CN1822400A - 高输出发光二极管及其制造方法 - Google Patents

高输出发光二极管及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1822400A
CN1822400A CN200510132958.7A CN200510132958A CN1822400A CN 1822400 A CN1822400 A CN 1822400A CN 200510132958 A CN200510132958 A CN 200510132958A CN 1822400 A CN1822400 A CN 1822400A
Authority
CN
China
Prior art keywords
type semiconductor
semiconductor layer
sidewall
layer
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200510132958.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100517777C (zh
Inventor
李贤宰
河俊硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN1822400A publication Critical patent/CN1822400A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100517777C publication Critical patent/CN100517777C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高输出发光二极管(LED)及其制造方法。该LED包括倾斜的侧壁或表面。在该倾斜的侧壁或表面形成反射薄膜以允许光从反射薄膜反射并相对于该器件向上或向有利的方向发光，从而这种设置可提高LED的光输出而无需另外的钝化处理。

Description

高输出发光二极管及其制造方法
本申请要求于2004年12月31日在韩国提交的申请号为No.2004-0117766的韩国专利申请的利益，其引用在此供参考。
技术领域
本发明涉及高输出发光二极管(LED)及其制造方法，其中该LED的侧壁是倾斜的并在该倾斜侧壁上形成反射薄膜以允许侧壁外部发射的光从该反射薄膜反射并在该器件上面射出，从而改善光输出而无需另外的钝化处理。
背景技术
通常，LED广泛用于应用领域如彩色公告板，交通灯，移动电话的键区光源，照明光源以及LCD背光。
图1为传统的LED的截面图。该LED包括：具有N型半导体层11、活性层12和P型半导体层13顺序层叠在其上的衬底10，从P型半导体层13到部分N型半导体层11蚀刻形成的台面，在P型半导体层13上形成的透明电极14，在蚀刻了台面的N型半导体层11上形成的N电极15以及在透明电极14上形成的P电极16。
若电流流过LED的N电极15和P电极16，则活性层12产生光并发射到该器件外。已尝试过多种增加LED光输出的方法，采用覆晶结构制造器件是其中一种。
图2为根据现有技术结合到基台衬底(sub mount substrate)的覆晶(flip chip)LED的模拟截面图。参照图1的LED结构，该覆晶LED的结构为在P型半导体层13上层叠P电极的反射薄膜16，反射薄膜16和N电极15用导电粘合材料如焊锡20a，20b粘合到基台衬底30上，并向该衬底10发光。
换句话说，覆晶型发光器件是这种活性层12发出的光从反射薄膜16反射并通过衬底10照射到器件外面。
但是，覆晶型发光器件发出的光从该器件的整个表面反射，具有消耗从该器件的侧壁发出的光的缺点。
尤其是，在该器件的分割面(cleavage plane)，部分从该器件的侧壁发出的光从该分割面反射，被限制在该器件内部而不能从其中射出，因而导致该器件的发光减少。
发明内容
为解决前述问题而提出本发明，本发明的一个目的是提供一种高输出的LED及其制造方法，其中该LED的侧壁是倾斜的并在该倾斜侧壁上形成反射薄膜，以允许侧壁外部发出的光从该反射薄膜反射并在该器件上面射出，从而改善光输出而无需另外的钝化处理。
本发明的另一目的是在发光结构的侧壁形成弯曲以增大发光面积并改善光输出。
还有一个目的是产生圆柱形LED并均匀地通过电流，从而使得发光表面发出的光以同一的强度输出。
在本发明的第一技术方案中，高输出LED包括：用N型半导体层、活性层和P型半导体层顺序层叠的结构，以允许活性层发出光，其形成的方式是这样的：用N型半导体层、活性层和P型半导体层层叠的该结构侧壁的前表面是倾斜的，并在整个倾斜侧壁形成反射薄膜以反射活性层发出的光。
在本发明的第二技术方案中，以这样的方式形成高输出LED，即在衬底上用N型半导体层、活性层和P型半导体层顺序层叠，从P型半导体层到部分N型半导体层进行台面蚀刻，蚀刻台面的侧壁和N型半导体层、活性层和P型半导体层的侧壁皆倾斜，倾斜的侧壁形成有反射薄膜，在蚀刻台面的N型半导体层上形成N电极，而在P型半导体层上形成P电极。
在本发明的第三技术方案中，以这样的方式形成高输出LED，即在P形半导体层上顺序层叠活性层和N型半导体层，N型半导体层、活性层和P型半导体层的侧壁是倾斜的，该倾斜的侧壁形成有反射薄膜，并且N型半导体层其上形成有N电极。
在本发明的第四技术方案中，一种高输出LED的制造方法包括：在衬底上顺序层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；以使从P型半导体层到部分N型半导体层的蚀刻台面侧壁倾斜的方式进行台面蚀刻；对除蚀刻的台面部分以外的N型半导体层、活性层和P型半导体层的剩余侧壁进行蚀刻以形成倾斜侧壁；在倾斜侧壁上蒸发反射薄膜；以及在已蚀刻台面的N型半导体层上形成N电极，并在P型半导体层上形成P电极。
