JPH0235788A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH0235788A JPH0235788A JP63185753A JP18575388A JPH0235788A JP H0235788 A JPH0235788 A JP H0235788A JP 63185753 A JP63185753 A JP 63185753A JP 18575388 A JP18575388 A JP 18575388A JP H0235788 A JPH0235788 A JP H0235788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical semiconductor
- semiconductor device
- slope
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体装置に係り、とくにコンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤ）の光ピツクアップに使用される半導
体レーザーの構造に関する。
クプレーヤ（ＣＤ）の光ピツクアップに使用される半導
体レーザーの構造に関する。
第９図は従来の光半導体装置である半導体レーザーを示
す図である。図中、■はＧａＡｓ等の半導体材からなる
結晶基板、２はＡｆｆＧａＡｓ。
す図である。図中、■はＧａＡｓ等の半導体材からなる
結晶基板、２はＡｆｆＧａＡｓ。
ＣａＡｓをエピタキシャル成長して形成された成長層、
３は成長層内に形成されたレーザー発光部、４は発光部
３から発生するレーザー光、５は基板１の側面に塗布さ
れた樹脂である。ここで、樹脂５はレーザー光４の戻り
光を吸収または散乱して、その戻り光と放射光との相互
干渉を防止するために設けられている。
３は成長層内に形成されたレーザー発光部、４は発光部
３から発生するレーザー光、５は基板１の側面に塗布さ
れた樹脂である。ここで、樹脂５はレーザー光４の戻り
光を吸収または散乱して、その戻り光と放射光との相互
干渉を防止するために設けられている。
しかしながら、上記光半導体装置においては、樹脂の塗
布作業が煩しく作業性に難がある等の問題点がある。
布作業が煩しく作業性に難がある等の問題点がある。
（問題点を解決するための手段及び作用〕上記問題を解
決するために本発明では、半導体基板の側面に斜面を設
けた。
決するために本発明では、半導体基板の側面に斜面を設
けた。
光半導体装置を上記構成とすることにより、光半導体装
置の特性をそこなうことなく、戻り光と放射光との相互
干渉防止手段を容易に形成しうる。
置の特性をそこなうことなく、戻り光と放射光との相互
干渉防止手段を容易に形成しうる。
〔実施例］
次に本発明になる光半導体装置の実施例について説明す
る。第１図〜第５図は本発明に係る光半導体装置の第１
実施例を示す図である。第１図〜第４図は光半導体装置
を示し、第１図は斜視図、第２図は平面図、第３図は正
面図、第４図は第２図Ａ−Ａ’線断面図である。図中、
１１はＧａＡＳ等の半導体材からなる約１００μｍの厚
さ寸法を有する結晶基板、１２は基板１１上にＡｌＧａ
Ａｓ、ＧａＡｓをエピタキシャル成長して形成された約
３μｍの厚さ寸法を有する成長層、１３は成長層１２内
に形成されたＰ−Ｎ接合部から発するレーザー発光部、
１４は成長層１２の上面に形成されたＡｌ材からなる電
極層、１５は基板１１の側面に形成され、斜面１５ａを
有する凹部、１６は基板１１上に形成された電極層であ
る。
る。第１図〜第５図は本発明に係る光半導体装置の第１
実施例を示す図である。第１図〜第４図は光半導体装置
を示し、第１図は斜視図、第２図は平面図、第３図は正
面図、第４図は第２図Ａ−Ａ’線断面図である。図中、
１１はＧａＡＳ等の半導体材からなる約１００μｍの厚
さ寸法を有する結晶基板、１２は基板１１上にＡｌＧａ
Ａｓ、ＧａＡｓをエピタキシャル成長して形成された約
３μｍの厚さ寸法を有する成長層、１３は成長層１２内
に形成されたＰ−Ｎ接合部から発するレーザー発光部、
１４は成長層１２の上面に形成されたＡｌ材からなる電
極層、１５は基板１１の側面に形成され、斜面１５ａを
有する凹部、１６は基板１１上に形成された電極層であ
る。
ここで、電極１４．１６間に電流を流すと発光部１３か
ら符号１７の如くレーザー光が発生する。
ら符号１７の如くレーザー光が発生する。
斜面１５の表面には、第４図の如く反射層１８が形成さ
れている。この斜面１５の存在により、レーザー光１７
の戻り光１９が斜面１５に入射して、レーザー光１７と
異なる方向へ反射される。このことは、この光半導体装
置はＣＤの光ピ・７クアンブに使用した場合、光半導体
装置から発するレーザー光が戻り光による雑音または相
互干渉無くディスクへ照射され、レーザー光によるディ
スクの正確な検出動作が達成されるこ上を意味する。
れている。この斜面１５の存在により、レーザー光１７
の戻り光１９が斜面１５に入射して、レーザー光１７と
異なる方向へ反射される。このことは、この光半導体装
置はＣＤの光ピ・７クアンブに使用した場合、光半導体
装置から発するレーザー光が戻り光による雑音または相
互干渉無くディスクへ照射され、レーザー光によるディ
スクの正確な検出動作が達成されるこ上を意味する。
第５図は、上記構成の光半導体装置の斜面１５の形成法
を示す図である。同図（Ａ）は複数個取り用に形成され
た基板１１と成長層１２からなるブロックである。この
ブロックの基板＋１上を化学上・ノチングして同図（Ｂ
）の如く複数の四部１５を形成する。ここで、基板１１
の結晶軸方向により、化学エンチングしたさい番５二１
、四部１５は一辺が第４図の符号１５の如く正の勾配を
もって直線状に傾斜した斜面となり他方の面が第１図の
符号２０の如く基板１１の内部へわん曲した面をした形
状となる。次に、ブロックの凹部１５内及び基ｖｉ］
１面上をＡ２等の金属材で蒸着あるいはメバッタリング
して反射層１８及び電極層１６を形成する。成長層１２
面上にも同様に、電極層１４を形成する。次に、同図（
Ｃ）を切断して、同図（Ｄ）の小ブロツクを形成し、更
に切断して単体の光半導体装置を得る。
を示す図である。同図（Ａ）は複数個取り用に形成され
た基板１１と成長層１２からなるブロックである。この
ブロックの基板＋１上を化学上・ノチングして同図（Ｂ
）の如く複数の四部１５を形成する。ここで、基板１１
