KR20070093271A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는 상부면의 개구부와 하부면의 개구부 사이에 소정의 공간을 이루는 내측면을 구비한 기판; 상기 기판의 하부면 개구부에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 제 1 n-형 질화물층; 상기 제 1 n-형 질화물층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 p-형 질화물층; 상기 p-형 질화물층 위에 형성된 제1전극; 및 상기 버퍼층 아래에 형성된 제2전극을 포함한다.
본 발명에 의하면, 질화물 반도체에서의 발광 효율을 개선한 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있으며, 기판과 질화물층 사이의 격자 부정합에 의해 발생하는 전위와 같은 결함을 방지하고 다른 층으로 전위가 전달되지 않게 하여 질화물 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{Nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof}
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자의 일예를 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따라 질화물 반도체 발광소자를 형성하는 과정을 설명하기 위한 발광소자의 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 질화물 반도체 발광소자의 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110, 210: 기판 120, 220: GaN 버퍼층
130, 230: Undopped GaN 층 140, 240: 제 1 n-GaN 층
150, 250: 활성층 160, 260: p-GaN 층
170, 270: 제 2 n-GaN 층 180, 280: 제2전극
190, 290: 제1전극
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 질화물 반도체에는 예를 들어 GaN계 질화물 반도체를 들 수 있고, 이 GaN계 질화물 반도체는 그 응용분야에 있어서 청색/녹색 LED의 광소자, MESFET과 HEMT 등의 고속 스위칭과 고출력 소자 등에 응용되고 있다. 특히, 청색/녹색 LED 소자는 이미 양산화가 진행된 상태이며 전 세계적인 매출은 지수함수적으로 증가하고 있는 상황이다.
특히, GaN계 질화물 반도체의 적용 분야중 발광다이오드 및 반도체 레이저 다이오드 등의 발광 소자의 분야에서 마그네슘, 아연 등의 2족 원소가 GaN계 질화물 반도체의 Ga 위치에 도핑된 결정층을 가진 반도체 발광소자는 청색 발광하는 소자로서 주목받고 있다.
이와 같은 GaN계 질화물 반도체는 도 1에 도시된 바와 같이 다중 양자웰구조를 가진 발광소자를 예로 들 수 있고, 이 발광소자는 주로 사파이어 또는 SiC로 이루어진 기판(1) 위에서 성장된다. 그리고, 저온의 성장 온도에서 사파이어 또는 SiC의 기판(1) 위에 예를 들어, AlyGa1 - yN층의 다결정 박막을 버퍼층(2)으로 성장시킨 후, 고온에서 상기 버퍼층(2) 위에 GaN층(3)이 순차 적층되어 있다. GaN층(3) 상에는 발광을 위한 활성층(4)이 배치되어 있고, 활성층(4) 상에는 각각의 마그네슘이 도핑된 AlGaN 전자 배리어층(5), 마그네슘이 도핑된 InGaN 층(6), 및 마그네슘이 도핑된 GaN 층(7)이 순차 적층되어 있다.
또한, 마그네슘이 도핑된 GaN 층(7) 및 GaN 하지층(3) 상에는 절연막이 형성되고 각각 대응하는 P-전극(9)과 N-전극(10)이 형성되어 GaN계 질화물 반도체 발광 소자를 형성한다.
이와 같은 종래의 GaN계 질화물 반도체는 P-전극(9)과 N-전극(10)이 일측면에 대해 형성되기 때문에 전원공급이 원활하지 못하고, 저온 성장 버퍼층 위에 GaN층을 바로 고온 성장시키게 되면 많은 양의 결정성 결함이 고온 성장 GaN층으로 전파되어 전위(dislocation)라고 하는 결함이 발생한다. 따라서, 이러한 전위 없는 GaN층을 성장시키기 위해 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth)법(ELO(Epitaxial Of Lateral Overgrowth)법이라고도 함) 또는 펜디오-에피택시(pendeo-epitaxy)법을 사용하였다.