在本发明的第五技术方案中，一种高输出LED的制造方法包括：在衬底上顺序层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；从P型半导体层到部分N型半导体层进行蚀刻并在蚀刻侧壁形成倾斜；从N型半导体层处拆卸衬底；在P型半导体层下面形成反射P电极；并在倾斜侧壁形成反射薄膜且在N型半导体层上形成N电极。
在本发明的第六技术方案中，一种高输出LED的制造方法包括：在衬底上顺序层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；在P型半导体层上表面侧壁上形成具有曲率的掩模层；通过掩模层对P型半导体进行掩模并蚀刻P型半导体层至N型半导体层，从而在蚀刻的侧壁上形成倾斜凹痕；从N型半导体层处拆卸衬底；在P型半导体层下面形成反射P电极；并在倾斜侧壁上形成反射薄膜；以及在N型半导体层上形成N电极。
在本发明的第七技术方案中，一种高输出LED的制造方法包括：在衬底上顺序层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；在P型半导体层上形成若干盘形掩模层，各个掩模层相互分隔开预定的距离；通过该若干掩模层对P型半导体进行掩模并蚀刻P型半导体层至N型半导体层，从而在蚀刻的侧壁上形成倾斜；从N型半导体层处拆卸衬底，以得到在其上层叠P型半导体层、活性层以及N型半导体层的若干发光结构；在该发光结构的各个侧壁上形成反射薄膜；在该发光结构的各N型半导体层下面形成N电极；以及在该发光结构的各P型半导体层上形成P电极。
附图说明
图1为根据现有技术的LED的截面图；
图2为根据现有技术粘合到基台衬底的覆晶LED的模拟截面图；
图3a，3b，3c，3d和3e为说明和解释根据本发明的第一实施例的高输出LED制造方法的截面图；
图4为说明和解释根据本发明的第一实施例的高输出LED粘合到反射板上发光的状态的模拟截面图；
图5a，5b，5c，5d和5e为说明和解释根据本发明的第二实施例的高输出LED制造方法的截面图；
图6为说明和解释根据本发明的第二实施例的高输出LED发光的状态的模拟截面图；
图7a和7b为说明根据本发明的第三实施例的高输出LED的制造方法的透视图；
图8a和8b为根据本发明的第三实施例的掩模层的实例的平面图；
图9a和9b为说明根据本发明的第四实施例的高输出LED的制造方法的透视图；
图10a和10b为说明根据本发明的第四实施例的各个LED的电极和反射薄膜的形成过程的透视图；
图11a和11b为说明根据本发明的第四实施例的具有圆形上表面的LED和具有方形上表面的LED中的电流比较示意图。
具体实施方式
图3a至3e为说明根据本发明的第一实施例的高输出LED制造方法的截面图。
在衬底100上用N型半导体层110、活性层120和P型半导体层130顺序层叠(图3a)，并从P型半导体层130到部分N型半导体层110进行台面蚀刻，以使得其侧壁是倾斜的(图3b)。
换句话说，在图3b的步骤中，以预定的角度α1蚀刻该侧壁。
为了蚀刻该具有倾斜度的侧壁，在除被蚀刻的部分以外的P型半导体层130的上表面形成掩模层，并通过该掩模层对P型半导体层130进行掩模并进行干蚀刻以得到倾斜的侧壁。
接着，蚀刻除蚀刻的台面部分以外的N型半导体层110、活性层120和P型半导体层130的剩余侧壁以形成倾斜的侧壁(图3c)。
此时，剩余侧壁的倾斜角α2可与蚀刻台面侧壁的角度α1相同，或也可不同。作为优选，倾斜角α1，α2的范围在30度至70度。
其后，蒸发该倾斜侧壁的反射薄膜140(图3d)。该倾斜侧壁便于反射薄膜140的蒸发。作为优选，该反射薄膜140是一种防反射(AR)薄膜，用反射层层叠的薄膜，或高反射(HR)薄膜。
该HR薄膜是一种具有高反射的绝缘薄膜，本身用于反射从LED侧壁发出的光以及用于钝化该器件。
另外，AR薄膜本身是一种具有高传输因子的绝缘薄膜。尽管该AR薄膜不用作反射薄膜，但是若在其外侧形成反射薄膜，由于其具有高的光传输因子，该AR薄膜可起到良好的反射材料的作用并用于保护该器件。
作为优选，该反射薄膜用金属如银或铝制成。
最后一步，在蚀刻台面的N型半导体层110上形成N电极150而在P型半导体层上形成P电极160(图3e)。如图3e所示，前述方法可制造根据本发明的第一实施例的LED。
图4为说明和解释根据本发明的第一实施例的高输出LED粘合到反射板上发光的状态的模拟截面图。
通过从图3a至图3e的方法制造根据本发明的第一实施例的高输出LED，以这样的方式形成高输出LED，即在衬底100上用N型半导体层110、活性层120和P型半导体层130顺序层叠，从P型半导体层130到部分N型半导体层110进行台面蚀刻，蚀刻台面的侧壁和N型半导体层110、活性层120和P型半导体层130的侧壁皆倾斜，该倾斜侧壁形成有反射薄膜140，在蚀刻台面的N型半导体层110上形成N电极150，而在P型半导体层130上形成P电极160。
利用粘合材料180将如此制造的LED170粘合到反射板190的上表面。活性层120发出的光通过在LED侧壁形成的反射薄膜140反射，从而射出该器件的P型半导体层130的上面。因此，该光并没照射到该侧壁而是直接向该器件的上面前进，从而可提高光输出。
图5a至5e为说明根据本发明的第二实施例的高输出LED制造方法的截面图。
在衬底200上顺序层叠N型半导体层210、活性层220和P型半导体层230(图5a)。从P型半导体层230到N型半导体层210进行蚀刻以形成蚀刻侧壁(图5b)。蚀刻侧壁具有预定的角度α3。从N型半导体层210拆卸衬底200(图5c)。接着，在P型半导体层230下面形成反射P电极240(图5d)。在倾斜侧壁形成反射薄膜250且在N型半导体层210上形成N电极260(图5e)。作为优选，P型半导体层230的宽度W1小于N型半导体层210的宽度W2。
图6为说明根据本发明的第二实施例的高输出LED发光的状态的模拟截面图。
