JP2006191068A - 高出力発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高出力発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、 Ｎ型半導体層210、活性層220、及びＰ型半導体層240が順次に積層されている構造物を備えて活性層220から光が放出される発光ダイオードにおいて、Ｎ型半導体層210、活性層220、及びＰ型半導体層240が積層されている構造物の側壁の前面が傾斜し、その傾斜した側壁の全体に活性層220から放出される光を反射させる反射膜250が形成されている。 発光ダイオードの側壁を傾斜させ、その傾斜した側壁に反射膜250を形成することにより、側壁の外部から放出される光を反射膜250に反射し、素子の上部から放出して光出力を向上させる。
【選択図】図６

Description

本発明は、高出力発光ダイオード及びその製造方法に係り、特に、発光ダイオードの側壁が傾斜するように形成し、その傾斜した側壁に反射膜を形成することで、側壁の外部に放出される光を反射膜で反射させ、素子の上部に放出して光出力を向上させ、追加的なパッシベーション工程を行わなくても良い、高出力発光ダイオード及びその製造方法に関する。

一般に、発光ダイオードは、総天然色の電光版、信号灯、携帯電話用キーパッド光源、照明用光源、ＬＣＤバックライトなど種々の応用分野に使われている。

図１は、従来技術による発光ダイオードの断面図である。発光ダイオードは、基板１０の上部にＮ型半導体層１１、活性層１２、及びＰ型半導体層１３が順次に積層され、Ｐ型半導体層１３からＮ型半導体層１１の一部までメサエッチングされ、Ｐ型半導体層１３の上部に透明電極１４が形成され、 メサエッチングされたＮ型半導体層１１の上部にＮ電極１５が形成され、透明電極１４の上部にＰ電極１６が形成されている。

このような発光ダイオードは、Ｎ電極１５とＰ電極１６に電流を流すと、 活性層１２に光が発生して素子の外部に放出するようになる。
このような発光ダイオードの光出力を高めるための方法は、いろいろ試行されているが、フリップチップ構造の素子製作もこのような1つの試みである。

図２は、従来技術によるフリップチップ発光ダイオードがサブマウント基板にボンディングされている状態を示した模式的な断面図である。このフリップチップ発光ダイオードは、図１の発光ダイオード構造において、Ｐ型半導体層１３の上部にＰ電極用反射膜１６を形成し、この反射膜１６とＮ電極１５をソルダー２０ａ、２０ｂのような導電性のボンディング物質でサブマウント基板３０にボンディングさせ、基板１０の方向に光を放出させる。

すなわち、フリップチップ型の光素子は、活性層１２から放出された光が反射膜１６で反射され、基板１０を通じて素子の外部に放出される。
しかし、このようなフリップチップ型の光素子から放出される光は、素子の全面で放出されるので、素子の側面から放出される光は、無駄に使われる場合が発生する。

特に、素子のへき開面が垂直の場合、素子の側面から放出される光の一部は、へき開面から全反射され、素子の内部に閉じ込められて外部に出られないようになり、結局、光が損失される問題点を起こす。

