JPS59169190A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
- Publication number
- JPS59169190A JPS59169190A JP4219083A JP4219083A JPS59169190A JP S59169190 A JPS59169190 A JP S59169190A JP 4219083 A JP4219083 A JP 4219083A JP 4219083 A JP4219083 A JP 4219083A JP S59169190 A JPS59169190 A JP S59169190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- light
- reflected
- laser light
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光装置の技術に関する。
オーディオディスク、ビデオディスク、光通信等の発光
源として、半導体レーザーの如き発光半導体装置が使用
されている。
源として、半導体レーザーの如き発光半導体装置が使用
されている。
しかし、このような半導体レーザー装置にあっては、半
導体レーザー素子（レーザーダイオード）から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その光が再びレ
ーザーダイオードに入ることによってノイズが発生する
ことが、たとえば、１９８１年６月１日付発行のＡｐｐ
ｌｙ−Ｐｈｙｓｉｃｓ−Ｌｅｔｔｅｒ−３８（１１）の
８４８頁または、１９８１年９月１４日付発行の日経エ
レクトロニクスの１４８頁に発表されている。これは、
第１図に示すように、従来のレーザーダイオード素子１
における共振器（導波路）２は共振器２の端面となる臂
開面からなる反射面３に対して垂直となる方向に沿って
延在し、垂直方向にレーザー光４を出射している。この
ため、照射対象物５の表面で反射して反射面３に向かっ
て戻って来た反射レーザー光４ａは反射面３に垂直とな
ることから、再び共振器２内に入り、これが原因となっ
てノイズが発生する。
導体レーザー素子（レーザーダイオード）から発光され
た光がディスクやレンズ等で反射され、その光が再びレ
ーザーダイオードに入ることによってノイズが発生する
ことが、たとえば、１９８１年６月１日付発行のＡｐｐ
ｌｙ−Ｐｈｙｓｉｃｓ−Ｌｅｔｔｅｒ−３８（１１）の
８４８頁または、１９８１年９月１４日付発行の日経エ
レクトロニクスの１４８頁に発表されている。これは、
第１図に示すように、従来のレーザーダイオード素子１
における共振器（導波路）２は共振器２の端面となる臂
開面からなる反射面３に対して垂直となる方向に沿って
延在し、垂直方向にレーザー光４を出射している。この
ため、照射対象物５の表面で反射して反射面３に向かっ
て戻って来た反射レーザー光４ａは反射面３に垂直とな
ることから、再び共振器２内に入り、これが原因となっ
てノイズが発生する。
本発明の目的はノイズ発生が少ない発光半導体装置を提
供することにある。
供することにある。
本発明は、半導体レーザー素子におけるレーザー光を発
光するする反射面に対して共振器の延在方向を従来のよ
うな垂直ではなく傾斜させることによって１反射レーザ
ー光の反射面での反射化を図り、共振器内に反射レーザ
ー光が入り難くするものであり、この結果として、ノイ
ズの発生を抑えるものである。
光するする反射面に対して共振器の延在方向を従来のよ
うな垂直ではなく傾斜させることによって１反射レーザ
ー光の反射面での反射化を図り、共振器内に反射レーザ
ー光が入り難くするものであり、この結果として、ノイ
ズの発生を抑えるものである。
第２図は光学式ビデオディスクの光ピンクアップ用とし
ての発光半導体装置の要部を示す断面図、第３図は同じ
く半導体レーザー素子（レーザーダ 。
ての発光半導体装置の要部を示す断面図、第３図は同じ
く半導体レーザー素子（レーザーダ 。
イオード素子）を示す平面図、第４図は第３図の■−ｉ
ｖ線に沿う拡大断面図、第５図（ａ）、 （ｂ）は同じ
く素子製造工程におけるワークの断面図、第６図は同じ
（ワークの平面図、第７図は同じくノイズ低減化が達成
できる状況を示す説明図である。
ｖ線に沿う拡大断面図、第５図（ａ）、 （ｂ）は同じ
く素子製造工程におけるワークの断面図、第６図は同じ
（ワークの平面図、第７図は同じくノイズ低減化が達成
できる状況を示す説明図である。
発光半導体装置は第２図に示すように、熱伝導性の良好
な金属からなる７ランジ６の上面中央に垂設した熱伝導
性の良好な金属からなるステム７の右面（主面）にサブ