通过从图5a至图5e的方法制造的根据本发明的第二实施例的高输出LED是以这样的方式形成的，即在P型半导体层230上顺序层叠N型半导体层和活性层220；P型半导体层230、活性层220和N型半导体层的侧壁是倾斜的，在倾斜侧壁形成反射薄膜250，在P型半导体层230下面形成反射P电极240而在N型半导体层上形成N电极。
在这种结构的LED中，活性层220发出的光从在该LED的侧壁上形成的反射薄膜250及反射N电极240反射并发射到该器件上的N型半导体层210的外面。
因此，在本发明的第二实施例的LED中光未照射到侧壁，光直接向前并射到该器件的上面，从而可改善光输出。
图7a和7b为说明根据本发明的第三实施例的高输出LED的制造方法的透视图。
在衬底300上顺序层叠N型半导体层310、活性层320和P型半导体层330；在P型半导体层330上形成有在侧壁具有凹痕341的掩模层340(图7a)。
通过掩模层340对P型半导体层330进行掩模，并蚀刻P型半导体层330至N型半导体层310。在蚀刻的侧壁形成倾斜和凹痕(图7b)；
接着，从N型半导体层310拆卸衬底300。在P型半导体层330下部或下面形成反射P电极。倾斜侧壁形成有反射薄膜且在N型半导体层310上形成N电极。
根据本发明的第三实施例制造的高输出LED具有优点为：其倾斜侧壁形成有凹痕以增加发光面积和光输出。
换句话说，这种发光结构的侧壁形成有凹痕以允许活性层的侧壁形成凹痕，从而增加发光面积。
图8a和8b为根据涉及本发明第三实施例的技术方案的掩模层的实例的平面图。
参照图8a，该掩模层为方形层或其边缘插有各以预定的距离分开的去除区域的层。参照图8b，该掩模层是方形层或其一个边缘去除一区域的层。
掩模层可以是多角度的，或在其边缘侧壁形成有由平的或弯曲的表面结合成的凹痕，利用该掩模形成的LED侧壁的凹痕可形成平坦表面或弯曲表面。
图9a和9b为说明根据本发明的第四实施例的高输出LED的制造方法的透视图。
在衬底400上顺序层叠N型半导体层410、活性层420和P型半导体层430。在P型半导体层430上形成若干盘形掩模层440，各个掩模层相互分隔开预定的距离(图9a)。
接着，通过掩模层440对P型半导体层430进行掩模，并从P型半导体层430至N型半导体层410进行蚀刻。该蚀刻侧壁形成倾斜(图9b)。
通过图9b所描述的过程，可在该衬底400上形成若干圆柱形发光结构，各结构具有较宽的下部及较小的上部。
图10a和10b为说明根据本发明的第四实施例的各个LED上的电极和反射薄膜的形成过程的透视图。
按照图9b的方法，从N型半导体层410拆卸衬底400，并相对地定位以得到如图10a所示的用P型半导体层430、活性层420和N型半导体层410层叠的发光结构450。
该发光结构450具有圆柱形，其中P型半导体层430直径小于N型半导体层410的直径。
现在，参照图10b，发光结构450的侧壁形成反射薄膜480。P型半导体层430的下部形成P电极460而N型半导体层410上部形成N电极470。
该方法完成圆柱形LED的制造。这种圆柱形LED可允许电流均匀地流过，以使发光表面的光强度均匀，以至于在该LED应用到光源及显示器上时使感色灵敏度变得极佳。
图11a和11b为说明根据涉及本发明的第四实施例的技术方案的具有圆形上表面的LED和具有方形上表面的LED中的电流比较示意图。
具有如图11a所示的方形上表面的LED使得电流从P电极470a到P型半导体层431的边缘到达的各距离不同，导致光强度不均匀。同时，具有如图11b所示的圆形上表面的LED使得电流从P电极到P型半导体层430的边缘到达的各距离相同，导致光强度均匀。
因此，根据本发明的第四实施例的LED可使来自发光表面的光强度均匀。
从前面的描述可知，所描述的本发明的优选实施例的优点在于，LED的侧壁是倾斜的而且在该倾斜侧壁上形成反射薄膜以允许发射到侧壁外部的光从反射薄膜反射并射到该器件的上面，从而能够提高光输出而无需另外的钝化处理。
另一优点是在发光结构的侧壁形成凹痕，从而增加发光面积而提高光输出。
还有一个优点是所实施的圆柱形LED通过均匀地流过电流允许发光表面的光以均匀的强度发射。
通过参照具体实施例和附图的上述各种细节描述了本发明。本领域的技术人员容易注意到在保持本发明的教义的情况下可对本发明进行各种改变和变更。因此，上述公开可解释为仅受附后的权利要求的范围限定。

Claims (19)

1、一种高输出发光二极管(LED)，包括：
具有倾斜表面的结构，包含N型半导体层、活性层和P型半导体层；和
实质上沿所有倾斜表面设置的反射薄膜，以反射从活性层发出的光；
其中该N型半导体层、活性层和P型半导体层以叠层形式设置，所述的叠层构造成允许光从活性层射出。
2、如权利要求1所述的LED，还包括，由倾斜侧壁确定的角度，该角度的范围在30度至70度。
3、如权利要求1所述的LED，其中，该反射薄膜包括防反射(AR)薄膜，用反射层层叠的薄膜，或高反射(HR)薄膜。
4、一种高输出发光二极管(LED)，包括：
包含有N型半导体层、活性层和P型半导体层的叠层，所述叠层包括从P型半导体层到部分N型半导体层的蚀刻台面侧壁，其中该蚀刻台面侧壁和活性层的侧壁是倾斜的；
沿倾斜侧壁设置的反射薄膜；
设置在N型半导体层上的N电极；
设置在P型半导体层上的P电极；以及
附着到该叠层的衬底。
5、如权利要求4所述的LED，其中，该倾斜侧壁包括凹痕。
6、一种高输出LED，包括：
包括活性层、N型半导体层和P型半导体层的结构，其中该P型半导体层、活性层和N型半导体层包括倾斜侧壁；
沿该倾斜侧壁设置的反射薄膜；和
在该N型半导体层上设置的N电极。
7、如权利要求6所述的LED，其中，该倾斜侧壁包括凹痕。
8、如权利要求7所述的LED，其中，该凹痕包括平坦部分和弯曲部分。
9、如权利要求6所述的LED，其中该P型半导体层、活性层和N型半导体层以叠层形式设置，使得P型半导体层的直径小于N型半导体层的直径。
10、一种高输出LED的制造方法，包括：
在衬底上层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；