の結晶軸方向により、化学エンチングしたさい番５二１
、四部１５は一辺が第４図の符号１５の如く正の勾配を
もって直線状に傾斜した斜面となり他方の面が第１図の
符号２０の如く基板１１の内部へわん曲した面をした形
状となる。次に、ブロックの凹部１５内及び基ｖｉ］
１面上をＡ２等の金属材で蒸着あるいはメバッタリング
して反射層１８及び電極層１６を形成する。成長層１２
面上にも同様に、電極層１４を形成する。次に、同図（
Ｃ）を切断して、同図（Ｄ）の小ブロツクを形成し、更
に切断して単体の光半導体装置を得る。
上記、光半導体装置の形成法にみる如く、斜面１５及び
斜面１５上の反射層１８は容易に形成し得る。
斜面１５上の反射層１８は容易に形成し得る。
第６図、第７図は、本発明に係る光半導体装置の第２実
施例を示す図であり、第６図は斜視図、第７図は第６図
Ｂ−Ｂ’線断面図である。上述の第１実施例と対応する
部分は同一符号を付し、その説明を省略する。本実施例
においては斜面１５ａが第７図の如く負の勾配をもって
直線状に形成されており、この場合、反射層１８は、斜
面１５の面上には形成されることなく、斜面１５で反射
されたもどり光１９が再度基板１１に反射する、その基
板１１の反射面上のみに形成される。本実施例の場合も
、上述の第１実施例と同様もどり光１９による悪影響を
防止している。
施例を示す図であり、第６図は斜視図、第７図は第６図
Ｂ−Ｂ’線断面図である。上述の第１実施例と対応する
部分は同一符号を付し、その説明を省略する。本実施例
においては斜面１５ａが第７図の如く負の勾配をもって
直線状に形成されており、この場合、反射層１８は、斜
面１５の面上には形成されることなく、斜面１５で反射
されたもどり光１９が再度基板１１に反射する、その基
板１１の反射面上のみに形成される。本実施例の場合も
、上述の第１実施例と同様もどり光１９による悪影響を
防止している。
第８図は、本発明に係る光半導体装置の第３実施例を示
す斜視図である。上述の第１実施例と対応する部分は同
一符号を付し、その説明を省略する。本実施例において
は斜面１５． ａが、第１、第２実施例の場合、凹部１
５内に形成されるのに対し、基板１１の両端にわたって
形成されている。本実施例の場合も上述の第１、第２実
施例と同様な効果を有す。
す斜視図である。上述の第１実施例と対応する部分は同
一符号を付し、その説明を省略する。本実施例において
は斜面１５． ａが、第１、第２実施例の場合、凹部１
５内に形成されるのに対し、基板１１の両端にわたって
形成されている。本実施例の場合も上述の第１、第２実
施例と同様な効果を有す。
なお、上述の第１、第２実施例とも凹部１５が成長層１
２に及ばないので、成長層１２の側面に形成される共振
器へき開も平常どおり行われ、レーザー光の発生がそこ
なわれることがない。
２に及ばないので、成長層１２の側面に形成される共振
器へき開も平常どおり行われ、レーザー光の発生がそこ
なわれることがない。
上述の如く、本発明になる光半導体装置は、半導体基板
上に発光部を形成する成長層を設けてなる半導体装置に
おいて、該半導体基板の側面に斜面を設けてなる構成の
ため、光半導体装置から発するレーザー光のもどり光を
防止する手段が簡単な構造で、かつ容易に得られ、生産
生が向上する等の利点がある。
上に発光部を形成する成長層を設けてなる半導体装置に
おいて、該半導体基板の側面に斜面を設けてなる構成の
ため、光半導体装置から発するレーザー光のもどり光を
防止する手段が簡単な構造で、かつ容易に得られ、生産
生が向上する等の利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は本発明に係る光半導体装置の第１実施
例を示し、第１図は斜視図、第２図は平面回、第３図は
正面図、第４図は第２図のＡ−Ａ′線断面図、第５図は
斜面及び反射層の形成法を示す図、第６図、第７図は本
発明に係る光半導体装置の第２実施例を示し、第６図は
斜視図、第７図は第６図Ｂ−Ｂ’線断面図、第８図は本
発明に係る光半導体装置の第３実施例を示す斜視図、第
９図は従来の光半導体装置を示す斜視図である。 １．１１・・・基板、２．１２・・・成長層、３．１３
・・・発光部、１４．１６・・・電極層、１５・・・凹
部、１５ａ・・・斜面、４．１７・・・レーザー光、１
８・・・反射層、１９・・・もどり光。 第 図
例を示し、第１図は斜視図、第２図は平面回、第３図は
正面図、第４図は第２図のＡ−Ａ′線断面図、第５図は
斜面及び反射層の形成法を示す図、第６図、第７図は本
発明に係る光半導体装置の第２実施例を示し、第６図は
斜視図、第７図は第６図Ｂ−Ｂ’線断面図、第８図は本
発明に係る光半導体装置の第３実施例を示す斜視図、第
９図は従来の光半導体装置を示す斜視図である。 １．１１・・・基板、２．１２・・・成長層、３．１３
・・・発光部、１４．１６・・・電極層、１５・・・凹
部、１５ａ・・・斜面、４．１７・・・レーザー光、１
８・・・反射層、１９・・・もどり光。 第 図
Claims (1)
- 半導体基板上に発光部を形成する成長層を設けてなる半
導体装置において、該半導体基板の側面に斜面を設けた
ことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185753A JPH0235788A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185753A JPH0235788A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235788A true JPH0235788A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16176264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185753A Pending JPH0235788A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235788A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03265780A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Tlv Co Ltd | 流体移送装置 |
| EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP1248335A1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Pioneer Corporation | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US20130250994A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-09-26 | Mathias Moenster | Semiconductor laser assembly and method for producing a semiconductor laser assembly |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63185753A patent/JPH0235788A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03265780A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Tlv Co Ltd | 流体移送装置 |
| EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP0593031A3 (en) * | 1992-10-14 | 1994-09-07 | Sony Corp | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP1248335A1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Pioneer Corporation | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US6647042B2 (en) | 2001-04-02 | 2003-11-11 | Pioneer Corporation | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US7011982B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-03-14 | Pioneer Corporation | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US20130250994A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-09-26 | Mathias Moenster | Semiconductor laser assembly and method for producing a semiconductor laser assembly |
| US8913640B2 (en) * | 2010-09-29 | 2014-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Semiconductor laser assembly and method for producing a semiconductor laser assembly |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2768988B2 (ja) | 端面部分コーティング方法 | |
| US4807238A (en) | A semiconductor laser device | |
| JPH0235788A (ja) | 光半導体装置 | |
| GB2181892A (en) | A semi-conductor laser | |
| JPS59205774A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3641636B2 (ja) | 自己整合コンタクトおよび側壁リフレクタを有する上面発光リッジ型ｖｃｓｅｌを作製する方法 | |
| JPS63213383A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2523622B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS63318183A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63250186A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS59169190A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPH02310986A (ja) | 半導体レーザ素子およびホトマスクならびにそれらの製造方法 | |
| JP2000196173A (ja) | 半導体レ―ザ装置 | |
| JP2677901B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3131497B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH06120560A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3271202B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JPH0447984Y2 (ja) | ||
| JPH01273378A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0499082A (ja) | 半導体レーザ用ステム | |
| JPS61290788A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0722675A (ja) | リングレーザ | |
| JPS6142188A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS60224290A (ja) | 外部共振器型レ−ザダイオ−ド | |
| JPS62211980A (ja) | 半導体レ−ザ−装置の製作方法 |