CN1497745A - 用于车辆使用的波长转换元件 - Google Patents

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Abstract

以下述方式形成的用于车辆使用的波长转换元件可以为前灯和雾灯提供实际使用的LED组件。该元件包括具有腔的导热基底；一个或多个安装到基底底部的芯片，和一个被设置在芯片上的波长转换部分，其将芯片发射的光转换成可见光。芯片包括衬底和由n－型薄膜、有源层和p－型GaN薄膜依次层压在衬底上组成的发光部分。芯片在其平面图上具有一个直边；在底部和腔侧面之间形成的角度大于0度并且小于90度。腔在其开口处具有一个直边。腔开口和整个面积的比率在每个芯片的平面图上被设置成小于3。

Description

用于车辆使用的波长转换元件
技术领域
本发明涉及用于车辆使用，特别是用于前灯等使用的波长转换元件，该波长转换元件利用发光二极管(以后称为“LED”)发射的光的波长，该发光二极管是由化合物半导体制成的。
背景技术
在日本公开的专利No.7-99345中公开的发明是波长转换元件的一个公知的例子。
如图12的示意性横截面图所示，由化合物半导体制成的LED的发光芯片1被安装在支架3的槽2中。LED被两种树脂的组合密封，第一种是填充槽2的内部的树脂4并且第二种是包围树脂4的树脂5。第一树脂4包括将芯片1发射的波长转换成其它波长的荧光材料或者吸收部分发射的波长的波长转换材料6诸如滤波器材料，以便提高LED的亮度和光会聚效率，因为转换后的波长被槽2的内表面反射。
如果本发明的用于车辆使用的波长转换元件被用作车辆的照明组件的光源，希望具有高发光度(1m/mm2)的LED，发光度确定灯的光学部分需要的尺寸。换言之，需要将来自LED的光通量集中在一个尽可能小的面积内。然而，在常规的白LED中，由于芯片侧面发射的激发光，具有荧光材料的区对应于发光部分，即，作为反射角的同一区域对应于发光平面。因此，LED的发光部分与在垂直于LED的光轴的平面上投射的芯片面积相比变大。换言之，LED的发光度被降低到不能够被用作车辆使用的灯组件的光源的程度。
在用于车辆使用的灯组件中，通过使用灯组件发射平面前面的反射镜和透镜来获得标准规定的光分布图形以便将发光平面投射到一个合适的位置。
在目前可用的使用卤素灯和放电灯的灯组件中，通过图13所示的反射镜和投影透镜这两个光学系统的组合来控制光分布图形。图14显示了经过的灯束的示意性的光分布图形(符合左侧驾驶的国家)，其被要求显示一个高的对比度(以后称作“切断”)。即，光不能达到高于一条近似的水平线的上部区域以便来自车辆前灯的光不会使经过的驾驶者眼花。在图13所示的例子中，切断是通过在光源和投影透镜之间插入一个屏蔽板来实现的。
然而，当使用图13所示的光学系统时，会同时产生下述缺点：
1)由于复杂的光学系统，增加了需要的部件的数量。
2)由于灯组件需要一个深的空间，所以很难使灯组件变得紧凑。
3)当使用具有亮度低于常规光源(卤素灯和HID)的LED作为光源的时候，由于放大了的光源图象被反射镜投射，因此很难获得需要的用于车辆前灯的最大的亮度。
4)灯组件的亮度通过反射镜的反射、透镜的折射和屏蔽板的屏蔽而损失。
当使用常规的白LED并且仅通过反射镜控制发出的光以便获得一个紧凑的灯组件的时候，由于LED芯片的中心部分如图15所示具有最大的亮度，稍微低于水平线的部分如图16所示具有最大的亮度。因此，不能通过常规的白LED实现明显的切断。
近来的技术革新通过使用导电衬底诸如SiC，GaN，Si和Si等来提供GaN类型的蓝色LED。当导电衬底被用于车辆使用的灯组件的蓝色LED时，衬底的一个表面通过导电粘合剂连接到基底的一个腔并且另一表面通过从设置在该另一表面的中心的电极延伸的由Au线等制成的线电气连接到支架上。由于上述的由Au等制成的延伸线连同用于车辆使用的光组件的光源的发光表面被投影到前面，因此不能得到一个良好的光分布图形。
发明内容
考虑到上述问题实现本发明以便获得一个用于车辆使用的波长转换元件，其可以被提供作为LED灯、LED雾灯等的实际上可使用的部分。
上述问题通过如下构成的发明得到解决。