本発明は、前述したような問題点を解決するためのものであり、その目的は、発光ダイオードの側壁を傾斜させるように形成し、その傾斜した側壁に反射膜を形成することにより、側壁の外部に放出される光を反射膜で反射させ、素子の上部に放出して光出力を向上させ、追加的なパッシベーション工程を行わなくても良い高出力発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、発光構造物の側壁に凹部を形成することにより、発光面積を増加して、光出力を向上させる高出力発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、円柱状の発光ダイオードを実現することにより、電流を均一に通過させ、発光面から均一な強さで光を出射する高出力発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい高出力発光ダイオードの第１形態は、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が順次に積層されている構造物を備えて前記活性層から光が放出される発光ダイオードにおいて、前記Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が積層されている構造物の側壁の前面が傾斜し、この傾斜した側壁の全体に前記活性層から放出される光を反射する反射膜が形成されていることを特徴とする。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい高出力発光ダイオードの第２形態は、基板の上部に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が順次に積層されており、前記Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までメサエッチングされており、前記メサエッチングされた側壁及びＰ型半導体層、活性層とＮ型半導体層の側壁が傾斜し、前記傾斜した側壁に反射膜が形成されており、前記メサエッチングされたＮ型半導体層の上部にＮ電極が形成され、前記Ｐ型半導体層の上部にＰ電極が形成されていることを特徴とする。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい高出力発光ダイオードの第３形態は、Ｐ型半導体層の上部に、活性層とＮ型半導体層が順次に積層されており、前記Ｐ型半導体層、活性層、及びＮ型半導体層が傾斜した側壁をそれぞれ含み、前記傾斜した側壁に反射膜が形成されており、前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極が形成され、前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極が形成されていることを特徴とする。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第４形態は、基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、前記Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までエッチングされた側壁が傾斜するようにメサエッチングする段階と、前記メサエッチングされた領域を除いた、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層の残り側壁をエッチングして傾斜した側壁を形成する段階と、前記傾斜した側壁に反射膜を蒸着する段階と、前記メサエッチングされたＮ型半導体層の上部にＮ電極を形成し、前記Ｐ型半導体層の上部にＰ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第５形態は、基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、前記Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面を形成する段階と、前記基板を前記Ｎ型半導体層から離脱させる段階と、前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極を形成する段階と、前記傾斜した側壁に反射膜を形成し、前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第６形態は、基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、
前記Ｐ型半導体層の上部に、側面に凹部が形成されているマスク層を形成する段階と、前記マスク層でマスキングして前記Ｐ型半導体層から前記Ｎ型半導体層までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜及び凹部を形成する段階と、前記基板を前記Ｎ型半導体層から離脱させる段階と、前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極を形成する段階と、前記傾斜した側壁に反射膜を形成する段階と、前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする高出力発光ダイオードの製造方法が提供される。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第７形態は、基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、前記Ｐ型半導体層の上部に、円板状のマスク層を相互離隔させ、複数個を形成する段階と、前記複数個のマスク層でマスキングして前記Ｐ型半導体層から前記Ｎ型半導体層までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面を形成する段階と、前記基板をＮ型半導体層から離脱させて、Ｐ型半導体層、活性層、及びＮ型半導体層が積層された複数個の発光構造物を獲得する段階と、前記発光構造物の各々の側壁に反射膜を形成する段階と、前記発光構造物の各々のＮ型半導体層の下部にＮ電極を形成する段階と、前記発光構造物の各々のＰ型半導体層の上部にＰ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする高出力発光ダイオードの製造方法が提供される。

以上述べたように、本発明は、発光ダイオードの側壁を傾斜させるように形成し、この傾斜した側壁に反射膜を形成することにより、側壁の外部に放出する光を反射膜で反射させ、素子の上部から放出して光出力を向上させ、追加的なパッシベーション工程を行わなくても良い優れる効果を奏する。

また、本発明は、発光構造物の側壁に凹部を形成することにより、発光面積を増加して、光出力を向上させることができる。
さらに、本発明は、円柱状の発光ダイオードを実現することにより、電流を均一に通過させ、発光面から均一な強さで光を出射することができる。

以下、添付した図面に基づき、本発明の望ましい実施形態を説明する。
図３ａないし３ｅは、本発明の望ましい第１実施形態による高出力発光ダイオードの製造工程を説明するための断面図である。この発光ダイオードは、基板１００の上部に、Ｎ型半導体層１１０、活性層１２０、及びＰ型半導体層１３０を順次に積層する(図３ａ)、その後、Ｐ型半導体層１３０からＮ型半導体層１１０の一部まで側壁が傾斜するようにメサエッチングする(図３ｂ)。

すなわち、図３ｂの工程でエッチングされた側壁は、一定角度(α１)にエッチングされる。
このように、エッチングされた側壁を傾斜傾するためには、エッチングされる領域を除いたＰ型半導体層１３０の上部にマスクを形成し、マスクでマスキングして乾式エッチングすると、傾斜した側壁を実現することができる。