マウント８な介して半導体レーザー素子（チップ）９を
固定した構造となっている。前記サブマウント８はテッ
プ９とステム７とによって生じる熱ストレスの吸収板と
して作用する。レーザー光４はチップ９の上端および下
端の反射面（ミラー面）から発振される。また、チップ
９の下端反射面から発振するレーザー光４をモニターす
るＰＩＮダイオードからなるフォトセンサ１０がフラン
ジ６上に固定されている。また、７ランジ６の主面側に
は金属製のキャップ１１がリングウェルドによって気密
的に封止されている。キャップ１１の上部は開口され、
この開口部には透明なガラス板１２が気密的に取り付け
られ透明窓工３を形成している。また、詳述はしないが
、フランジ６には所定数のり一ド１４が絶縁的あるいは
導電的に貫通固定されている。そして、所定のリード１
４の７ランジ上面に突出する上端はワイヤ（図示せず）
を介してフォトセンサあるいはチップの電極に電気的に
接続されている。
な金属からなる７ランジ６の上面中央に垂設した熱伝導
性の良好な金属からなるステム７の右面（主面）にサブ
マウント８な介して半導体レーザー素子（チップ）９を
固定した構造となっている。前記サブマウント８はテッ
プ９とステム７とによって生じる熱ストレスの吸収板と
して作用する。レーザー光４はチップ９の上端および下
端の反射面（ミラー面）から発振される。また、チップ
９の下端反射面から発振するレーザー光４をモニターす
るＰＩＮダイオードからなるフォトセンサ１０がフラン
ジ６上に固定されている。また、７ランジ６の主面側に
は金属製のキャップ１１がリングウェルドによって気密
的に封止されている。キャップ１１の上部は開口され、
この開口部には透明なガラス板１２が気密的に取り付け
られ透明窓工３を形成している。また、詳述はしないが
、フランジ６には所定数のり一ド１４が絶縁的あるいは
導電的に貫通固定されている。そして、所定のリード１
４の７ランジ上面に突出する上端はワイヤ（図示せず）
を介してフォトセンサあるいはチップの電極に電気的に
接続されている。
ところで、この実施例のチップ５は第３図で示すように
、レーザー発振が行なわれる共振器２の両端面の反射面
は共振器２の延在方向に対して傾斜角θを有するように
傾斜している。チップ５は特に限定はされないが、たと
えば、第４図に示すような埋め込みへテロ構造（ＢＨ）
となっている。
、レーザー発振が行なわれる共振器２の両端面の反射面
は共振器２の延在方向に対して傾斜角θを有するように
傾斜している。チップ５は特に限定はされないが、たと
えば、第４図に示すような埋め込みへテロ構造（ＢＨ）
となっている。
この千ノブ５はつぎのよ５にして製造される。すなわち
、第５図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１５の
上面にＧ ａ Ａ−ｅＡ ｓからなるｎ型クラッド層１
６゜ＧａＡｓからなる活性層１７． ＧａＡ、＃Ａｓか
らなるｐ型クラッド層１８を順次液相エピタキシャル成
長によって形成したウェハ１９を用意した後、同図に示
すように、定間隔に帯状にメサエッチングを施す。この
エツチングは基板１の途中深さ迄に達する。また、エツ
チングされずに残って帯状に延在するメサ部２０は第６
図に示すように、ウエノ・１９の臂開面２１に対してθ
なる傾斜角を有する方向に延在している。
、第５図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１５の
上面にＧ ａ Ａ−ｅＡ ｓからなるｎ型クラッド層１
６゜ＧａＡｓからなる活性層１７． ＧａＡ、＃Ａｓか
らなるｐ型クラッド層１８を順次液相エピタキシャル成
長によって形成したウェハ１９を用意した後、同図に示
すように、定間隔に帯状にメサエッチングを施す。この
エツチングは基板１の途中深さ迄に達する。また、エツ
チングされずに残って帯状に延在するメサ部２０は第６
図に示すように、ウエノ・１９の臂開面２１に対してθ
なる傾斜角を有する方向に延在している。
つぎに、第５図（ｂ）に示すように、エツチングされた
基板１５上にＧ ａ ｋＡ Ａ ｓからなるｎ−型埋込
層２２をエピタキシャルによって形成する。また、前記
ｐ型クラッド層１８の表層部にＺｌｌ（亜鉛）を拡散し
て低抵抗のコンタクト層（第４図で点々を施した領域）
２３を形成する。つぎに５、ウエノ・１９の上下面全域
に金糸の電極２４，２５を設けた後、ウェハ１９を定間
隔に臂開面に沿って分断し、かつ埋込層２２の中間部分
で分断して、第３図および第４図に示す構造のチ・ノブ
９を形成する。第５図（ｂ）および第６図における一点
鎖線および二点鎖線が分断線である。また、このチップ
９は活性層１７が共振器２となる。したがって、共振器
