JP2895566B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Description
本発明は、同一面側に正負一対の電極部をもつ発光チ
ップがリードフレームに接合された発光ダイオードに関
する。
ップがリードフレームに接合された発光ダイオードに関
する。
【従来技術】 近年、発光ダイオード（以下「LED」という）とし
て、同一面側に正負一対の電極部をもつ所謂フリップチ
ップ方式のGaN（窒化ガリウム）用いて発光チップとし
た青色発光LEDが開発された。 上記発光チップを用いたLEDのリードフレームとして
は、第５図に示したように、先端が平坦な正負一対の電
極を形成するリード部材41,46により構成されたリード
フレーム40が使用されている。このリードフレーム40に
は両リード部材41,46の平坦な先端面がほぼ同じ位置に
なるように並列に配設されている。そして、それら両リ
ード部材41,46の先端面上に発光チップ48の両電極部が
載置され、めっきや蒸着法にて両電極部に予め形成され
たはんだバンプのリフローはんだ付けにより接合されて
いる。 この後、エポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材49を
成形してLED50を形成している。
て、同一面側に正負一対の電極部をもつ所謂フリップチ
ップ方式のGaN（窒化ガリウム）用いて発光チップとし
た青色発光LEDが開発された。 上記発光チップを用いたLEDのリードフレームとして
は、第５図に示したように、先端が平坦な正負一対の電
極を形成するリード部材41,46により構成されたリード
フレーム40が使用されている。このリードフレーム40に
は両リード部材41,46の平坦な先端面がほぼ同じ位置に
なるように並列に配設されている。そして、それら両リ
ード部材41,46の先端面上に発光チップ48の両電極部が
載置され、めっきや蒸着法にて両電極部に予め形成され
たはんだバンプのリフローはんだ付けにより接合されて
いる。 この後、エポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材49を
成形してLED50を形成している。
上述のGaNを用いた発光チップ48は、絶縁物であるサ
ファイヤ基板上にｎ−GaN（ｎ型の窒化ガリウム）及び
ｉ−GaN（ｉ型の窒化ガリウム）を積層し、ｉ−GaNの一
部を貫通させて、ｉ−GaN側の表面にｉ−GaNとｎ−GaN
による両電極部が形成されている。 そして、通電されてこの発光チップ48が発光し、その
青色光は、発光チップ48を構成しているサファイヤ基板
及びレンズ部材49中を通過して空気中へ放射される。 ところが、同一面側に正負一対の電極をもつ発光チッ
プをリードフレームに接合時、はんだバンプの量により
発光チップが傾き、放射される光の光軸が斜めになり性
能が安定しないという問題が生じていた。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、同一面側に正負一対
の電極部をもつ発光チップに適し、その発光チップから
放射される光の光軸の傾きを無くし、光路を安定させ、
光の取り出し効率を向上させることができるLEDを提供
することである。
ファイヤ基板上にｎ−GaN（ｎ型の窒化ガリウム）及び
ｉ−GaN（ｉ型の窒化ガリウム）を積層し、ｉ−GaNの一
部を貫通させて、ｉ−GaN側の表面にｉ−GaNとｎ−GaN
による両電極部が形成されている。 そして、通電されてこの発光チップ48が発光し、その
青色光は、発光チップ48を構成しているサファイヤ基板
及びレンズ部材49中を通過して空気中へ放射される。 ところが、同一面側に正負一対の電極をもつ発光チッ
プをリードフレームに接合時、はんだバンプの量により
発光チップが傾き、放射される光の光軸が斜めになり性
能が安定しないという問題が生じていた。 本発明は、上記の課題を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、同一面側に正負一対
の電極部をもつ発光チップに適し、その発光チップから
放射される光の光軸の傾きを無くし、光路を安定させ、
光の取り出し効率を向上させることができるLEDを提供
することである。
上記課題を解決するための発明の構成は、同一面側に
正負一対の電極部をもつ発光チップと、前記発光チップ
の電極部に設けられるはんだバンプと、前記発光チップ
が載置され、前記はんだバンプにより接合される平坦部
が設けられた２つのリード部材とから成り、前記２つの
リード部材の平坦部は高さが異なることを特徴とする。
正負一対の電極部をもつ発光チップと、前記発光チップ
の電極部に設けられるはんだバンプと、前記発光チップ
が載置され、前記はんだバンプにより接合される平坦部
が設けられた２つのリード部材とから成り、前記２つの
リード部材の平坦部は高さが異なることを特徴とする。
発光チップは同一面側に正負一対の電極部をもち、は
んだバンプがその発光チップの各々の電極部に設けられ
ている。 一方、２つのリード部材には上記発光チップが載置さ
れ、上記はんだバンプにより接合される平坦部が設けら
れている。 そして、上記２つのリード部材の平坦部は高さが異な
っている。 つまり、２つのリード部材に設けられた平坦部には発
光チップの両電極部に設けられたはんだバンプの高さの
差と略同じ寸法の高さの差が設けられている。 従って、発光チップがリード部材の平坦部に載置され
接合された場合には、はんだバンプの高さの差とリード
部材の平坦部の高さの差とが相殺され、発光チップから
の光は設計された光軸方向に放射される。
んだバンプがその発光チップの各々の電極部に設けられ
ている。 一方、２つのリード部材には上記発光チップが載置さ
れ、上記はんだバンプにより接合される平坦部が設けら
れている。 そして、上記２つのリード部材の平坦部は高さが異な
っている。 つまり、２つのリード部材に設けられた平坦部には発
光チップの両電極部に設けられたはんだバンプの高さの