하지만, 격자 부정합에 의한 결함을 감소시키기 위해 LEO법 또는 펜디오 에피택시법 등을 사용한다고 할지라도 전위와 같은 결함을 현저하게 감소시킬 수 없으며 공정의 추가로 인해 공정이 복잡해지고 제조비용이 상승하는 문제가 있다. 따라서, 당 기술분야에서는 사파이어 기판과 GaN 등의 질화물 반도체 물질 사이의 격자 부정합에 의해 발생하는 전위와 같은 결함을 방지하고 이를 통해 전기적, 광학적 특성이 우수한 새로운 질화갈륨(GaN) 반도체 발광소자 및 그 제조방법이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 구조를 구현하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 질화물 반도체의 전위 등의 결함을 감소시킨 발광소자를 제조함으로써, 질화물 반도체 발광소자의 발광효율과 신뢰도를 향상시키는 데 있다.
본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는 상부면의 개구부와 하부면의 개구부 사이에 소정의 공간을 이루는 내측면을 구비한 기판; 상기 기판의 하부면 개구부에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 제 1 n-형 질화물층; 상기 제 1 n-형 질화물층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 p-형 질화물층; 상기 p-형 질화물층 위에 형성된 제1전극; 및 상기 버퍼층 아래에 형성된 제2전극을 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는 상기 p-형 질화물층과 상기 제1전극 사이에 제 2 n-형 질화물층을 더 포함하고, 상기 기판에서 소정의 공간은 상기 상부면의 개구부로부터 상기 하부면의 개구부로 소정 각도로 경사진 상기 내측면으로 이루어진 공간이다.
본 발명에 의한 질화불 반도체 발광소자의 제조 방법은 상부면의 개구부와 하부면의 개구부 사이에 소정의 공간을 이루는 내측면을 구비한 기판을 형성하는 기판 형성단계; 상기 기판의 하부면 개구부에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계; 상기 버퍼층 위에 제 1 n-형 질화물층을 형성하는 제 1 n-형 질화물층 형성단계; 상기 제 1 n-형 질화물층 위에 발광을 위한 활성층을 형성하는 활성층 형성단계; 상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 p형 질화물층 형성단계; 및
상기 p형 질화물층 위에 제1전극을 형성하고, 상기 버퍼층 외측에 제2전극을 형성하는 전극 형성단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세하게 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 종래의 질화물 반도체 발광소자와는 상이한 구조의 발광소자로서, 소정의 내부구조로 형성된 기판을 이용하고 기판의 내부구조에 npn 접합구조, 즉 n-형 질화물 반도체층, 활성층, p-형 질화물 반도체층, n-형 질화물 반도체층을 형성하여, 활성층에서 생성된 광이 외부로 발광되도록 구성된 새로운 구조의 발광소자를 제안한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 사파이어 또는 SiC로 이루어진 기판(110)에 대해 마스크와 에칭방법을 이용하여, 상측 개구부가 하측 개구부보다 크고 중공(中空)인 측단면과 원형 또는 사각형인 형태로 형성된 상부 단면을 가지는 구조를 기판(110)에 다수 형성한다.
여기서, 기판(110)에 대한 에칭방법에는 대표적으로 습식에칭인 이방성 습식에칭(anisotropy wet-etching)을 들 수 있고, 이 이방성 습식에칭의 에칭 용액(Etching Solution)으로는 예를 들어, 불산(HF)을 사용한다.
또한, 상기 상측 개구부와 하측 개구부는 건식 식각(Dry etching)에 의하여 형성될 수도 있는데, 습식 에칭 시, 등방성 식각으로 인하여 수평과 수직이 같은 비율로 식각되므로, 이러한 경우 건식 식각이 이용될 수 있다.
건식 식각은 기판(110) 표면에 이온 충격에 의한 물리적 방법이나 플라즈마 속에서 발생된 반응 물질들의 화학 작용, 혹은 이온, 전자, 광자 등에 의하여 이루어지는 화학작용으로서 물리적 화학적 두 현상이 동시에 적용된 방법에 의하여 처리될 수 있다.
