、本変形例における基台２００の上面図であり、（ｄ）は、本変形例に係る半導体レーザバー３Ｄをパッド電極５側（ｐ側電極側）から見たときの平面図である。なお、図１４に示す半導体発光装置１Ｄにおいて、金ワイヤ６、給電ワイヤ７ａ及び７ｂは、省略している。

　図１４の（ａ）及び（ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｄは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１及びブロック部材１２で構成された配線部材１０を有する基台２と、半導体レーザバー３Ｄと、配線部材１０と半導体レーザバー３Ｄとを接合する半田４とを備えている。なお、図１４の（ｃ）に示すように、本変形例に係る基台２００は、上記実施の形態１に係る基台２００と同じ構成である。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と本変形例に係る半導体発光装置１Ｄとは、半導体レーザバー３Ｄの構成が異なる。具体的には、図１４の（ｂ）及び（ｄ）に示すように、本変形例に係る半導体レーザバー３Ｄは、上記実施の形態１に係る半導体レーザバー３に対して、さらに、基台２と対向する側に、一対のレーザ側ブロック部材８を備えている。

　一対のレーザ側ブロック部材８は、半導体レーザバー３Ｄの長手方向におけるパッド電極５の外側両端部に設けられている。具体的には、一対のレーザ側ブロック部材８の一方は、パッド電極５の両端部の一方に積層されており、一対のレーザ側ブロック部材８の他方は、パッド電極５の両端部の他方に積層されている。

　一対のレーザ側ブロック部材８の各々の表面は、半田４に対する接触角が９０度より大きくなっており、ブロック領域１０ｂと同様に、液状の半田４に対する濡れ性が低い。つまり、本変形例における半導体発光装置１Ｄは、ブロック領域１０ｂを第１ブロック領域とすると、レーザ側ブロック部材８の表面は、第２ブロック領域となる。また、ブロック部材１２を第１ブロック部材とすると、レーザ側ブロック部材８は、第２ブロック部材である。一例として、レーザ側ブロック部材８は、Ｐｔ層である。

　レーザ側ブロック部材８は、単一層で構成されていてもよいし、複数層で構成されていてもよい。レーザ側ブロック部材８が複数層で構成されている場合、レーザ側ブロック部材８の最上層をＰｔ層とすることで、レーザ側ブロック部材８の表面の接触角を９０度より大きくすることができる。また、レーザ側ブロック部材８は、パッド電極５の一部であってもよい。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｄと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｄは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様の効果を奏する。例えば、本変形例においても、ブロック領域１０ｂによって液状の半田４をはじくことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できる等の効果を奏する。

　また、本変形例に係る半導体発光装置１Ｄでは、さらに、半導体レーザバー３Ｄに、半田４に対する接触角が９０度より大きい表面を有する一対のレーザ側ブロック部材８が設けられている。

　この構成により、ブロック部材１２（ブロック領域１０ｂ）だけではなく、一対のレーザ側ブロック部材８によっても液状の半田４をはじくことができる。これにより、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを一層抑制できる。したがって、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることをさらに抑制できる。

　また、図示しないが、一対のレーザ側ブロック部材８の内端間の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっているとよい。これにより、半導体レーザバー３の長手方向に流動する半田４を効果的に半導体レーザバー３の短手方向に向けて逃がすことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことをさらに抑制できる。

　なお、本変形例は、以下の実施の形態２、３にも適用することができる。

　（実施の形態１の変形例４）
　次に、実施の形態１の変形例４について、図１５を用いて説明する。図１５は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光装置１Ｅ及び半導体レーザバー３を実装するための基台２００Ｅの構成を示す図である。図１５において、（ａ）は、本変形例に係る基台２００Ｅの上面図であり、（ｂ）は、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅの上面図であり、（ｃ）は、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅの正面図である。なお、図１５に示す半導体発光装置１Ｅにおいて、金ワイヤ６、給電ワイヤ７ａ及び７ｂは、省略している。

　図１５の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１とブロック部材１２Ｅとで構成された配線部材１０Ｅを有する基台２Ｅと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｅと半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　また、図１５の（ａ）に示すように、本変形例に係る基台２００Ｅは、上記実施の形態１に係る基台２００と同様に、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｅとで構成された配線部材２１０Ｅと、配線部材２１０Ｅを支持する支持体２０とを備える。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１及び基台２００では、一対のブロック部材１２は連結されておらず、一対のブロック部材１２の各々は分離されて島状に形成されていたが、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅ及び基台２００Ｅでは、図１５に示すように、一対のブロック部材１２Ｅは、連結部１２ａによって連結されている。

　具体的には、連結部１２ａは、一対のブロック部材１２Ｅにおけるフロント端面Ｓ１側の部分を連結している。このため、本変形例では、上面視において、ブロック領域１０ｂは、接続領域１０ａよりもフロント端面Ｓ１側に、連結部１２ａの上面であるフロント側ブロック領域１０ｂ１を含んでいる。連結部１２ａは、ブロック部材１２Ｅと同じ材料で構成されており、また、ブロック部材１２Ｅと同じ厚さである。したがって、連結部１２ａの上面であるフロント側ブロック領域１０ｂ１は、半田４に対する濡れ性が低くなっている。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｅは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様の効果を奏する。例えば、本変形例でも、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　また、本変形例における半導体発光装置１Ｅでは、ブロック領域１０ｂは、接続領域１０ａよりもフロント端面Ｓ１側に、フロント側ブロック領域１０ｂ１を含んでいる。

　この構成により、液状の半田４を半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側に効果的に逃がすことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを一層抑制できる。しかも、ブロック領域１０ｂがフロント側ブロック領域１０ｂ１を含んでいることで、フロント端面Ｓ１から半田４がはみ出すことを抑制できるので、フロント端面Ｓ１からはみ出した半田４によって半導体レーザバー３から出射するレーザ光がけられてしまうことを抑制することもできる。

　（実施の形態１の変形例５）
　次に、実施の形態１の変形例５について、図１６を用いて説明する。図１６は、実施の形態１の変形例５に係る半導体発光装置１Ｆの断面図である。なお、図１６では、半導体レーザバー３のリッジ部３ａ及び絶縁膜３ｂは省略している。

　図１６に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｆは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１及びブロック部材１２で構成された配線部材１０を有する基台２と、半導体レーザバー３と、配線部材１０と半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と本変形例に係る半導体発光装置１Ｆとは、半導体レーザバー３の形態が異なる。具体的には、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１では、半導体レーザバー３に反りが発生していなかったのに対して、本変形例に係る半導体発光装置１Ｆでは、半導体レーザバー３に反りが発生している。

　長尺状の半導体レーザバー３は、長手方向に反りが発生しやすい。特に、本変形例のように、ＧａＮ系半導体材料等の窒化物半導体材料によって構成された半導体レーザバー３は、ＧａＡｓ系半導体材料によって構成された半導体レーザバーと比べて、反りが大きくなる。

　このため、窒化物半導体材料によって構成された半導体レーザバー３の反りを押さえようとすると、より大きな力を半導体レーザバー３にかけることになり、半導体レーザバー３にダメージを与えてしまう。

　一方、基台２００又は半田付き基台２０１を用いて半導体レーザバー３を配線部材２１０に接続する際、半導体レーザバー３の反りを押さえようとして半導体レーザバー３を強く押し込むと、液状の半田４が半導体レーザバー３の側面Ｓ３からはみ出しやすくなってしまう。

　この点、本変形例に係る半導体発光装置１Ｆでは、配線部材２１０に、半田４に対する濡れ性が低いブロック領域１０ｂが存在しているので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できる。

　そこで、図１６に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｆでは、半導体レーザバー３を基台２に実装する際に半導体レーザバー３を押さえ付ける力を弱くして、半導体レーザバー３に多少の反りを残した状態で反りを矯正して、半導体レーザバー３と配線部材１０とを半田４で接合している。