蚀刻台面侧壁，以使其从P型半导体层到部分N型半导体层倾斜；
对除了蚀刻的台面侧壁以外的N型半导体层、活性层和P型半导体层的剩余侧壁进行蚀刻，使其倾斜；
在倾斜侧壁上蒸发反射薄膜；以及
在蚀刻台面的N型半导体层上形成N电极，并在P型半导体层上形成P电极。
11、如权利要求10所述的方法，其中，该倾斜侧壁的倾斜的范围在30度至70度。
12、如权利要求10所述的方法，其中，该反射薄膜是防反射(AR)薄膜，用反射层层叠的薄膜，或高反射(HR)薄膜。
13、一种高输出LED的制造方法，包括：
在衬底上层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；
蚀刻从P型半导体层到部分N型半导体层的侧壁；
在蚀刻侧壁上形成倾斜；
从N型半导体层拆卸衬底；
在P型半导体层下面形成反射P电极；以及
在倾斜侧壁上形成反射薄膜且在N型半导体层上形成N电极。
14、如权利要求13所述的方法，其中，该倾斜在30度至70度的范围内。
15、如权利要求13所述的方法，其中，该反射薄膜是防反射(AR)薄膜，用反射层层叠的薄膜，或高反射(HR)薄膜。
16、一种高输出LED的制造方法，包括：
在衬底上层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；
在P型半导体层上表面侧壁上形成具有曲率的掩模层；
利用该掩模层对P型半导体进行掩模并蚀刻P型半导体层至N型半导体层，从而在该层叠的侧壁上产生倾斜和凹痕；
从N型半导体层拆卸衬底；
在P型半导体层下面形成反射P电极；
在倾斜侧壁上形成反射薄膜；以及
在N型半导体层上形成N电极。
17、如权利要求16所述的方法，其中，该掩模层包括具有凹痕的边缘侧壁，该凹痕包括平坦或弯曲部分。
18、一种高输出LED的制造方法，包括：
在衬底上层叠N型半导体层、活性层和P型半导体层；
在P型半导体层上形成若干盘形掩模层，各盘形掩模层相互分隔开预定的距离；
通过该若干掩模层对P型半导体进行掩模并从P型半导体层至N型半导体层进行蚀刻，以在叠层侧壁产生倾斜；
从N型半导体层拆卸衬底，获得包括P型半导体层、活性层以及N型半导体层的若干发光结构；
在该发光结构的侧表面形成反射薄膜；
在邻近该发光结构的各N型半导体层形成N电极；以及
在邻近该发光结构的各P型半导体层形成P电极。
19、如权利要求18所述的方法，其中，该发光结构中的P型半导体层直径小于N型半导体层的直径。
CNB2005101329587A 2004-12-31 2005-12-29 高输出发光二极管及其制造方法 Expired - Fee Related CN100517777C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040117766A KR20060077801A (ko) 2004-12-31 2004-12-31 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR1020040117766 2004-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1822400A true CN1822400A (zh) 2006-08-23
CN100517777C CN100517777C (zh) 2009-07-22

Family

ID=36129689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101329587A Expired - Fee Related CN100517777C (zh) 2004-12-31 2005-12-29 高输出发光二极管及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7939841B2 (zh)
EP (1) EP1677366B1 (zh)
JP (1) JP4721166B2 (zh)
KR (1) KR20060077801A (zh)
CN (1) CN100517777C (zh)

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101872824A (zh) * 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
CN101901861A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 索尼公司 发光二极管及其制造方法
CN101630706B (zh) * 2008-07-16 2011-02-16 玉晶光电股份有限公司 正向出光型发光二极管结构
CN101409315B (zh) * 2007-10-08 2011-07-20 杨文明 一种倒装发光二极管芯片
CN102376838A (zh) * 2010-08-06 2012-03-14 隆达电子股份有限公司 具区域保护层的发光二极管
CN102376841A (zh) * 2008-12-22 2012-03-14 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN102468394A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 佛山市奇明光电有限公司 发光二极管元件及其制造方法
CN102171847B (zh) * 2008-10-03 2013-03-13 港大科桥有限公司 半导体颜色可调谐宽带光源和全色微显示器
CN101740703B (zh) * 2009-11-30 2013-04-17 中微光电子(潍坊)有限公司 一种led芯片及其制造方法
CN103367618A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 李刚 带光反射层的半导体发光芯片