２の延在方向は第３図に示すように臂開面２１である反
射面３に対して従来のように垂直ではなく所定の傾斜角
θを有している。
基板１５上にＧ ａ ｋＡ Ａ ｓからなるｎ−型埋込
層２２をエピタキシャルによって形成する。また、前記
ｐ型クラッド層１８の表層部にＺｌｌ（亜鉛）を拡散し
て低抵抗のコンタクト層（第４図で点々を施した領域）
２３を形成する。つぎに５、ウエノ・１９の上下面全域
に金糸の電極２４，２５を設けた後、ウェハ１９を定間
隔に臂開面に沿って分断し、かつ埋込層２２の中間部分
で分断して、第３図および第４図に示す構造のチ・ノブ
９を形成する。第５図（ｂ）および第６図における一点
鎖線および二点鎖線が分断線である。また、このチップ
９は活性層１７が共振器２となる。したがって、共振器
２の延在方向は第３図に示すように臂開面２１である反
射面３に対して従来のように垂直ではなく所定の傾斜角
θを有している。
〔効 果〕
このよ５なチ、・プ９を有する発光半導体装置は、レー
ザー光を照射する照射対象物５にレーザー光４を発光し
た場合、第７図で示すように、レーザー光４が照射対象
物５の表面で反射して、反射した反射レーザー光４ａが
チップ９の反射面３に戻って来た場合、反射レーザー光
４ａは反射面３に対して一−θなる入射角を有すること
から、反射レーザー光４ａの多くは反射面３で反射して
しまい、活性層１７である共振器２内にはあまり入射し
なし・。このため、ノイズの発生が少なくなる。
ザー光を照射する照射対象物５にレーザー光４を発光し
た場合、第７図で示すように、レーザー光４が照射対象
物５の表面で反射して、反射した反射レーザー光４ａが
チップ９の反射面３に戻って来た場合、反射レーザー光
４ａは反射面３に対して一−θなる入射角を有すること
から、反射レーザー光４ａの多くは反射面３で反射して
しまい、活性層１７である共振器２内にはあまり入射し
なし・。このため、ノイズの発生が少なくなる。
なお、前記傾斜角θはレーザー光出射時の出射効率およ
び１反射レーザー光の反射効率を勘案して最もよい条件
となるように決定すればよい。
び１反射レーザー光の反射効率を勘案して最もよい条件
となるように決定すればよい。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。たとえば、
第８図に示すように、チップ９つ端面を図ることにより
、チップ９の取り易いを容易とするようにしてもよい。
第８図に示すように、チップ９つ端面を図ることにより
、チップ９の取り易いを容易とするようにしてもよい。
なお、共振器２は反射面３に対して傾斜角θを有して傾
斜している。このチップ９を有する発光半導体装置も前
記実施例同様にノイズの低減を図ることができる。
斜している。このチップ９を有する発光半導体装置も前
記実施例同様にノイズの低減を図ることができる。
以上のように、本発明によれば、反射レーザー光の共振
器内への再入射を低減できることからノイズの低減が図
れ、信頼性の高い発光半導体装置を提供することができ
る。
器内への再入射を低減できることからノイズの低減が図
れ、信頼性の高い発光半導体装置を提供することができ
る。
本発明は特に半導体レーザー装置を用いた電子装置、光
通信機器に適用できる。
通信機器に適用できる。
第１図は従来の半導体レーザー素子によるノイズ発生状
況を示す説明図、 第２図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図。 第３図は同じく半導体レーザー素子を示す平面図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ糾に沿う拡大断面図、第５
図（ａ）、 （ｂ）は同じく素子製造工程におけるワー
クの断面図、 第６図は同じくワークの平面図、 第７図は同じくノイズ低減化が達成できる状況を示す説
明図、 第８図は他の実施例による半導体レーザー素子を示す平
面図である。 １．９・・・半導体レーザー素子、２・・・共振器、３
・・・反射面、４・・レーザー光、５・・・照射対象物
、６・・・フランジ、７・・・ステム、８・・・サブマ
ウント、１０・・・フォトセンサ、１１・・・キャップ
、１３・・・透明窓、１４・・・リード、１５・・・基
板、１７・・・活性層、１９・・・ウェハ、２１・・・
臂開面、２４，２５・・・電極。
況を示す説明図、 第２図は本発明の一実施例による発光半導体装置の要部
を示す断面図。 第３図は同じく半導体レーザー素子を示す平面図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ糾に沿う拡大断面図、第５
図（ａ）、 （ｂ）は同じく素子製造工程におけるワー