　これにより、長手方向の反りが大きくなりやすい窒化物半導体材料によって構成された半導体レーザバー３を用いたとしても、半導体レーザバー３に大きなダメージを与えることなく、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制することができる。

　一例として、共振器長が０．９ｍｍで、長手方向の長さ（バー長）が１０ｍｍで、基板厚さが１００μｍのＧａＮ系の半導体レーザバー３を用いた場合、反りを矯正しなかったときの半導体レーザバー３の反り量（端部と中央部との高さの最大差）は、１８μｍ程度である。つまり、押圧前の半導体レーザバー３の反り量は１８μｍである。この場合、押圧後の反り量が９μｍ程度となるように半導体レーザバー３に押圧を付与して反りを矯正するとよい。

　なお、図１６では、半導体レーザバー３は、パッド電極５側が凹となるように（つまり上に凸となるように）反っていたが、図１７に示される半導体発光装置１Ｆのように、パッド電極５側が凸となるように（つまり下に凸となるように）反っていてもよい。図１６において、半導体レーザバー３の反り量は、図１７における半導体レーザバー３の反り量と同等である。

　また、本変形例は、以下の実施の形態２、３にも適用することができる。

　（実施の形態２）
　次に、実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇの構成について、図１８、図１９、図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃを用いて説明する。図１８は、実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇの上面図である。図１９は、実装の形態２に係る半導体発光装置１Ｇの正面図である。図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃは、それぞれ、図１８のXXA－XXA線、XXB－XXB線及びXXC－XXC線における実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇの断面図である。

　図１８～図２０Ｃに示すように、実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１及びブロック部材１２Ｇで構成された配線部材１０Ｇを有する基台２Ｇと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｇと半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１では、配線本体１１の上に一対のブロック部材１２が設けられていた。具体的には、一対のブロック部材１２は、配線本体１１を構成する複数の金属層のうち半田４が接続される接続部材（第１接続部材）である第２金属層１１ｂに積層された第３金属層１１ｃの上に設けられていた。

　これに対して、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｇでは、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｇとは、同一面に設けられている。具体的には、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｇとは、いずれも支持体２０の上面に設けられている。このため、第１配線本体１１１は、ブロック部材１２Ｇを迂回する形で、半田４と給電ワイヤ７ａとの接続領域とをつないでいる。また、基台２Ｇの面積をできるだけ少なくする望ましい構成においては、第２配線本体１１２は、第１配線本体１１１が迂回する方のブロック部材１２Ｇ近傍においては、半導体レーザバー３に沿った部分に存在しない構成をとることがある。この場合、第２配線本体１１２と半導体レーザバー３とを架橋する金ワイヤ６は一部平行ではない構成をとる。

　また、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、配線本体１１を構成する複数の金属層のうち半田４が接続される接続部材（第１接続部材）は第２金属層１１ｂであり、配線部材１０Ｇの第２金属層１１ｂの上面の少なくとも一部が、半田４と配線部材１０Ｇとの界面である接続領域１０ａになっている。そして、本実施の形態でも、一対のブロック部材１２Ｇは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置しており、また、一対のブロック部材１２Ｇの上面の少なくとも一部が、ブロック領域１０ｂである。

　図２０Ａに示すように、半導体発光装置１Ｇでは、同一平面に配置された配線本体１１とブロック部材１２Ｇとについて、配線本体１１の高さが、ブロック部材１２Ｇの高さよりも低くなっている。つまり、ブロック部材１２Ｇの高さは、配線本体１１の高さよりも高くなっている。また、配線本体１１における第２金属層１１ｂの上面である接続領域１０ａの高さ位置は、ブロック部材１２Ｇの上面であるブロック領域１０ｂの高さ位置より低い。

　なお、上記以外の構成については、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｇと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　また、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半導体レーザバー３を半田４で配線部材１０Ｇに接合する際に、半田４に接触する第３金属層１１ｃが合金化層１１ｃ１となって半田４と一体化して配線本体１１における半田４の下方部分に第３金属層１１ｃが存在していないが、図２１に示すように、半導体レーザバー３が配線部材１０Ｇに接合される前の基台２００Ｇについては、半田４が接続される領域に、配線部材２１０Ｇの配線本体２１１の第３金属層１１ｃが存在している。図２１は、半導体レーザバー３が接合される前の基台２００Ｇの構成を示す図である。図２１において、（ａ）は、基台２００Ｇの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図２１に示すように、本実施の形態に係る基台２００Ｇは、上記実施の形態１に係る基台２００と同様に、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｇとで構成された配線部材２１０Ｇと、配線部材２１０Ｇを支持する支持体２０とを備える。

　また、図２２に示すように、本実施の形態における半導体発光装置１Ｇにおいても、上記実施の形態１と同様に、半導体レーザバー３の下面外端とブロック領域１０ｂの内端（ブロック部材１２Ｇの上面内端）とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ１は、４５度未満になっている。さらに、ブロック部材１２Ｇの下面内端と複数の利得領域３ｃのうちブロック部材１２Ｇに最も近い利得領域３ｃの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ２も、上記実施の形態１と同様に、４５度未満になっている。これにより、上記実施の形態１と同様の効果を奏する。

　次に、実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇの製造方法について説明する。具体的には、半田４によって半導体レーザバー３と基台２Ｇの配線部材１０Ｇとを接合する方法について説明する。

　本実施の形態でも、図２３に示すように、支持体２０に予め半田４が形成された半田付き基台２０１Ｇを用いて半導体レーザバー３を実装している。図２３は、実施の形態２に係る半田付き基台２０１Ｇの構成を示す図である。図２３において、（ａ）は、半田付き基台２０１Ｇの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図２３に示すように、本実施の形態に係る半田付き基台２０１Ｇは、図２１に示される基台２００Ｇに半田４が配置された構成になっている。具体的には、半田付き基台２０１Ｇは、配線本体２１１とブロック部材１２Ｇとで構成された配線部材２１０Ｇが形成された直方体の支持体２０（基台）と、配線部材２１０Ｇの上面に配置された半田４とを備える。配線部材２１０Ｇの上面は、半田４との界面である接続領域１０ｃである。配線部材２１０Ｇの配線本体２１１と一対のブロック部材１２Ｇとは、同一面に設けられている。

　そして、図２３に示される半田付き基台２０１Ｇを用いて半導体発光装置１Ｇを製造する際、まず、図２４に示すようにして、半田付き基台２０１Ｇを作製する。図２４は、実施の形態２に係る半田付き基台２０１Ｇを作製する方法を説明するための図である。なお、図２４において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　まず、図２４の（ａ）～（ｃ）に示すように、第１工程として、配線部材２１０Ｇを有する基台２００Ｇを準備する。具体的には、配線本体２１１及びブロック部材１２Ｇを含む配線部材２１０Ｇが形成された基台２００Ｇを作製する。上記実施の形態１と同様に、この第１工程では、半導体レーザバー３を実装したときに半田４に接続される第１接続部材とブロック部材１２Ｇとを順に形成することで配線部材２１０Ｇを形成する。本実施の形態でも、半田４に接続される第１接続部材として第２金属層１１ｂが含まれる配線部材２１０Ｇを形成する。

　具体的には、まず、図２４の（ａ）に示すように、支持体２０を準備する。次いで、図２４の（ｂ）に示すように、支持体２０の上面に、第１金属層１１ａと第２金属層１１ｂと第３金属層１１ｃとからなる配線本体２１１を所定の形状で形成する。このとき、配線本体２１１には、一対のブロック部材１２Ｇを形成するための一対の開口部２１１ａを形成する。次いで、図２４の（ｃ）に示すように、支持体２０の上面に、一対のブロック部材１２Ｇを形成する。つまり、一対のブロック部材１２Ｇを、配線本体２１１と同一面に形成する。具体的には、配線本体２１１に形成された一対の開口部２１１ａの各々に、Ｐｔ層であるブロック部材１２Ｇを形成する。このようにして、配線本体２１１とブロック部材１２Ｇとで構成された配線部材２１０Ｇが形成された基台２００Ｇを作製することができる。