CN103390713A (zh) * 2013-07-19 2013-11-13 李刚 带光反射层的半导体发光器件
CN104350613A (zh) * 2012-04-27 2015-02-11 勒克斯维科技公司 形成具有自对准金属化堆栈的微型led器件的方法
CN105489728A (zh) * 2009-12-14 2016-04-13 首尔伟傲世有限公司 具有电极焊盘的发光二极管
CN105977353A (zh) * 2016-05-11 2016-09-28 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管
CN106129192A (zh) * 2016-07-19 2016-11-16 厦门乾照光电股份有限公司 一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺
CN106848029A (zh) * 2016-12-07 2017-06-13 华灿光电（浙江）有限公司 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法
CN107731982A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 晶能光电（江西）有限公司 一种垂直结构芯片制备方法
US10121864B2 (en) 2011-11-18 2018-11-06 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US10297712B2 (en) 2011-11-18 2019-05-21 Apple Inc. Micro LED display
CN111640832A (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 佛山紫熙慧众科技有限公司 紫外光led芯片结构
CN113066914A (zh) * 2021-04-16 2021-07-02 厦门三安光电有限公司 一种led芯片
CN114038950A (zh) * 2021-08-09 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种外延层刻蚀方法及led芯片
TWI837759B (zh) * 2021-08-06 2024-04-01 美商科銳Ｌｅｄ公司 在發光二極體晶片中用於光整形的邊緣結構

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006041460A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
KR20080030404A (ko) * 2006-09-30 2008-04-04 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 칩 제조방법
JP2009004625A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE102007046519A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
KR20100003321A (ko) 2008-06-24 2010-01-08 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
JP5340653B2 (ja) * 2008-06-25 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 色変換発光装置
US8188506B2 (en) 2008-09-30 2012-05-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR100962898B1 (ko) 2008-11-14 2010-06-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
USRE48774E1 (en) 2008-11-14 2021-10-12 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101039100B1 (ko) * 2008-12-19 2011-06-07 주식회사 오디텍 Ｌｅｎｓ 및 ｍｉｒｒｏｒ를 구비한 ｌｅｄ 패키지
US8673662B2 (en) * 2009-07-29 2014-03-18 Tien-Tsai Lin Light-emitting diode cutting method and product thereof
US9236532B2 (en) * 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
KR101028327B1 (ko) * 2010-04-15 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101729263B1 (ko) * 2010-05-24 2017-04-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2012114377A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光素子
JP5754173B2 (ja) * 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
EP2605295A3 (en) * 2011-12-13 2015-11-11 LG Innotek Co., Ltd. Ultraviolet light emitting device