引き続き、メサエッチングされた領域を除いた、Ｎ型半導体層１１０、活性層１２０、及びＰ型半導体層１３０の残りの側壁をエッチングして傾斜した側壁を形成する(図３ｃ)。

この際、前記残り側壁の傾斜した角度(α２)は、メサエッチングされた側壁の傾斜した角度(α１)と同一か、または異なる場合もある。
そして、傾斜した角度(α１、α２)は、３０°〜７０°が望ましい。
その後、傾斜した側壁に反射膜１４０を蒸着する(図３ｄ)。

傾斜した側壁は、反射膜１４０の蒸着を容易にする。
ここで、反射膜は ＡＲ膜（反射防止膜）、反射層が積層された膜、またはＨＲ膜（高反射膜）であることが望ましい。

ＨＲ膜は、高い反射率の絶縁膜であって、その自体で発光ダイオードの側面から放出される光を反射させるだけでなく、素子のパッシベーションの役割を行うことにより、素子保護膜としても働く。

そして、ＡＲ膜は、それ自体が透過率が高い絶縁膜であって、反射膜の役割を行うことはできないが、光透過率が高いので、ＡＲ膜の外部に反射層を形成すると立派な反射体の機能を果たし、素子保護の役割を行うことができる。

反射層は、Ａｇ又はＡｌのような金属物質で形成されることが望ましい。
最後に、メサエッチングされたＮ型半導体層１１０の上部にＮ電極１５０を形成し、Ｐ型半導体層１３０の上部にＰ電極１６０を形成する(図３ｅ)。
前述した工程を行うと、図３ｅとともに、本発明の第１実施形態による発光ダイオードを製造することができる。

図４は、本発明の第１実施形態による高出力発光ダイオードが反射板にボンディングされて、光が出力される状態を説明する模式的な断面図である。

前述した図３ａないし３ｅのような工程によって製造された本発明の第１実施形態による高出力発光ダイオードは、基板１００の上部にＮ型半導体層１１０、活性層１２０、及びＰ型半導体層１３０が順次に積層されており、Ｐ型半導体層１３０からＮ型半導体層１１０の一部までメサエッチングされている。メサエッチングされた側壁及びＰ型半導体層１３０、活性層１２０、及びＮ型半導体層１１０の側壁は傾斜している。傾斜した側壁には反射膜１４０が形成され、メサエッチングされたＮ型半導体層１１０の上部にＮ電極１５０が形成されており、Ｐ型半導体層１３０の上部にＰ電極１６０が形成されている。

このように構成された発光ダイオード１７０は、反射板１９０の上部にボンディング物質１８０でボンディングされるが、活性層１２０から放出された光は、発光ダイオード１７０の側壁に形成された反射膜１４０に反射されて素子のＰ型半導体層１３０の上部に放出される。
従って、側壁から光が放出されなく、素子の上部に光が直進して放出されるので、光出力を向上することができる。

図５ａないし５ｅは、本発明の第２実施形態による高出力発光ダイオードの製造工程を説明するための断面図であって、基板２００の上部にＮ型半導体層２１０、活性層２２０、及びＰ型半導体層２３０を順次に積層する(図５ａ)。

その後、Ｐ型半導体層２３０からＮ型半導体層２１０までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜を形成する(図５ｂ)。
ここで、エッチングされた側壁は、一定角度(α１)にエッチングされる。

その後、基板２００をＮ型半導体層２１０から離脱させる(図５ｃ)。
引き続き、Ｐ型半導体層２３０の下部に反射用Ｐ電極２４０を形成する(図５ｄ)。

続いて、傾斜した側壁に反射膜２５０を形成し、Ｎ型半導体層２１０の上部にＮ電極２６０を形成する(図５ｅ)。
ここで、発光ダイオードの下部にあるＮ型半導体層２１０の幅(Ｗ２)が上部にあるＰ型半導体層２３０の幅(Ｗ１)より小さいことが望ましい。