(1)一种用于车辆使用的波长转换元件，包括：一个具有腔的导热基底；一个或多个安装在腔上的芯片；和安装在芯片上的波长转换部分，该波长转换部分将芯片发出的部分或全部的光转换成可见光线；其中：芯片是发光半导体并且包括至少一个能够发射UV或者蓝光的有源层；芯片在其平面图上至少具有一个直边；在腔的底部和侧面之间形成的角θ2大于0°小于90°；腔在其开口处至少具有一个直边；并且腔的开口和各个芯片的总面积在平面图中的比率被设置成小于3。
(2)根据(1)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：在腔的开口侧形成具有位于衬底的折射率和波长转换元件的折射率之间的折射率的光提取部分。
(3)根据(1)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：具有腔的基底至少具有一个直边。
(4)根据(1)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片的形状和腔的角形状在它们的平面图上为包括正方形和长方形的平行四边形。
(5)根据(4)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片的长度不同于芯片的宽度。
(6)根据(1)到(5)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片是包括倒装类型芯片的向下连接类型的芯片，并且设置在腔的底部的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极。
(7)根据(1)，(5)或(6)中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：一个或多个芯片的部分，衬底和光提取部分被涂上高反射薄膜。
(8)根据(1)，(5)到(7)中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：一个或多个芯片的部分，衬底和光提取部分被朝着腔的开口处倾斜一个锐角θ1；在芯片的周围填充惰性气体；并且在腔的开口侧形成波长转换部分。
(9)根据(2)的用于车辆使用的波长转换元件，其中：光提取部分的厚度d是通过下述等式确定的：d＝[(λ/4)+m(λ/2)]/n(λ：发射的光的波长，n：所述光提取部分的折射率，m：一个整数)。
(10)根据(1)，(5)到(8)中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：使用导电衬底的芯片通过向下连接类型的连接被安装在基底上；设置在腔底部上的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极；并且腔开口侧的电极被设置在波长转换元件的中心部分的外侧。
(11)根据(1)，(2)，(5)到(8)中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：使用导电衬底的芯片通过向下连接类型的连接被安装在基底上；设置在腔底部上的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极；在衬底上形成使用导电材料的光提取部分；并且在光提取部分上形成的电极被设置在波长转换元件的中心部分的外侧以便控制在光提取部分上形成的电极上形成的导线投射的阴影造成的影响。
附图说明
图1A和1B是表示本发明的用于车辆使用的波长转换元件的结构的放大的示意图。图1A是截面图并且图1B是平面图。
图2是表示对称成形的腔的平面图。
图3A和3B是表示实施例1的波长转换元件的结构的示意图。图3A是截面图并且图3B是平面图。
图4A和4B是表示常规波长转换元件的结构的示意图以便与实施例1相比较。图4A是截面图并且图4B是平面图。
图5A和5B是表示实施例2的波长转换元件的结构的示意图，其中腔的侧面垂直形成。图5A是截面图并且图5B是平面图。
图6A和6B是表示实施例2的波长转换元件的结构的示意图，其中腔的侧面倾斜形成。图6A是截面图并且图6B是平面图。
图7A和7B是表示实施例3的不具有光提取部分的波长转换元件的结构的示意图。图7A是截面图并且图7B是平面图。
图8A和8B是表示实施例3的具有光提取部分的波长转换元件的结构的示意图。图8A是截面图并且图8B是平面图。
图9A和9B是表示实施例4的波长转换元件的结构的示意图。图9A是截面图并且图9B是平面图。
图10是表示当在前灯中使用16个实施例4的波长转换元件时的激发的光分布图形。