WO2013105834A1 (ko) 2012-01-13 2013-07-18 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US9691944B2 (en) 2012-12-04 2017-06-27 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101420787B1 (ko) * 2012-12-04 2014-07-18 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
US9536924B2 (en) 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
DE112013005849T5 (de) 2012-12-06 2015-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende Diode und Anwendung dafür
KR102006390B1 (ko) 2013-03-11 2019-08-01 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
US9082926B2 (en) 2013-06-18 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor optical emitting device with metallized sidewalls
JP6215612B2 (ja) 2013-08-07 2017-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器
CN104821354A (zh) * 2015-05-07 2015-08-05 合肥彩虹蓝光科技有限公司 减小led芯片发光角度的方法
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
FR3044167B1 (fr) * 2015-11-20 2018-01-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes comportant au moins une diode zener
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
CN105870284B (zh) * 2016-05-09 2018-09-14 青岛杰生电气有限公司 发光二极管结构及其加工方法
JP6553541B2 (ja) * 2016-05-11 2019-07-31 日機装株式会社 深紫外発光素子
CN105932120A (zh) * 2016-06-15 2016-09-07 佛山市国星半导体技术有限公司 一种具有侧壁dbr的led芯片的制造方法
CN108269885A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 晶能光电（江西）有限公司 一种单面出光led芯片制备方法
US10937928B2 (en) * 2017-11-09 2021-03-02 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element
JP6822429B2 (ja) * 2018-02-19 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102136579B1 (ko) * 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
WO2020055061A1 (ko) * 2018-09-10 2020-03-19 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102673060B1 (ko) 2018-12-24 2024-06-10 삼성전자주식회사 마이크로 led 소자 및 마이크로 led 제조 방법
CN109545937B (zh) * 2018-12-29 2024-07-30 佛山市国星半导体技术有限公司 一种高亮度侧镀倒装led芯片及其制作方法
JP6902569B2 (ja) 2019-04-17 2021-07-14 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US20230096713A1 (en) * 2020-02-21 2023-03-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light-emiting element
KR102506449B1 (ko) * 2020-04-23 2023-03-07 삼성전자주식회사 표시 장치
KR20240034940A (ko) * 2022-09-07 2024-03-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
JPS6476786A (en) * 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Semiconductor light-emitting diode and manufacture thereof
JP2818312B2 (ja) * 1990-04-18 1998-10-30 株式会社東芝 発光素子
JPH05145118A (ja) * 1991-11-19 1993-06-11 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光素子