差と略同じ寸法の高さの差が設けられている。 従って、発光チップがリード部材の平坦部に載置され
接合された場合には、はんだバンプの高さの差とリード
部材の平坦部の高さの差とが相殺され、発光チップから
の光は設計された光軸方向に放射される。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。 第２図は本発明の具体的な一実施例に係るLEDの同一
面側に正負一対の電極部をもつ発光チップが載置され接
合されたリードフレームを示した部分縦断面図であり、
第３図は第２図におけるリードフレームを発光チップ側
から見た平面図である。 先ず、第２図及び第３図を参照して、本発明のLEDに
係るリードフレーム10の構成について説明する。 リードフレーム10は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対の電極を形成するリード部材11,16により構成さ
れている。そして、両リード部材11,16にはそれらの先
端部12,17に発光チップ28を載置する平坦部13,18が形成
されている。 又、平坦部13,18に続く側周面にはそれら平坦部13,18
から外側に傾斜して反射部14,19が一体的に形成されて
いる。 GaN青色発光チップである発光チップ28はサファイア
基板281上にｎ−GaN層282、更に、Znをドープして補償
した高抵抗ｉ−GaN層283を成長させて作られている。 そして、ｉ−GaN層283の一端側にはその一部にｉ−Ga
N層283を貫通して設けられた孔内に電極部284がｉ−GaN
層283の表面とほぼ同一となるように設けられており、
他端側にはｉ−GaN層283上に電極部285が形成されてい
る。 この発光チップ28はｎ−GaN層282の電極部284が負極
となるリード部材11の平坦部13上に、ｉ−GaN層283の電
極部285が正極となるリード部材16の平坦部18上に、そ
れぞれ載置され、それぞれに設けられたはんだバンプ15
により接合されている。 上述のようにして、発光チップ28が接合されたリード
フレーム10にエポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材29
を成形して、第１図に示したようなLED20を形成する。 ここで、上記発光チップ28の発光光量を多くするに
は、ｉ−GaN層283の電極部285の電極面積をなるべく大
きくすれば良いことが知られている。 一方、発光チップ28のｎ−GaN層282の電極部284はｉ
−GaN層283の一部に設けられた孔内を利用して形成され
ているので、ｉ−GaN層283の電極部285のように大きく
できないことになる。 従って、ｉ−GaN層283の電極部285とｎ−GaN層282の
電極部284との電極面積は異なって形成されることにな
る。 例えば、ｉ−GaN層283の電極部285の電極面積は100×
410〜1000×410μm2、ｎ−GaN層282の電極部284の電極
面積は、30×410〜300×410μm2である。即ち、ｉ−GaN
層283の電極部285の電極面積はｎ−GaN層282の電極部28
4の電極面積に比べ、通常、約３倍の面積比となる。こ
れら電極部284,285に、はんだバンプ15を形成すると、
正負一対の電極部284,285におけるはんだバンプ高さの
差は約10μｍであった。 そして、はんだバンプ高さの差Δｄは、第４図に示し
たように、（ｉ−GaN層の電極面積）／（ｎ−GaN層の電
極面積）の面積比２〜５に対し、比例的に５〜20μｍ程
度生じることが実験的に確認された。 上述の発光チップ28に形成された同一面側の正負一対
の電極部284,285におけるはんだバンプ高さの差Δｄに
対応してリード部材11,16の平坦部13,18に略同じ寸法の
段差を設ける。 すると、接合後における発光チップ28の表面から放射
される孔はリード部材11,16の平坦部13,18にて決定され
る設計上の光軸方向となり安定する。 ここで、発光チップ28の一部の光はサファイヤ基板28
1とレンズ部材29との界面で入射角が42゜を越えると全
反射し、この発光チップ28の側面方向へ逃げ、光が周囲
に分散される。 本実施例のLED20においては、発光チップ28の表面か
ら放射される光の光軸方向が安定することに加えて、そ
の発光チップ28の側面方向へ逃げて端面からその周囲に
分散される光もリード部材11,16の先端部12,17に設けら
れた反射部14,19により反射されLED20から前方へ照射さ
れる。 従って、光の取り出し効率が良く、高輝度化が図れる
と共に製品毎のバラツキが少なく極めて安定した性能を
有するLEDが提供できることになる。 尚、上述の実施例においては、反射部14,19がリード
部材11,16の先端部12,17に一体的に設けられているが、
例えば、樹脂成形された部材にて、リード部材11,16の
先端部12,17に別に配設しても良い。 又、上述の発光チップは同一面側に正負一対の電極部
をもつものであれば、GaNに限らず適用することができ
る。
面側に正負一対の電極部をもつ発光チップが載置され接
合されたリードフレームを示した部分縦断面図であり、
第３図は第２図におけるリードフレームを発光チップ側
から見た平面図である。 先ず、第２図及び第３図を参照して、本発明のLEDに
係るリードフレーム10の構成について説明する。 リードフレーム10は間隔を隔てて並列に配設された正
負一対の電極を形成するリード部材11,16により構成さ
れている。そして、両リード部材11,16にはそれらの先
端部12,17に発光チップ28を載置する平坦部13,18が形成
されている。 又、平坦部13,18に続く側周面にはそれら平坦部13,18
から外側に傾斜して反射部14,19が一体的に形成されて
いる。 GaN青色発光チップである発光チップ28はサファイア
基板281上にｎ−GaN層282、更に、Znをドープして補償
した高抵抗ｉ−GaN層283を成長させて作られている。 そして、ｉ−GaN層283の一端側にはその一部にｉ−Ga
N層283を貫通して設けられた孔内に電極部284がｉ−GaN