図６は、本発明の第２実施形態による高出力発光ダイオードから光が出力される状態を説明する模式的な断面図である。前述した図５ａないし５ｅのような工程によって製造された本発明の第１実施形態による高出力発光ダイオードは、Ｐ型半導体層２３０の上部に活性層２２０とＮ型半導体層２１０が順次に積層されており、Ｐ型半導体層２３０、活性層２２０、及びＮ型半導体層２１０の側壁は傾斜し、傾斜した側壁には反射膜２５０が形成され、Ｐ型半導体層２３０の下部に反射用Ｐ電極２４０が形成されており、Ｎ型半導体層２１０の上部にはＮ電極２６０が形成される。

前述したように構成された発光ダイオードでは、活性層２２０から放出された光が、発光ダイオードの側壁に形成された反射膜２５０と反射用Ｐ電極２４０に反射され、素子の上部であるＮ型半導体層２１０の外部に放出されるようになる。
従って、本発明の第２実施形態の発光ダイオードでも側壁から光が放出されなく、素子の上部から光が直進して放出されるので、光出力を向上することができる。

図７ａと７ｂは、本発明の第３実施形態による高出力発光ダイオードを製造する工程を説明するための斜視図である。基板３００の上部にＮ型半導体層３１０、活性層３２０、及びＰ型半導体層３３０を順次に積層した後、Ｐ型半導体層３３０の上部に、凹部３４１が側面に形成されるマスク層３４０を形成する(図７ａ)。

その後、マスク層３４０にマスキングしてＰ型半導体層３３０からＮ型半導体層２１０までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面及び凹部を形成する(図７ｂ)。

その後、基板３００をＮ型半導体層３１０から離脱させ、Ｐ型半導体層３３０の下部に反射用Ｐ電極を形成し、傾斜した側壁に反射膜を形成して、 さらにＮ型半導体層３１０の上部にＮ電極を形成する。

このように製造された本発明の第３実施形態による高出力発光ダイオードは、傾斜した側壁に凹部が形成されており、発光面積を増加させて光出力を増加させることができる長所がある。
すなわち、発光構造物の側壁に凹部が形成されているので、活性層の側壁にも凹部が形成されて発光面積が増加されるものである。

図８ａと８ｂは、本発明の第３実施形態に適用されたマスクの一例の平面図である。図８ａにおいて、マスク層は、傾斜して凹部が形成される側壁を形成するため、四角形であり、相互離隔された縁側の領域３４１ａが除去されたマスクを使うとか、図８ｂのように四角形であり、縁側の一つの領域が除去されたマスクを使う。

ここで、マスクは多角状で形成することができ、マスクの縁側面に平面及び曲面で組合わせられた凹部を形成することができる。
この際、このマスクを使って形成された発光ダイオードの側壁の凹部は、平面と曲面の組合わせで形成することができる。

図９ａと９ｂは、本発明の第４実施形態による高出力発光ダイオードを製造する工程を説明するための斜視図である。基板４００は、その上部にＮ型半導体層４１０、活性層４２０、及びＰ型半導体層４３０を順次に積層した後、Ｐ型半導体層４３０の上部に、円板形状のマスク層４４０を相互離隔させて複数個を形成する(図９ａ)。

引き続き、複数個のマスク層４４０にマスキングして、Ｐ型半導体層４３０からＮ型半導体層４１０までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜を形成する(図９ｂ)。
このような工程を行うと、図９ｂのように、基板４００の上部に複数個の下部が広くて上部が狭い円柱状の発光構造物を形成することができる。

図１０ａと１０ｂは、本発明の第４実施形態によって一つ一つの発光ダイオードの上部に電極と反射膜を形成する工程を説明するための斜視図である。図９ｂの工程を行った後、基板４００をＮ型半導体層４１０から離脱させ、ひっくりかえして位置させると、図１０ａに示したように、Ｐ型半導体層４３０、活性層４２０、及びＮ型半導体層４１０が積層された発光構造物４５０を得ることができる。

この発光構造物４５０は、Ｐ型半導体層４３０の直径がＮ型半導体層４１０の直径より小さい円柱状を有する。
その後、図１０ｂのように、発光構造物４５０の側壁に反射膜４８０を形成し、Ｎ型半導体層４１０の上部にＮ電極４７０を形成し、Ｐ型半導体層４３０の下部にＰ電極４６０を形成する。