이와 같이 형성된 기판(110)의 하측 개구부에는 도 2b에 도시된 바와 같이 GaN 버퍼층(120)을 성장시킨다. 구체적으로, GaN 버퍼층(120)의 성장을 위해서 소정 챔버, 예를 들어 MOCVD 리액터(도시되지 않음)에 상측 개구부와 하측 개구부가 형성된 기판(110)을 장착하고, 기판(110)의 하측 개구부에 대해 NH3은 예컨대, 4.0×10-2 몰/분으로, 트리메탈갈륨(TMGa)은 1.0×10-4 몰/분으로 공급하여 약 400Å의 두께로 GaN 버퍼층(120)을 성장시킬 수 있다.
이어서, 소정의 성장온도에서 GaN 버퍼층(120) 상에 NH3와 트리메탈갈륨(TMGa)을 공급하여, 도 2c에 도시된 바와 같이 소정 두께로 도펀트를 포함하지 않은 Undopped GaN층(130)을 GaN 버퍼층(120) 상에 형성한다.
Undopped GaN층(130)을 GaN 버퍼층(120) 상에 형성한 후, 도 2c에 도시된 바와 같이 도핑되지 않은 Undopped GaN층(130) 상에 n형 도펀트를 포함한 제 1 n-GaN 층(140)을 형성하는데, 예를 들어 NH3, TMGa, 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스를 공급하여 제 1 n-GaN 층(140)을 형성하게 된다.
이렇게 제 1 n-GaN 층(140)을 형성한 후, 제 1 n-GaN 층(140) 위에 활성층(150)과 p-GaN 층(160)을 형성한다.
활성층(150)의 성장을 위해서, 예를 들어 780℃의 성장온도에서 질소를 캐리어 가스로 사용하여 NH3, TMGa, 및 트리메틸인듐(TMIn)을 공급하여, InGaN로 이루어진 활성층(150)을 30Å 내지 300Å의 두께로 성장시킨다. 이때, 활성층(150)의 조 성은 InGaN의 각 원소성분의 몰 비율에 차이를 두고 성장시킨 적층 구성일 수 있다.
활성층(150)이 형성된 후, 활성층(150)상에 p-GaN층(160)을 수천 Å의 두께로 성장시킨다.
p-GaN층(160)은 예를 들어, 수소를 캐리어 가스로 하여 1000℃로 분위기 온도를 높여 TMGa, 트리메틸알루미늄(TMA), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}), 및 NH3을 공급하여 AlGaN과 같은 p-GaN층으로 형성될 수 있다.
이어서, p-GaN층(160)의 정공 농도가 최대가 되도록 소정 온도로 p-GaN층(160)을 열처리하여 정공 농도를 상승시킨다.
계속해서, p-GaN층(160)위에 제 2 n-GaN층(170)을 수십Å으로 형성시키기 위해서, p-GaN층(160)위에 대해 NH3, TMGa, 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스를 공급하여 수십Å 의 제 2 n-GaN층(170)을 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 제 2 n-GaN층(170)과 GaN 버퍼층(120)에 대해 각각 제1전극(190)과 제2전극(180)을 형성한다. 여기서, 제2전극(180)은 GaN 버퍼층(120)의 외측면의 일부 또는 전면 상에 전도성 재질의 금속전극 예를 들어, 티탄(Ti)으로 구현되고, 제1전극(190)은 제 2 n-GaN층(170) 상에 형성된다.
이때, 제1전극(190)은 투명 전극으로 이루어질 수 있으며 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 하나 이상의 재질로 형성될 수 있다.
제1전극(190)과 제2전극(180)을 형성한 후, 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 각각의 제1전극(190)과 제2전극(180)을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 분리할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 도 1에 도시된 종래의 질화물 반도체 발광소자와는 상이하게, 제1전극(190)과 제2전극(180) 사이의 전류공급경로가 일직선으로 이루어지게 되어 활성층(150)에 균일한 전류공급이 가능해지고, 종래의 높은 역전압에 의한 활성층의 파괴를 방지하여 질화물 반도체 발광소자의 ESD(Electro-Static Discharge) 특성을 강화할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 상세하게 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자로서, 도 3에 도시된 바와 같이 사파이어 또는 SiC로 이루어진 기판(210)에 대해 마스크와 에칭방법을 이용하여, 상측 개구부가 하측 개구부보다 크고 소정 각도로 경사진 내측면을 구비하며 원형 또는 사각형인 형태로 형성된 상부 단면을 가지는 구조를 기판(210)에 형성한다.