層283の表面とほぼ同一となるように設けられており、
他端側にはｉ−GaN層283上に電極部285が形成されてい
る。 この発光チップ28はｎ−GaN層282の電極部284が負極
となるリード部材11の平坦部13上に、ｉ−GaN層283の電
極部285が正極となるリード部材16の平坦部18上に、そ
れぞれ載置され、それぞれに設けられたはんだバンプ15
により接合されている。 上述のようにして、発光チップ28が接合されたリード
フレーム10にエポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部材29
を成形して、第１図に示したようなLED20を形成する。 ここで、上記発光チップ28の発光光量を多くするに
は、ｉ−GaN層283の電極部285の電極面積をなるべく大
きくすれば良いことが知られている。 一方、発光チップ28のｎ−GaN層282の電極部284はｉ
−GaN層283の一部に設けられた孔内を利用して形成され
ているので、ｉ−GaN層283の電極部285のように大きく
できないことになる。 従って、ｉ−GaN層283の電極部285とｎ−GaN層282の
電極部284との電極面積は異なって形成されることにな
る。 例えば、ｉ−GaN層283の電極部285の電極面積は100×
410〜1000×410μm2、ｎ−GaN層282の電極部284の電極
面積は、30×410〜300×410μm2である。即ち、ｉ−GaN
層283の電極部285の電極面積はｎ−GaN層282の電極部28
4の電極面積に比べ、通常、約３倍の面積比となる。こ
れら電極部284,285に、はんだバンプ15を形成すると、
正負一対の電極部284,285におけるはんだバンプ高さの
差は約10μｍであった。 そして、はんだバンプ高さの差Δｄは、第４図に示し
たように、（ｉ−GaN層の電極面積）／（ｎ−GaN層の電
極面積）の面積比２〜５に対し、比例的に５〜20μｍ程
度生じることが実験的に確認された。 上述の発光チップ28に形成された同一面側の正負一対
の電極部284,285におけるはんだバンプ高さの差Δｄに
対応してリード部材11,16の平坦部13,18に略同じ寸法の
段差を設ける。 すると、接合後における発光チップ28の表面から放射
される孔はリード部材11,16の平坦部13,18にて決定され
る設計上の光軸方向となり安定する。 ここで、発光チップ28の一部の光はサファイヤ基板28
1とレンズ部材29との界面で入射角が42゜を越えると全
反射し、この発光チップ28の側面方向へ逃げ、光が周囲
に分散される。 本実施例のLED20においては、発光チップ28の表面か
ら放射される光の光軸方向が安定することに加えて、そ
の発光チップ28の側面方向へ逃げて端面からその周囲に
分散される光もリード部材11,16の先端部12,17に設けら
れた反射部14,19により反射されLED20から前方へ照射さ
れる。 従って、光の取り出し効率が良く、高輝度化が図れる
と共に製品毎のバラツキが少なく極めて安定した性能を
有するLEDが提供できることになる。 尚、上述の実施例においては、反射部14,19がリード
部材11,16の先端部12,17に一体的に設けられているが、
例えば、樹脂成形された部材にて、リード部材11,16の
先端部12,17に別に配設しても良い。 又、上述の発光チップは同一面側に正負一対の電極部
をもつものであれば、GaNに限らず適用することができ
る。
【発明の効果】 本発明は、同一面側に正負一対の電極部をもつ発光チ
ップと、その発光チップの電極部に設けられるはんだバ
ンプと、発光チップが載置され、はんだバンプにより接
合される平坦部が設けられた２つのリード部材とから成
り、それら２つのリード部材の平坦部は高さが異なるの
で、本発明のLEDにおいては、発光チップから放射され
る光の光軸の傾きが無くなることにより光路を安定させ
ることができるという効果がある。
ップと、その発光チップの電極部に設けられるはんだバ
ンプと、発光チップが載置され、はんだバンプにより接
合される平坦部が設けられた２つのリード部材とから成
り、それら２つのリード部材の平坦部は高さが異なるの
で、本発明のLEDにおいては、発光チップから放射され
る光の光軸の傾きが無くなることにより光路を安定させ
ることができるという効果がある。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係るLED及びその
光路を示した部分縦断面図。第２図は第１図のLEDの発
光チップが載置され接合されたリードフレームを示した
部分縦断面図。第３図は第２図におけるリードフレーム
を発光チップ側から見た平面図。第４図は同実施例のLE
Dに係る２つのリード部材の先端部に設けられた平坦部
の段差と発光チップの正負一対の電極部の電極面積比と
の関係を示した説明図。第５図は従来のLEDを示した縦
断面図である。 10……リードフレーム、11,16……リード部材 12,17……先端部、13,18……平坦部 14,19……反射部、15……はんだバンプ 20……LED（発光ダイオード） 28……発光チップ、284,285……電極部 29……レンズ部材 Δｄ……はんだバンプ高さの差（平坦部の段差）
光路を示した部分縦断面図。第２図は第１図のLEDの発
光チップが載置され接合されたリードフレームを示した
部分縦断面図。第３図は第２図におけるリードフレーム
を発光チップ側から見た平面図。第４図は同実施例のLE
Dに係る２つのリード部材の先端部に設けられた平坦部
の段差と発光チップの正負一対の電極部の電極面積比と
の関係を示した説明図。第５図は従来のLEDを示した縦
