JPH11284098A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH11284098A JPH11284098A JP10085388A JP8538898A JPH11284098A JP H11284098 A JPH11284098 A JP H11284098A JP 10085388 A JP10085388 A JP 10085388A JP 8538898 A JP8538898 A JP 8538898A JP H11284098 A JPH11284098 A JP H11284098A
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- laser chip
- brazing material
- laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の半導体レーザ装置では、サブマウント
上表面に付着されるろう材の面積がレーザチップの外形
より大きいため、ダイボンドするとろう材がはみ出し、
レーザチップの活性層まで這い上がりレーザリークを起
こす問題が生じやすかった。 【解決手段】 本発明のサブマウント上に載置されたレ
ーザチップを有する半導体レーザ装置では、前記レーザ
チップを前記サブマウントにダイボンドするために用い
るろう材の付着領域を、放熱を損なわない程度に、前記
レーザチップと前記サブマウントの接着面積より小さく
することによって、上記問題を解決する。
上表面に付着されるろう材の面積がレーザチップの外形
より大きいため、ダイボンドするとろう材がはみ出し、
レーザチップの活性層まで這い上がりレーザリークを起
こす問題が生じやすかった。 【解決手段】 本発明のサブマウント上に載置されたレ
ーザチップを有する半導体レーザ装置では、前記レーザ
チップを前記サブマウントにダイボンドするために用い
るろう材の付着領域を、放熱を損なわない程度に、前記
レーザチップと前記サブマウントの接着面積より小さく
することによって、上記問題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】光ディスク用光源に用いられ
る半導体レーザ装置に関するもので、特に、ＤＶＤ用光
源に用いられる赤色レーザチップをサブマウント上に載
置した半導体レーザ装置に関する。
る半導体レーザ装置に関するもので、特に、ＤＶＤ用光
源に用いられる赤色レーザチップをサブマウント上に載
置した半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に使用されている発光波長
が７８０ｎｍ帯の赤外半導体レーザ装置では、レーザチ
ップを液相成長法で製作していた。液相成長法は、成長
速度が速いため、レーザチップのダイボンド面から発光
点のある活性層までの厚さを厚くすることができた。従
って、レーザチップをステム（パッケージ）にダイボン
ドする際、ろう材がはみ出して活性層まで這い上がるこ
とにより生じるレーザリークは発生せず、ろう材の厚さ
にも特別注意を払う必要がなかった。
が７８０ｎｍ帯の赤外半導体レーザ装置では、レーザチ
ップを液相成長法で製作していた。液相成長法は、成長
速度が速いため、レーザチップのダイボンド面から発光
点のある活性層までの厚さを厚くすることができた。従
って、レーザチップをステム（パッケージ）にダイボン
ドする際、ろう材がはみ出して活性層まで這い上がるこ
とにより生じるレーザリークは発生せず、ろう材の厚さ
にも特別注意を払う必要がなかった。
【０００３】しかしながら、ＤＶＤ用光源として用いら
れる赤色半導体レーザ装置は液相成長では製作すること
ができず、気相成長もしくはＭＢＥを用いなければなら
ない。気相成長及びＭＢＥは成長速度が遅く、量産化の
点でレーザチップのダイボンド面から活性層までの厚さ
を厚くすることができない。また、赤色半導体レーザで
は発光による自己発熱が大きく、ステム（パッケージ）
への放熱をよくする必要があり、この点からもレーザチ
ップのダイボンド面から活性層までの厚さを厚くするこ
とができない。従って、赤色半導体レーザ装置ではろう
材のはみ出しによって生じるレーザリークが問題となっ
ており、ろう材が付着されたサブマウントを使用すると
いうようにろう材を薄くする工夫がなされているが、レ
ーザリークの発生を完全に防ぐことはできなかった。
れる赤色半導体レーザ装置は液相成長では製作すること
ができず、気相成長もしくはＭＢＥを用いなければなら
ない。気相成長及びＭＢＥは成長速度が遅く、量産化の
点でレーザチップのダイボンド面から活性層までの厚さ
