JPH04150086A - レーザーダイオード用ヒートシンク - Google Patents
レーザーダイオード用ヒートシンクInfo
- Publication number
- JPH04150086A JPH04150086A JP27458490A JP27458490A JPH04150086A JP H04150086 A JPH04150086 A JP H04150086A JP 27458490 A JP27458490 A JP 27458490A JP 27458490 A JP27458490 A JP 27458490A JP H04150086 A JPH04150086 A JP H04150086A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- material layer
- fused material
- dicing
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザダイオード用ヒートシンクに関し、特
にレーザダイオードベレットをマウントするためのＡｕ
Ｓｎ等の融着材層が形成されているヒートシンクに関す
る。
にレーザダイオードベレットをマウントするためのＡｕ
Ｓｎ等の融着材層が形成されているヒートシンクに関す
る。
レーザダイオードベレットをヒートシンクにマウントし
た状態を第７図に示す、レーザダイオード６からの光は
通常ベレットの側面がら放射される。この光が８１基板
１からなるヒートシンクに遮ぎられたり、ヒートシンク
表面で反射した光との間で干渉を起こして光ファイバへ
の入射に悪影響をおよぼさないように、レーザダイオー
ドベレット６をヒートシンクにマウントする際にはレー
ザダイオードベレット６の光出射面の位１をヒートシン
ク側面とほぼ同じに合わせなければならない、そのため
ベレットをマウントするためのＡｕＳｎ等の融着材層４
はヒートシンクの表面と側面が接する辺まで達していな
ければならない。
た状態を第７図に示す、レーザダイオード６からの光は
通常ベレットの側面がら放射される。この光が８１基板
１からなるヒートシンクに遮ぎられたり、ヒートシンク
表面で反射した光との間で干渉を起こして光ファイバへ
の入射に悪影響をおよぼさないように、レーザダイオー
ドベレット６をヒートシンクにマウントする際にはレー
ザダイオードベレット６の光出射面の位１をヒートシン
ク側面とほぼ同じに合わせなければならない、そのため
ベレットをマウントするためのＡｕＳｎ等の融着材層４
はヒートシンクの表面と側面が接する辺まで達していな
ければならない。
これを実現するため従来のレーザダイオード用ヒートシ
ンクは、第５図のように表面メタライズ層２及び裏面メ
タライズ層を設けたＳｉ基板１にヒートシンクに分割す
るためのダイシング溝を途中まで形成してから、ダイシ
ング溝をまたいで隣のヒートシンクの融着材層とつなが
るようなパタンのメタルマスクを使って融着材層を形成
する。
ンクは、第５図のように表面メタライズ層２及び裏面メ
タライズ層を設けたＳｉ基板１にヒートシンクに分割す
るためのダイシング溝を途中まで形成してから、ダイシ
ング溝をまたいで隣のヒートシンクの融着材層とつなが
るようなパタンのメタルマスクを使って融着材層を形成
する。
その後ダイシング溝の部分で分割して個々のヒートシン
クに形成する。
クに形成する。
別の従来例は第６図のように表面及び裏面メタライズ済
のＳｉ基板１に第５図の例と同じバタンで融着材層４を
形成した後ダイシングにより個々のヒートシンクに分割
する。
のＳｉ基板１に第５図の例と同じバタンで融着材層４を
形成した後ダイシングにより個々のヒートシンクに分割
する。
上記の例の他に、メタルマスクを使用せずヒートシンク
の表面全面に融着材層を形成したものもある。
の表面全面に融着材層を形成したものもある。
上述した第５図のヒートシンクでは、融着材層４の形成
時にダイシング溝の側面にも回り込んで融着材層４′が
形成される。ヒートシンク側面には下地のメタライズ層
がないため側面の融着材層４′は、はがれやすく、側面
からはがれた融着材片で光出力の低下やショートになる
危険がある。
時にダイシング溝の側面にも回り込んで融着材層４′が
形成される。ヒートシンク側面には下地のメタライズ層
がないため側面の融着材層４′は、はがれやすく、側面
からはがれた融着材片で光出力の低下やショートになる
危険がある。
また、第６図のヒートシンクでは、ベレットマウントを
行なう前の融着材層は、メタライズ層の上でもはがれや
すく、ダイシング時のブレードや水流による力で融着材
層４がはがれるものが多く歩留りが悪い、またベレット
をマウントする際余分な融着材がベレットの回りにはみ
出して来る。
行なう前の融着材層は、メタライズ層の上でもはがれや
すく、ダイシング時のブレードや水流による力で融着材
層４がはがれるものが多く歩留りが悪い、またベレット
をマウントする際余分な融着材がベレットの回りにはみ
出して来る。
ヒートシンク表面ではこのはみ出した融着材は、ベレッ
トの周囲の融着材層に広がっていくが、ヒートシンク側
面には融着材層がないためヒートシンク側面側にはみ出
した融着材は広がることができずベレットとヒートシン
クの境界部でボール状に固まってしまうことがあり、こ
れにより出力光が遮ぎられる可能性がある。
トの周囲の融着材層に広がっていくが、ヒートシンク側
面には融着材層がないためヒートシンク側面側にはみ出
した融着材は広がることができずベレットとヒートシン
クの境界部でボール状に固まってしまうことがあり、こ
れにより出力光が遮ぎられる可能性がある。
本発明のレーザダイオード用ヒートシンクは、表面の周
囲の一部又は全周の少なくとも融着材層が辺に達する部
分に、−股下がるような段差を有している。
囲の一部又は全周の少なくとも融着材層が辺に達する部
分に、−股下がるような段差を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図（ａ）
、（ｂ）は本発明の第１の実施例の製造方法を示す断面
図である。Ｓｉ基板１にフォトレジストを使ってパター
ニングを行なってからＳｉ基板をエツチングして、幅７
０μｍ、深さ１０μｍの渭５をヒートシンクの幅のピッ
チで格子状に形成する。さらに表面及び裏面にスパッタ
法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕよりなる表面メタライズ層２
および裏面メタライズ層３を形成し、ヒートシンク２個
分の融着材層部がつながったパタンのメタルマスクを使
ってＡｕＳｎを蒸着し融着材層４の形成を行なう、最後
に渭５の中央部をダイシングにより切断して第１図のよ
うなヒートシンクが完成する。
、（ｂ）は本発明の第１の実施例の製造方法を示す断面
図である。Ｓｉ基板１にフォトレジストを使ってパター
ニングを行なってからＳｉ基板をエツチングして、幅７
０μｍ、深さ１０μｍの渭５をヒートシンクの幅のピッ
チで格子状に形成する。さらに表面及び裏面にスパッタ
法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕよりなる表面メタライズ層２
および裏面メタライズ層３を形成し、ヒートシンク２個
分の融着材層部がつながったパタンのメタルマスクを使
ってＡｕＳｎを蒸着し融着材層４の形成を行なう、最後
に渭５の中央部をダイシングにより切断して第１図のよ
うなヒートシンクが完成する。
以上のように作成することにより、融着材層形成後にダ
イシングを行っても、融着材層がはがれるのは段差底部
だけであり、ベレットマウント部までは影響しない、又
、ベレットマウント時にヒートシンク側面側にはみ出し
て来る融着材は段差部側面に融着材層があるため側面に
広がり、ボール状に固まることはない。
イシングを行っても、融着材層がはがれるのは段差底部
だけであり、ベレットマウント部までは影響しない、又
、ベレットマウント時にヒートシンク側面側にはみ出し
て来る融着材は段差部側面に融着材層があるため側面に
広がり、ボール状に固まることはない。
第３図は本発明の第２の実施例の斜視図、第４図（ａ）
、（ｂ）は本発明の第２の実施例の製造方法を示す断面
図である。Ｓｉ基板１に６０μｍ厚のブレードを使いダ
イシング装置により深さ１０〜２０μｍの溝５をヒート
シンクの長さの２倍のピッチで一方向のみ形成する。さ
らに第１の実施例と同様に表面及び裏面のメタライズ層
２．３及び渭５をまたぐように融着材層４を形成する。
、（ｂ）は本発明の第２の実施例の製造方法を示す断面
図である。Ｓｉ基板１に６０μｍ厚のブレードを使いダ
イシング装置により深さ１０〜２０μｍの溝５をヒート
シンクの長さの２倍のピッチで一方向のみ形成する。さ
らに第１の実施例と同様に表面及び裏面のメタライズ層
２．３及び渭５をまたぐように融着材層４を形成する。
次に２５μｍ厚のブレードを使い溝５がある部分は渭５
の中央部に目合せしてヒートシンクの幅のピッチで切断
し、第３図のようなヒートシンクが完成する。
の中央部に目合せしてヒートシンクの幅のピッチで切断
し、第３図のようなヒートシンクが完成する。
以上のようにして作成したヒートシンクでも第１の実施
例と同様の効果が得られる。
例と同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、レーザダイオード用ヒー
トシンクの表面の周囲に段差を設けることにより、ヒー
トシンク側面にはがれやすい融着材層が付くこともなく
、またダイシング時の融着材層のはがれも少なく歩留り
を改善することができる０才な、ベレットマウント時に
側面のレーザダイオードベレットとヒートシンクの境界
部に融着材がボール状に固まるのを防ぐことができる。
トシンクの表面の周囲に段差を設けることにより、ヒー
トシンク側面にはがれやすい融着材層が付くこともなく
、またダイシング時の融着材層のはがれも少なく歩留り
を改善することができる０才な、ベレットマウント時に
側面のレーザダイオードベレットとヒートシンクの境界
部に融着材がボール状に固まるのを防ぐことができる。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図（ａ）
、（ｂ）は本発明の第１の実施例の製造方法を示す断面
図、第３図は本発明の第２の実施例の斜視図、第４図（
ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の製造方法を示す
断面図、第５図及び第６図は従来例の斜視図、第７図は
レーザダイオードベレットをヒートシンクにマウントし
た状態の斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・表面メタライズ層、３・・
・裏面メタライズ層、４・・・融着材層、４′・・・側
面に付着した融着材層、５・・・清、６・・・レーザダ
イオードベレット。 代理人 弁理士 内 原 晋 躬 図 刀 図 床 図 氾 図 刀 図
、（ｂ）は本発明の第１の実施例の製造方法を示す断面
図、第３図は本発明の第２の実施例の斜視図、第４図（
ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の製造方法を示す
断面図、第５図及び第６図は従来例の斜視図、第７図は
レーザダイオードベレットをヒートシンクにマウントし
た状態の斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・表面メタライズ層、３・・
・裏面メタライズ層、４・・・融着材層、４′・・・側
面に付着した融着材層、５・・・清、６・・・レーザダ
イオードベレット。 代理人 弁理士 内 原 晋 躬 図 刀 図 床 図 氾 図 刀 図
Claims (1)
- チップ表面の周囲の一部又は全周を一段下げるように段
差を設けたことを特徴とするレーザダイオード用ヒート
シンク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27458490A JPH04150086A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | レーザーダイオード用ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27458490A JPH04150086A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | レーザーダイオード用ヒートシンク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04150086A true JPH04150086A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17543783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27458490A Pending JPH04150086A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | レーザーダイオード用ヒートシンク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04150086A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330672A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0949727A2 (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
| WO2012152307A1 (de) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelementträgerverbund mit einer bauelementträgerbereiche abtrennenden grabenstruktur und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von bauelementträgerbereichen |
| WO2015071305A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27458490A patent/JPH04150086A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330672A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0949727A2 (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
| EP0949727A3 (en) * | 1998-04-08 | 2002-09-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
| WO2012152307A1 (de) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelementträgerverbund mit einer bauelementträgerbereiche abtrennenden grabenstruktur und verfahren zur herstellung einer mehrzahl von bauelementträgerbereichen |
| JP2014519699A (ja) * | 2011-05-06 | 2014-08-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 複数の構成素子支持領域を分離する溝構造を備えている構成素子支持体結合体及び複数の構成素子支持体領域の製造方法 |
| US9623527B2 (en) | 2011-05-06 | 2017-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Component carrier assembly having a trench structure which separates component carrier regions, and method for producing a plurality of component carrier regions |
| WO2015071305A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung |
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