图11A和11B是表示另一实施例的波长转换元件的结构的示意图。图11A是截面图并且图11B是平面图。
图12是表示常规LED的结构的示意图。
图13是表示普通前灯光学系统的结构的示意图。
图14是在经过期间前灯光束的示意性的光分布图形(符合左侧驾驶的国家)。
图15是表示具有常规形成的腔的LED的亮度分布图形的示意图。
图16是表示当在前灯中使用图15所示的LED时的光度分布图形的示意图。
图17是表示具有本发明的腔的LED的亮度分布图形的示意图。
图18是表示当在前灯中使用图17所示的LED时的光度分布图形的示意图。
具体实施方式
在进入本发明的实施例之前，将参照图1对本发明的波长转换元件的基本结构进行说明。
本发明提出用于将芯片侧面发射的光沿芯片的光轴有效地会聚的波长转换元件(芯片)的结构和用于抑止由Au等制成的导线的阴影被向前投射。
芯片T被安装在形成在导热基底诸如Cu等上的腔的底面。可以使用任何材料形成芯片T，只要芯片T中的材料发出的蓝光或紫外线光通过芯片T中的荧光材料转换成可见光。例如，以下述方式得到芯片T以便在衬底A上形成由接连生成的n型GaN薄膜，有源层和p类型的GaN薄膜构成的发光部分B。此时，可以使用各种材料作为衬底A，只要可以在其上形成GaN薄膜。为了提高芯片T的发光效率，发光部分B应该被设置地比衬底A更接近基底，即，应该选择向下连接型芯片的结构，以便可以有效地消除芯片T产生的热。出于此目的，希望使用对于有源层的发射的光具有透明特性的衬底A。当使用GaN化合物半导体作为激发光源时，SiC和GaN衬底被认为是作为衬底A的最佳衬底，这是因为本发明还考虑一种用于制造衬底A的侧面的方法以便将发射的光沿着芯片的光轴会聚。在向下连接类型的芯片中，当衬底A和分层的光提取部分C是由导电材料制成的时候，电极通常被设置在芯片T的上表面和下表面。可选地，可以使用在同一平面上形成电极p和n的倒装类型的芯片。
只要如图2中的例子①和②中所示的那样，芯片T在其平面图中包括直线，任何成形的芯片都是可以接受的。当考虑芯片的制造成本时，芯片的实际形状通常为包括正方形和矩形的平行四边形。由于前灯的光分布图形在水平方向显示一个拉长的形状，矩形的形状是优选的。当使用由SiC，GaN等制成的导电材料作为衬底A时，电极有时被设置在芯片的上表面和下表面以便减少灯组件的组装步骤。如果电极被设置在芯片的上表面的中心区域，连接到上部电极的Au线就会在路上投射一个阴影，因此无法获得一个良好的光分布图形。因此，当不使用倒装芯片类型的连接时，腔E的开口侧上的上部电极就不应该设置在中心区域，而是应该设置在如图1所示的区域以便Au线的阴影不会被投射到路上。当在光提取部分C(将在下面说明)连同导电衬底A中使用导电材料的时候，上部电极不应该被设置在光提取部分C的中心区域，而是应该设置在Au线的阴影不会被投射到路上的区域。
由于到目前为止芯片侧面发出的光很少被用于由灯组件进行分配的光，因此希望控制芯片侧面发出的光以便当芯片被用于车辆使用的波长转换元件时其被更有效地利用。下面是一种控制芯片侧面发出的光的方法。当包括衬底A的波长转换元件的侧面被涂上Ag、Al，电极包含高反射材料诸如光学薄膜等或反射膜时，激发光被会聚到波长转换部分F。下面，描述一种可选的控制方法。由于被作为衬底A的GaN和SiC具有大于2.5的折射率的事实，具有低折射率的惰性气体诸如N2被填充在芯片的周围来取代由树脂等构成的荧光材料以便增加两种折射率之间的差异。因此临界角降低，从而更容易发生全反射。因此，当在由腔E的开口处形成的平面和衬底A的侧面之间形成的衬底侧角θ1被设置为小于90°时，腔E就作为将光朝着衬底A传输的反射角。考虑到反射角的功能，大多数最佳衬底侧角都应该被设置在30°到60°之间以便有效地将激发光传输到衬底A。当衬底A被具有倾斜平面的金刚石刀片切割时，可以在衬底A上形成一个倾斜的侧面。为了进一步提高光提取效率，高反射电极G可以在芯片A的侧面以倾斜状态形成之后作为薄膜形成在发光部分B的底部。当发光部分B和/或光提取部分C像衬底A一样被切割成具有倾斜的内表面时，可以进一步提高光提取效率。
在向下连接类型芯片中，高反射电极G可以在由发光部分B的顶层组成的p型层上形成。高反射电极可以被电气连接到p型层并且与p型层向连接的部分的反射率高于50％。其通常包括Ag，Pt，Rh等。有时高反射电极G可以在将芯片T固定在基底上的焊接材料上形成，该焊接材料包括In，Ag或Sn的一种，或者可以在由形成在p型层上的Au/Sn代表的共溶剂组成的电极上形成。在非向下连接芯片中，半透明的Ni/Au电极等通常被用作p型电极。