JP2786375B2 (ja) * 1992-06-18 1998-08-13 シャープ株式会社 発光ダイオード
JPH0645650A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Omron Corp 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
JPH06252440A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Kyocera Corp 半導体発光装置
JPH07307489A (ja) * 1994-05-13 1995-11-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JPH08139360A (ja) * 1994-09-12 1996-05-31 Showa Denko Kk 半導体ヘテロ接合材料
US5779924A (en) 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
JP2002043633A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Stanley Electric Co Ltd 白色発光ダイオ−ド
US6630689B2 (en) * 2001-05-09 2003-10-07 Lumileds Lighting, U.S. Llc Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa
JP2002344015A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2004056010A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 窒化物半導体発光素子
JP2004056034A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Sony Corp 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
GB0302580D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Univ Strathclyde MICRO LEDs
JP4212480B2 (ja) 2004-01-05 2009-01-21 日本メナード化粧品株式会社 化粧料
JP4868709B2 (ja) * 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
JP2006128659A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101409315B (zh) * 2007-10-08 2011-07-20 杨文明 一种倒装发光二极管芯片
CN101630706B (zh) * 2008-07-16 2011-02-16 玉晶光电股份有限公司 正向出光型发光二极管结构
CN102171847B (zh) * 2008-10-03 2013-03-13 港大科桥有限公司 半导体颜色可调谐宽带光源和全色微显示器
CN102376841A (zh) * 2008-12-22 2012-03-14 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN101901861A (zh) * 2009-05-29 2010-12-01 索尼公司 发光二极管及其制造方法
CN101740703B (zh) * 2009-11-30 2013-04-17 中微光电子(潍坊)有限公司 一种led芯片及其制造方法
CN105489728A (zh) * 2009-12-14 2016-04-13 首尔伟傲世有限公司 具有电极焊盘的发光二极管
CN105489728B (zh) * 2009-12-14 2018-11-16 首尔伟傲世有限公司 具有电极焊盘的发光二极管
CN101872824A (zh) * 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
CN102376838A (zh) * 2010-08-06 2012-03-14 隆达电子股份有限公司 具区域保护层的发光二极管
CN102468394A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 佛山市奇明光电有限公司 发光二极管元件及其制造方法
US10607961B2 (en) 2011-11-18 2020-03-31 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US10297712B2 (en) 2011-11-18 2019-05-21 Apple Inc. Micro LED display
US11552046B2 (en) 2011-11-18 2023-01-10 Apple Inc. Micro device transfer head assembly
US10121864B2 (en) 2011-11-18 2018-11-06 Apple Inc. Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
CN104350613A (zh) * 2012-04-27 2015-02-11 勒克斯维科技公司 形成具有自对准金属化堆栈的微型led器件的方法
CN103390713B (zh) * 2013-07-19 2016-04-13 深圳大道半导体有限公司 带光反射层的半导体发光器件
