JPS59169190A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
- Publication number
- JPS59169190A JPS59169190A JP4219083A JP4219083A JPS59169190A JP S59169190 A JPS59169190 A JP S59169190A JP 4219083 A JP4219083 A JP 4219083A JP 4219083 A JP4219083 A JP 4219083A JP S59169190 A JPS59169190 A JP S59169190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- light
- reflected
- laser light
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光装置の技術に関する。
オーディオディスク、ビデオディスク、光通信等の発光
源として、半導体レーザーの如き発光半導体装置が使用
されている。
源として、半導体レーザーの如き発光半導体装置が使用
されている。
しかし、このような半導体レーザー装置にあっては、半
導体レーザー素子(レーザーダイオード)から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その光が再びレ
ーザーダイオードに入ることによってノイズが発生する
ことが、たとえば、1981年6月1日付発行のApp
ly−Physics−Letter−38(11)の
848頁または、1981年9月14日付発行の日経エ
レクトロニクスの148頁に発表されている。これは、
第1図に示すように、従来のレーザーダイオード素子1
における共振器(導波路)2は共振器2の端面となる臂
開面からなる反射面3に対して垂直となる方向に沿って
延在し、垂直方向にレーザー光4を出射している。この
ため、照射対象物5の表面で反射して反射面3に向かっ
て戻って来た反射レーザー光4aは反射面3に垂直とな
ることから、再び共振器2内に入り、これが原因となっ
てノイズが発生する。
導体レーザー素子(レーザーダイオード)から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その光が再びレ
ーザーダイオードに入ることによってノイズが発生する
ことが、たとえば、1981年6月1日付発行のApp
ly−Physics−Letter−38(11)の
848頁または、1981年9月14日付発行の日経エ
レクトロニクスの148頁に発表されている。これは、
第1図に示すように、従来のレーザーダイオード素子1
における共振器(導波路)2は共振器2の端面となる臂
開面からなる反射面3に対して垂直となる方向に沿って
延在し、垂直方向にレーザー光4を出射している。この
ため、照射対象物5の表面で反射して反射面3に向かっ
て戻って来た反射レーザー光4aは反射面3に垂直とな
ることから、再び共振器2内に入り、これが原因となっ
てノイズが発生する。
本発明の目的はノイズ発生が少ない発光半導体装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明は、半導体レーザー素子におけるレーザー光を発
光するする反射面に対して共振器の延在方向を従来のよ
うな垂直ではなく傾斜させることによって1反射レーザ
ー光の反射面での反射化を図り、共振器内に反射レーザ
ー光が入り難くするものであり、この結果として、ノイ
ズの発生を抑えるものである。
光するする反射面に対して共振器の延在方向を従来のよ
うな垂直ではなく傾斜させることによって1反射レーザ
ー光の反射面での反射化を図り、共振器内に反射レーザ
ー光が入り難くするものであり、この結果として、ノイ
ズの発生を抑えるものである。
第2図は光学式ビデオディスクの光ピンクアップ用とし
ての発光半導体装置の要部を示す断面図、第3図は同じ
く半導体レーザー素子(レーザーダ 。
ての発光半導体装置の要部を示す断面図、第3図は同じ
く半導体レーザー素子(レーザーダ 。
イオード素子)を示す平面図、第4図は第3図の■−i
v線に沿う拡大断面図、第5図(a)、 (b)は同じ
く素子製造工程におけるワークの断面図、第6図は同じ
(ワークの平面図、第7図は同じくノイズ低減化が達成
できる状況を示す説明図である。
v線に沿う拡大断面図、第5図(a)、 (b)は同じ
く素子製造工程におけるワークの断面図、第6図は同じ
(ワークの平面図、第7図は同じくノイズ低減化が達成
できる状況を示す説明図である。
発光半導体装置は第2図に示すように、熱伝導性の良好
な金属からなる7ランジ6の上面中央に垂設した熱伝導
性の良好な金属からなるステム7の右面(主面)にサブ
マウント8な介して半導体レーザー素子(チップ)9を
固定した構造となっている。前記サブマウント8はテッ
プ9とステム7とによって生じる熱ストレスの吸収板と
して作用する。レーザー光4はチップ9の上端および下
端の反射面(ミラー面)から発振される。また、チップ
9の下端反射面から発振するレーザー光4をモニターす
るPINダイオードからなるフォトセンサ10がフラン
ジ6上に固定されている。また、7ランジ6の主面側に
は金属製のキャップ11がリングウェルドによって気密
的に封止されている。キャップ11の上部は開口され、
この開口部には透明なガラス板12が気密的に取り付け
られ透明窓工3を形成している。また、詳述はしないが
、フランジ6には所定数のり一ド14が絶縁的あるいは
導電的に貫通固定されている。そして、所定のリード1
4の7ランジ上面に突出する上端はワイヤ(図示せず)
を介してフォトセンサあるいはチップの電極に電気的に
接続されている。
な金属からなる7ランジ6の上面中央に垂設した熱伝導
性の良好な金属からなるステム7の右面(主面)にサブ
マウント8な介して半導体レーザー素子(チップ)9を
固定した構造となっている。前記サブマウント8はテッ
プ9とステム7とによって生じる熱ストレスの吸収板と
して作用する。レーザー光4はチップ9の上端および下
端の反射面(ミラー面)から発振される。また、チップ
9の下端反射面から発振するレーザー光4をモニターす
るPINダイオードからなるフォトセンサ10がフラン
ジ6上に固定されている。また、7ランジ6の主面側に
は金属製のキャップ11がリングウェルドによって気密
的に封止されている。キャップ11の上部は開口され、
この開口部には透明なガラス板12が気密的に取り付け
られ透明窓工3を形成している。また、詳述はしないが
、フランジ6には所定数のり一ド14が絶縁的あるいは
導電的に貫通固定されている。そして、所定のリード1
4の7ランジ上面に突出する上端はワイヤ(図示せず)
を介してフォトセンサあるいはチップの電極に電気的に
接続されている。
ところで、この実施例のチップ5は第3図で示すように
、レーザー発振が行なわれる共振器2の両端面の反射面
は共振器2の延在方向に対して傾斜角θを有するように
傾斜している。チップ5は特に限定はされないが、たと
えば、第4図に示すような埋め込みへテロ構造(BH)
となっている。
、レーザー発振が行なわれる共振器2の両端面の反射面
は共振器2の延在方向に対して傾斜角θを有するように
傾斜している。チップ5は特に限定はされないが、たと
えば、第4図に示すような埋め込みへテロ構造(BH)
となっている。
この千ノブ5はつぎのよ5にして製造される。すなわち
、第5図(a)に示すように、n型GaAs基板15の
上面にG a A−eA sからなるn型クラッド層1
6゜GaAsからなる活性層17. GaA、#Asか
らなるp型クラッド層18を順次液相エピタキシャル成
長によって形成したウェハ19を用意した後、同図に示
すように、定間隔に帯状にメサエッチングを施す。この
エツチングは基板1の途中深さ迄に達する。また、エツ
チングされずに残って帯状に延在するメサ部20は第6
図に示すように、ウエノ・19の臂開面21に対してθ
なる傾斜角を有する方向に延在している。
、第5図(a)に示すように、n型GaAs基板15の
上面にG a A−eA sからなるn型クラッド層1
6゜GaAsからなる活性層17. GaA、#Asか
らなるp型クラッド層18を順次液相エピタキシャル成
長によって形成したウェハ19を用意した後、同図に示
すように、定間隔に帯状にメサエッチングを施す。この
エツチングは基板1の途中深さ迄に達する。また、エツ
チングされずに残って帯状に延在するメサ部20は第6
図に示すように、ウエノ・19の臂開面21に対してθ
なる傾斜角を有する方向に延在している。
つぎに、第5図(b)に示すように、エツチングされた
基板15上にG a kA A sからなるn−型埋込
層22をエピタキシャルによって形成する。また、前記
p型クラッド層18の表層部にZll(亜鉛)を拡散し
て低抵抗のコンタクト層(第4図で点々を施した領域)
23を形成する。つぎに5、ウエノ・19の上下面全域
に金糸の電極24,25を設けた後、ウェハ19を定間
隔に臂開面に沿って分断し、かつ埋込層22の中間部分
で分断して、第3図および第4図に示す構造のチ・ノブ
9を形成する。第5図(b)および第6図における一点
鎖線および二点鎖線が分断線である。また、このチップ
9は活性層17が共振器2となる。したがって、共振器
2の延在方向は第3図に示すように臂開面21である反
射面3に対して従来のように垂直ではなく所定の傾斜角
θを有している。
基板15上にG a kA A sからなるn−型埋込
層22をエピタキシャルによって形成する。また、前記
p型クラッド層18の表層部にZll(亜鉛)を拡散し
て低抵抗のコンタクト層(第4図で点々を施した領域)
23を形成する。つぎに5、ウエノ・19の上下面全域
に金糸の電極24,25を設けた後、ウェハ19を定間
隔に臂開面に沿って分断し、かつ埋込層22の中間部分
で分断して、第3図および第4図に示す構造のチ・ノブ
9を形成する。第5図(b)および第6図における一点
鎖線および二点鎖線が分断線である。また、このチップ
9は活性層17が共振器2となる。したがって、共振器
2の延在方向は第3図に示すように臂開面21である反
射面3に対して従来のように垂直ではなく所定の傾斜角
θを有している。
〔効 果〕
このよ5なチ、・プ9を有する発光半導体装置は、レー
ザー光を照射する照射対象物5にレーザー光4を発光し
た場合、第7図で示すように、レーザー光4が照射対象
物5の表面で反射して、反射した反射レーザー光4aが
チップ9の反射面3に戻って来た場合、反射レーザー光
4aは反射面3に対して一−θなる入射角を有すること
から、反射レーザー光4aの多くは反射面3で反射して
しまい、活性層17である共振器2内にはあまり入射し
なし・。このため、ノイズの発生が少なくなる。
ザー光を照射する照射対象物5にレーザー光4を発光し
た場合、第7図で示すように、レーザー光4が照射対象
物5の表面で反射して、反射した反射レーザー光4aが
チップ9の反射面3に戻って来た場合、反射レーザー光
4aは反射面3に対して一−θなる入射角を有すること
から、反射レーザー光4aの多くは反射面3で反射して
しまい、活性層17である共振器2内にはあまり入射し
なし・。このため、ノイズの発生が少なくなる。
なお、前記傾斜角θはレーザー光出射時の出射効率およ
び1反射レーザー光の反射効率を勘案して最もよい条件
となるように決定すればよい。
び1反射レーザー光の反射効率を勘案して最もよい条件
となるように決定すればよい。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。たとえば、
第8図に示すように、チップ9つ端面を図ることにより
、チップ9の取り易いを容易とするようにしてもよい。
第8図に示すように、チップ9つ端面を図ることにより
、チップ9の取り易いを容易とするようにしてもよい。
なお、共振器2は反射面3に対して傾斜角θを有して傾
斜している。このチップ9を有する発光半導体装置も前
記実施例同様にノイズの低減を図ることができる。
斜している。このチップ9を有する発光半導体装置も前
記実施例同様にノイズの低減を図ることができる。
以上のように、本発明によれば、反射レーザー光の共振