光提取部分C可以被设置在衬底A的与发光部分B相反的一侧以便有效地在光轴方向从衬底A提取激发光。任何具有折射率在发光部分B的折射率和波长转换元件F的折射率之间的稳定的材料都可以被用作光提取部分C。例如，ITO，ZnO等都是可以使用的。由于有时光提取效率可以被干扰破坏，希望如下确定光提取部分C的厚度“d”：d＝[(λ/4)+m(λ/2)]/n(λ：发射的光的波长，n：光提取部分C的折射率，m：一个整数)。
必需在芯片的周围形成波长转换部分F用于将芯片发出的一部分光转换到其它波长以便获得由传输的芯片发射的光和波长转换部分F发射的光组成的或者由波长转换部分F发射的光组成的白光。虽然没有将任何特殊的材料规定为波长转换材料，当要激发的光源的波长落入蓝光区时使用YAG类型的荧光材料，当光源的波长落入比蓝光区短的区时，用于紫外线的三色混合的荧光材料被用作波长转换材料。
波长转换部分F可以如图1所示的被设置在整个腔E中或者腔E的上部。将波长转换部分F设置在腔E的上部的一种方法是通过下述方式实现的。能够转换芯片发射的光的荧光材料被与树脂诸如硅树脂混合并且混合的树脂在被硬化之前沉淀在芯片T的上部。可选地，包含荧光材料的树脂可以被用于芯片的上部。
必需采取措施通过尽可能减小腔E的尺寸而不降低光提取率来提高芯片的发光度。具有任何形状的腔E都是可以接受的，只要光发射部分B的侧面发出的光可以被传输到波长转换元件部分F。但是腔E的开口应该在其平面图上至少具有一个直边。当腔E的开口区域小于芯片T在其平面图上的投影区域的3倍时，发光度被提高。然而最佳的是将开口区域设置成小于2倍。
由一个芯片T诸如LED组成的波长转换元件的基本结构就被解释到这里，但是也适用于由多个芯片组成的多芯片。
在腔E的底部和腔E的侧面之间形成的角θ2可以被设置在0°和90°之间的任何角度，只要开口的尺寸被设置在上述条件内。从制造成本和可靠性的角度，希望垂直地形成腔E的侧面。
包括腔E的基底在其平面图上至少具有一个直边以便其被安装到灯组件时不会被转动一个不期望的方向，由此可以获得一个期望的光分布图形。
下面说明基于上述基本结构组成的多个实施例。当与图15所示的常规芯片比较时，本发明的具有在图17中示意地说明的形状的用于车辆的波长转换元件在整个芯片上显示出了更高的亮度，其表示光通量被集中在一个小的区域。因此，本发明与常规芯片(见图16)相比获得了一个如图18所示的明显的切断。
[实施例1]
参照图3A和3B说明本实施例。
图3A和3B是表示用于车辆使用的LED灯的波长转换元件的结构的示意图。图3A是截面图并且图3B是平面图。
由在SiC衬底上生长的分层的GaN薄膜组成的LED装置被制造成芯片T1。芯片T1具有1mm乘2mm的面积和0.3mm的高度并且发射具有波长为470nm的激发光。为本芯片选择倒装类型的芯片。混合有YAG:Ce荧光剂的硅树脂被用来填充腔E1以便获得白光，其彩色座标如下：X＝0.31并且Y＝0.32。
如图3A和3B所示的本发明的芯片T1的腔E1具有1.1mm乘2.1mm的底部并且在腔的侧面和底部之间的角度是垂直的。
为了比较本发明和常规芯片之间的性能，使用了其中具有与上述芯片T1相同成分的树脂的常规类型的芯片。图4A和4B是表示常规芯片的示意图。图4A是截面图并且图4B是平面图。
如图4A和4B所示，常规芯片的腔Ex具有直径为3.0mm的圆形的底部和倾斜角为45°的侧面。
比较了由上述芯片组成的用于车辆使用的灯的性能。没有向灯组件附加透镜的情况下测量的性能数据如图1所示。
表1
常规LED(图4A，4B)  实施例1(图3A，3B)
光通量 36.4lm  30.5lm
腔开口面积 12.6mm2  2.3mm2
发光度 2.89lm/mm2  13.3lm/mm2
通过表1中的数据可以知道，当使用更会聚和更小的腔E1时提高了发光度，因此实施例1被认为是用于车辆使用的一个极好的波长转换元件。
[实施例2]
