JPH11135507A

JPH11135507A - 導電層の形成方法および液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11135507A
Application number: JP29660497A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Takahashi; 義広高橋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-10-29
Filing date: 1997-10-29
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗配線や反射率の極めて高い反射電極な
どの微細加工を極めて容易に行うことが可能な導電層の
形成方法と、これらを用いて効率良く製造することが可
能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】銀を用いた導電層の形成方法において、
絶縁物上に銀薄膜を形成する工程と、前記銀薄膜の一部
を銀化合物に変化させる工程と、前記銀化合物に変化さ
せた部分を、前記銀薄膜を溶解しないエッチャントを用
いて溶解除去する工程と、を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、銀薄膜からなる導
電層の形成方法および液晶表示装置の製造方法に関する
ものであり、特に、絶縁性基板やシリコン基板などを含
む絶縁物上における銀薄膜のエッチング方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年では、ＩＣやＬＳＩに代表される半
導体素子や、これらの半導体素子を組み込んだ電子機
器、あるいは家庭電化製品などが開発されて、市場で大
量に販売されている。現在では、テレビ受像機は勿論の
こと、ＶＴＲやパーソナルコンピューターなども広く一
般に普及しており、これらはさほど珍しいものではなく
なってきている。中でも、ノート型パーソナルコンピュ
ータなどに用いられ、薄型で軽量、かつ低消費電力であ
る利点を有するディスプレイとしての液晶表示装置が注
目を集めている。

【０００３】特に、各画素毎に薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する。）などのスイッチング素子を設け
て、各画素を制御するようにしたアクティブマトリクス
型の液晶表示装置は、解像度が優れており、鮮明な画像
が得られることなどの理由から注目されている。

【０００４】以下、ＴＦＴあるいはアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置を半導体素子や半導体素子を組み込
んだ電子機器の代表例として説明する。

【０００５】近年の液晶表示装置では、上述したノート
型パーソナルコンピュータのように携帯用途が進む一方
で、情報量の増大に伴う高精細化も進んでいる。

【０００６】通常、液晶表示装置は、例えば図５（ａ）
に示すように、液晶を挾持した２枚の透過性基板３０
１、３０５のうち、一方の基板３０１側から入射された
入射光３０７を他方の基板３０５側へ透過させると同時
に、該２枚の透過性基板３０１、３０５間に電圧を印加
して液晶配向を制御することにより、点灯、非点灯の表
示を行っている。このときの２枚の透過性基板３０１、
３０５には、スイッチング素子３０２と絶縁性膜３０３
と電圧を印加するための透明電極３０６とが形成されて
おり、この透明電極３０６の材料としては、ＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などの透明な導電性
材料が用いられている。このような液晶表示装置の表示
方法は透過型と呼ばれ、バックライトを用いた直接投影
方式（直視型）の液晶表示装置として特に有効である。

【０００７】しかしながら、上述したような透過型の表
示方法においては、小型化、高精細化によって１画素分
の面積が小さくなってゆくのに伴って、スイッチング素
子３０２や信号入力配線などの非透過部分３０８の面積
が無視できなくなり、液晶表示装置としての開口率が低
下してしまうという問題が発生してしまっていた。

【０００８】そこで、図５（ｂ）に示すように、スイッ
チング素子３０２などを備えた基板３０１側に反射電極
３０４を形成し、他方の基板３０５側に透明電極３０６
を形成することにより、透明電極３０６側から入射した
光３０７は、スイッチング素子３０２部分を透過するこ
となく反射、出射していくため、上述したような開口率
の低下という問題が生じることはなくなる。このような
液晶表示装置の表示方法は反射型と呼ばれ、バックライ
トを用いた直視型としては表示することができないもの
の、液晶表示装置の外部から入射する光を利用した直視
型の表示や、ビームスプリッタなどの光学系を駆使した
プロジェクション方式（投射型）の液晶表示装置として
は有効である。