断面図である。 10……リードフレーム、11,16……リード部材 12,17……先端部、13,18……平坦部 14,19……反射部、15……はんだバンプ 20……LED（発光ダイオード） 28……発光チップ、284,285……電極部 29……レンズ部材 Δｄ……はんだバンプ高さの差（平坦部の段差）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小滝 正宏 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 加藤 久喜 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑 １番地 豊田合成株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−15483（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】同一面側に正負一対の電極部をもつ発光チ
ップと、 前記発光チップの電極部に設けられるはんだバンプと、 前記発光チップが載置され、前記はんだバンプにより接
合される平坦部が設けられた２つのリード部材と から成り、 前記２つのリード部材の平坦部は高さが異なることを特
徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11419690A JP2895566B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11419690A JP2895566B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410671A JPH0410671A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2895566B2 true JP2895566B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=14631609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11419690A Expired - Fee Related JP2895566B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895566B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7899101B2 (en) | 1994-09-14 | 2011-03-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| EP2339650A1 (en) | 2000-07-18 | 2011-06-29 | Sony Corporation | Production method for light emitting devices |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921577A4 (en) | 1997-01-31 | 2007-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2002064224A (ja) | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Agilent Technologies Japan Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP4461616B2 (ja) | 2000-12-14 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 |
| JP4649745B2 (ja) | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
| JP2002246650A (ja) | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Agilent Technologies Japan Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| US6872635B2 (en) | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| JP2003045901A (ja) | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| JP2003077940A (ja) | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| WO2006095949A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11419690A patent/JP2895566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7899101B2 (en) | 1994-09-14 | 2011-03-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| EP2339650A1 (en) | 2000-07-18 | 2011-06-29 | Sony Corporation | Production method for light emitting devices |
| EP2341530A1 (en) | 2000-07-18 | 2011-07-06 | Sony Corporation | Production method of semiconductor device arrays |
| EP2343737A1 (en) | 2000-07-18 | 2011-07-13 | Sony Corporation | Image display unit and production method for image display unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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