これで、円柱状の発光ダイオードの製造が完了される。
このような円柱状の発光ダイオードは、電流を均一に流すことができ、光の強さが発光面から均一になって光源及びディスプレイに発光ダイオードを適用する時、色感度に優れる。

図１１ａと１１ｂは、本発明の第４実施形態により、上面が四角形の発光ダイオードと上面が円型の発光ダイオードの電流流れを概略的に比べる概念図である。上面が四角形の図１１ａのような発光ダイオードでは、Ｐ電極４７０からＰ型半導体層４３１の縁側に電流が到達される距離が異なり光の強さが均一ではない一方、上面が円型の図１１ｂのような発光ダイオードでは、Ｐ電極４７０からＰ型半導体層４３０の縁側に電流が到達される距離が同一なので光の強さが均一になる。

従って、前述したように、本発明の第４実施形態による発光ダイオードは発光面から光の強さを均一にすることができる。

従来の技術による発光ダイオードの断面図である。 従来の技術によるフリップチップ型発光ダイオードが、サブマウント基板にボンディングされている状態を示した模式的な断面図である。 ３ａ〜ｅは、本発明の第１実施形態による高出力発光ダイオードの製造工程を説明するための各断面図である。 本発明の第１実施形態による高出力発光ダイオードが、反射板にボンディングされて光を出力する状態を説明するための模式的な断面図である。 ５ａ〜ｅは、本発明の第２実施形態による高出力発光ダイオードの製造工程を説明するための各断面図である。 本発明の第２実施形態による高出力発光ダイオードから光が出力される状態を説明する模式的な断面図である。 ７ａ及び７ｂは、本発明の第３実施形態による高出力発光ダイオードを製造する工程を説明するための各斜視図である。 ８ａ及び８ｂは、本発明の第３実施形態に適用されたマスクの一例の各平面図である。 ９ａ及び９ｂは、本発明の第４実施形態による高出力発光ダイオードを製造する工程を説明するための各斜視図である。 １０ａ及び１０ｂは、本発明の第４実施形態によって一つ一つの発光ダイオードの上部に電極と反射膜を形成する工程を説明するための斜視図 １１ａ及び１１ｂは、本発明の第４実施形態によって上面が四角形である発光ダイオードと上面が円型である発光ダイオードの電流流れを概略的に比べる各概念図である。

符号の説明

１００、２００、３００、４００ 基板
１１０、２１０、３１０、４１０ Ｎ型半導体層
１２０、２２０、３２０、４２０ 活性層
１３０、２３０、３３０、４３０、４３１ Ｐ型半導体層
１４０、２５０、４８０ 反射膜
１５０、２５０、４６０ Ｎ電極
１６０、２４０、４７０ Ｐ電極
１７０ 発光ダイオード
１８０ ボンディング物質
１９０ 反射板
３４０ マスク層
３４１ 凹部
４５０ 発光構造物

Claims (17)

1. Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が順次に積層されている構造物を備えて前記活性層から光が放出される発光ダイオードにおいて、
   前記Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が積層されている構造物の側壁の前面が傾斜し、この傾斜した側壁の全体に前記活性層から放出される光を反射する反射膜が形成されていることを特徴とする高出力発光ダイオード。
2. 前記側壁の傾斜角度が３０°〜７０°であることを特徴とする請求項１に記載の高出力発光ダイオード。
3. 前記反射膜は、反射防止膜、反射層が積層された膜、または高反射膜であることを特徴とする請求項１に記載の高出力発光ダイオード。
4. 基板の上部に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層が順次に積層され、
   該Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までメサエッチングされており、
   該メサエッチングされた側壁及びＰ型半導体層、活性層とＮ型半導体層の側壁が傾斜し、
   前記傾斜した側壁に反射膜が形成されており、
   前記メサエッチングされたＮ型半導体層の上部にＮ電極が形成され、
   前記Ｐ型半導体層の上部にＰ電極が形成されていることを特徴とする高出力発光ダイオード。
5. 前記傾斜した側壁には、凹部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高出力発光ダイオード。
6. Ｐ型半導体層の上部に、活性層とＮ型半導体層が順次に積層されており、
   前記Ｐ型半導体層、活性層、及びＮ型半導体層が傾斜した側壁をそれぞれ含み、
   前記傾斜した側壁に反射膜が形成されており、
   前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極が形成され、
   前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極が形成されていることを特徴とする高出力発光ダイオード。
7. 前記傾斜した側壁は凹部を含んでいることを特徴とする請求項６に記載の高出力発光ダイオード。
8. 前記凹部は、平面と曲面の組合わせで形成されることを特徴とする請求項７に記載の高出力発光ダイオード。
9. 前記Ｐ型半導体層、活性層、及びＮ型半導体層が順次に積層された構造は、
   Ｐ型半導体層の直径がＮ型半導体層の直径より小さい円柱状であることを特徴とする請求項５に記載の高出力発光ダイオード。
10. 基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、
    前記Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までエッチングされた側壁が傾斜するようにメサエッチングする段階と、
    前記メサエッチングされた領域を除いた、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層の残りの側壁をエッチングして傾斜した側壁を形成する段階と、
    前記傾斜した側壁に反射膜を蒸着する段階と、
    前記メサエッチングされたＮ型半導体層の上部にＮ電極を形成し、前記Ｐ型半導体層の上部にＰ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする高出力発光ダイオードの製造方法。
11. 基板の上部にＮ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、
    前記Ｐ型半導体層からＮ型半導体層の一部までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面を形成する段階と、
    前記基板を前記Ｎ型半導体層から離脱させる段階と、
    前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極を形成する段階と、
    前記傾斜した側壁に反射膜を形成し、前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする高出力発光ダイオードの製造方法。
12. 前記側壁の傾斜した角度が３０°〜７０°であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の高出力発光ダイオードの製造方法。
13. 前記反射膜は、反射防止膜、反射層が積層された膜、または高反射膜であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の高出力発光ダイオードの製造方法。
14. 基板の上部にＮ型半導体層、活性層とＰ型半導体層を順次に積層する段階と、
    前記Ｐ型半導体層の上部に、側面に凹部が形成されているマスク層を形成する段階と、
    前記マスク層でマスキングして前記Ｐ型半導体層から前記Ｎ型半導体層までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面及び凹部を形成する段階と、
    前記基板を前記Ｎ型半導体層から離脱させる段階と、
    前記Ｐ型半導体層の下部に反射用Ｐ電極を形成する段階と、
    前記傾斜した側壁に反射膜を形成する段階と、
    前記Ｎ型半導体層の上部にＮ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴とする高出力発光ダイオードの製造方法。
15. 前記マスクは、多角状であり、マスクの縁側には、平面及び曲面で組合せられた凹部が形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の高出力発光ダイオードの製造方法。
16. 基板の上部に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を順次に積層する段階と、
    前記Ｐ型半導体層の上部に、円板状のマスク層を相互離隔させ複数個を形成する段階と、
    前記複数個のマスク層でマスキングして前記Ｐ型半導体層から前記Ｎ型半導体層までエッチングして、エッチングされた側壁に傾斜面を形成する段階と、
    前記基板をＮ型半導体層から離脱させて、Ｐ型半導体層、活性層、及びＮ型半導体層が積層された複数個の発光構造物を獲得する段階と、
    前記発光構造物の各々の側壁に反射膜を形成する段階と、
    前記発光構造物の各々のＮ型半導体層の下部にＮ電極を形成する段階と、
    前記発光構造物の各々のＰ型半導体層の上部にＰ電極を形成する段階とを含んでいることを特徴する高出力発光ダイオードの製造方法。
17. 前記発光構造物は、Ｐ型半導体層の直径がＮ型半導体層の直径より小さい円柱状であることを特徴とする請求項１６に記載の高出力発光ダイオードの製造方法。
    

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