器内への再入射を低減できることからノイズの低減が図
れ、信頼性の高い発光半導体装置を提供することができ
る。
器内への再入射を低減できることからノイズの低減が図
れ、信頼性の高い発光半導体装置を提供することができ
る。
本発明は特に半導体レーザー装置を用いた電子装置、光
通信機器に適用できる。
通信機器に適用できる。
第1図は従来の半導体レーザー素子によるノイズ発生状
況を示す説明図、 第2図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図。 第3図は同じく半導体レーザー素子を示す平面図、 第4図は第3図のIV−IV糾に沿う拡大断面図、第5
図(a)、 (b)は同じく素子製造工程におけるワー
クの断面図、 第6図は同じくワークの平面図、 第7図は同じくノイズ低減化が達成できる状況を示す説
明図、 第8図は他の実施例による半導体レーザー素子を示す平
面図である。 1.9・・・半導体レーザー素子、2・・・共振器、3
・・・反射面、4・・レーザー光、5・・・照射対象物
、6・・・フランジ、7・・・ステム、8・・・サブマ
ウント、10・・・フォトセンサ、11・・・キャップ
、13・・・透明窓、14・・・リード、15・・・基
板、17・・・活性層、19・・・ウェハ、21・・・
臂開面、24,25・・・電極。
況を示す説明図、 第2図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図。 第3図は同じく半導体レーザー素子を示す平面図、 第4図は第3図のIV−IV糾に沿う拡大断面図、第5
図(a)、 (b)は同じく素子製造工程におけるワー
クの断面図、 第6図は同じくワークの平面図、 第7図は同じくノイズ低減化が達成できる状況を示す説
明図、 第8図は他の実施例による半導体レーザー素子を示す平
面図である。 1.9・・・半導体レーザー素子、2・・・共振器、3
・・・反射面、4・・レーザー光、5・・・照射対象物
、6・・・フランジ、7・・・ステム、8・・・サブマ
ウント、10・・・フォトセンサ、11・・・キャップ
、13・・・透明窓、14・・・リード、15・・・基
板、17・・・活性層、19・・・ウェハ、21・・・
臂開面、24,25・・・電極。
Claims (1)
- 1、共振器の端面となる反射面からレーザー光を出射す
る半導体レーザー素子を有する発光半導体装置において
、前記共振器は反射面に対して傾斜状態に延在している
ことを特徴とする発光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4219083A JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4219083A JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59169190A true JPS59169190A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12629086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4219083A Pending JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59169190A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61159785A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Canon Inc | 半導体装置 |
JPS6265246A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知器 |
WO1988009924A1 (en) * | 1987-06-05 | 1988-12-15 | Joseph, Ulrich | Intracavity-multimode laser spectrometer |
JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
US9591387B2 (en) | 2012-10-16 | 2017-03-07 | Eberspaecher Exhaust Technology Gmbh & Co. Kg | Loudspeaker with improved thermal load capacity |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4219083A patent/JPS59169190A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61159785A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Canon Inc | 半導体装置 |
JPH0552679B2 (ja) * | 1985-01-08 | 1993-08-06 | Canon Kk | |
JPS6265246A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知器 |
WO1988009924A1 (en) * | 1987-06-05 | 1988-12-15 | Joseph, Ulrich | Intracavity-multimode laser spectrometer |
JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
US9591387B2 (en) | 2012-10-16 | 2017-03-07 | Eberspaecher Exhaust Technology Gmbh & Co. Kg | Loudspeaker with improved thermal load capacity |
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