JPS6265386A - 発光ダイオ−ド装置 - Google Patents
発光ダイオ−ド装置Info
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- JPS6265386A JPS6265386A JP60206023A JP20602385A JPS6265386A JP S6265386 A JPS6265386 A JP S6265386A JP 60206023 A JP60206023 A JP 60206023A JP 20602385 A JP20602385 A JP 20602385A JP S6265386 A JPS6265386 A JP S6265386A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting diode
- light
- edge plane
- active region
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発光ダイオード装置に関する。
（従来の技術）
従来のこの種の装置に使用される発光ダイオード素子は
、例えば第５図に示すように、Ｐ型のＧａＡｓ基板１上
にＰ型のＡ ＩＧ ａＡ ｓ層２を成長させ、さらにＡ
ｌＧａＡｓ層１の表面にＮ型のＡｌＧａＡｓ層３を形成
した構造となっており、前記両Ａ ＩＧ ａＡＳ層２．
３のＰＮ接合により活性領域が形成される。また、Ｇａ
Ａｓ基板ｌ基板面には裏面電極４が全面に形成され、Ａ
ｌＧａＡｓ層３の表面には表面電極５が部分的に形成さ
れている。そして、活性領域で発生した光は、同図に矢
印で示すように、表面電極５が設けられたＡ ＩＧ ａ
Ａ ｓ層３の表面から取り出される。
、例えば第５図に示すように、Ｐ型のＧａＡｓ基板１上
にＰ型のＡ ＩＧ ａＡ ｓ層２を成長させ、さらにＡ
ｌＧａＡｓ層１の表面にＮ型のＡｌＧａＡｓ層３を形成
した構造となっており、前記両Ａ ＩＧ ａＡＳ層２．
３のＰＮ接合により活性領域が形成される。また、Ｇａ
Ａｓ基板ｌ基板面には裏面電極４が全面に形成され、Ａ
ｌＧａＡｓ層３の表面には表面電極５が部分的に形成さ
れている。そして、活性領域で発生した光は、同図に矢
印で示すように、表面電極５が設けられたＡ ＩＧ ａ
Ａ ｓ層３の表面から取り出される。
しかしながら、上述した従来の発光ダイオード装置は、
照射光が素子表面から取り出される関係上、表面電極は
適当な範囲で小さくする必要がある。そのために、従来
の発光ダイオード装置は、表面電極をエツチング形成す
るためのホトリソグラフィ工程が必要とされ、それだけ
製造工程が複雑化するという問題点がある。
照射光が素子表面から取り出される関係上、表面電極は
適当な範囲で小さくする必要がある。そのために、従来
の発光ダイオード装置は、表面電極をエツチング形成す
るためのホトリソグラフィ工程が必要とされ、それだけ
製造工程が複雑化するという問題点がある。
さらに、従来の発光ダイオード装置は、いわゆる面発光
であるために、発光輝度が低くなるという問題点もある
。
であるために、発光輝度が低くなるという問題点もある
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、比較的・容易に製造することができるとともに、高
輝度発光を得ることができる発光ダイオード装置を提供
することを目的とする。
て、比較的・容易に製造することができるとともに、高
輝度発光を得ることができる発光ダイオード装置を提供
することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な特徴を備えている。
な特徴を備えている。
即ち、本発明に係る発光ダイオード装置は、発光ダイオ
ード素子の表裏面に全面電極をそれぞれ形成し、この発
光ダイオード素子の少なくとも発光端面に対向する端面
側に反射手段を設けたことを特徴としている。
ード素子の表裏面に全面電極をそれぞれ形成し、この発
光ダイオード素子の少なくとも発光端面に対向する端面
側に反射手段を設けたことを特徴としている。
（実施例）
以下、本発明の実施例に係る発光ダイオード装置を第１
図〜第４図に従って説明する。
図〜第４図に従って説明する。
本実施例に用いられる発光ダイオード素子ｌＯは、第４
図に示すように、Ｐ型のＧａＡｓ基板１１上にＰ型のＡ
ｌＧａＡｓｌｌｌ１２を成長させ、さらにＡＩＧａＡｓ
Ｍｌ ｌ ｌの表面にＮ型のＡｌＧａＡｓ１！ｌ １３
を形成した構造となっており、前記両ＡｌＧａＡｓ層１
２．１３のＰＮ接合により活性領域が形成されている。
図に示すように、Ｐ型のＧａＡｓ基板１１上にＰ型のＡ