CN103367618A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 李刚 带光反射层的半导体发光芯片
CN103390713A (zh) * 2013-07-19 2013-11-13 李刚 带光反射层的半导体发光器件
CN103367618B (zh) * 2013-07-19 2016-04-13 深圳大道半导体有限公司 带光反射层的半导体发光芯片
CN105977353A (zh) * 2016-05-11 2016-09-28 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管
CN105977353B (zh) * 2016-05-11 2018-11-09 青岛杰生电气有限公司 一种紫外发光二极管
CN106129192A (zh) * 2016-07-19 2016-11-16 厦门乾照光电股份有限公司 一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺
CN106129192B (zh) * 2016-07-19 2018-05-22 厦门乾照光电股份有限公司 一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺
CN107731982A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 晶能光电（江西）有限公司 一种垂直结构芯片制备方法
CN106848029A (zh) * 2016-12-07 2017-06-13 华灿光电（浙江）有限公司 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法
CN111640832A (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 佛山紫熙慧众科技有限公司 紫外光led芯片结构
CN113066914A (zh) * 2021-04-16 2021-07-02 厦门三安光电有限公司 一种led芯片
TWI837759B (zh) * 2021-08-06 2024-04-01 美商科銳Ｌｅｄ公司 在發光二極體晶片中用於光整形的邊緣結構
CN114038950A (zh) * 2021-08-09 2022-02-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种外延层刻蚀方法及led芯片

Also Published As

Publication number Publication date
EP1677366A3 (en) 2007-04-11
CN100517777C (zh) 2009-07-22
JP2006191068A (ja) 2006-07-20
JP4721166B2 (ja) 2011-07-13
US20060145174A1 (en) 2006-07-06
US7939841B2 (en) 2011-05-10
EP1677366A2 (en) 2006-07-05
EP1677366B1 (en) 2012-02-01
KR20060077801A (ko) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1822400A (zh) 高输出发光二极管及其制造方法
CN1265333C (zh) 发光显示板及其制造方法
CN100563037C (zh) 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN1812117A (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN1933689A (zh) 面发光装置
CN1854770A (zh) 光学透镜、使用该光学透镜的发光器件组件以及背光单元
CN1497745A (zh) 用于车辆使用的波长转换元件
CN1900792A (zh) 侧光led封装和使用该侧光led封装的背光单元
KR20080010458A (ko) 전장 발광 광원
CN1816917A (zh) 具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法
CN1825647A (zh) 半导体发光器件和面发光器件
CN1461499A (zh) 显示装置及其制造方法
KR20020065893A (ko) 구형 패턴을 가지는 유기발광 다이오드
CN101060158A (zh) 表面安装器件型发光二极管
CN1254713C (zh) 照明系统和显示装置
CN200965197Y (zh) 光源装置
CN1836343A (zh) 装备有光引出元件的电致发光板
CN1956231A (zh) 偏极化发光元件
CN1452440A (zh) 场致发光光发射元件及其制造方法
CN1521863A (zh) 发光二极管的封装装置
CN1711651A (zh) 具有抗反射层的有机电致发光光源
CN101897041B (zh) 具有混合型顶部反射体的侧面发射器件
CN1836469A (zh) El器件及其制造方法以及使用了el器件的液晶显示器件
CN1877830A (zh) 发光系统、发光装置及其形成方法
CN1836468A (zh) El器件及其制造方法以及使用了el器件的液晶显示器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090722

Termination date: 20161229

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee