JP5340879B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5340879B2
JP5340879B2 JP2009236459A JP2009236459A JP5340879B2 JP 5340879 B2 JP5340879 B2 JP 5340879B2 JP 2009236459 A JP2009236459 A JP 2009236459A JP 2009236459 A JP2009236459 A JP 2009236459A JP 5340879 B2 JP5340879 B2 JP 5340879B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
height
resin
light emitting
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009236459A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011086678A (ja
Inventor
泰司 小谷
孝彦 野崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2009236459A priority Critical patent/JP5340879B2/ja
Priority to US12/903,200 priority patent/US8373177B2/en
Priority to KR1020100099198A priority patent/KR101711595B1/ko
Publication of JP2011086678A publication Critical patent/JP2011086678A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5340879B2 publication Critical patent/JP5340879B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements

Description

本発明は、LEDパッケージなどの発光装置に関する。
近年、半導体発光素子(LEDチップ)の高輝度化が進み、LEDチップを照明装置の光源としての利用が進んでいる。特許文献1には、ある特定の範囲を配光性よく照射することを目的とする光源装置であって、車両用のヘッドランプに適用したLEDパッケージが記載されている。
例えば、特許文献1の図2では、回路基板上に発光素子(LEDチップ)が実装されてワイヤーにて発光素子(LEDチップ)の上面と回路基板とが電気的に接続されており、さらに発光素子(LEDチップ)を覆うように反射面が形成されている(特許文献1の段落0031参照)。また、特許文献1の図25では、発光素子(LEDチップ)をサブマウント上に搭載している。サブマウントの高さを2mm程度もしくはそれ以上で設け、回路基板に金属ワイヤーを直接接続する場合、金属ワイヤーが高低差の大きい2つの間を接続することとなり、非常に剥れたり折れたりしやすくなる。そこで、特許文献1では、回路基板上に段差面を有する金属ブロックを設け、サブマウント上に実装した発光素子(LEDチップ)の上面と金属ブロックとの間を金属ワイヤーにて接続するようにしている(特許文献1の段落0184参照)
ところで、前記した従来のLEDパッケージは、ワイヤーに対する保護がなされていない構造であるので、ワイヤーにて配線した後の工程(例えば、LEDパッケージを車両に灯具として組み込むときの工程、あるいは、車両に灯具として組み込むまでのLEDパッケージの梱包工程や搬送工程)で、ワイヤーに誤って外力が加わり、ワイヤーが断線あるいは短絡してしまうという問題があった。
このような問題を解決するため、例えば次のような対策が考えられる。
第1の対策は、ワイヤーを保護するためにワイヤーを含む発光素子(LEDチップ)全体を封止樹脂で覆った構造である。
第2の対策は、ワイヤーを保護するためにワイヤーを含む発光素子(LEDチップ)全体を透明な半球状のドームキャップにて覆う構造である。
特開2005−32661号公報
しかしながら、第1の対策のLEDパッケージでは、複数の半導体発光素子(LEDチップ)の点灯及び消灯の繰り返し使用により、ワイヤー封止樹脂が絶縁基板及びワイヤーからの熱伝導にて熱せられ、あるいは、冷やされることで、ワイヤー封止樹脂が熱膨張・熱収縮し、この熱応力により、ワイヤーが断線し易くなるという問題があった。
また、第2の対策のLEDパッケージでは、キャップ(透明な半球状のドームキャップ)で覆うことで、半導体発光素子(LEDチップ)の発光がキャップの材料に吸収されてしまい、これにより、光束が3〜10%低下してしまうという問題があった。
本発明は、ワイヤーに熱応力などを与えることなく、また、半導体発光素子(LEDチップ)の発光の光束を低下させることなく、給電用パターンと配線パターンとの間に配線したワイヤーを保護することの可能な構造を有する発光装置を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、第1の基板と、第1の基板上に載置された第2の基板とを有し、第1の基板上には給電用パターンが形成され、第2の基板上には配線パターンが形成され、該配線パターン上の所定位置には複数の半導体発光素子が設けられ、前記給電用パターンと前記配線パターンとの間、および/または、前記半導体発光素子と前記配線パターンとの間に、電気的導通をとるためのワイヤーが接続される発光装置において、前記ワイヤーの外側を取り囲む部分のうち、少なくとも前記ワイヤーの長手方向に沿った前記ワイヤーの両側の部分に、前記ワイヤーを保護するための保護部材が設けられていることを特徴としている。
また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の発光装置において、前記保護部材は、所定の絶縁性樹脂またはセラミックスであることを特徴としている。