ｌＧａＡｓｌｌｌ１２を成長させ、さらにＡＩＧａＡｓ
Ｍｌ ｌ ｌの表面にＮ型のＡｌＧａＡｓ１！ｌ １３
を形成した構造となっており、前記両ＡｌＧａＡｓ層１
２．１３のＰＮ接合により活性領域が形成されている。
この点で、前述した従来の発光ダイオード装置の構成と
差異はない。本実施例に用いられる発光ダイオード素子
１０の特徴は電極構造にある。すなわち、この発光ダイ
オード素子１０は、その表裏面に全面電極１４．１５が
形成されている。
差異はない。本実施例に用いられる発光ダイオード素子
１０の特徴は電極構造にある。すなわち、この発光ダイ
オード素子１０は、その表裏面に全面電極１４．１５が
形成されている。
上述した発光ダイオード素子１０は、第１図及び第２図
に示すように、先端部分が幅広になったリード２０に、
このリードの先端面と−の素子端面である発光端面とが
ほぼ同一面上になるように、グイポンディグされている
。そして、素子表面の全面電極１５に、もう一つのリー
ド２１の先端部分が接続されている。
に示すように、先端部分が幅広になったリード２０に、
このリードの先端面と−の素子端面である発光端面とが
ほぼ同一面上になるように、グイポンディグされている
。そして、素子表面の全面電極１５に、もう一つのリー
ド２１の先端部分が接続されている。
このようにしてリード２０．２１に接続された発光ダイ
オード素子ｌＯを取り囲むように、反射手段としての反
射枠体３０が取り付けられている。
オード素子ｌＯを取り囲むように、反射手段としての反
射枠体３０が取り付けられている。
この反射枠体３０は「コ」の字形状をした、プラスチッ
ク製の枠体であって、その三つの内面には反射ミラー３
１ａ、 ３ ｌｂ、 ３１ｃがそれぞれ形成されており
、各反射ミラーは前記−の発光端面を除く素子端面に対
向している。このような発光部は、第２図及び第３図に
示すように、透過性の合成樹脂からなるパッケージ４０
で封止される。パッケージ４０の先端面には、発光ダイ
オード素子１０の発光端面に対向する部分に、半球状の
レンズ４１が一体に形成されている。
ク製の枠体であって、その三つの内面には反射ミラー３
１ａ、 ３ ｌｂ、 ３１ｃがそれぞれ形成されており
、各反射ミラーは前記−の発光端面を除く素子端面に対
向している。このような発光部は、第２図及び第３図に
示すように、透過性の合成樹脂からなるパッケージ４０
で封止される。パッケージ４０の先端面には、発光ダイ
オード素子１０の発光端面に対向する部分に、半球状の
レンズ４１が一体に形成されている。
次に、この実施例の作用について説明する。
リード２０．２１を介して、発光ダイオード素子１０に
電圧が印加されることにより、この素子の活性領域で発
生した光は、素子表面に形成された全面電極１４．１５
によって素子内に閉じ込められる。そのため、この光は
活性領域を横方向に伝搬して素子端面に達する。反射ミ
ラー３１ａ〜３１ｃで囲まれた端面に達した光は、各反
射ミラーによって素子内部へ反射される結果、活性領域
で発生した光は、反射ミラーのない発光端面のみから放
射される。発光端面から放射された光はパッケージ４０
のレンズ４１で集光されて外部へ照射される。
電圧が印加されることにより、この素子の活性領域で発
生した光は、素子表面に形成された全面電極１４．１５
によって素子内に閉じ込められる。そのため、この光は
活性領域を横方向に伝搬して素子端面に達する。反射ミ
ラー３１ａ〜３１ｃで囲まれた端面に達した光は、各反
射ミラーによって素子内部へ反射される結果、活性領域
で発生した光は、反射ミラーのない発光端面のみから放
射される。発光端面から放射された光はパッケージ４０
のレンズ４１で集光されて外部へ照射される。
なお、上述の実施例では、発光ダイオード素子１０の三
つの端面を反射ミラーで囲うように説明したが、これは
光りを取り出すべき発光端面に対向する−の端面にのみ
、反射ミラーを設けるものであってもよい、 また、リード２１は金線ワイヤなどでワイヤボンディン
グしたものでもよい。
つの端面を反射ミラーで囲うように説明したが、これは
光りを取り出すべき発光端面に対向する−の端面にのみ
、反射ミラーを設けるものであってもよい、 また、リード２１は金線ワイヤなどでワイヤボンディン
グしたものでもよい。
さらにまた、上記シングルへテロ構造発光グイオード素
子は、ダブルへテロ構造のものでもよいなど、発光ダイ
オードの構造に限定されない。
子は、ダブルへテロ構造のものでもよいなど、発光ダイ
オードの構造に限定されない。
（発明の効果）
以上のように、本発明に係る発光ダイオード装置は、発
光ダイオード素子の表裏面を全面電極で覆い、一つの素
子端面（発光端面）から光りを取り出すものであるから