　次に、図２４の（ｄ）に示すように、第２工程として、基台２００Ｇの配線部材２１０Ｇの上面に所定形状の半田４を配置する。具体的には、半田４は、配線本体２１１の第３金属層１１ｃ（接続領域１０ｃ）の上に形成されている。一例として、半田４は、矩形板状であり、上面視形状が、半導体レーザバー３の長手方向に長尺をなす長方形である。本実施の形態では、ＡｕＳｎ層（Ａｕ８０％）である半田４を蒸着法により形成した。以上により、配線本体２１１の上面に半田４が形成された半田付き基台２０１Ｇが完成する。

　次に、図２５に示すように、第３工程として、半田付き基台２０１Ｇに半導体レーザバー３を実装する。図２５は、半田付き基台２０１Ｇに半導体レーザバー３を実装する方法を説明するための図である。なお、図２５において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　第３工程では、上記実施の形態１と同様に、まず、図２５の（ａ）に示すように、半田付き基台２０１Ｇの半田４の上に半導体レーザバー３をジャンクションダウンで配置し、次いで、図２５の（ｂ）に示すように、半導体レーザバー３を押さえ付けながら加熱して半田４を溶融させる。その後、溶融して液状になった半田４が硬化することで、半田４によって半導体レーザバー３を基台２Ｇに接合することができる。一例として、上記実施の形態１と同様に、半田付き基台２０１Ｇを２５０℃まで加熱し、その後、半田付き基台２０１Ｇに半導体レーザバー３をジャンクションダウンで配置し、半田付き基台２０１Ｇの加熱温度を３２０℃として１０秒保持し、その後、降温する。その後、図２５の（ｃ）に示すように、金ワイヤ６と給電ワイヤ７ａ及び７ｂとをワイヤボンディングする。これにより、半導体発光装置１Ｇが完成する。

　この第３工程では、図２５の（ｂ）に示すように、溶融して液状になった半田４は、半導体レーザバー３で押し付けられることになるので、液状の半田４は、半導体レーザバー３からの押圧によって半導体レーザバー３と配線部材２１０Ｇとの間で押し広げられることになる。このとき、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半田４が接続される接続領域１０ｃの両外側に、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂが存在している。これにより、半導体レーザバー３の長手方向に広がる液状の半田４をブロック領域１０ｂではじくことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを抑制できる。

　特に、本実施の形態では、半田４が接続される接続領域１０ｃの高さ位置がブロック領域１０ｂの高さ位置より低くなっている。つまり、ブロック領域１０ｂの高さ位置は、接続領域１０ｃの高さ位置よりも高くなっている。具体的には、一対のブロック部材１２Ｇの厚みが配線本体２１１の厚みよりも厚くなっている。

　この構成により、一対のブロック部材１２Ｇの各々の内側の側面によって液状の半田４をせき止めることができ、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がろうとするときの抵抗力が増加する。これにより、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを一層抑制できる。

　なお、本実施の形態でも、上記実施の形態１と同様に、第３工程において、半田付き基台２０１Ｇをヒータ等で加熱しながら半田４の後端部に局所的に加熱用のレーザ光を照射してもよい。また、本実施の形態でも、第３工程において、半田４の下方に位置する第３金属層１１ｃが合金化層１１ｃ１になるので、配線部材１０Ｇと半田４との接合強度を向上させることができる。

　以上説明したように、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｇは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線部材１０Ｇを有する基台２Ｇと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｇと半導体レーザバー３との間に配置された半田４と、を備えている。そして、配線部材１０Ｇの半導体レーザバー３側の面には、半田４との界面である接続領域１０ａと、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂとが含まれており、接続領域１０ａは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における半導体レーザバー３の側面Ｓ３の内側に位置しており、ブロック領域１０ｂの少なくとも一部は、上面視において、接続領域１０ａと半導体レーザバー３の側面Ｓ３との間に位置し、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック領域１０ｂの内側部分は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置している。

　具体的には、本実施の形態における半導体発光装置１Ｇにおいて、配線部材１０Ｇは、半田４が接続する第１接続部材として第２金属層１１ｂを含む配線本体１１と、配線本体１１と同一面に設けられたブロック部材１２Ｇとを有しており、ブロック部材１２Ｇの上面の少なくとも一部がブロック領域１０ｂであり、第１接続部材である第２金属層１１ｂの上面の少なくとも一部が接続領域１０ａである。

　ここで、ブロック部材１２Ｇの材料としてＰｔを用いているが、ブロック部材１２Ｇの材料は導電性材料に限らない。ブロック部材１２Ｇの材料は、ＳｉＯｘやＮｉＯｘ等の絶縁性材料であってもよい。

　このような構成の半導体発光装置１Ｇは、配線部材２１０Ｇを備える基台２００Ｇを用いて作製することができる。本実施の形態では、上記のように、基台２００Ｇに予め半田４が形成された半田付き基台２０１Ｇを用いて、半導体レーザバー３を半田４を介して配線部材２１０Ｇに接合している。

　そして、基台２００Ｇ又は半田付き基台２０１Ｇを用いて半導体レーザバー３を実装する際、溶融して液状になった半田４によって、基台２００Ｇ又は半田付き基台２０１Ｇの配線部材２１０Ｇと半導体レーザバー３とが接合される。

　このとき、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半導体レーザバー３の長手方向において、半田４が接続される接続領域１０ａの側方に、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２Ｇの上面）が存在している。

　これにより、溶融して液状になった半田４は、半田４に対する濡れ性が低いブロック領域１０ｂではじかれることになるので、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から外側に液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる。

　（実施の形態２の変形例１）
　次に、実施の形態２の変形例１について、図２６Ａ～図２６Ｄを用いて説明する。図２６Ａは、実施の形態２の変形例１に係る半導体発光装置１Ｈの上面図である。図２６Ｂは、図２６ＡのXXVIB－XXVIB線における断面図であり、図２６Ｃは、図２６ＡのXXVIC－XXVIC線における断面図であり、図２６Ｄは、図２６ＡのXXVID－XXVID線における断面図である。

　上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇでは、半田付き基台２０１Ｇにおける配線部材２１０Ｇと半導体レーザバー３とを半田４によって接合する際、配線部材２１０Ｇの第３金属層１１ｃのうちの半田４の下方に位置する部分が合金化して合金化層１１ｃ１になった。この結果、半導体発光装置１Ｇでは、半導体レーザバー３と基台２Ｇとを接合する半田４は、配線部材１０Ｇの配線本体１１における第２金属層１１ｂに接続されていた。つまり、上記実施の形態２では、配線本体１１の第２金属層１１ｂが半田４に接続される接続部材（第１接続部材）であり、半田４と配線部材１０Ｇとの界面である接続領域１０ａは、第２金属層１１ｂの上面であった。

　一方、本変形例に係る半導体発光装置１Ｈでは、図２６Ａ～図２６Ｄに示すように、配線部材１０Ｈと半導体レーザバー３とが半田４によって接合される際に、配線部材１０Ｈの第３金属層１１ｃのうちの半田４の下方に位置する部分が合金化しておらず、残っている。この結果、半導体レーザバー３と基台２Ｈとを接合するＡｕＳｎ層である半田４は、配線部材１０Ｈの配線本体１１Ｈにおける第３金属層１１ｃと接続されている。したがって、本変形例において、半導体レーザバー３と基台２Ｈとを接合する半田４は、配線部材１０Ｈの配線本体１１Ｈにおける第３金属層１１ｃと接続されている。つまり、本変形例では、配線本体１１Ｈの第３金属層１１ｃが半田４に接続される接続部材（第１接続部材）であり、半田４と配線部材１０Ｈとの界面である接続領域１０ａは、配線部材１０Ｈの第３金属層１１ｃの上面である。具体的には、第３金属層１１ｃは、Ａｕ層であるので、接続領域１０ａは、Ａｕの表面である。

　本変形例でも、ブロック部材１２Ｈは、Ｐｔ層であるので、ブロック領域１０ｂは、Ｐｔの表面である。これにより、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとの濡れ性の差を容易に実現することができる。また、ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置している。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｈと上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇとは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｈは、上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇと同様の効果を奏する。例えば、本変形例でも、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　なお、本変形例における半導体発光装置１Ｈでは、半田４の下方に存在する第３金属層１１ｃが全く合金化していないが、これに限らない。例えば、配線部材１０Ｈの配線本体１１Ｈにおける第３金属層１１ｃのうち、半田４の下方に存在する部分の一部が、合金化層１１ｃ１になっていてもよい。

　（実施の形態２の変形例２）
　次に、実施の形態２の変形例２について、図２７を用いて説明する。図２７は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光装置１Ｉ及び半導体レーザバー３を実装するための基台２００Ｉの構成を示す図である。図２７において、（ａ）は、半導体レーザバー３を実装する際に用いられる基台２００Ｉの上面図であり、（ｂ）は、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉの上面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のｃ－ｃ線における断面図であり、（ｄ）は、（ｂ）のｄ－ｄ線における断面図である。なお、図２７に示す半導体発光装置１Ｉにおいて、金ワイヤ６、給電ワイヤ７ａ及び７ｂは、省略している。

　図２７の（ｂ）～（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉは、上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇと同様に、配線本体１１とブロック部材１２Ｉとで構成された配線部材１０Ｉを有する基台２Ｉと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｉと半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　また、図２７の（ａ）に示すように、本変形例に係る基台２００Ｉは、上記実施の形態２に係る基台２００Ｇと同様に、配線本体１１と一対のブロック部材１２Ｉとで構成された配線部材２１０Ｉと、配線部材２１０Ｉを支持する支持体２０とを備える。

　上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇでは、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｇの内側部分の間隔は、一定になっていたが、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉでは、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｉの内側部分の間隔が一定になっていない。

　具体的には、図２７に示すように、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｉの内側部分の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側より半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。このため、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔は、フロント端面Ｓ１側である一方側よりもリア端面Ｓ２側である他方側（一方側とは反対側）の方が大きくなっている。

　また、ブロック部材１２Ｉ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔がこのように変化することで、本変形例における半導体発光装置１Ｉでは、図２７の（ｂ）に示すように、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの幅は、フロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。同様に、本変形例における基台２００Ｉでは、図２７の（ａ）に示すように、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ｃの幅は、フロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。

　本変形例において、各ブロック部材１２Ｉの上面視形状は台形であり、一対のブロック部材１２Ｉは、台形のテーパ部分（傾斜部分）が互いに対向するように配置されている。したがって、一対のブロック部材１２Ｉ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔は、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１からリア端面Ｓ２側に向かって漸次大きくなっている。同様に、接続領域１０ａ及び１０ｃの幅も、半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１からリア端面Ｓ２側に向かって漸次大きくなっている。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉと上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇとは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉ及び基台２００Ｉは、上記実施の形態２に係る半導体発光装置１Ｇ及び基台２００Ｇと同様の効果を奏する。例えば、本変形例においても、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　また、本変形例に係る半導体発光装置１Ｉ及び基台２００Ｉでは、半導体レーザバー３の長手方向における一対のブロック部材１２Ｉ（ブロック領域１０ｂ）の内側部分の間隔が半導体レーザバー３のフロント端面Ｓ１側よりリア端面Ｓ２側の方が大きくなっている。

　この構成により、半導体レーザバー３で押さえ付けられて広がった液状の半田４は、一対のブロック領域１０ｂの内側部分の間隔が広いリア端面Ｓ２側に向けて押し広げられることになる。つまり、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に向かって進行する液状の半田４の流れの向きを半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２の方向へと変える効果を促進させることができる。これにより、半導体レーザバー３の長手方向に流動する半田４をさらに効果的に半導体レーザバー３の短手方向に向けて逃がすことができるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを一層抑制できる。

　（実施の形態３）
　次に、実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊの構成について、図２８、図２９、図３０Ａ、図３０Ｂ及び図３０Ｃを用いて説明する。図２８は、実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊの上面図である。図２９は、実装の形態３に係る半導体発光装置１Ｊの正面図である。図３０Ａ、図３０Ｂ及び図３０Ｃは、それぞれ、図２８のXXXA－XXXA線、XXXB－XXXB線及びXXXC－XXXC線における実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊの断面図である。

　図２８～図３０Ｃに示すように、実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線本体１１Ｊとブロック部材１２Ｊとで構成された配線部材１０Ｊを有する基台２Ｊと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｊと半導体レーザバー３とを接合する半田４とを備えている。

　上記実施の形態１に係る半導体発光装置１では、配線本体１１の上に一対のブロック部材１２が設けられており、ブロック領域１０ｂがブロック部材１２の上面であった。具体的には、一対のブロック部材１２は、配線本体１１を構成する複数の金属層のうちの最上層の第３金属層１１ｃの上に設けられていた。また、上記実施の形態１では、半田４が接続される接続部材（第１接続部材）である第２金属層１１ｂの上面が接続領域１０ａであり、接続領域１０ａは、一対のブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２）の間に位置していた。

　これに対して、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｊでは、半田４が接続される接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとは、配線部材１０Ｊのブロック部材１２Ｊの上面に含まれている。一例として、ブロック部材１２Ｊは、Ｐｔ層の単一層であり、配線本体１１Ｊは、Ａｕ層の単一層である。したがって、配線部材１０Ｊは、配線本体１１Ｊとブロック部材１２Ｊとの２層構造である。半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置している。

　なお、上記以外の構成については、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｊと上記実施の形態１に係る半導体発光装置１とは、基本的には同様の構成である。

　また、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半導体レーザバー３を半田４で配線部材１０Ｊに接合する際に、半田４に接触する金属層が合金化層１１ｃ１となって半田４と一体化してその金属層が存在していないが、図３１に示すように、半導体レーザバー３が配線部材１０Ｊに接合される前の基台２００Ｊについては、半田４が接続される領域に、配線部材２１０Ｊの一部として、ブロック部材１２Ｊの上に金属層１３が存在している。図３１は、半導体レーザバー３が接合される前の基台２００Ｊの構成を示す図である。図３１において、（ａ）は、基台２００Ｊの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図３１に示すように、本実施の形態に係る基台２００Ｊは、配線本体１１Ｊとブロック部材１２Ｊと金属層１３とで構成された配線部材２１０Ｊと、配線部材２１０Ｊを支持する支持体２０とを備える。

　また、図３２に示すように、本実施の形態における半導体発光装置１Ｊでは、断面視において、半導体レーザバー３の下面外端と接続領域１０ａの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ１は、４５度未満になっている。

　この構成により、基台２００Ｊ又は半田付き基台２０１Ｊを用いて半導体レーザバー３を実装する際に、加熱により溶融した半田４がブロック領域１０ｂからはみ出すことを抑制できる。

　また、接続領域１０ａの外端と複数の利得領域３ｃのうち接続領域１０ａの外端に最も近い利得領域３ｃの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ２は、４５度未満になっている。

　次に、実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊの製造方法について説明する。具体的には、半田４によって半導体レーザバー３と基台２Ｊの配線部材１０Ｊとを接合する方法について説明する。

　本実施の形態でも、図３３に示すように、支持体２０に予め半田４が形成された半田付き基台２０１Ｊを用いて半導体レーザバー３を実装している。図３３は、実施の形態３に係る半田付き基台２０１Ｊの構成を示す図である。図３３において、（ａ）は、半田付き基台２０１Ｊの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図３３に示すように、本実施の形態に係る半田付き基台２０１Ｊは、図３１に示される基台２００Ｊに半田４が配置された構成になっている。具体的には、半田付き基台２０１Ｊは、配線本体１１Ｊとブロック部材１２Ｊと金属層１３とで構成された配線部材２１０Ｊが形成された直方体の支持体２０（基台）と、配線部材２１０Ｊの上面に配置された半田４とを備える。配線部材２１０Ｊの上面は、半田４との界面である接続領域１０ｃであり、本実施の形態では、金属層１３の上面である。ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ｃの両外側に位置している。

　そして、図３３に示される半田付き基台２０１Ｊを用いて半導体発光装置１Ｊを製造する際、まず、図３４に示すようにして、半田付き基台２０１Ｊを作製する。図３４は、実施の形態３に係る半田付き基台２０１Ｊを作製する方法を説明するための図である。なお、図３４において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　まず、図３４の（ａ）～（ｃ）に示すように、第１工程として、配線部材２１０Ｊを有する基台２００Ｊを準備する。具体的には、配線本体１１Ｊ及びブロック部材１２Ｊを含む配線部材２１０Ｊが形成された基台２００Ｊを作製する。この第１工程では、配線本体１１Ｊとブロック部材１２Ｊと金属層１３とを順に形成することで配線部材２１０Ｊを形成する。本実施の形態において、金属層１３は、半田４に接続される接続部材（第２接続部材）である。

　具体的には、まず、図３４の（ａ）に示すように、支持体２０を準備する。次いで、図３４の（ｂ）に示すように、支持体２０の上面に配線本体１１Ｊを所定の形状で形成する。配線本体１１Ｊは、第１配線本体１１１と第２配線本体１１２とで構成されている。次いで、図３４の（ｃ）に示すように、配線本体１１Ｊの上面にブロック部材１２Ｊを形成する。次いで、図３４の（ｄ）に示すように、ブロック部材１２Ｊの上面に金属層１３を形成する。このようにして、配線本体１１Ｊ、ブロック部材１２Ｊ及び金属層１３を含む配線部材２１０Ｊが形成された基台２００Ｊを作製することができる。なお、一例として、配線本体１１ＪはＡｕ層であり、ブロック部材１２ＪはＰｔ層であり、金属層１３はＡｕ層である。

　次に、図３４の（ｅ）に示すように、第２工程として、基台２００Ｊの配線部材２１０Ｊの上面に所定形状の半田４を配置する。具体的には、半田４は、配線部材１０Ｊの金属層１３（接続領域１０ｃ）の上に配置される。ここで、金属層１３と半田４とは同じマスクを用いて蒸着法で形成することにより、平面視で同じサイズにすることができる。一例として、半田４は、矩形板状であり、上面視形状が、半導体レーザバー３の長手方向に長尺をなす長方形である。また、ＡｕＳｎ層（Ａｕ８０％）である半田４を蒸着法により形成した。以上により、半田４が形成された半田付き基台２０１Ｊが完成する。

　次に、図３５に示すように、第３工程として、半田付き基台２０１Ｊに半導体レーザバー３を実装する。図３５は、半田付き基台２０１Ｊに半導体レーザバー３を実装する方法を説明するための図である。なお、図３５において、左図は、上面図であり、右図は、断面図である。

　第３工程では、上記実施の形態１と同様に、まず、図３５の（ａ）に示すように、半田付き基台２０１Ｊの半田４の上に半導体レーザバー３をジャンクションダウンで配置し、次いで、図３５の（ｂ）に示すように、半導体レーザバー３を押さえ付けながら加熱して半田４を溶融させる。その後、溶融して液状になった半田４が硬化することで、半田４によって半導体レーザバー３を基台２Ｊに接合することができる。その後、図３５の（ｃ）に示すように、金ワイヤ６と給電ワイヤ７ａ及び７ｂとをワイヤボンディングする。これにより、半導体発光装置１Ｊが完成する。

　この第３工程では、図３５の（ｂ）に示すように、溶融して液状になった半田４は、半導体レーザバー３で押し付けられることになるので、液状の半田４は、半導体レーザバー３からの押圧によって半導体レーザバー３と配線部材１０Ｊとの間で押し広げられることになるが、本実施の形態では、半田４が接続される接続領域１０ｃの両外側が、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂであるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から半田４がはみ出すことを抑制できる。

　また、本実施の形態では、図３５の（ａ）に示すように、半田付き基台２０１Ｊの配線部材２１０Ｊの最上層である金属層１３に半田４が接して配置されている。そして、金属層１３は、Ａｕ層であり、半田４は、ＡｎＳｎ層である。このため、第３工程において、半導体レーザバー３を押さえ付けながら半田付き基台２０１Ｊを加熱して半田４を溶融させたときに、ＡｕＳｎ層である半田４は、Ａｕ層である金属層１３の上で溶融することになる。このとき、半田４の組成成分であるＳｎが金属層１３に拡散して金属層１３のＡｕを侵食するので、図３５の（ｂ）に示すように、ＡｕとＳｎとが合金化して金属層１３が組成遷移領域であるＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１になる。つまり、半田４の下方に位置する金属層１３の全体がＡｕＳｎ層の合金化層１１ｃ１になる。これにより、半田４との接続部材（第２接続部材）である金属層１３と半田４とが組成遷移領域（合金化層１１ｃ１）を介して一体化することになる。したがって、半導体発光装置１Ｊにおける配線部材１０Ｊと半田４との接合強度を向上させることができるので、半導体レーザバー３と基台２Ｊとを強固に接合することができる。

　特にＡｕ層である金属層１３が合金化層１１ｃ１になる際、金属層１３のＡｕが蒸着等によってＰｔ層であるブロック部材１２ＪのＰｔと強固に結合している場合には、半田４が溶けながら合金化するので、合金化層１１ｃ１が完成した時に、半田４との接続部材である金属層１３（Ａｕ層）の底面の形状が維持されるので、半田４の広がりが抑制される（いわゆるピン止め効果）が発揮し、半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを一層抑制できる。

　なお、本実施の形態でも、上記実施の形態１と同様に、第３工程において、半田付き基台２０１Ｊをヒータ等で加熱しながら半田４の後端部に局所的に加熱用のレーザ光を照射してもよい。

　以上説明したように、本実施の形態に係る半導体発光装置１Ｊは、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１と同様に、配線部材１０Ｊを有する基台２Ｊと、半導体レーザバー３と、配線部材１０Ｊと半導体レーザバー３との間に配置された半田４と、を備えている。そして、配線部材１０Ｊの半導体レーザバー３側の面には、半田４との界面である接続領域１０ａと、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂとが含まれており、接続領域１０ａは、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向における半導体レーザバー３の側面Ｓ３の内側に位置しており、ブロック領域１０ｂの少なくとも一部は、上面視において、接続領域１０ａと半導体レーザバー３の側面Ｓ３との間に位置し、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック領域１０ｂの内側部分は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置している。

　具体的には、本実施の形態における半導体発光装置１Ｊにおいて、配線部材１０Ｊは、ブロック部材１２Ｊを有しており、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとは、ブロック部材１２Ｊの上面に含まれている。

　このような構成の半導体発光装置１Ｊは、配線部材２１０Ｊを備える基台２００Ｊを用いて作製することができる。本実施の形態では、上記のように、基台２００Ｊに予め半田４が形成された半田付き基台２０１Ｊを用いて、半導体レーザバー３を配線部材２１０Ｊに接合している。

　そして、基台２００Ｊ又は半田付き基台２０１Ｊを用いて半導体レーザバー３を実装する際、加熱して液状になった半田４によって、基台２００Ｊ又は半田付き基台２０１Ｊの配線部材２１０Ｊと半導体レーザバー３とが接合する。

　このとき、本実施の形態では、上記実施の形態１と同様に、半導体レーザバー３の長手方向において、半田４が接続される接続領域１０ａの側方に、半田４に対する接触角が９０度より大きいブロック領域１０ｂ（ブロック部材１２Ｊの上面）が存在している。

　これにより、半導体レーザバー３を実装する際、液状の半田４は、半田４に対する濡れ性が低いブロック領域１０ｂではじかれることになるので、液状の半田４が半導体レーザバー３の長手方向に広がることを抑制できる。したがって、半導体レーザバー３の側面Ｓ３から外側に液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる。

　また、本実施の形態における半導体発光装置１Ｊでは、配線部材１０Ｊがブロック部材１２Ｊを有しており、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとは、ブロック部材１２Ｊの上面に含まれている。具体的には、本実施の形態では、濡れ性が低いブロック部材１２Ｊ上に、蒸着等により強固に結合した接続部材である金属層１３が形成されている。

　この構成により、いわゆるピン止め効果が発揮されるので、溶融したときの半田４の広がりを効果的に抑制することができる。

　（実施の形態３の変形例）
　次に、実施の形態３の変形例について、図３６Ａ～図３６Ｄを用いて説明する。図３６Ａは、実施の形態３の変形例に係る半導体発光装置１Ｋの上面図である。図３６Ｂは、図３６ＡのXXXVIB－XXXVIB線における断面図であり、図３６Ｃは、図３６ＡのXXXVIC－XXXVIC線における断面図であり、図３６Ｄは、図３６ＡのXXXVID－XXXVID線における断面図である。

　上記実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊでは、半田付き基台２０１Ｊにおける配線部材２１０Ｊと半導体レーザバー３とを半田４によって接合する際、配線部材２１０Ｊの金属層１３が合金化して合金化層１１ｃ１になった。この結果、半導体発光装置１Ｊでは、半導体レーザバー３と基台２Ｊとを接合する半田４は、配線部材１０Ｊのブロック部材１２Ｊに接続されていた。つまり、上記実施の形態３では、ブロック部材１２Ｊが半田４に接続される接続部材（第２接続部材）であり、半田４と配線部材１０Ｊとの界面である接続領域１０ａは、ブロック部材１２Ｊの上面であった。

　一方、本変形例に係る半導体発光装置１Ｋでは、図３６Ａ～図３６Ｄに示すように、配線部材１０Ｋと半導体レーザバー３とが半田４によって接合される際に、配線部材１０Ｋの金属層１３が合金化しておらず、残っている。つまり、配線部材１０Ｋは、配線本体１１Ｊと、配線本体１１Ｊの上に形成されたブロック部材１２Ｊと、ブロック部材１２Ｊの上に形成された金属層１３とを有する。この結果、半導体レーザバー３と基台２Ｋとを接合するＡｕＳｎ層である半田４は、配線部材１０Ｋの金属層１３と接続されている。つまり、本変形例では、配線部材１０Ｋの金属層１３が半田４に接続される接続部材（第２接続部材）であり、半田４と配線部材１０Ｋとの界面である接続領域１０ａは、配線部材１０Ｋの３金属層１３の上面である。具体的には、金属層１３は、Ａｕ層であるので、接続領域１０ａは、Ａｕの表面である。半田４としてＡｕＳｎではなくＳｎを使用しない半田を使った場合、第３金属層１１ｃは合金化せずに残ることになる。

　本変形例でも、ブロック部材１２Ｊは、Ｐｔ層であるので、ブロック領域１０ｂは、Ｐｔの表面である。これにより、接続領域１０ａとブロック領域１０ｂとの濡れ性の差を容易に実現することができる。また、ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置している。

　なお、上記以外の構成については、本変形例に係る半導体発光装置１Ｋと上記実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊとは、基本的には同様の構成である。

　したがって、本変形例に係る半導体発光装置１Ｋは、上記実施の形態３に係る半導体発光装置１Ｊと同様の効果を奏する。例えば、本変形例でも、ブロック領域１０ｂによって半導体レーザバー３の側面Ｓ３から液状の半田４がはみ出すことを抑制できるので、半導体レーザバー３の側面Ｓ３に半田４が付着して側面Ｓ３のｐｎ接合が短絡してリークが生じることを抑制できる等の効果を奏する。

　また、本変形例に係る半導体発光装置１Ｋにおいて、配線部材１０Ｋは、ブロック部材１２Ｊと、ブロック部材１２Ｊの上に位置する金属層１３（第２接続部材）とを有しており、金属層１３の上面の少なくとも一部が、接続領域１０ａであり、ブロック部材１２Ｊの上面の少なくとも一部が、ブロック領域１０ｂであり、ブロック領域１０ｂは、半導体レーザバー３の長手方向における接続領域１０ａの両外側に位置している。

　具体的には、本実施の形態では、濡れ性が低いブロック部材１２Ｊ上に、蒸着等により強固に結合した第２接続部材である金属層１３が形成されている。

　また、図３７に示すように、本変形例における半導体発光装置１Ｋでは、断面視において、半導体レーザバー３の下面外端と接続領域１０ａの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ１は、４５度未満になっている。

　この構成により、加熱により溶融した半田４がブロック領域１０ｂからはみ出すことを抑制できる。

　また、ブロック領域１０ｂの内端（本変形例では接続領域１０ａの外端でもある）と複数の利得領域３ｃのうち接続領域１０ａの外端に最も近い利得領域３ｃの外端とを結ぶ直線と、半導体レーザバー３の下面とのなす角θ２は、４５度未満になっている。

　なお、本変形例における半導体発光装置１Ｋでは、半田４の下方に存在する金属層１３が全く合金化していないが、これに限らない。例えば、金属層１３の一部が合金化層１１ｃ１になっていてもよい。

　（変形例）
　以上、本開示に係る半導体発光装置等について、実施の形態１～３に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態１～３に限定されるものではない。

　例えば、上記実施の形態１に係る半導体発光装置１及び基台２００において、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック部材１２（ブロック領域１０ｂ）の外側部分は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも外側に位置していたが、これに限らない。具体的には、図３８及び図３９に示される半導体発光装置１Ｌのように、基台２Ｌの配線部材１０Ｌにおけるブロック部材１２Ｌ（ブロック領域１０ｂ）については、半導体レーザバー３の長手方向の外側部分が、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置していてもよい。同様に、図４０に示される基台２００Ｌのように、半導体レーザバー３の長手方向におけるブロック部材１２Ｌ（ブロック領域１０ｂ）の外側部分は、半導体レーザバー３の側面Ｓ３よりも内側に位置していてもよい。なお、図３８は、変形例１に係る半導体発光装置１Ｌの上面図であり、図３９は、変形例１に係る半導体発光装置１Ｌの断面図であり、図４０は、変形例１に係る基台２００Ｌの上面図である。

　また、上記実施の形態１において、半田付き基台２０１に形成された半田４の上面視形状は、切り欠き部が形成されていない長方形であったが、これに限らない。

　例えば、図４１に示される半田付き基台２０１Ｍのように、半田４Ｍの上面視形状は、切り欠き部４Ｍａが形成された長方形であってもよい。つまり、半田４Ｍには、半田が形成されていない部位が存在していてもよい。半導体レーザバー３を実装するときに、半導体レーザバー３により押しつぶされる半田４Ｍの多い領域に、言い換えるとリッジ部などの素子高さの高い部分に切り欠き部４Ｍａを形成するとよい。また、切り欠き部４Ｍａは、リア側に向かって半田４Ｍの流れが発生するように、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側の長辺からフロント端面Ｓ１に向かって長尺状に延在するように形成されているとよい。また、半導体レーザバー３が中央部が上に反った形状を有している場合、半導体レーザバー３の端部ほど押しつぶす量が大きくなるため、切り欠き部４Ｍａは、半田４Ｍの半導体レーザバー３の長手方向の両端部の各々近傍に形成するとよい。逆に半導体レーザバー３が中央部が下に反った形状を有している場合、切り欠き部４Ｍａは長手方向の中央部に形成するとよい。また、切り欠き部４Ｍａは、半田４Ｍがリア端面Ｓ２側の方向に進むにしたがって幅が大きくなっているとよい。図４１に示される構成の半田付き基台２０１Ｍを用いて半導体レーザバー３を実装することで、溶融して液状になった半田４Ｍが半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２側に向けて流動しやすくなる。これにより、図４１に示される半導体発光装置１Ｍのように、半田４Ｍの後端部に、半導体レーザバー３のリア端面Ｓ２から外側に延伸したリア側延伸部４ａを容易に形成することができる。

　また、図４２に示される半田付き基台２０１Ｎのように、半田４Ｎの切り欠き部４Ｍａは、半導体レーザバー３の長手方向に沿って周期的に複数形成されているとよい。特に、半導体レーザバー３を実装するときに、半導体レーザバー３には半田４Ｎの切り欠き部４Ｍａ以外からの荷重がかかるため、切り欠き部４Ｍａと半導体レーザバー３の利得領域とが重なるように配置されているとよい。半導体レーザバー３における利得領域は周期的に形成されているので、切り欠き部４Ｍａはその周期の整数倍の周期性を持っていると、荷重の負荷が小さくなる。

　図４２に示される構成の半田付き基台２０１Ｎを用いて半導体レーザバー３を実装することで、図４２に示される半導体発光装置１Ｎのように、半田４Ｎに形成されるリア側延伸部４ａは、上面視において、半導体レーザバー３の側面Ｓ３近傍でリア端面Ｓ２側に向かって凹む凹部を有することになる。具体的には、この凹部は、上面視において、半導体レーザバー３の長手方向に沿って周期的に複数形成される。例えば、リア側延伸部４ａの後端部に、平面視形状が波型の凹凸部が形成される。また、同様に、この凹部も周期的に形成されていると効果が大きい。

　また、上記実施の形態１において、半導体発光装置１の基台２の支持体２０は、絶縁体であったが、これに限らない。例えば、図４３に示される半導体発光装置１Ｏのように、基台２Ｏの支持体２０Ｏは、金属ブロック等の導電体であってもよい。これにより、支持体２０Ｏの上面に形成された配線本体１１と支持体２０Ｏとが電気的に接続される。この場合、支持体２０Ｏをプレート状の銅ブロックからなるアノード電極とし、さらにプレート状の銅ブロックからなるカソード電極９ｂを金バンプ９ａを介して半導体レーザバー３のｎ側電極に接合してもよい。このとき、半導体レーザバー３には銅ブロックを実装する時の荷重がかかるため、金バンプ９ａは、半導体レーザバー３の利得領域３ｃと重ならない位置に配置されているとよい。図４３に示される半導体発光装置１Ｏの構成にすることで、金ワイヤ６、給電ワイヤ７ａ及び７ｂが不要になるとともに、半導体レーザバー３を一対の銅ブロックで挟むことができるので半導体レーザバー３で発生する熱を効果的に放熱させることができる。

　なお、図３８～図４３の構成は、実施の形態１の各変形例、実施の形態２、３及び実施の形態２、３の各変形例にも適用することができる。

　その他、上記実施の形態１～３に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

　本開示に係る半導体発光装置は、様々な製品の光源に適用することができる。

　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｉ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ、１Ｍ、１Ｎ、１Ｏ　半導体発光装置
　２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｅ、２Ｇ、２Ｈ、２Ｉ、２Ｊ、２Ｋ、２Ｌ、２Ｏ　基台
　３、３Ｄ　半導体レーザバー
　３ａ　リッジ部
　３ｂ　絶縁膜
　３ｃ　利得領域
　４、４Ｍ、４Ｎ　半田
　４ａ　リア側延伸部
　４Ｍａ　切り欠き部
　５　パッド電極
　６　金ワイヤ
　７ａ、７ｂ　給電ワイヤ
　８　レーザ側ブロック部材
　９ａ　金バンプ
　９ｂ　カソード電極
　１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｅ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ、１０Ｊ、１０Ｋ、１０Ｌ　配線部材
　１０ａ、１０ｃ　接続領域
　１０ａ１　接続領域延伸部
　１０ｂ　ブロック領域
　１０ｂ１　フロント側ブロック領域
　１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｈ、１１Ｊ　配線本体
　１１ａ　第１金属層
　１１ｂ　第２金属層
　１１ｃ　第３金属層
　１１ｃ１　合金化層
　１２、１２Ｃ、１２Ｅ、１２Ｇ、１２Ｈ、１２Ｉ、１２Ｊ、１２Ｌ　ブロック部材
　１２ａ　連結部
　１３　金属層
　２０、２０Ｏ　支持体
　１１１　第１配線本体
　１１２　第２配線本体
　２００、２００Ｃ、２００Ｅ、２００Ｇ、２００Ｉ、２００Ｊ、２００Ｌ　基台
　２０１、２０１Ｃ、２０１Ｇ、２０１Ｊ、２０１Ｍ、２０１Ｎ　半田付き基台
　２１０、２１０Ｃ、２１０Ｅ、２１０Ｇ、２１０Ｉ、２１０Ｊ　配線部材
　２１１　配線本体
　２１１ａ　開口部
　３００　ヒータ
　Ｓ１　フロント端面
　Ｓ２　リア端面
　Ｓ３　側面

Claims

　配線部材を有する基台と、
　長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有する端面発光型の半導体レーザバーと、
　前記配線部材と前記半導体レーザバーとの間に配置された半田と、を備え、
　前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、
　前記半導体レーザバーは、ジャンクションダウン方式で前記基台に接続され、
　前記配線部材の前記半導体レーザバー側の面には、前記半田との界面である接続領域と、前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれ、
　前記接続領域は、上面視において、前記長手方向における前記側面の内側に位置し、
　前記ブロック領域の少なくとも一部は、上面視において、前記接続領域と前記側面との間に位置し、
　前記長手方向における前記ブロック領域の内側部分は、前記側面よりも内側に位置し、
　前記半田は、上面視において前記リア端面から外側に延伸するリア側延伸部を有し、かつ、前記側面から外側には延伸していない、
　半導体発光装置。
　前記配線部材は、第１接続部材と、前記第１接続部材の上方に位置する一対のブロック部材とを有し、
　前記一対のブロック部材の各々の上面の少なくとも一部が、前記ブロック領域であり、
　前記第１接続部材は、上面視において、前記一対のブロック部材の間に前記接続領域を有する、
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記配線部材は、同一面に設けられた第１接続部材と一対のブロック部材とを有し、
　前記第１接続部材の上面の少なくとも一部が、前記接続領域であり、
　前記一対のブロック部材は、前記長手方向における前記接続領域の一方の外側と他方の外側とに位置し、
　前記一対のブロック部材の上面の少なくとも一部が、前記ブロック領域である、
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記配線部材は、ブロック部材を有し、
　前記接続領域と前記ブロック領域とは、前記ブロック部材の上面に含まれている、
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記配線部材は、ブロック部材と、前記ブロック部材の上に位置する第２接続部材とを有し、
　前記第２接続部材の上面の少なくとも一部が、前記接続領域であり、
　前記ブロック部材の上面の少なくとも一部が、前記ブロック領域であり、
　前記ブロック領域は、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置している、
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記接続領域の高さ位置は、前記ブロック領域の高さ位置より低い、
　請求項３に記載の半導体発光装置。
　断面視において、前記半田と前記半導体レーザバーとの界面の幅は、前記半田と前記配線部材との界面の幅より大きい、
　請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　断面視において、前記ブロック部材の下面内端と前記複数の利得領域のうち前記ブロック部材に最も近い利得領域の外端とを結ぶ直線と、前記半導体レーザバーの下面とのなす角は、４５度未満である、
　請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
　断面視において、前記接続領域の外端と前記複数の利得領域のうち前記接続領域の外端に最も近い利得領域の外端とを結ぶ直線と、前記半導体レーザバーの下面とのなす角は、４５度未満である、
　請求項４に記載の半導体発光装置。
　断面視において、前記ブロック領域の内端と前記複数の利得領域のうち前記ブロック領域に最も近い利得領域の外端とを結ぶ直線と、前記半導体レーザバーの下面とのなす角は、４５度未満である、
　請求項５に記載の半導体発光装置。
　前記半導体レーザバーの下面外端と前記ブロック領域の内端とを結ぶ直線と、前記半導体レーザバーの下面とのなす角は、４５度未満である、
　請求項２～５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　前記上面視において、前記接続領域は、前記半導体レーザバーの前記リア端面から外側に延伸する接続領域延伸部を有し、
　前記半田の前記リア側延伸部は、前記接続領域延伸部と接続されており、
　前記半導体レーザバーの短手方向において、前記半田の前記リア側延伸部の高さは、前記半導体レーザバーから離れるにしたがって、いったん高くなった後に低くなっている、
　請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　前記長手方向における前記一対のブロック部材の内側部分の間隔は、前記フロント端面側より前記リア端面側の方が大きい、
　請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記長手方向における前記接続領域の幅は、前記フロント端面側より前記リア端面側の方が大きい、
　請求項１～１３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記ブロック領域は、前記半導体レーザバーの直下の部分から前記リア端面側の外方に延伸し、前記半導体レーザバーの前記側面における前記リア端面側の端部は、前記ブロック領域に重なっている、
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記半田の前記リア側延伸部は、前記半導体レーザバーの前記側面近傍で前記リア端面側に向かって凹む凹部を有する、
　請求項１～１５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記凹部は、前記長手方向に沿って周期的に複数形成されている、
　請求項１６に記載の半導体発光装置。
　さらに、前記半導体レーザバーは、前記基台側に、電極パッドと、前記長手方向における前記電極パッドの外側両端部に設けられた一対のレーザ側ブロック部材とを有し、
　前記一対のレーザ側ブロック部材の各々の表面は、前記半田に対する接触角が９０度より大きい、
　請求項１～１７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記一対のレーザ側ブロック部材の内端間の間隔は、前記フロント端面側より前記リア端面側の方が大きい、
　請求項１８に記載の半導体発光装置。
　上面視において、前記ブロック領域は、前記接続領域よりも前記フロント端面側に、フロント側ブロック領域を含む、
　請求項１～１９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　前記半田は、ＡｕＳｎからなり、
　前記ブロック領域は、Ｐｔ、ＳｉＯ_ｘ又はＮｉＯ_ｘの表面であり、
　前記接続領域は、Ａｕの表面である、
　請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
　前記半田は、ＡｕＳｎからなり、
　前記ブロック領域は、Ｐｔの表面であり、
　前記接続領域は、Ａｕの表面である、
　請求項４又は５に記載の半導体発光装置。
　前記接続領域の近傍において、前記配線部材の少なくとも一部と前記半田とが組成遷移領域を介して一体化している、
　請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
　前記半導体レーザバーは、窒化物半導体材料によって構成されており、
　前記半導体レーザバーは、前記長手方向に反っている、
　請求項１～２３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
　配線部材を有する直方体の基台であって、
　前記配線部材の上面には、接続領域とブロック領域とが含まれ、
　前記ブロック領域は、上面視において、長手方向における前記接続領域の外側に位置し、
　前記接続領域は、半田に対する接触角が９０度より小さく、
　前記ブロック領域は、半田に対する接触角が９０度より大きい、
　基台。
　前記ブロック領域は、前記長手方向における前記接続領域の両外側に一対存在し、
　一対の前記ブロック領域は、上面視において、前記基台の短手方向の一方側に寄せて配置されており、
　前記長手方向における一対の前記ブロック領域の内側部分の間隔は、前記一方側よりも前記一方側とは反対側の方が大きい、
　請求項２５に記載の基台。
　配線部材を有する直方体の基台と、
　前記配線部材の上面に配置された半田と、を有し、
　前記配線部材の上面は、前記半田との界面であって半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とを含み、
　前記ブロック領域は、上面視において、長手方向における前記接続領域の両外側に位置する、
　半田付き基台。
　前記ブロック領域は、上面視において、前記長手方向における前記接続領域の両外側に一対存在し、
　前記半田は、上面視において、前記基台の短手方向の一方側に寄せて配置されており、
　前記長手方向における一対の前記ブロック領域の内側部分の間隔は、前記一方側から遠ざかるにしたがって広くなっている、
　請求項２７に記載の半田付き基台。
　配線部材を有する基台を準備する第１工程と、
　前記配線部材の上に半田を配置する第２工程と、
　前記半田の上に、端面発光型の半導体レーザバーをジャンクションダウンで配置し、前記半導体レーザバーを押さえ付けながら加熱して前記半田を溶融し、前記半田により前記半導体レーザバーを前記基台に接合する第３工程と、を含み、
　前記半導体レーザバーは、長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有し、
　前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、
　前記第１工程では、第１接続部材とブロック部材とを順に形成することで前記配線部材を形成し、
　前記配線部材の上面には、前記半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置し且つ前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれており、
　前記第２工程において、前記半田は、前記接続領域上に配置され、
　前記第３工程において、前記半田は、前記リア端面から外側に延伸し、且つ、前記側面から外側には延伸しない、
　半導体発光装置の製造方法。
　配線部材を有する基台を準備する第１工程と、
　前記配線部材の上に半田を配置する第２工程と、
　前記半田の上に、端面発光型の半導体レーザバーをジャンクションダウンで配置し、前記半導体レーザバーを押さえ付けながら加熱して前記半田を溶融し、前記半田により前記半導体レーザバーを前記基台に接合する第３工程と、を含み、
　前記半導体レーザバーは、長手方向に沿って並べられた複数の利得領域を有し、
　前記半導体レーザバーは、光を出射する端面であるフロント端面と、前記フロント端面とは反対側の端面であるリア端面と、前記長手方向の端面である側面とを有し、
　前記第１工程では、ブロック部材と第２接続部材とを順に形成することで前記配線部材を形成し、
　前記配線部材の上面には、前記半田に対する接触角が９０度より小さい接続領域と、前記長手方向における前記接続領域の両外側に位置し且つ前記半田に対する接触角が９０度より大きいブロック領域とが含まれており、
　前記第２工程において、前記半田は、前記接続領域上に配置され、
　前記第３工程において、前記半田は、前記リア端面から外側に延伸し、且つ、前記側面から外側には延伸せず、
　前記第２接続部材の少なくとも一部と前記半田とが組成遷移領域を介して一体化している、
　半導体発光装置の製造方法。
　前記第３工程では、前記基台を加熱しながら、前記半導体レーザバーの前記リア端面よりも外側の領域に存在する前記半田に加熱用のレーザ光を照射し、
　前記第３工程において、前記半田の前記リア端面に近い部分の温度は、前記半田の前記フロント端面に近い部分の温度よりも高い、
　請求項２９又は３０に記載の半導体発光装置の製造方法。