이와 같은 구조로 형성된 기판의 내부구조에 npn 접합구조, 즉 n-형 질화물 반도체층, 활성층, p-형 질화물 반도체층, n-형 질화물 반도체층을 형성하여, 활성층에서 생성된 광이 경사진 내측면을 따라 외부로 반사 발광하도록 구성된 새로운 구조의 발광소자이다.
도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 도 2a 내지 도 2d에 도시된 질화물 반도체 발광소자와 상이하게, 사파이어 또는 SiC로 이루어진 기판(210)에 대해 포토 마스크와 이방성 습식에칭(anisotropy wet-etching) 방법을 이용하여, 상측 개구부가 하측 개구부보다 크고 소정 각도로 경사진 내측면과 원형 또는 사각형인 형태로 형성된 상부 단면을 가지는 구조를 기판(210)에 다수 형성한다. 여기서, 기판(110)에 대한 이방성 습식에칭의 에칭 용액(Etching Solution)으로는 예를 들어, 불산(HF)을 사용한다.
여기서, 기판(210)의 내부는 상부면에 대해 소정 각도 예컨대, 10도 내지 80도의 각도 범위에서 바람직하게는 30도로 경사진 내측면을 가진 원통형, 사각통형 또는 역메사형으로 형성한다.
이와 같이 형성된 기판(210)의 하측 개구부에는 도 3에 도시된 바와 같이 GaN 버퍼층(220)을 성장시킨다. 도 2d의 GaN 버퍼층(120)과 유사하게, GaN 버퍼층(220)의 성장을 위해서 소정 챔버, 예를 들어 MOCVD 리액터(도시되지 않음)에 상측 개구부와 하측 개구부가 형성된 기판(210)을 장착하고, 기판(210)의 하측 개구부에 대해 NH3은 예컨대, 4.0×10-2 몰/분으로, 트리메탈갈륨(TMGa)은 1.0×10-4 몰/분으로 공급하여 약 400Å의 두께로 GaN 버퍼층(220)을 성장시킬 수 있다.
이어서, 소정의 성장온도에서 GaN 버퍼층(220) 상에 NH3와 트리메탈갈륨(TMGa)을 공급하여, 소정 두께로 도펀트를 포함하지 않은 Undopped GaN층(230)을 GaN 버퍼층(220) 상에 형성한다.
Undopped GaN층(230)을 GaN 버퍼층(220) 상에 형성한 후, Undopped GaN층 (230) 상에 n형 도펀트를 포함한 제 1 n-GaN 층(240)을 형성하는데, 예를 들어 NH3, TMGa, 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스를 공급하여 제 1 n-GaN 층(240)을 형성하게 된다.
이렇게 제 1 n-GaN 층(240)을 형성한 후, 제 1 n-GaN 층(240) 위에 활성층(250)과 p-GaN 층(260)을 형성한다.
활성층(250)의 성장을 위해서, 예를 들어 780℃의 성장온도에서 질소를 캐리어 가스로 사용하여 NH3, TMGa, 및 트리메틸인듐(TMIn)을 공급하여, InGaN로 이루어진 활성층(250)을 30Å 내지 300Å의 두께로 성장시킨다. 이때, 활성층(250)의 조성은 InGaN의 각 원소성분의 몰 비율에 차이를 두고 성장시킨 적층 구성일 수 있다.
활성층(250)이 형성된 후, 활성층(250)상에 p-GaN층(260)을 수천Å의 두께로 성장시킨다.
p-GaN층(260)은 예를 들어, 수소를 캐리어 가스로 하여 1000℃로 분위기 온도를 높여 TMGa, 트리메틸알루미늄(TMA), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}), 및 NH3을 공급하여 AlGaN과 같은 P-GaN층으로 형성될 수 있다. 여기서, p-GaN층(260)의 정공 농도가 최대가 되도록 소정 온도로 p-GaN층(260)을 열처리하여 정공 농도를 상승시킨다.