【０００９】このように、透過型表示を行う場合には、
開口率の低下防止のために、スイッチング素子や信号入
力配線などの微細化が必須要件となっており、そのため
には、信号入力配線に低抵抗材料を用いるなどの対策が
必要となっている。一方、反射型表示を行う場合には、
明るさやコントラストを確保するために、反射電極に高
反射率材料を用いてできるだけ高反射率にすることが必
要となっている。これらの条件を満たす材料としては、
Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などが挙げられる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したような反射型
の液晶表示装置で用いられる反射電極の材料としては、
一般に、反射率の高さと加工精度の高さから、Ａｌが用
いられている。しかしながら、Ａｌの反射率は９０％前
後であり、そのため入射光強度が１０％程度減少してし
まうとともに、減少分の光が該Ａｌに吸収されてしまい
発熱を引き起こしてしまうという問題を有していた。

【００１１】このＡｌよりも反射率の高い材料として
は、Ａｇを挙げることができる。Ａｇは、波長５５０ｎ
ｍ以上の緑色・赤色光に対して９８％以上の反射率を有
しており、また、波長４００ｎｍ強の青色光に対しても
９４％程度の反射率を有している。このような点を考慮
して、例えば特開昭５６−５７０８６号公報には、この
ような高反射率を有するＡｇをＡｌ上に形成して反射電
極とするような技術が開示されている。

【００１２】しかしながら、Ａｌを用いる場合には、塩
素系プラズマによる異方性ドライエッチングによって２
μｍ以下の微細加工が可能であるのに対して、Ａｇを用
いる場合には、ＡｇＣｌ（塩化銀）、ＡｇＦ（弗化銀）
などのハロゲン化Ａｇの蒸気圧が極めて低いことから、
ハロゲンガスによる異方性ドライエッチング加工ができ
ないのが現状である。従って、Ａｇの加工については、
硝酸系の薬品によってウエットエッチングすることが主
流となっており、この場合、等方性エッチングであるウ
エットエッチングでは、Ａｌ並に微細加工することは困
難な状況となっている。

【００１３】液晶表示装置においては、信号入力配線や
反射電極を形成する際に微細加工することが非常に重要
となっており、特に、上述したような液晶表示装置の小
型化や高精細化によって一画素分の面積が小さくなって
いくと、図６に示すように、信号入力配線の幅や隣接す
る反射電極３０４同士の間隔３０９の幅が液晶表示装置
の開口率に大きく寄与することになる。

【００１４】このような問題点を解決する手段として、
例えば特開平７−８６２７５号公報には、ハロゲン化Ａ
ｇを成膜した後に選択的に光照射を行って、該ハロゲン
化ＡｇをＡｇに変化させ、光照射していない領域のハロ
ゲン化Ａｇをアンモニア水などにより除去するというよ
うな技術が開示されている。Ａｇは電気抵抗が極めて低
い材料でもあり、このような技術は、ＬＳＩなどの分野
における低抵抗配線の形成方法として有効な技術である
と考えられる。

【００１５】しかしながら、Ａｇを液晶表示装置の反射
電極として用いる場合には、反射電極としてのＡｇ表面
を鏡面にする必要がある。上述の特開平７−８６２７５
号公報に開示されているようなハロゲン化Ａｇに光照射
をするというような技術では、良質なＡｇからなる反射
電極を得ることは困難であり、該公報には光照射により
形成されたＡｇを１００〜７００℃でアニールすること
により結晶性を回復する旨の記載があるが、Ａｇ表面の
凹凸を平滑化して鏡面にし、反射電極として用いるため
には、このような技術では不十分である。

【００１６】本発明は、以上のような従来技術の問題点
に鑑みなされたものであって、低抵抗配線や反射率の極
めて高い反射電極などの微細加工を極めて容易に行うこ
とが可能な導電層の形成方法と、これらを用いて効率良
く製造することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供
することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１に記載の導電層の形成方法
は、銀を用いた導電層の形成方法において、絶縁物上に
銀薄膜を形成する工程と、前記銀薄膜の一部を銀化合物
に変化させる工程と、前記銀化合物に変化させた部分
を、前記銀薄膜を溶解しないエッチャントを用いて溶解
除去する工程と、を含むことを特徴としており、そのこ
とにより、上記目的は達成される。

【００１８】このとき、前記導電層は電極または配線で
あることが好ましい。

【００１９】また、前記銀化合物は、前記銀薄膜をハロ
ゲンガスプラズマあるいは酸素プラズマに曝すことによ
って形成されるハロゲン化銀あるいは酸化銀であること
が好ましい。

【００２０】さらに、前記銀化合物は、前記銀薄膜を異
方性塩素プラズマに曝すことによって形成される塩化銀
であることが好ましい。

【００２１】また、本発明の請求項５に記載の液晶表示
装置の製造方法は、絶縁性基板または半導体基板上にス
イッチング素子が複数個形成され、該スイッチング素子
がマトリクス状に配置されてなる液晶表示装置の製造方
法において、前記スイッチング素子に電気的に接続する
よう銀薄膜を堆積する工程と、前記銀薄膜の所定部分を
銀化合物に変化させる工程と、前記銀化合物に変化させ
た部分を、前記銀薄膜を溶解しないエッチャントを用い
て溶解除去することにより、それぞれ離間した銀電極に
形成する工程と、を含むことを特徴としており、そのこ
とにより、上記目的は達成される。

【００２２】このとき、前記銀電極の膜厚は、７０ｎｍ
以上であり、かつ、１５０ｎｍ以下であることが好まし
い。

【００２３】本発明では、絶縁性基板やシリコン基板な
どを含む絶縁物上に形成した銀薄膜の一部を銀化合物に
変化させ、その部分を該銀薄膜を溶解しないエッチャン
トを用いて溶解除去することにより、電極または配線を
形成することを特徴としているため、銀薄膜を用いて該
電極または配線の加工を実現することが可能となってい
る。

【００２４】このときの銀薄膜を銀化合物に変化させる
方法としては、銀薄膜をハロゲンガスプラズマあるいは
酸素プラズマに曝すことにより、ハロゲン化銀あるいは
酸化銀に変化させることが可能であり、また、銀薄膜を
異方性塩素プラズマに曝すことによって塩化銀に変化さ
せることも可能である。

【００２５】また、本発明では、スイッチング素子に電
気的に接続するよう堆積した銀薄膜の所定部分を銀化合
物に変化させ、その部分を該銀薄膜を溶解しないエッチ
ャントを用いて溶解除去することにより、それぞれ離間
した銀電極を形成することを特徴としているため、高い
反射率を有する銀薄膜からなる電極を用いた液晶表示装
置を実現することが可能となっている。

【００２６】このとき、銀電極の膜厚を７０ｎｍ以上か
つ１５０ｎｍ以下とすることが好ましく、これは、液晶
表示装置の反射電極を形成する際に、銀電極の膜厚を７
０ｎｍ以上とすることにより高い反射率を確保すること
が可能となるからであり、また、銀電極の膜厚を１５０
ｎｍ以下とすることにより電極形成時の加工工程の容易
性を確保することが可能となるからである。

【００２７】上述したような本発明においては、銀薄膜
を異方性塩素プラズマ処理によってＡｇＣｌなどのハロ
ゲン化銀あるいは酸化銀に変化させ、その部分のみを該
銀薄膜を溶解しないエッチャントを用いて溶解除去して
いることにより、２μｍオーダーの微細な加工精度でＡ
ｇ（銀）の反射電極を形成することが可能となってい
る。

【００２８】また、本発明では、高い反射率を有するＡ
ｇを膜厚７０〜１５０ｎｍ程度成膜して、レジストなど
を用いてパターンニングした後、ハロゲンガスプラズマ
あるいは酸素プラズマによって該Ａｇ膜の不要な部分を
ハロゲン化銀あるいは酸化銀に変化させ、アンモニア水
などにより該ハロゲン化銀あるいは酸化銀のみを溶解除
去するようにしていることにより、液晶表示装置の反射
電極材料としてＡｇを容易に用いることが可能となって
おり、Ａｇの成膜にスパッタ法や蒸着法を用いることに
より反射率の高い平滑化鏡面を有する反射電極を得るこ
とが可能となっている。