、従来の発光ダイオード装置のように素子表面に部分的
に電極を形成するためのホトリソグラフィ工程が不要と
なり、それだけ製造工程の簡素化を図ることができる。
光ダイオード素子の表裏面を全面電極で覆い、一つの素
子端面（発光端面）から光りを取り出すものであるから
、従来の発光ダイオード装置のように素子表面に部分的
に電極を形成するためのホトリソグラフィ工程が不要と
なり、それだけ製造工程の簡素化を図ることができる。
また、少なくとも発光端面に対向する素子端面に反射手
段を設けて、活性領域で発生した光を発光端面のみから
取り出しているので、従来の面発光の発光ダイオード、
装置に比較して、高輝度発光を得ることができる。
段を設けて、活性領域で発生した光を発光端面のみから
取り出しているので、従来の面発光の発光ダイオード、
装置に比較して、高輝度発光を得ることができる。
第１図は本発明の実施例に係る発光ダイオード装置の発
光部の内部斜視図、第２図は前記発光部の縦断面図、第
３図は本実施例に係る発光ダイオード装置の外観斜視図
、第４図は本実施例に係る発光ダイオード装置に用いら
れる発光ダイオード素子の構造断面図、第５図は従来の
発光ダイオード装置に用いられる発光ダイオード素子の
構造断面図である。 １０・・・発光ダイオード素子
光部の内部斜視図、第２図は前記発光部の縦断面図、第
３図は本実施例に係る発光ダイオード装置の外観斜視図
、第４図は本実施例に係る発光ダイオード装置に用いら
れる発光ダイオード素子の構造断面図、第５図は従来の
発光ダイオード装置に用いられる発光ダイオード素子の
構造断面図である。 １０・・・発光ダイオード素子
Claims (1)
- （１）発光ダイオード素子の表裏面に全面電極をそれぞ
れ形成し、この発光ダイオード素子の少なくとも発光端
面に対向する端面側に反射手段を設けたことを特徴とす
る発光ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206023A JPS6265386A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 発光ダイオ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206023A JPS6265386A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 発光ダイオ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265386A true JPS6265386A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16516617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206023A Pending JPS6265386A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 発光ダイオ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033641A1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| DE10196480B3 (de) * | 2000-08-17 | 2011-12-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optisches Codierermodul |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60206023A patent/JPS6265386A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033641A1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US6617615B1 (en) | 1999-11-01 | 2003-09-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| DE10196480B3 (de) * | 2000-08-17 | 2011-12-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optisches Codierermodul |
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