を厚くすることができない。また、赤色半導体レーザで
は発光による自己発熱が大きく、ステム（パッケージ）
への放熱をよくする必要があり、この点からもレーザチ
ップのダイボンド面から活性層までの厚さを厚くするこ
とができない。従って、赤色半導体レーザ装置ではろう
材のはみ出しによって生じるレーザリークが問題となっ
ており、ろう材が付着されたサブマウントを使用すると
いうようにろう材を薄くする工夫がなされているが、レ
ーザリークの発生を完全に防ぐことはできなかった。
【０００４】図５に従来の赤色半導体レーザ装置の全体
図を示し、図６に従来の赤色半導体レーザのレーザチッ
プがサブマウントにダイボンドされた様子を示す。図５
（ａ）において、レーザチップ１がサブマウント２表面
に付着されたろう材３によりサブマウント２にダイボン
ドされている。図５（ｂ）において、レーザチップ１の
ダイボンドされたサブマウント２は、ステム６のブロッ
ク部にろう材によりダイボンドされている。サブマウン
ト２は絶縁体であり、サブマウント２の表面は金が付着
されている。ろう材３はこの金の上に付着されている。
レーザチップ１の表面は金線８ａによりステム６上のブ
ロック部つまりステム６と電気的につながれている。一
方、レーザチップ１の裏面（ダイボンド面）は別の金線
８ｂによりステム上のリードピン９に電気的に接続され
ている。また、ステム６上にはレーザチップ１の発光面
後面から出たレーザ光をモニターするフォトダイオード
７が取り付けられている。フォトダイオード７は３本目
の金線８ｃによりステム６上のリードピン１０と電気的
に接続されている。リードピン９、１０は、ステム６と
はハーメチックシールにより電気的に絶縁されている。
図を示し、図６に従来の赤色半導体レーザのレーザチッ
プがサブマウントにダイボンドされた様子を示す。図５
（ａ）において、レーザチップ１がサブマウント２表面
に付着されたろう材３によりサブマウント２にダイボン
ドされている。図５（ｂ）において、レーザチップ１の
ダイボンドされたサブマウント２は、ステム６のブロッ
ク部にろう材によりダイボンドされている。サブマウン
ト２は絶縁体であり、サブマウント２の表面は金が付着
されている。ろう材３はこの金の上に付着されている。
レーザチップ１の表面は金線８ａによりステム６上のブ
ロック部つまりステム６と電気的につながれている。一
方、レーザチップ１の裏面（ダイボンド面）は別の金線
８ｂによりステム上のリードピン９に電気的に接続され
ている。また、ステム６上にはレーザチップ１の発光面
後面から出たレーザ光をモニターするフォトダイオード
７が取り付けられている。フォトダイオード７は３本目
の金線８ｃによりステム６上のリードピン１０と電気的
に接続されている。リードピン９、１０は、ステム６と
はハーメチックシールにより電気的に絶縁されている。
【０００５】また、図６（ａ）に示されるように、従来
の赤色半導体レーザは、サブマウント２に付着されたろ
う材３がレーザチップ１の外形よりも大きくなってい
た。また、図６（ｂ）の上面図に示されるように、レー
ザチップ１の発光面前面がサブマウント２の端面と一致
しており、しかも端面のところまでろう材３を付着して
いた。
の赤色半導体レーザは、サブマウント２に付着されたろ
う材３がレーザチップ１の外形よりも大きくなってい
た。また、図６（ｂ）の上面図に示されるように、レー
ザチップ１の発光面前面がサブマウント２の端面と一致
しており、しかも端面のところまでろう材３を付着して
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤色半導体レー
ザ装置では、サブマウント上表面に付着されるろう材の
面積がレーザチップの外形より大きいため、ダイボンド
するとろう材がはみ出し、レーザチップの活性層まで這
い上がりレーザリークを起こす問題が生じやすかった。
ザ装置では、サブマウント上表面に付着されるろう材の
面積がレーザチップの外形より大きいため、ダイボンド
するとろう材がはみ出し、レーザチップの活性層まで這
い上がりレーザリークを起こす問題が生じやすかった。
【０００７】また、レーザチップの発光面前面がサブマ
ウントの端面と一致しており、しかもサブマウントの端
面のところまでろう材がきているため、ろう材がはみ出
して発光面前面の活性層上の発光点から出たレーザ光の
少なくとも一部を遮る場合もあった。また、発光面後面
の発光点から出たレーザ光もろう材が遮ってしまう可能
性があった。この場合、半導体レーザ内に取り付けられ
ている光出力モニター用フォトダイオードに入るレーザ
光が減り、フォトダイオードの出力が小さくなってしま