【００２９】さらに、塩素プラズマ処理は異方性である
ため、従来硝酸系の薬液では制御することのできなかっ
た２μｍオーダーの微細な加工が可能となっている。な
お、このプラズマ処理は、Ａｇの膜厚が厚くなるとハロ
ゲン化銀あるいは酸化銀への反応が途中で止まってしま
うのが一般的であるが、本発明のようにＡｇの膜厚を１
５０ｎｍ程度以下とすることにより、通常のドライエッ
チング装置のＲＦ出力（５００Ｗ程度）で反応を完了さ
せることが可能となっている。

【００３０】なお、上述した不要部分のＡｇ除去につい
ては、ウエット方式で行っているが、アンモニア水など
ハロゲン化銀あるいは酸化銀を溶解するけれどもＡｇは
溶解しないというようなエッチャントを用いているた
め、前記ハロゲンガスプラズマ処理あるいは酸素プラズ
マ処理で得られた異方性の加工精度を保持することが可
能となっている。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に、図面を用いて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００３２】図１は、本実施の形態における導電層の形
成方法および液晶表示装置の製造方法に関して、特に銀
電極を反射型電極として用いた場合の反射型液晶表示装
置を示した断面図である。

【００３３】図中、１０１はガラスなどの絶縁性基板ま
たはシリコンなどの半導体基板からなる絶縁性の基板で
あり、１０２は該基板１０１上に形成された薄膜トラン
ジスタなどのスイッチング素子である。そして、このス
イッチング素子１０２を覆うようにして絶縁性膜１０３
が形成されており、この絶縁性膜１０３上には、銀薄膜
（以下、Ａｇという。）からなる反射電極１０４がコン
タクトホール１０５を介して該スイッチング素子１０２
と電気的に接続されるようにして形成されている。

【００３４】図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した本実
施の形態における液晶表示装置の製造工程を示した断面
図である。

【００３５】まず、図２（ａ）に示すように、ガラスな
どの絶縁性基板またはシリコンなどの半導体基板からな
る絶縁性の基板１０１上には、薄膜トランジスタなどの
スイッチング素子１０２が形成されている。このスイッ
チング素子１０２としては、電界効果型トランジスタ、
薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、ＭＩＭなどを用い
ることができる。

【００３６】また、スイッチング素子１０２を覆って前
記基板１０１上の全面には、絶縁性膜１０３が形成され
ており、該絶縁性膜１０３には、該スイッチング素子１
０２の電極にまで達するコンタクトホール１０５が形成
されている。

【００３７】そして、前記絶縁性膜１０３上の全面に
は、Ａｇ１０６がスパッタ装置または蒸着装置により、
膜厚７０〜１５０ｎｍ、例えば１００ｎｍ程度で成膜さ
れている。なお、一般にＡｇ１０６はスパッタ収率が高
い材料であるため、通常のスパッタ装置でＡｒガスを導
入すれば、比較的低い出力でスパッタ成膜することが可
能である。また、Ａｇ１０６は低融点材料（９６２℃）
でもあるため、抵抗加熱法によって容易に蒸着すること
も可能である。

【００３８】次に、図２（ｂ）に示すように、前記Ａｇ
１０６上に、フォトレジスト１０７によるマスクを形成
する。

【００３９】そして、図２（ｃ）に示すように、ハロゲ
ンガスプラズマあるいは酸素プラズマによって、除去す
べきＡｇ１０６をハロゲン化銀あるいは酸化銀に変化さ
せた。本実施の形態では、Ａｇ１０６が最も反応し易す
い異方性の塩素プラズマ処理によって、除去すべきＡｇ
１０６をＡｇＣｌ１０８に変化させた。具体的には、図
３に示すように、通常の平行平板型ドライエッチング装
置を用いて、チャンバー２０１にＣｌ₂ガスを導入し、
チャンバー２０１をアースとして基板２０２に負のＲＦ
電力をかけることによって塩素プラズマ処理を行った。

【００４０】以下に、本実施の形態における平行平板型
ドライエッチング装置の塩素プラズマ処理条件の一例を
示す。ガス流量：Ｃｌ₂＝２０ｓｃｃｍ、圧力：２０Ｐａ、温
度５０℃ ＲＦ電力：４００Ｗ、ＲＦ電極間隔：４３ｍｍただし、変化したＡｇＣｌ１０８は堆積していくため、
Ａｇ１０６の膜厚が厚すぎると反応が最後まで続かな
い。例えば、Ａｇ１０６の膜厚が１００ｎｍ程度で、基
板２０２の面積が１６０ｃｍ²の場合では、上記条件に
おいて基板２０２にセルフバイアスが約−１６０Ｖかか
り、約３分間でＡｇＣｌ１０８への反応が完了した。

【００４１】なお、この工程では特殊なプラズマ装置は
用いておらず、上述した通常の平行平板型ドライエッチ
ング装置（ＲＦ電力：５００Ｗ程度）を使用することを
考慮すると、Ａｇ１０６の膜厚は最大１５０ｎｍ程度ま
でが適当であるといえる。また、図４にも示すように、
Ａｇ１０６の膜厚は７０ｎｍ程度あれば高反射率が得ら
れることからも、反射電極材料としてのＡｇ１０６の加
工方法としては有効なものであると考えられる。なお、
図４は抵抗加熱法で室温蒸着したＡｇ試料に対して上方
から垂直に近い角度（１２°）で光を入射させて反射率
を測定したものである。

【００４２】次に、図２（ｄ）に示すように、上述した
工程において生成されたＡｇＣｌ１０８をアンモニア水
に溶解して除去した。なお、このアンモニア水は、Ａｇ
Ｃｌ１０８は溶解するけれどもＡｇ１０６を溶解するこ
とがなく、そのため、上述した塩素プラズマ処理でＡｇ
Ｃｌ１０８に変化させた部分のみを溶解除去することが
可能となっている。

【００４３】このときの反応式は、『ＡｇＣｌ＋ＮＨ₃
→［Ａｇ（ＮＨ₃）₂］⁺＋Ｃｌ^-』であり、堆積していた
ＡｇＣｌ１０８がＮＨ₃（アンモニア）によって、［Ａ
ｇ（ＮＨ₃）₂］⁺（ジアンミン銀イオン）とＣｌ^-（塩素
イオン）とに変化して水中に溶解される。なお、ＡｇＣ
ｌ１０８を溶解除去するためのエッチャントとしては、
上述したアンモニア水以外にも、ＫＣＮ（シアン化カリ
ウム）、Ｎａ₂Ｓ₂Ｏ₃（チオ硫酸ナトリウム）などが有
効である。また、上述したような膜厚１００ｎｍのＡｇ
１０６から変化したＡｇＣｌ１０８を２％のアンモニア
水（２５℃）にて溶解除去処理したところ、約３分間で
全てのＡｇＣｌ１０８を溶解除去することができた。

【００４４】最後に、図２（ｅ）に示すように、Ａｇ１
０６上に形成されているフォトレジスト１０７を剥離液
などで除去することにより、Ａｇ１０６からなる反射電
極を形成することができた。

【００４５】以上のような製造方法よって得られた反射
電極は、従来の硝酸系の薬液では制御することができな
かった２μｍオーダー程度までの微細加工を実現するこ
とが可能となっている。

【００４６】なお、本実施の形態では、Ａｇ１０６が最
も反応し易すい異方性の塩素プラズマ処理によって、除
去すべきＡｇ１０６をＡｇＣｌ１０８に変化させたが、
ＡｇＣｌ１０８以外にも、Ａｇ１０６をＡｇ₂Ｏ（酸化
銀）あるいは他のハロゲン化銀であるＡｇＦ（フッ化
銀）、ＡｇＩ（ヨウ化銀）、ＡｇＢｒ（臭化銀）に変化
させることも上述したＡｇＣｌ１０８の場合と同様の手
法によって実現することが可能である。

【００４７】また、Ａｇ₂Ｏはアンモニア水によって溶
解除去することが可能であり、ＡｇＦはフッ化水素酸
（ＨＦ）によって溶解除去することが可能である。ま
た、ＡｇＩ、ＡｇＢｒはＡｇＣｌを溶解除去する際に用
いるシアン化カリウムやチオ硫酸ナトリウムによって溶
解除去することが可能である。

【００４８】本実施の形態では、スイッチング素子に接
続される反射電極の形成を例に用いて説明してきたが、
本発明の導電層の形成方法および液晶表示装置の製造方
法は、Ａｇからなる電極や配線などの微細加工を実現す
るためのものであり、上記実施の形態に限定されるもの
ではない。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明のように、本発明の導電層の
形成方法および液晶表示装置の製造方法によれば、絶縁
物上に形成した銀薄膜の一部（不要箇所）を銀化合物に
変化させ、その部分を該銀薄膜を溶解しないエッチャン
トを用いて溶解除去しているため、銀薄膜を用いて電極
または配線の微細加工を精度よく実現することが可能と
なっており、また、低抵抗配線や高い反射率を有する銀
薄膜からなる電極を用いた液晶表示装置を効率良く実現
することも容易に可能となっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本実施の形態における導電層の形成方
法および液晶表示装置の製造方法に関して、特に銀電極
を反射型電極として用いた場合の反射型液晶表示装置を
示した断面図である。

【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した本実施の
形態における液晶表示装置の製造工程を示した断面図で
ある。

【図３】図３は、本実施の形態に用いた平行平板型ドラ
イエッチング装置を示した該略図である。

【図４】図４は、抵抗加熱法で室温蒸着したＡｇ試料に
対して上方から垂直に近い角度（１２°）で光を入射さ
せて絶対反射率を測定した図面である。

【図５】図５（ａ）は、透過型液晶表示装置の概略断面
図であり、図５（ｂ）は、反射型液晶表示装置の概略断
面図である。

【図６】図６は、隣接する反射電極同士の間隔幅が液晶
表示装置の開口率に大きく寄与していることを示した概
略平面図である。

【符号の説明】

１０１基板１０２スイッチング素子１０３絶縁性膜１０４反射電極１０５コンタクトホール１０６Ａｇ（銀）１０７フォトレジスト１０８ＡｇＣｌ（塩化銀）２０１チャンバー（アース）２０２基板（陰極）３０１基板３０２スイッチング素子３０３絶縁性膜３０４反射電極３０５基板３０６透明電極３０７入射光３０８非透過部分３０９電極間隔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銀を用いた導電層の形成方法において、絶縁物上に銀薄膜を形成する工程と、前記銀薄膜の一部を銀化合物に変化させる工程と、前記銀化合物に変化させた部分を、前記銀薄膜を溶解し
ないエッチャントを用いて溶解除去する工程と、を含む
ことを特徴とする導電層の形成方法。
【請求項２】前記導電層が電極または配線であること
を特徴とする請求項１に記載の導電層の形成方法。
【請求項３】前記銀化合物は、前記銀薄膜をハロゲン
ガスプラズマあるいは酸素プラズマに曝すことによって
形成されるハロゲン化銀あるいは酸化銀であることを特
徴とする請求項１または２に記載の導電層の形成方法。
【請求項４】前記銀化合物は、前記銀薄膜を異方性塩
素プラズマに曝すことによって形成される塩化銀である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の導電層の形
成方法。
【請求項５】絶縁性基板または半導体基板上にスイッ
チング素子が複数個形成され、該スイッチング素子がマ
トリクス状に配置されてなる液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記スイッチング素子に電気的に接続するよう銀薄膜を
堆積する工程と、前記銀薄膜の所定部分を銀化合物に変化させる工程と、前記銀化合物に変化させた部分を、前記銀薄膜を溶解し
ないエッチャントを用いて溶解除去することにより、そ
れぞれ離間した銀電極に形成する工程と、を含むことを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】前記銀電極の膜厚は、７０ｎｍ以上であ
り、かつ、１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項５に記載の液晶表示装置の製造方法。