クの断面図、 第６図は同じくワークの平面図、 第７図は同じくノイズ低減化が達成できる状況を示す説
明図、 第８図は他の実施例による半導体レーザー素子を示す平
面図である。 １．９・・・半導体レーザー素子、２・・・共振器、３
・・・反射面、４・・レーザー光、５・・・照射対象物
、６・・・フランジ、７・・・ステム、８・・・サブマ
ウント、１０・・・フォトセンサ、１１・・・キャップ
、１３・・・透明窓、１４・・・リード、１５・・・基
板、１７・・・活性層、１９・・・ウェハ、２１・・・
臂開面、２４，２５・・・電極。
Claims (1)
- １、共振器の端面となる反射面からレーザー光を出射す
る半導体レーザー素子を有する発光半導体装置において
、前記共振器は反射面に対して傾斜状態に延在している
ことを特徴とする発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219083A JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4219083A JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169190A true JPS59169190A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12629086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4219083A Pending JPS59169190A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169190A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159785A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JPS6265246A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知器 |
| WO1988009924A1 (en) * | 1987-06-05 | 1988-12-15 | Joseph, Ulrich | Intracavity-multimode laser spectrometer |
| JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
| US9591387B2 (en) | 2012-10-16 | 2017-03-07 | Eberspaecher Exhaust Technology Gmbh & Co. Kg | Loudspeaker with improved thermal load capacity |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4219083A patent/JPS59169190A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159785A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-19 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JPH0552679B2 (ja) * | 1985-01-08 | 1993-08-06 | Canon Kk | |
| JPS6265246A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光検知器 |
| WO1988009924A1 (en) * | 1987-06-05 | 1988-12-15 | Joseph, Ulrich | Intracavity-multimode laser spectrometer |
| JPH08148755A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Nec Corp | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
| US9591387B2 (en) | 2012-10-16 | 2017-03-07 | Eberspaecher Exhaust Technology Gmbh & Co. Kg | Loudspeaker with improved thermal load capacity |
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