계속해서, p-GaN층(260)위에 제 2 n-GaN층(270)을 수십Å으로 형성시키기 위해서, p-GaN층(260)에 대해 NH3, TMGa, 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스 를 공급하여 수십Å의 제 2 n-GaN층(270)을 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 제 2 n-GaN층(270)과 GaN 버퍼층(220)에 대해 각각 제1전극(290)과 제2전극(280)을 형성한다. 여기서, 제2전극(280)은 GaN 버퍼층(220)의 외측면의 일부 또는 전면 상에 오믹 특성 및 투과 특성이 좋은 금속 재질 예를 들어, 티탄(Ti)으로 이루어진 N-전극(280)으로 구현되고, 제1전극(290)은 제 2 n-GaN층(270)에 형성된다. 이때, 제1전극(290)은 투명전극으로 형성될 수 있는데, 가령 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 하나 이상의 재질로 형성될 수 있다.
제1전극(290)과 제2전극(280)을 형성한 후, 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 각각의 제1전극(290)과 제2전극(280)을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 분리한다.
이와 같이 형성된 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 활성층(250)에서 생성된 광이 기판(210)의 경사면에서 반사되어 외부 발광효율이 증가하게 된다. 따라서, 종래의 질화물 반도체 발광소자에서의 낮은 외부추출효율(External extraction effidiency)에 대한 문제를 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 기판과 GaN 등의 질화물 반도체 물질 사이의 격자 부정합에 의해 발생하는 전위와 같은 결함을 방지하고 다른 층으로 전위가 전달되지 않게 할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상부에 n형 질화물층과 같은 n형 반도체층이 형성되고, 하부에 p형 반도체층과 n형 반도체층이 형성된 NPN 접합구조의 반도체 발광소자를 예로서 설명하였으나, p형 반도체층 위에 n형 반도체층이 구비되지 않은 PN 접합구 조의 반도체 발광소자도 가능하다.
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 질화물 반도체에서의 발광 효율을 개선한 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판과 질화물층 사이의 격자 부정합에 의해 발생하는 전위와 같은 결함을 방지하고 다른 층으로 전위가 전달되지 않게 하여 질화물 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 상부면의 개구부와 하부면의 개구부 사이에 소정의 공간을 이루는 내측면을 구비한 기판;
    상기 기판의 하부면 개구부에 형성된 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성된 제 1 n-형 질화물층;
    상기 제 1 n-형 질화물층 위에 형성된 활성층;
    상기 활성층 위에 형성된 p-형 질화물층;
    상기 p-형 질화물층 위에 형성된 제1전극; 및
    상기 버퍼층 아래에 형성된 제2전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 p-형 질화물층과 상기 제1전극 사이에 제 2 n-형 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판에서 소정의 공간은 상기 상부면의 개구부로부터 상기 하부면의 개구부로 소정 각도로 경사진 상기 내측면으로 이루어진 공간인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 소정 각도는 상기 하부면의 개구부에 형성된 버퍼층의 면에 대해 10도 내지 90도의 각도 범위인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2전극은 상기 버퍼층의 하측면과 상기 기판의 하부면을 포함하는 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1전극은 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 상부면의 개구부와 하부면의 개구부 사이에 소정의 공간을 이루는 내측면을 구비한 기판을 형성하는 기판 형성단계;
    상기 기판의 하부면 개구부에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계;
    상기 버퍼층 위에 제 1 n-형 질화물층을 형성하는 제 1 n-형 질화물층 형성단계;
    상기 제 1 n-형 질화물층 위에 발광을 위한 활성층을 형성하는 활성층 형성단계;
    상기 활성층 상에 p형 질화물층을 형성하는 p형 질화물층 형성단계; 및
    상기 p형 질화물층 위에 제1전극을 형성하고, 상기 버퍼층 외측에 제2전극을 형성하는 전극 형성단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 p형 질화물층과 상기 제1전극 사이에 제 2 n-형 질화물층을 형성하는 제 2 n형 질화물층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 상부면의 개구부로부터 상기 하부면의 개구부로 소정 각도로 경사진 상기 내측면으로 이루어진 공간인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 소정 각도는 상기 하부면의 개구부에 형성된 버퍼층 면에 대해 10도 내지 90도의 각도 범위인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  11. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제2전극은 상기 버퍼층의 하측면과 상기 기판의 하부면을 포함하는 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  12. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제1전극은 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
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