また、請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2記載の発光装置において、前記保護部材は、ワイヤーの高さ以上で半導体発光素子の高さ以下の高さを有することを特徴としている。
請求項1乃至請求項3記載の発明によれば、第1の基板と、第1の基板上に載置された第2の基板とを有し、第1の基板上には給電用パターンが形成され、第2の基板上には配線パターンが形成され、該配線パターン上の所定位置には複数の半導体発光素子が設けられ、前記給電用パターンと前記配線パターンとの間、および/または、前記半導体発光素子と前記配線パターンとの間に、電気的導通をとるためのワイヤーが接続される発光装置において、前記ワイヤーの外側を取り囲む部分のうち、少なくとも前記ワイヤーの長手方向に沿った前記ワイヤーの両側の部分に、前記ワイヤーを保護するための保護部材が設けられているので、ワイヤーに熱応力などを与えることなく、また、半導体発光素子の発光の光束を低下させることなく、所定箇所間に配線したワイヤーを保護することができる。
特に、請求項3記載の発明によれば、前記保護部材は、ワイヤーの高さ以上の高さを有するので、所定箇所間に配線したワイヤーを確実に保護することができる。
本発明の発光装置の構成例を示す図である。 図1の発光装置の保護部材の拡大図である。 ワイヤーが2本並列に配置される場合の保護部材の拡大図である。 ディスペンサー装置を用い、保護部材を形成する工程を説明するための図である。 図1(a)のC−C線における断面の一例を示す図である。 図1(a),(b),(c)の発光装置において保護部材の短手部分が設けられていない構成を示す図である。 図6の発光装置の保護部材の拡大図である。 ワイヤーが2本並列に配置される場合の保護部材の拡大図である。 半導体発光素子として上下に電極構造をもつものを用いた発光装置の構成例を示す図である。 半導体発光素子の上面と該半導体発光素子に隣接する配線パターンとの間に配線したワイヤーを保護するための保護部材の拡大図である。 第1の基板にザグリ溝が設けられていない発光装置の構成例を示す図である。 給電用パターンと配線パターンとの間に段差部分がある場合における樹脂の塗布方法を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1(a),(b),(c)は本発明の発光装置の構成例を示す図である。なお、図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図、図1(c)は図1(a)のB−B線における部分断面図である。
図1(a),(b),(c)の発光装置は、第1の基板(金属基板)7と、第1の基板7上に載置された(第1の基板7上に接着剤6によって接着された)第2の基板(絶縁基板)5とを有し、第1の基板7には電気的に基板7と非導通状態とした給電用パターン10が形成され、第2の基板5上には配線パターン4が形成され、該配線パターン4上の所定位置には複数の半導体発光素子(LEDチップ)1が設けられ(配線パターン4上の所定位置に複数の半導体発光素子(LEDチップ)1がバンプ3を介してフリップタイプ実装され)、前記給電用パターン10と前記配線パターン4との間には、電気的導通をとるためのワイヤー8が接続されている。なお、図1(a),(b),(c)の例では、複数の半導体発光素子(LEDチップ)1は、蛍光体樹脂2によって覆われている。
また、図1(a),(b),(c)の例では、給電用パターン10の上面と第1の基板(金属基板)7の上面とは、同一平面内のものとなっている。また、給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7と配線パターン4とは、同じ高さのものとなっている。また、図1(a),(b),(c)の例では、第2の基板(絶縁基板)5上には配線パターン4が形成されていることから、第2の基板(絶縁基板)5の上面は、配線パターン4の上面よりも低くなっており、したがって、図1(a),(b)に示すようなザグリ溝9が存在する。
また、ワイヤー8は、通常、数十μm(約20〜30μm)の直径のものが用いられる。また、ワイヤー8は、後述のように、その最も高い高さが、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下となっており、図1の例では200μmである。
ところで、図1(a),(b),(c)の発光装置では、ワイヤー8の外側を取り囲む部分に、ワイヤー8を保護するための保護部材21が設けられている。
図2は図1(a)の部分拡大図であって、図2には、給電用パターン10と配線パターン4との間に配線したワイヤー8を保護するための保護部材21が拡大されて図示されている。図2を参照すると、ワイヤー8を保護するための保護部材21は、給電用パターン10と配線パターン4との間に配線したワイヤー8の外側を取り囲む4つの部分からなっている。すなわち、ワイヤー8の長手方向Lに沿ったワイヤー8の両側の長手部分21a、21bと、ワイヤー8の長手方向Lと直交する方向に沿ったワイヤー8の両側の短手部分21c、21dとからなっている。
ここで、長手部分21a、21bの長さL1は、給電用パターン10と配線パターン4との間のワイヤー8の配線長L0よりも100μmだけ長いものとなっている。また、長手部分21a、21b間の幅、すなわち短手部分21c、21dの長さWは、約500μm程度であるのが好ましい。これは、ワイヤー8が倒れた場合でも保護部材21に接触しないようにするためである。すなわち、ワイヤー8と保護部材21との間の距離W/2がワイヤー高さ+50μmからワイヤー高さ+150μmの範囲が好ましい。なお、図3のようにワイヤー8が例えば2本並列に配置される場合も、長手部分21a、21b間の幅、すなわち短手部分21c、21dの長さWは、同様の範囲が好ましく、具体的には(200+50)×2+100(ワイヤー間の距離)、すなわち600μm程度が好ましい。
また、図2において、dは保護部材21(21a,21b,21c,21d)の幅である。
また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhは、ワイヤー8の高さh0以上で、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下であるのが好ましい。なお、ワイヤー8の高さh0とは、より正確には、後述のように給電用パターン10と配線パターン4との高さが同じでない場合(給電用パターン10と配線パターン4とに段差がある場合)、給電用パターン10上に形成される保護部材21に対しては、給電用パターン10の高さ位置とワイヤー8の最も高い高さ位置との差であり、また、配線パターン4上に形成される保護部材21に対しては、配線パターン4の高さ位置とワイヤー8の最も高い高さ位置との差である。また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhとは、給電用パターン10と配線パターン4との高さが同じでない場合(給電用パターン10と配線パターン4とに段差がある場合)、給電用パターン10上の保護部材21に関しては、給電用パターン10の高さ位置と保護部材21の高さ位置との差であり、また、配線パターン4上の保護部材21に関しては、配線パターン4の高さ位置と保護部材21の高さ位置との差である。そして、この場合、給電用パターン10上の保護部材21に関しては、給電用パターン10上の保護部材21の高さhは、給電用パターン10上に形成される保護部材21に対するワイヤー8の高さh0以上で、給電用パターン10の高さ位置を基準にした半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下であるのが好ましい。また、配線パターン4上の保護部材21に関しては、配線パターン4上の保護部材21の高さhは、配線パターン4上に形成される保護部材21に対するワイヤー8の高さh0以上で、配線パターン4の高さ位置を基準にした半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下であるのが好ましい。図1(b)の例では、給電用パターン10と配線パターン4とは、ほぼ同じ高さとなっているので、ワイヤー8の高さh0は、給電用パターン10または配線パターン4の高さ位置とワイヤー8の最も高い高さ位置との差である。また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhは、給電用パターン10または配線パターン4の高さ位置と保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さ位置との差である。
保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhを、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下とすることで、保護部材21(21a,21b,21c,21d)による半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)からの光束の低下を防止することができる。給電用パターン10と配線パターン4の高さが同じでない場合において、給電用パターン10上の保護部材21の高さと配線パターン4上の保護部材21の高さを同一の高さhとしたときに保護部材21の上面位置も同じでなく差が生じる。このような場合には、給電用パターン10上の保護部材21の高さを配線パターン4上の保護部材21の高さよりも高くするほうが好ましい。後の工程における組立て作業などにおいて外側に位置する側の保護部材21の高さを高くしておいたほうが、ワイヤー8に外力が加わり難いからである。
また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhを、ワイヤー8の高さh0以上にし、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の長手部分21a、21b間の幅、すなわち短手部分21c、21dの長さWを約500μm程度にすることで、誤ってワイヤー8に外力が加わっても、ワイヤー8の側面からの外力は保護部材21(21a,21b,21c,21d)によって保護され、真上からの外力のみになるため、ワイヤー8が押し潰されるだけでワイヤー8が断線することはない。
また、上述の保護部材21(21a,21b,21c,21d)には、樹脂を用いることができる。樹脂には、例えば透明なシリコン樹脂やエポキシ樹脂などを使用することができる。また、樹脂には、透明な樹脂の代わりに白い樹脂を用いることもできる。白い樹脂としては、例えば、透明なエポキシ樹脂及びシリコン樹脂に酸化チタンなどのフィラーが5〜20wt%添加されているものなどが用いられる。透明樹脂や白い樹脂で反射した光の原因でグレア光が出る場合には、黒い樹脂を用いるとグレア光を軽減できる。黒い樹脂としては、例えば、透明なエポキシ樹脂及びシリコン樹脂にカーボンなどのフィラーが添加されているものなどを用いることができる。また、上述の保護部材21(21a,21b,21c,21d)には、樹脂の代わりに、セラミックスリングを用いることもできる。セラミックスリングを用いる場合には、セラミックスリングは、シリコン樹脂やエポキシ樹脂などの接着剤にて、給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7上および/または配線パターン4上に固定することができる。
次に、このような構成の発光装置の保護部材21(21a,21b,21c,21d)の作製工程例について説明する。なお、この作製工程例では、武蔵エンジニアリング社製ディスペンサー装置を用い、保護部材21(21a,21b,21c,21d)には透明樹脂を用いた。
保護部材21(21a,21b,21c,21d)を作製する工程は、ワイヤー8を給電用パターン10と前記配線パターン4との間に配線した後で行う。保護部材21(21a,21b,21c,21d)に使用した樹脂の粘度は、例えば約50Pa・sである。保護部材21(21a,21b,21c,21d)は、図4に示すように、ディスペンサー装置50のノズルから給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7上または配線パターン4上に向けて樹脂を吐出しながら所定の速度(塗布スピード)でノズルを移動させて、給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7上と配線パターン4上とに樹脂を所定の幅dと所定の高さhに塗布する。具体的には、ノズルにはノズル径が0.3mmのものを使用して、塗布スピードを5mm/秒、吐出圧力を50KPa、ノズル先端と給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7および配線パターン4との間のギャップを0.3mmに制御して、幅dが約0.5mm、高さhがワイヤー8の高さと同等の高さ0.2mmの樹脂を塗布し、保護部材21(21a,21b,21c,21d)を作製することができた。その後、150℃、4時間以上で樹脂を硬化することで、保護部材21(21a,21b,21c,21d)は完成した。
上記の作製方法において、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の幅dは、ディスペンサー装置50のノズル径、塗布スピード、圧力、ギャップ(ノズル先端と給電用パターン10、第1の基板(金属基板)および配線パターン4との間のギャップ)を変えることや、樹脂の粘度を変えることで、調節可能である。実際、塗布スピードを早くすると幅dは細くなり、圧力を低くすることやギャップを小さくすることでも幅dを細くすることが可能であり、幅dは40μmから3mmまでの範囲で調節可能である。なお、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の角の幅が太くなる場合があるが(保護機能の本質は変わらないので問題ではないが)、角の幅が太くならないようにするための一例として、角の部分については塗布スピードを速くして調節することが可能である。
また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhは、ディスペンサー装置50の塗布スピード、ギャップ(ノズル先端と給電用パターン10、第1の基板(金属基板)7および配線パターン4との間のギャップ)、吐出圧力を変えることや、樹脂の粘度を変えることなどで、調節可能である。例えば、塗布スピードを遅くすると高さは高くなり、速くすると高さは低くなる。吐出圧力を高くすると高さは高くなり、吐出圧力を低くすると高さhは低くなる。ギャップを大きくすると高さhは高くなり、ギャップを小さくすると高さhは低くすることが可能である。但し、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhが保護部材21(21a,21b,21c,21d)の幅dよりも小さい場合、塗布スピード、吐出圧力及びギャップのパラメーターを変えることで、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhを変えることは可能であるが、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhを保護部材21(21a,21b,21c,21d)の幅dよりも大きくする必要がある場合は、多段に塗布することや回数を増やすことで、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhを高くすることが可能である。多段に塗布することで、段差領域の部分の樹脂の高さがワイヤー8の高さも少し高くなる場合があるが、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さよりも低ければ、グレア光の発生や光束低下の影響はない。段差領域の部分の樹脂の高さがワイヤー8の高さよりも高くならないようにするための一例として、塗布スピードを速くして調節することが可能である。また、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の角で高さが高くなる場合があるが、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さよりも低ければ、グレア光の発生や光束低下の影響はない。保護部材21(21a,21b,21c,21d)の角で高さが高くならないようにするための一例として、塗布スピードを速くして調節することが可能である。
具体的に、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の高さhは、40μm〜3mmの範囲で自由に変えることが可能であるが、実際には、ワイヤー8の高さと同等の高さ0.2mmから0.5mm程度の高さまでの範囲にするのが望ましい。
なお、樹脂の粘度については、粘度がやや高いものを使用することで、保護部材21(21a,21b,21c,21d)の幅dを小さくすることができ、樹脂で反射して生じるグレア光を無視できる程度に減じることができる。
また、図5(a),(b)は図1(a)のC−C線における断面図の一例であり、図5(a)のように、半導体発光素子(LEDチップ)1を搭載した第2の基板(絶縁基板)5を第1の基板(金属基板)7に配置するためのザグリ溝(第2の基板(絶縁基板)5と第1の基板(金属基板)7との間の溝)9の幅tが小さければ、樹脂がザグリ溝9に落ち込んで窪むことなく、保護部材21(21a,21b,21c,21d)をワイヤー8と同等の高さにすることが可能である。
これに対し、図5(b)のように、ザグリ溝9の幅tが広い場合、そのザグリ溝9で樹脂が窪んでしまい、ワイヤー8を保護する高さを確保出来なくなる。その場合、図5(c)のようにザグリ溝9を埋めるようにディスペンサー装置50による樹脂の塗布制御を行うことで、ザグリ溝9の部分で樹脂の窪みを生じることなく、保護部材21(21a,21b,21c,21d)をワイヤー8と同等の高さにすることが可能である。
ザグリ溝9を埋める塗布方法は、ザグリ溝9が埋まるまでノズルの移動を停止することやノズルの移動速度を遅くすることで可能である。ザグリ溝9を埋めている樹脂の幅はザグリ溝9を埋める前の樹脂の幅よりも広がっているが、光束低下など機能を損なうことはない。ザグリ溝9を埋めた後は、埋める前の塗布条件で樹脂の塗布を行えば、図5(c)のように樹脂の窪みなく保護部材21(21a,21b,21c,21d)を作製出来る。また、絶縁性材料、セラミック、樹脂を用いたリング状の成形品を用いることで、ザグリ溝が広くても、リングの長さを変えるだけで、ワイヤー保護の機能が維持できる。
また、上述の例(図1(b)の例)では、給電用パターン10と配線パターン4とは、ほぼ同じ高さとなっているが、給電用パターン10と配線パターン4との高さが異なっている場合には(給電用パターン10と配線パターン4との間に段差がある場合には)、ザグリ溝9を埋めたと同様に、給電用パターン10と配線パターン4との間の段差を埋めることでワイヤー8と同等の高さの保護部材21(21a,21b,21c,21d)を作製可能である。具体的に、給電用パターン10の方が配線パターン4よりも高さが低い場合には、給電用パターン10上の樹脂の高さを配線パターン4上の樹脂の高さよりも高く形成することによって(例えばディスペンサー装置の塗布速度をより遅くするか、および/または、ギャップ(ノズル先端と給電用パターン10および配線パターンとの間のギャップ)をより大きくすることによって)、給電用パターン10と配線パターン4との間の段差を埋め、ワイヤー8と同等の高さの保護部材21(21a,21b,21c,21d)を作製可能である。また、樹脂以外にリボン等を用いることで保護部材21(21a,21b,21c,21d)を構成することも可能である。
なお、給電用パターン10と配線パターン4との高さが異なっている場合にも(給電用パターン10と配線パターン4との間に段差がある場合にも)、半導体発光素子(LEDチップ)1を搭載した第2の基板(絶縁基板)5を第1の基板(金属基板)7に配置するためのザグリ溝(第2の基板(絶縁基板)5と第1の基板(金属基板)7との間の溝)9の幅tが小さければ、樹脂がザグリ溝9に落ち込んで窪むことなく、保護部材21(21a,21b,21c,21d)をワイヤー8と同等の高さにすることが可能である。
これに対し、図5(d)のように、ザグリ溝9の幅tが広い場合、そのザグリ溝9で樹脂が窪んでしまい、ワイヤー8を保護する高さを確保出来なくなる。その場合、図5(e)のようにザグリ溝9を埋めるようにディスペンサー装置50による樹脂の塗布制御を行うことで、ザグリ溝9の部分で樹脂の窪みを生じることなく、保護部材21(21a,21b,21c,21d)をワイヤー8と同等の高さにすることが可能である。
上記の構成例では、保護部材21は、ワイヤー8を四方から取り囲む4つの部分、すなわち、ワイヤー8の長手方向Lに沿ったワイヤー8の両側の長手部分21a、21bと、ワイヤー8の長手方向Lと直交する方向に沿ったワイヤー8の両側の短手部分21c、21dとからなっているとしたが、短手部分21c、21dのうちの少なくとも一方は、必ずしも設けられなくてもよい。
図6(a),(b),(c)は図1(a),(b),(c)の発光装置において保護部材21の短手部分21c、21dの両方が設けられていない構成を示す図である。すなわち、保護部材21の長手部分21a、21bだけが設けられている構成を示す図である。なお、図6(a)は平面図、図6(b)は図6(a)のA−A線における断面図、図6(c)は図6(a)のB−B線における部分断面図である。
図7は図6(a)の部分拡大図であって、図7には、図6(a),(b),(c)の発光装置において、給電用パターン10と配線パターン4との間に配線したワイヤー8を保護するための保護部材21が拡大されて図示されている。図7を参照すると、図6(a),(b),(c)の発光装置において、ワイヤー8を保護するための保護部材21は、ワイヤー8の長手方向Lに沿ったワイヤー8の両側の長手部分21a、21bからなっている。
ここで、長手部分21a、21bの長さL1は、給電用パターン10と配線パターン4との間のワイヤー8の配線長L0よりも100μmだけ長いものとなっている。また、長手部分21a、21b間の幅Wは、約500μm程度であるのが好ましい。これは、ワイヤー8が倒れた場合でも保護部材21に接触しないようにするためである。すなわち、ワイヤー8と保護部材21との間の距離W/2がワイヤー高さ+50μmからワイヤー高さ+150μmの範囲が好ましい。なお、図8のようにワイヤー8が例えば2本並列に配置される場合も、長手部分21a、21b間の幅Wは、同様の範囲が好ましく、具体的には(200+50)×2+100(ワイヤー間の距離)、すなわち600μm程度が好ましい。
図6(a),(b),(c)の例では、保護部材21の短手部分21c、21dの両方が設けられていないこと以外は、図1(a),(b),(c)の発光装置と全く同じ構成となっており、保護部材21(21a,21b)の幅d、保護部材21(21a,21b)の高さh、各部の材料、製造方法なども、短手部分21c、21dが設けられていないこと以外は、図1(a),(b),(c)の発光装置と全く同じである。
図6(a),(b),(c)の例では、保護部材21の長手部分21a、21b間の幅Wを約500μm程度にすることで、誤ってワイヤー8に外力が加わっても、ワイヤー8の側面からの外力は保護部材21(21a,21b)によって保護され、真上あるいは長手方向L(長手部分21a、21b間の幅Wと垂直な方向)からの外力になるため、ワイヤー8が押し潰されるだけでワイヤー8が断線することはない。
また、図6(a),(b),(c)の例では、保護部材21の短手部分21c、21dの両方が設けられていないとしたが、保護部材21の短手部分21c、21dのいずれか一方が設けられていない構成にすることも可能であり、この場合にも、保護部材21の長手部分21a、21b間の幅Wを約500μm程度にすることで、誤ってワイヤー8に外力が加わっても、ワイヤー8の側面からの外力は保護部材21(21a,21b)によって保護され、真上あるいは長手方向L(長手部分21a、21b間の幅Wと垂直な方向)からの外力になるため、ワイヤー8が押し潰されるだけでワイヤー8が断線することはない。
また、上述の各例では、半導体発光素子(LEDチップ)1がフリップタイプのものであって、配線パターン4上の所定位置に複数の半導体発光素子(LEDチップ)1がバンプ3を介してフリップタイプ実装されている場合を示したが、半導体発光素子(LEDチップ)1としては、フリップタイプのものではなく、上下に電極構造をもつものを用いることも可能である。
図9(a),(b)は半導体発光素子(LEDチップ)1として上下に電極構造をもつものを用いた発光装置の構成例を示す図である。なお、図9(a)は平面図、図9(b)は図9(a)のA−A線における断面図であり、図1(a),(b),(c)と同様の箇所には同じ符号を付している。図9(a),(b)の発光装置は、半導体発光素子(LEDチップ)1として上下に電極構造をもつものを用いたこと以外は、図1(a),(b),(c)の発光装置の構成と全く同様である。すなわち、図9(a),(b)の発光装置は、半導体発光素子(LEDチップ)1として上下に電極構造をもつものを用いていることから、半導体発光素子(LEDチップ)1の上面と該半導体発光素子(LEDチップ)1に隣接する配線パターン4との間に、これらの間の電気的導通をとるためのワイヤー38がさらに配置されている点でのみ、図1(a),(b),(c)の発光装置の構成と異なっている。
ここで、ワイヤー38は、通常、数十μm(約20〜30μm)の直径のものが用いられる。
そして、図9(a),(b)の例では、ワイヤー38の外側を取り囲む部分に、ワイヤー38を保護するための保護部材41が設けられている。
図10(a),(b)は図9(a)の部分拡大図であって、図10(a),(b)には、半導体発光素子(LEDチップ)1の上面と該半導体発光素子(LEDチップ)1に隣接する配線パターン4との間に配線したワイヤー38を保護するための保護部材41が拡大されて図示されている。なお、図10(a)は平面図、図10(b)は図10(a)のD−D線における概略断面図である。図10(a),(b)を参照すると、図10(a),(b)の例では、ワイヤー38を保護するための保護部材41は、ワイヤー38の外側を囲む3つの部分からなっている。すなわち、ワイヤー38の長手方向Mに沿ったワイヤー38の両側の長手部分41a、41bと、ワイヤー38の長手方向Mと直交する方向に沿ったワイヤー38の一方の側の短手部分41cとからなっている。
ここで、長手部分41a、41bは、半導体発光素子(LEDチップ)1を除いた部分に設けられている。また、長手部分41a、41b間の幅、すなわち短手部分41cの長さXは、例えば約200μm程度である。
また、保護部材41(41a,41b,41c)の幅fは0.05mm〜0.1mmであるのが好ましい。
また、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiは、ワイヤー38の高さi0と同等か、それよりも少し高い高さであるのが好ましい。なお、ワイヤー38の高さi0、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiの定義は、ワイヤー8の高さh0、保護部材21の高さhの定義と同様である。
保護部材41(41a,41b,41c)の高さiを、ワイヤー38の高さi0と同等か、それよりも少し高い高さにし、保護部材41(41a,41b,41c)の長手部分41a、41b間の幅、すなわち短手部分41cの長さXを約200μm程度にすることで、誤ってワイヤー38に外力が加わっても、ワイヤー38の側面からの外力は保護部材41(41a,41b,41c)によって保護され、また、真上からの外力でも、ワイヤー38が押し潰されるだけでワイヤー38が断線することはない。
また、上述の保護部材41(41a,41b,41c)には、樹脂を用いることができる。樹脂には、例えば透明なシリコン樹脂やエポキシ樹脂などを使用することができる。また、樹脂には、透明な樹脂の代わりに白い樹脂を用いることもできる。白い樹脂としては、例えば、透明なエポキシ樹脂及びシリコン樹脂に酸化チタンなどのフィラーが5〜20wt%添加されているものなどが用いられる。透明樹脂や白い樹脂で反射した光の原因でグレア光が出る場合には、黒い樹脂を用いるとグレア光を軽減できる。黒い樹脂としては、例えば、透明なエポキシ樹脂及びシリコン樹脂にカーボンなどのフィラーが添加されているものなどを用いることができる。また、上述の保護部材41(41a,41b,41c)には、樹脂の代わりに、セラミックスリングを用いることもできる。セラミックスリングを用いる場合には、セラミックスリングは、シリコン樹脂やエポキシ樹脂などの接着剤にて、配線パターン4上に固定することができる。
次に、このような構成の発光装置の保護部材41(41a,41b,41c)の作製工程例について説明する。なお、この作製工程例では、前述した武蔵エンジニアリング社製ディスペンサー装置50を用い、保護部材41(41a,41b,41c)には透明樹脂を用いた。
保護部材41(41a,41b,41c)を作製する工程は、ワイヤー38を半導体発光素子(LEDチップ)1の上面と該半導体発光素子(LEDチップ)1に隣接する配線パターン4との間に配線した後で行う。保護部材41(41a,41b,41c)に使用した樹脂の粘度は、例えば約150Pa・sである。保護部材41(41a,41b,41c)は、図4に示したと同様に、ディスペンサー装置50のノズルから配線パターン4上に向けて樹脂を吐出しながら所定の速度(塗布スピード)でノズルを移動させて、配線パターン4上に樹脂を所定の幅fと所定の高さiに塗布する。具体的には、ノズルには径が0.04mmのものを使用して、塗布スピードを5mm/秒、吐出圧力を150KPa、ノズル先端と配線パターン4との間のギャップを0.1mmに制御して、幅fが約0.2mm、高さiがワイヤー38の高さと同等の高さ0.2mmの保護部材41(41a,41b,41c)を作製することができた。その後、150℃、4時間以上で樹脂を硬化することで、保護部材41(41a,41b,41c)は完成した。