由生长在SiC衬底上的分层的GaN薄膜构成的LED装置被制造成如图5A和5B所示的芯片T2，和如图6A和6B所示的T3。芯片T2和T3每个具有1mm乘1mm的面积和0.3mm的高度并且发射具有波长为470nm的激发光。为两个芯片选择倒装芯片类型的连接。芯片T2的侧面垂直形成并且芯片的整个侧面相对于芯片T3的底部倾斜45°。图5A和5B所示的腔E2具有1.1mm乘1.1mm的底部并且图6A和6B所示的腔E3具有0.5mm乘0.5mm的底部和1.1mm乘1.1mm的腔开口。混有YAG:Ce荧光材料的硅树脂被填充在图5A和5B所示的芯片T2的腔E2中以便获得白光。N2气体被填充在图6A和6B所示的芯片T3的周围并且涂有包括与芯片T2的相同的荧光材料的溶液的石英玻璃板作为波长转换部分F1被用于芯片T3的上半部以便石英玻璃板的涂敷侧被紧密地与芯片T3接触。调节荧光材料的厚度和浓度以便在两个芯片T2和T3中获得彩色座标：X＝0.32和Y＝0.31。在没有向灯组件附加透镜的情况下测量芯片T2和T3的性能并且获得数据如表2所示。
表2
有垂直侧面的芯片(图5A，5B) 有倾斜侧面的芯片(图6A，6B)
光通量 17.2lm 21.6lm
腔开口面积 1.2mm2 1.2mm2
发光度 14.3lm/mm2 18.0lm/mm2
比较表2中的数据，可以肯定当芯片T3的侧面倾斜并且在腔E3周围填充N2气体时可以提高发光度。
[实施例3]
由生长在SiC衬底上的分层的GaN薄膜构成的LED装置被制造成如图7A和7B所示的芯片T4，和如图8A和8B所示的T5。芯片T4和T5每个具有1mm乘2mm的面积和0.3mm的高度并且发射具有波长为470nm的激发光。为两个芯片选择倒装芯片类型的连接。芯片T4和T5的腔的侧面被垂直形成。腔E4和E4每个具有1.1mm乘2.1m的底部。图7A和7B表示了不在T4中使用光提取部分C1。在图8A所示的芯片T5上形成由ITO制成的光提取部分C1，其还用作电流扩散层。混有YAG:Ce荧光材料的硅树脂被填充在两个腔E4和E4中以便获得白光。调节荧光材料的厚度或浓度以便在两个芯片T4和T5中获得彩色座标：X＝0.32和Y＝0.31。在没有向灯组件附加透镜的情况下测量芯片T4和T5的性能并且获得数据如表3所示。
表3
没有光提取部分(图7A，7B)  具有光提取部分(图6A，6B)
光通量 30.2lm  35.2lm
腔开口面积 2.3mm2  2.3mm2
发光度 13.1lm/mm2  15.3lm/mm2
从表3中的数据，可以肯定通过光提取部分C1提高了发光度。
[实施例4]
由生长在SiC衬底上的分层的GaN薄膜构成的LED装置被制造成如图9A和9B所示的芯片T6。芯片T6具有1mm乘1mm的面积和0.3mm的高度并且发射具有波长为470nm的激发光。为该芯片选择倒装类型的连接。芯片T6的腔的侧面被垂直形成。腔E5具有1.2mm乘1.2m的底部。在芯片T6中没有设置光提取部分。混有YAG:Ce荧光材料的硅树脂被填充在腔E5中以便获得白光。调节荧光材料的厚度或浓度以便在芯片T6中获得彩色座标：X＝0.32和Y＝0.31。在没有向灯组件附加透镜的情况下测量芯片T6的性能并且获得数据如表4所示。
表4
  有垂直侧面的芯片(图9A，9B)
  光通量   16.1lm
  腔开口面积   1.44mm2
  发光度   11.2lm/mm2
从表4中的数据，可以肯定即使芯片的侧面没有倾斜形成也能够获得足够的发光度。
图10中所示的光分布图形通过以下述方式实现的模拟试验来获得：使用图9A和9B所示的16个芯片和经过优化的反射镜的用于车辆的前灯使用的灯组件应该向前发射一个光束。从图10中的光分布图形可以肯定当该芯片被使用在灯组件中时可以实现清晰的切断。
[实施例5]
图11A和11B是其中设置了芯片的用于车辆使用的LED灯的例子。
LED装置被设置成由两个安装在基底上的芯片T7构成的多类型芯片。每个芯片由生长在SiC衬底上的分层的GaN薄膜组成。芯片T7具有0.9mm乘0.9mm的面积和0.3mm的高度并且发射具有波长为470nm的激发光。为该芯片选择倒装芯片类型的连接。芯片T7的腔的侧面被垂直形成。腔E6具有1.1mm乘2.1mm的底部。两个芯片T7被设置在腔E6中，其中芯片T7和腔E6的侧面之间的距离以及两个芯片T7之间的距离被设置在100μm。混有YAG:Ce荧光材料的硅树脂被填充在腔E6中以便获得白光。调节荧光材料(未显示在图11A和11B中)的厚度或浓度以便获得彩色座标：X＝0.32和Y＝0.31。在没有向灯组件附加透镜的情况下测量图11A和11B中表示的LED装置的性能并且获得数据如表5所示。
表5
多类型芯片(图11A，11B)
光通量 28.2lm
