JPH03217065A - レーザダイオード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はレーザダイオード装置に係わり、とくにレー
ザダイオードチップがヒートシンクにマウントされたレ
ーザダイオード装置に関する。

（従来の技術） 近時、通信、光ディスクの読取りや記録あるいは計測や
加工など様々な用途の光源としてレザダイオード装置が
用いられている。

通常、レーザダイオード装置は、第６図に示すように複
数のリード１が設けられたステム２と、このステム２と
一体化されたシートシンク３と、このヒートシンク３の
マウント面４に半田付けされたレーザダイオードチップ
５と、上記ヒートシンクを覆う窓６を備えたキャップ７
とから構成されている。なお、同図中８はレーザダイオ
ードチ゛ップ５の後端の発光面５ａに対向して設けられ
たフォトダイオードである。

上記ヒートシンク３のマウント面４にレーザダイオード
チップ５を半田付けするには、上記マウント面４にイン
ジュウム半田１１１７図に示す）を蒸着したのち、ヒー
トシンク３を加熱することによって上記インジュウム半
田１１を溶融する。

つぎに、ヒートシンク３のマウント面４に対してレーザ
ダイオードチップ５の位置合せをしたなら、そのレーザ
ダイオードチップ５を上記マウント面４に押付けて取着
するようにしている。

ところで、このようなレーザダイオードチップ５の半田
付けに際しては、マウント面４に蒸着されるインジュウ
ム半田１１の量が少ないと、レーザダイオードチップ５
の濡れ面積が小さくなり、レーザダイオ，−ドチップ５
がマウント面４からはがれるはがれ不良を招くことにな
る。しかしながら、はがれ不良を防止するために、半田
量を多くすると、レーザダイオードチップ５をマウント
而４に押付けたときに、このレーザダイオードチップ５
によって押しのけられた半田が表面張力で第７図に示す
ように周辺部にせり上がり、そのチップ５の後端の発光
面５ａを覆い、発光不良を招くことになる。

また、従来はマウント面４に対するレーザダイオードチ
ップ５の位置決め精度が高精度に要求される。つまり、
レーザダイオードチップ５にマウント面４からの突き出
し量が多いと、そのチップ５がはがれ易く、また突き出
し量がマイナスになると、レーザダイオードチップ５を
マウント面４に押付けたときに、このレーザダイオード
チップ５によって押しのけられた半田がその前端の発光
面５ｂを覆って発光不良を招くことになるから、チップ
５のマウント面４に対する位置決め精度が高精度に要求
されることになる。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来のレーザダイオード装置は、マウント
面に蒸着される半田の量が多過ぎても、少な過ぎても不
良品の発生を招くから、その管理が容易でなく、またマ
ウント面に対するレーザダイオードチップの位置決め精
度も高精度に管理しなければ不良品の発生を招くという
ことがあった。

この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、ヒートシンクのマウント面に設けら
れる半田量の管理が容易で、しかも上記マウント面に対
するレーザダイオードチップの位置決め精度が高精度に
要求されることがないようにしたレーザダイオード装置
を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段及び作用）上記課題を解決
するためにこの発明は、ヒートシンクのマウント面にレ
ーザダイオードチップが半田付けされるレーザダイオー
ド装置において、上記マウント面に半田の逃げ溝を形成
する。

このような構成とすることにより、マウント面にレーザ
ダイオードチップを十分な濡れ面積で半田付けすること
ができる量の半田を設けても、余分な半田が半田逃げ溝
へ逃げてレーザダイオードチップの発光不良を招くこと
がなく、しかも位置決め精度が低くても、発光不良を招
くことがないようにした。

（実施例） 以下、この発明の一実施例を第１図乃至第３図を参照し
て説明する。なお、第６図に示す従来構造と同一部分に
は同一記号を付して説明を省略する。

すなわち、この実施例においては、ヒートシンク３のマ
ウント面４に半田逃げ溝１５が軸方向全長にわたって刻
設されている。一方、上記マウント面４にはレーザダイ
オードチップ５を十分な濡れ面積で半田付けすることが
できる量のインジュウム半田１１が第２図に示すように
蒸着されている。上記半田逃げ溝１５の幅寸法はレーザ
ダイオードチップ５の幅寸法の約３分の１以下に設定さ
５ れている。

そして、レーザダイオードチップ５は、ヒートシンク３
を加熱し、そのマウント面４のインジュウム半田１１を
溶融させたなら、そのマウント面４に半田逃げ溝１５を
跨ぐ状態で押付けて半田付けされている。なお、半田逃
げ溝１５はマウント面４にインジュウム半田１１を蒸着
する前に形成されている。

このように、マウント面４に半田逃げ溝１５を形成して
レーザダイオードチップ５を半田付けずれば、上記マウ
ント面４にレーザダイオードチップ５を押圧することに
よって押しのけられたインジュウム半田１１の一部が上
記半田逃げ溝１５に逃げる。そのため、インジュウム半
田１１がレーザダイオードチップ５の周囲にほとんどせ
り上がらなくなるため、その後端の発光面５ａが覆われ
るようなことがない。つまり、マウント面４に蒸着され
るインジュウウム半田１１の量を十分に多くすることが
できるから、半田量の許容範囲が広くなってその管理が
容易となり、しかもレーザダ６ イオードチップ５がはがれ易くなということが防止され
る。

また、インジュウム半田１１が半田逃げ溝１５に逃げる
ことにより、レーザダイオードチップ５の先端の発光面
５ｂがマウント面４の先端に対する突き出し量がマイナ
スの状態（突き出ていない状態）で取着されても、その
先端の発光面５ｂをインジュウム半田１１が覆うという
こともない。

つまり、マウント面４に対するレーザダイオードチップ
５の位置決め精度が高精度に行われなくとも、発光不良
を招くことがないから、その取付け作業が容易となる。

第４図と第５図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す
。つまり、第４図に示す実施例は半田逃げ溝１５をマウ
ント面４に径方向に沿って形成するようにしたものであ
り、また第５図は半田逃げ溝１５をマウント面４に軸方
向に対して所定の角度で傾斜させて形成するようにした
ものであり、これらの各実施例においても上記一実施例
と同様の作用効果を得ることができる。

［発明の効果コ 以上述べたようにこの発明は、レーザダイオードチップ
が半田付けされるヒートシンクのマウント面に半田逃げ
溝を形成するようにした。したがって、マウント面に設
けられる半田量を多くしてはがれ不良をなくすようにし
ても、半田付け時に半田が半田逃げ溝に逃げるから、周
囲にせり上がって発光不良を招くということがなく、ま
たマウント面からのレーザダイオードチップの突き出し
量がマイナスになっても、やはり半田が半田逃げ溝に逃
げて発光不良を招くことがないため、レーザダイオード
チップの位置決めが高精度に要求されることがないなど
の利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すヒートシンクの斜視
図、第２図は同じくマウント面にレーザダイオードを取
着した状態の断面図、第３図は装置全体の斜視図、第４
図と第５図はそれぞれこの発明の他の実施例を示すヒー
トシンクの斜視図、第６図は従来の装置の斜視図、第７
図は同じくレ一ザダイオードをマウント面に取着した状
態の断面図である。 ３・・・ヒートシンク、４・・・マウント面、５・・・
レーザダイオードチップ、１１・・・インジュウム半田
、１５・・・半田逃げ溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ヒートシンクのマウント面にレーザダイオードチップ
   が半田付けされるレーザダイオード装置において、上記
   マウント面に半田の逃げ溝を形成したことを特徴とする
   レーザダイオード装置。