う。ろう材の厚さをさらに薄くすれば、ろう材のはみ出
しを防ぐことができるが、この場合、レーザチップとサ
ブマウント間のダイボンド性が低下し、レーザチップが
サブマウントから剥がれたり、放熱性が低下するため、
ろう材を薄くすることはできない。
ウントの端面と一致しており、しかもサブマウントの端
面のところまでろう材がきているため、ろう材がはみ出
して発光面前面の活性層上の発光点から出たレーザ光の
少なくとも一部を遮る場合もあった。また、発光面後面
の発光点から出たレーザ光もろう材が遮ってしまう可能
性があった。この場合、半導体レーザ内に取り付けられ
ている光出力モニター用フォトダイオードに入るレーザ
光が減り、フォトダイオードの出力が小さくなってしま
う。ろう材の厚さをさらに薄くすれば、ろう材のはみ出
しを防ぐことができるが、この場合、レーザチップとサ
ブマウント間のダイボンド性が低下し、レーザチップが
サブマウントから剥がれたり、放熱性が低下するため、
ろう材を薄くすることはできない。
【０００８】本発明の目的は、放熱性を損なうことな
く、しかもろう材のはみ出しによるレーザリークの発生
しない赤色半導体レーザ装置を提供することにある。
く、しかもろう材のはみ出しによるレーザリークの発生
しない赤色半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のサブマウント上
に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置で
は、前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンド
するために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわな
い程度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着
面積より小さくすることを特徴とする。
に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置で
は、前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンド
するために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわな
い程度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着
面積より小さくすることを特徴とする。
【００１０】また、前記レーザチップを前記サブマウン
トにダイボンドするために用いるろう材の付着領域は、
レーザチップの縦方向については前記レーザチップ外周
から１０μｍ以上、レーザチップの縦方向の幅の１／６
以下の距離から内側であり、レーザチップの横方向につ
いては、レーザチップ外周から１０μｍ以上、レーザチ
ップの横方向の幅の３／７以下の距離から内側であるこ
とを特徴とする。
トにダイボンドするために用いるろう材の付着領域は、
レーザチップの縦方向については前記レーザチップ外周
から１０μｍ以上、レーザチップの縦方向の幅の１／６
以下の距離から内側であり、レーザチップの横方向につ
いては、レーザチップ外周から１０μｍ以上、レーザチ
ップの横方向の幅の３／７以下の距離から内側であるこ
とを特徴とする。
【００１１】さらに、前記レーザチップの発光面前面を
前記サブマウント端面より前に飛び出させてダイボンド
することが好ましい。
前記サブマウント端面より前に飛び出させてダイボンド
することが好ましい。
【００１２】また、前記レーザチップ外周辺より内側で
前記ろう材の付着領域の外側におけるサブマウント上
に、レーザチップの縦方向と平行な溝をろう材の付着領
域を挟むように設ける。あるいは、ろう材の付着領域を
取り囲むように溝を設ける。
前記ろう材の付着領域の外側におけるサブマウント上
に、レーザチップの縦方向と平行な溝をろう材の付着領
域を挟むように設ける。あるいは、ろう材の付着領域を
取り囲むように溝を設ける。
【００１３】本発明では、サブマウント表面上に付着さ
れるろう材の面積を放熱を損なわない程度にレーザチッ
プ外周より４辺とも小さくすることにより、ろう材のは
み出しを防ぎ、それにより、ろう材がはみ出し、レーザ
チップの活性層まで這い上がって起こるレーザリークや
レーザチップ発光前後面の発光点から出るレーザ光の少
なくとも一部をはみ出したろう材が遮ることを防止する
ことができる。また、放熱を損なわない程度に、上記サ
ブマウント表面上のろう材の外側でレーザチップ外周辺
の内側に溝を形成することにより、上記レーザリークや
発光前後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも一部
をはみ出したろう材が遮ることを完全に防止することが
できる。
れるろう材の面積を放熱を損なわない程度にレーザチッ
プ外周より４辺とも小さくすることにより、ろう材のは
み出しを防ぎ、それにより、ろう材がはみ出し、レーザ
チップの活性層まで這い上がって起こるレーザリークや
レーザチップ発光前後面の発光点から出るレーザ光の少
なくとも一部をはみ出したろう材が遮ることを防止する
ことができる。また、放熱を損なわない程度に、上記サ
ブマウント表面上のろう材の外側でレーザチップ外周辺
の内側に溝を形成することにより、上記レーザリークや
発光前後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも一部
をはみ出したろう材が遮ることを完全に防止することが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に本発明における実施例１の
赤色半導体レーザのレーザチップをサブマウントにダイ
ボンドした半導体レーザ装置を示す図である。図１
（ａ）の上面図に示されるように、レーザチップ１の発
光面前面は、サブマウント２の端面と一致する位置にダ
イボンドされている。ろう材３は放熱を損なわない程度
にレーザチップ１より小さい面積で、レーザチップ１の
外周より４方向とも内側になるよう、サブマウント２表
面上に付着されている。従って、ろう材３がレーザチッ
プ１の外周よりはみ出し、活性層４まで這い上がること
によりレーザリークを起こす現象は生じない。
赤色半導体レーザのレーザチップをサブマウントにダイ
ボンドした半導体レーザ装置を示す図である。図１
（ａ）の上面図に示されるように、レーザチップ１の発
光面前面は、サブマウント２の端面と一致する位置にダ
イボンドされている。ろう材３は放熱を損なわない程度
にレーザチップ１より小さい面積で、レーザチップ１の
外周より４方向とも内側になるよう、サブマウント２表
面上に付着されている。従って、ろう材３がレーザチッ
プ１の外周よりはみ出し、活性層４まで這い上がること
によりレーザリークを起こす現象は生じない。
【００１５】具体的には、２５０μｍ×６００μｍのレ
ーザチップの場合について説明する。発光面前面と平行
な方向をレーザチップの横方向の幅とし、発光面前面と
垂直な方向をレーザチップの縦方向とする。横方向へは
横方向のレーザチップ幅の１／３程度の幅である８０μ
ｍほどレーザチップの外周より内側で、縦方向へは１０
μｍほどレーザチップの外周より内側となる領域に短冊
形状の付着を行った。このように短冊形状のろう材を付
着することによって、ろう材がはみ出さず、レーザリー
クが発生せず、且つ、十分な放熱効果も奏することがで
きる。
ーザチップの場合について説明する。発光面前面と平行
な方向をレーザチップの横方向の幅とし、発光面前面と
垂直な方向をレーザチップの縦方向とする。横方向へは
横方向のレーザチップ幅の１／３程度の幅である８０μ
ｍほどレーザチップの外周より内側で、縦方向へは１０
μｍほどレーザチップの外周より内側となる領域に短冊
形状の付着を行った。このように短冊形状のろう材を付
着することによって、ろう材がはみ出さず、レーザリー
クが発生せず、且つ、十分な放熱効果も奏することがで
きる。
【００１６】本実施例では、ろう材の付着領域を上述の
通りとしたが、上記のような効果を奏することのできる
ろう材の付着領域の短冊形状は、横方向の幅が４０〜２
３０μｍであり、縦方向の幅が４００μｍ〜５８０μｍ
であった。ろう材の付着領域の横方向の幅を４０μｍ以
下にすると、放熱効果が十分に得られずレーザチップに
熱的損傷を与えることになる。縦方向において、十分放
熱効果を有するためには、縦方向の幅を４００μｍ以上
にすることが必要であることが経験的に分かった。ま
た、横方向でも、縦方向においても、レーザチップの外
周よりろう材までの距離が１０μｍ以上にすることで、
ろう材のレーザチップ側面へのはい上がりが防止でき
る。
通りとしたが、上記のような効果を奏することのできる
ろう材の付着領域の短冊形状は、横方向の幅が４０〜２
３０μｍであり、縦方向の幅が４００μｍ〜５８０μｍ
であった。ろう材の付着領域の横方向の幅を４０μｍ以
下にすると、放熱効果が十分に得られずレーザチップに
熱的損傷を与えることになる。縦方向において、十分放
熱効果を有するためには、縦方向の幅を４００μｍ以上
にすることが必要であることが経験的に分かった。ま
た、横方向でも、縦方向においても、レーザチップの外
周よりろう材までの距離が１０μｍ以上にすることで、
ろう材のレーザチップ側面へのはい上がりが防止でき
る。
【００１７】また、チップサイズの異なる場合について
も同様にろう材の付着領域を範囲について制限がある。
ろう材のレーザチップ側面へのはい上がりが防止するた
めには、レーザチップの外周よりろう材までの距離を１
０μｍ以上にすることが必要であった。また、放熱効果
を十分に持たせるためには、横方向ではレーザチップ外
周辺よりレーザチップの横方向の幅の３／７の距離から
内側にはろう材を付着する必要があり、縦方向ではレー
ザチップ外周辺よりレーザチップの縦方向の幅の１／６
の距離から内側にはろう材を付着する必要があることが
経験的に得られた。
も同様にろう材の付着領域を範囲について制限がある。
ろう材のレーザチップ側面へのはい上がりが防止するた
めには、レーザチップの外周よりろう材までの距離を１
０μｍ以上にすることが必要であった。また、放熱効果
を十分に持たせるためには、横方向ではレーザチップ外
周辺よりレーザチップの横方向の幅の３／７の距離から
内側にはろう材を付着する必要があり、縦方向ではレー
ザチップ外周辺よりレーザチップの縦方向の幅の１／６
の距離から内側にはろう材を付着する必要があることが
経験的に得られた。
【００１８】また、本実施例ではレーザチップ１の発光
面前面がサブマウント２の端面と一致しているが、ろう
材３がはみ出して発光面前面の活性層４上の発光点から
出るレーザ光の少なくとも一部を遮ることもない。ま
た、発光面後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも
一部をはみ出したろう材３が遮ってしまうこともなく、
半導体レーザ内に取り付けられている光出力モニター用
フォトダイオードに入るレーザ光が減り、フォトダイオ
ードの出力が小さくなってしまう現象も防止できる。
面前面がサブマウント２の端面と一致しているが、ろう
材３がはみ出して発光面前面の活性層４上の発光点から
出るレーザ光の少なくとも一部を遮ることもない。ま
た、発光面後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも
一部をはみ出したろう材３が遮ってしまうこともなく、
半導体レーザ内に取り付けられている光出力モニター用
フォトダイオードに入るレーザ光が減り、フォトダイオ
ードの出力が小さくなってしまう現象も防止できる。
【００１９】図２に、本発明における実施例２の赤色半
導体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンド
された様子を示す。図２（ａ）は上面図であり、図２
（ｂ）は断面図である。同一部材には同一符号を付す。
実施例１と異なる点は、レーザチップ１の発光面前面
が、サブマウント２の端面より放熱を損なわない程度に
前に飛び出させてダイボンドされていることである。例
えば、２５０μｍ×６００μｍのレーザチップの場合に
は、発光面前面を１０〜１００μｍ程度前に飛び出させ
ることができる。これにより、ろう材３がはみ出してレ
ーザチップ１の発光面前面の活性層４上の発光点から出
るレーザ光の少なくとも一部を遮ることを完全に防止で
きる。
導体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンド
された様子を示す。図２（ａ）は上面図であり、図２
（ｂ）は断面図である。同一部材には同一符号を付す。
実施例１と異なる点は、レーザチップ１の発光面前面
が、サブマウント２の端面より放熱を損なわない程度に
前に飛び出させてダイボンドされていることである。例
えば、２５０μｍ×６００μｍのレーザチップの場合に
は、発光面前面を１０〜１００μｍ程度前に飛び出させ
ることができる。これにより、ろう材３がはみ出してレ
ーザチップ１の発光面前面の活性層４上の発光点から出
るレーザ光の少なくとも一部を遮ることを完全に防止で
きる。
【００２０】図３に、本発明における実施例３の赤色半
導体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンド
された様子を示す。図３（ａ）は上面図であり、図３
（ｂ）は断面図である。実施例２と異なる点は、放熱を
損なわない程度にろう材を付着し、サブマウント２表面
上のろう材３の外側に２本の溝５が設けられていること
である。この２本の溝５は、レーザチップ１の幅より狭
い間隔であり、レーザチップの縦方向に対して平行な溝
である。これにより、レーザチップ１の発光面前面に垂
直な方向へのろう材３のはみ出しを完全に防止できるた
め、レーザリークの発生を完全に防止できる。
導体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンド
された様子を示す。図３（ａ）は上面図であり、図３
（ｂ）は断面図である。実施例２と異なる点は、放熱を
損なわない程度にろう材を付着し、サブマウント２表面
上のろう材３の外側に２本の溝５が設けられていること
である。この２本の溝５は、レーザチップ１の幅より狭
い間隔であり、レーザチップの縦方向に対して平行な溝
である。これにより、レーザチップ１の発光面前面に垂
直な方向へのろう材３のはみ出しを完全に防止できるた
め、レーザリークの発生を完全に防止できる。
【００２１】図４に本発明における実施例４の赤色半導
体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンドさ
れた様子を示す。図４（ａ）は上面図であり、図４
（ｂ）は断面図である。実施例４は、サブマウント２表
面上のろう材３外側でレーザチップ１の外周辺より内側
に、ろう材３を取り囲むように溝５を設けている。これ
により、レーザチップ１の発光面前後面及び発光面前後
面に対して垂直な２面へのろう材３のはみ出しを完全に
防止できるため、レーザチップ１の発光面前面が、サブ
マウント２の端面と一致する位置にダイボンドした状態
で、レーザリークの発生とろう材３がはみ出して発光面
前後面の活性層４上の発光点から出るレーザ光の少なく
とも一部を遮ることを完全に防止できる。
体レーザのレーザチップがサブマウントにダイボンドさ
れた様子を示す。図４（ａ）は上面図であり、図４
（ｂ）は断面図である。実施例４は、サブマウント２表
面上のろう材３外側でレーザチップ１の外周辺より内側
に、ろう材３を取り囲むように溝５を設けている。これ
により、レーザチップ１の発光面前後面及び発光面前後
面に対して垂直な２面へのろう材３のはみ出しを完全に
防止できるため、レーザチップ１の発光面前面が、サブ
マウント２の端面と一致する位置にダイボンドした状態
で、レーザリークの発生とろう材３がはみ出して発光面
前後面の活性層４上の発光点から出るレーザ光の少なく
とも一部を遮ることを完全に防止できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明では、サブマウント表面上のろう
材の付着面積が放熱を損なわない程度にレーザチップの
外周より４方向とも小さくなっているので、ろう材がは
み出さず、レーザリークが発生しない。また、レーザチ
ップ発光前後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも
一部をはみ出したろう材が遮ることを防止することがで
きる。
材の付着面積が放熱を損なわない程度にレーザチップの
外周より４方向とも小さくなっているので、ろう材がは
み出さず、レーザリークが発生しない。また、レーザチ
ップ発光前後面の発光点から出るレーザ光の少なくとも
一部をはみ出したろう材が遮ることを防止することがで
きる。
【００２３】サブマウント表面上でろう材の外側でレー
ザチップの外周より内側に溝を放熱を損なわない程度に
形成した場合、ダイボンド時に広がったろう材は、溝に
落ち込み、溝より外側には絶対にはみ出さず、レーザリ
ークの発生やレーザチップ発光前後面の発光点から出る
レーザ光の少なくとも一部をはみ出したろう材が遮るこ
とを防ぐことができる。
ザチップの外周より内側に溝を放熱を損なわない程度に
形成した場合、ダイボンド時に広がったろう材は、溝に
落ち込み、溝より外側には絶対にはみ出さず、レーザリ
ークの発生やレーザチップ発光前後面の発光点から出る
レーザ光の少なくとも一部をはみ出したろう材が遮るこ
とを防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例１に係る半導体レーザ装置を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の実施例２に係る半導体レーザ装置を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の実施例３に係る半導体レーザ装置を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の実施例４に係る半導体レーザ装置を示
す図である。
す図である。
【図５】従来の半導体レーザ装置を示す図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置を示す図である。
１ レーザチップ ２ サブマウント ３ ろう材 ４ 活性層 ５ 溝 ６ ステム ７ フォトダイオード ８ａ、８ｂ、８ｃ 金線 ９、１０ リードピン
Claims (5)
- 【請求項１】 サブマウント上に載置されたレーザチッ
プを有する半導体レーザ装置において、 前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンドする
ために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわない程
度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着面積
より小さくすることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】サブマウント上に載置されたレーザチップ
を有する半導体レーザ装置において、 前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンドする
ために用いるろう材の付着領域は、レーザチップの縦方
向については前記レーザチップ外周から１０μｍ以上、
レーザチップの縦方向の幅の１／６以下の距離から内側
であり、 レーザチップの横方向については、レーザチップ外周か
ら１０μｍ以上、レーザチップの横方向の幅の３／７以
下の距離から内側であることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項３】 前記レーザチップの発光面前面を前記サ
ブマウント端面より前に飛び出させてダイボンドしたこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項４】 前記レーザチップ外周辺より内側で前記
ろう材の付着領域の外側におけるサブマウント上に、レ
ーザチップの縦方向と平行な溝をろう材の付着領域を挟
むように設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記レーザチップ外周辺より内側で前記
ろう材の付着領域の外側におけるサブマウント上に、ろ
う材の付着領域を取り囲むように溝を設けたことを特徴
とする請求項１乃至２のいずれかに記載の半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085388A JPH11284098A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085388A JPH11284098A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284098A true JPH11284098A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13857376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085388A Pending JPH11284098A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284098A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168444A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sony Corp | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
| KR100446714B1 (ko) * | 1999-12-01 | 2004-09-01 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 장치, 그의 제조방법 및 반도체 레이저장치를 사용한 광 픽업 |
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| CN1297046C (zh) * | 2003-05-20 | 2007-01-24 | 夏普株式会社 | 半导体发光设备及其制造方法 |
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-
1998
- 1998-03-31 JP JP10085388A patent/JPH11284098A/ja active Pending
Cited By (15)
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