腔开口面积 2.3mm2
发光度 12.3lm/mm2
从表5中的数据，可以肯定通过使用多类型芯片获得足够的发光度。这意味着由于可以通过使用多个LED装置实现用于前灯的足够的发光度和光强度，LED装置可以被用于车辆使用的前灯的光源。
如上所述，由于从芯片侧面发射的光在芯片中被发散成光束和导线诸如Au线等的阴影可以被防止投射到前面，本发明可以提供芯片作为可使用在LED前灯和LED雾灯中的实际的产品。由于本发明的芯片的一些侧面和腔是在一条直线上形成的，车辆的前灯可以被形成以便防止前灯发射的光到达对面路上的司机。虽然腔开口的面积被设置成小于发光部分的最大面积的两倍，仍然可以获得足够的光通量发散率。此外，由于腔底部和腔侧面之间的角度θ2可以被设置在大于0°小于90°的范围，可以提供各种类型的用于车辆使用的LED装置。
并且，由于本发明的LED装置的基底至少具有一个直的部分，作为光源的LED装置通过其直的部分连接到灯组件，腔不会以错误的角度安装到灯组件。因此，基底的直的部分具有防止由于LED的基底和灯组件的安装角度的偏差而获得不期望的光分布图形的作用。

Claims (11)

1.一种用于车辆使用的波长转换元件，包括：一个具有腔的导热基底；一个或多个安装在腔上的芯片；和安装在芯片上的波长转换部分，该波长转换部分将芯片发出的部分或全部的光转换成可见光线；其中芯片是发光半导体并且包括至少一个能够发射UV或者蓝光的有源层；芯片在其平面图上至少具有一个直边；在腔的底部和侧面之间形成的角θ2大于0°小于90°；腔在其开口处至少具有一个直边；并且腔的开口和平面图中各个芯片的总的面积的比率被设置成小于3。
2.根据权利要求1的用于车辆使用的波长转换元件，其中：在腔的开口侧形成具有位于衬底的折射率和波长转换元件的折射率之间的折射率的光提取部分。
3.根据权利要求1的用于车辆使用的波长转换元件，其中：具有腔的基底至少具有一个直边。
4.根据权利要求1的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片的形状和腔的角形状在它们的平面图上为包括正方形和长方形的平行四边形。
5.根据权利要求4的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片的长度不同于芯片的宽度。
6.根据权利要求1或5的用于车辆使用的波长转换元件，其中：芯片是包括倒装类型芯片的向下连接类型的芯片，并且设置在腔的底部的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极。
7.根据权利要求1，5或6中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：一个或多个芯片的部分，衬底和光提取部分被涂上一层高反射薄膜。
8.根据权利要求1，5到7中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：一个或多个芯片的部分，衬底和光提取部分被朝着腔的开口处倾斜一个锐角θ1；在芯片的周围填充惰性气体；并且在腔的开口侧形成波长转换部分。
9.根据权利要求2的用于车辆使用的波长转换元件，其中：光提取部分的厚度d是通过下述等式确定的：d＝[(λ/4)+m(λ/2)]/n(λ：发射的光的波长，n：所述光提取部分的折射率，m：一个整数)。
10.根据权利要求1，5到8中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：使用导电衬底的芯片通过向下连接类型的连接被安装在基底上；设置在腔底部上的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极；并且腔开口侧的电极被设置在波长转换元件的中心部分的外侧。
11.根据权利要求1，2，5到8中的一个用于车辆使用的波长转换元件，其中：使用导电衬底的芯片通过向下连接类型的连接被安装在基底上；设置在腔底部上的电极具有包含Al，Ag，Rh和Pt的一个的高反射电极；在衬底上形成使用导电材料的光提取部分；并且在光提取部分上形成的电极被设置在波长转换元件的中心部分的外侧以便控制在光提取部分上形成的电极上形成的导线投射的阴影造成的影响。
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