上記の作製方法において、保護部材41(41a,41b,41c)の幅fは、ディスペンサー装置50のノズル径、塗布スピード、圧力、ギャップ(ノズル先端と配線パターン4との間のギャップ)を変えることや、樹脂の粘度を変えることで、調節可能である。実際、塗布スピードを早くすると幅fは細くなり、圧力を低くすることやギャップを小さくすることでも幅fを細くすることが可能であり、幅fは40μmから3mmまでの範囲で調節可能であるが、本発明では、0.05mm〜0.1mmまでの範囲であるのが望ましい。
また、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiは、ディスペンサー装置50の塗布スピード、ギャップ(ノズル先端と配線パターン4との間のギャップ)、吐出圧力を変えることや、樹脂の粘度を変えることなどで、調節可能である。例えば、塗布スピードを遅くすると高さは高くなり、速くすると高さは低くなる。吐出圧力を高くすると高さiは高くなり、吐出圧力を低くすると高さiは低くなる。ギャップを大きくすると高さiは高くなり、ギャップを小さくすると高さiは低くすることが可能である。但し、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiが保護部材41(41a,41b,41c)の幅fよりも小さい場合、塗布スピード、吐出圧力及びギャップのパラメーターを変えることで、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiを変えることは可能であるが、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiが保護部材41(41a,41b,41c)の幅fよりも大きくする必要がある場合は、多段に塗布することや回数を増やすことで、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiを高くすることが可能である。多段に塗布することで、段差領域の部分の樹脂の高さがワイヤー38の高さも少し高くなる場合があるが、半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さよりも低ければ、グレア光の発生や光束低下の影響はない。段差領域の部分の樹脂の高さがワイヤー38の高さよりも高くならないようにするための一例として、塗布スピードを速くして調節することが可能である。
具体的に、保護部材41(41a,41b,41c)の高さiは、40μm〜3mmの範囲で自由に変えることが可能であるが、実際には、ワイヤー38の高さと同等の高さ0.2mmから0.5mm程度の高さまでの範囲にするのが望ましい。
また、図9(a),(b)の例においても、隣接する配線パターン4間に段差(溝)があり、隣接する配線パターン4間の段差(溝)上を樹脂が通る時、ザグリ溝9で説明したと同様に、段差(溝)の幅が小さければ、樹脂が段差(溝)に落ち込んで窪むことなく、保護部材41(41a,41b,41c)をワイヤー38と同等の高さにすることが可能である。
これに対し、段差(溝)の幅が広い場合、段差(溝)で樹脂が窪んでしまい、ワイヤー38を保護する高さを確保出来なくなる。その場合、図5(e)に示したと同様に段差(溝)を埋めるようにディスペンサー装置50による樹脂の塗布制御を行うことで、段差(溝)の部分で樹脂の窪みを生じることなく、保護部材41(41a,41b,41c)をワイヤー38と同等の高さにすることが可能である。
なお、図9(a),(b)の例では、保護部材41として、3つの保護部材41a,41b,41cを用いているが、図6(a),(b)で説明したと同様に、図9(a),(b)の発光装置において保護部材41の短手部分41cは必ずしも設けられていなくてもよい。すなわち、保護部材41の長手部分41a、41bだけが設けられていてもよい。
上述したように、本発明によれば、第1の基板(金属基板)7と、第1の基板7上に載置された(第1の基板7上に接着剤16によって接着された)第2の基板(絶縁基板)5とを有し、第1の基板7には給電用パターン10が形成され、第2の基板5上には配線パターン4が形成され、該配線パターン4上の所定位置には複数の半導体発光素子(LEDチップ)1が設けられ、前記給電用パターン10と前記配線パターン4との間、および/または、前記半導体発光素子1と前記配線パターン4との間に、電気的導通をとるためのワイヤーが接続される発光装置において、
前記ワイヤーの外側を取り囲む部分のうち、少なくとも前記ワイヤーの長手方向に沿った前記ワイヤーの両側の部分に、前記ワイヤーを保護するための保護部材が設けられているので、ワイヤーに熱応力などを与えることなく、また、半導体発光素子の発光の光束を低下させることなく、所定箇所間に配線したワイヤーを保護することができる。
すなわち、保護部材が設けられていることによって、ワイヤーを配線した後の工程(例えば、LEDパッケージを車両に灯具として組み込むときの工程、あるいは、車両に灯具として組み込むまでのLEDパッケージの梱包工程や搬送工程)で、ワイヤーに誤って外力が加わっても、ワイヤーが断線あるいは短絡してしまうことを防止できる。また、樹脂でワイヤーを封止していないので、熱による樹脂の熱膨張や熱収縮があっても、ワイヤーは、樹脂の熱膨張や熱収縮の影響を受けず、断線にはならない。また、発光装置全体をキャップで覆う構造ではないので、半導体発光素子の発光の光束低下も生じない。
なお、上述の各例では、第1の基板7が金属基板であるとしたが、第1の基板7を絶縁基板にすることも可能である。また、第1の基板7に設けた給電用パターン10は、第1の基板7の全面に基板7と非導通とした電極層を形成しておき、ザグリ溝を設ける工程と同時に電極層を部分的に除去したものも本発明に含まれる。
また、上述の各例では、第1の基板7には、ザグリ溝9があり、このザグリ溝9内に第2の基板5が設けられているが、図11(a),(b)に示すように(図11(a)は平面図、図11(b)は図11(a)のA−A線における断面図)、第1の基板7は、平面であってもよい。すなわち、第1の基板7にザグリ溝9を設けずともよい。ただし、このときには、第1の基板7に形成された給電用パターン10と第2の基板5上に形成された配線パターン4との間には、段差部分が生じ、給電用パターン10と配線パターン4との間に配置されるワイヤー8を保護するための保護部材21は、この段差部分を考慮した高さhにする必要がある。具体的には、前述したように、給電用パターン10上の保護部材21に関しては、給電用パターン10上の保護部材21の高さhは、給電用パターン10上に形成される保護部材21に対するワイヤー8の高さh0以上で、給電用パターン10の高さ位置を基準にした半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下であるのが好ましい。また、配線パターン4上の保護部材21に関しては、配線パターン4上の保護部材21の高さhは、配線パターン4上に形成される保護部材21に対するワイヤー8の高さh0以上で、配線パターン4の高さ位置を基準にした半導体発光素子(LEDチップ)1(より正確には、蛍光体樹脂2)の高さ以下であるのが好ましい。
このように、給電用パターン10と配線パターン4との間に段差部分がある場合、保護部材21として樹脂を塗布して保護部材21を形成する方法は、給電用パターン10と配線パターン4との間に段差がある場合の前述したような塗布方法と基本的には同じである。
すなわち、通常の塗布方法では、図12(a)に示すように、樹脂21に窪みが生じてしまい、ワイヤー8を保護する高さを確保出来なくなる。その場合には、段差が埋まるまでノズルを停止することや速度を遅くすることで、図12(b)に示すようにワイヤー8と同等のあるいはそれ以上の高さの保護部材21を作製可能である。段差を埋めている樹脂の幅はザグリ溝を埋める前の線幅よりも広がっているが、光束低下など機能を損なうことはない。段差を埋めた後は、埋める前の塗布条件で樹脂の塗布を行えば、保護部材21を作製出来る。
本発明は、車両用ヘッドランプ、照明器具、インジケーターなどに利用可能である。
1 半導体発光素子(LEDチップ)
2 蛍光体樹脂
3 バンプ
4 配線パターン
5 第2の基板(絶縁基板)
7 第1の基板(金属基板)
8、38 ワイヤー
10 給電用パターン
21、41 保護部材

Claims (3)

  1. 第1の基板と、第1の基板上に載置された第2の基板とを有し、第1の基板上には給電用パターンが形成され、第2の基板上には配線パターンが形成され、該配線パターン上の所定位置には複数のLEDチップが設けられ、前記給電用パターンと前記配線パターンとの間に電気的導通をとるためのワイヤーが接続される発光装置において、
    前記ワイヤーの外側を取り囲む部分のうち、少なくとも前記ワイヤーの長手方向に沿った前記ワイヤーの両側の部分に、前記ワイヤーを保護するための保護部材が設けられ、
    前記保護部材は、前記ワイヤーの高さ以上で前記LEDチップの高さ以下の高さを有することを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1記載の発光装置において、前記保護部材は、所定の絶縁性樹脂またはセラミックスであることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1記載の発光装置において、前記保護部材は、前記保護部材は黒い樹脂であることを特徴とする発光装置。
JP2009236459A 2009-10-13 2009-10-13 発光装置 Expired - Fee Related JP5340879B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009236459A JP5340879B2 (ja) 2009-10-13 2009-10-13 発光装置
US12/903,200 US8373177B2 (en) 2009-10-13 2010-10-12 Light emitting diode (LED) light source and manufacturing method for the same
KR1020100099198A KR101711595B1 (ko) 2009-10-13 2010-10-12 발광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009236459A JP5340879B2 (ja) 2009-10-13 2009-10-13 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011086678A JP2011086678A (ja) 2011-04-28
JP5340879B2 true JP5340879B2 (ja) 2013-11-13

Family

ID=43854135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009236459A Expired - Fee Related JP5340879B2 (ja) 2009-10-13 2009-10-13 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8373177B2 (ja)
JP (1) JP5340879B2 (ja)
KR (1) KR101711595B1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
CN102456812B (zh) * 2010-10-28 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN103299441B (zh) * 2011-01-20 2016-08-10 夏普株式会社 发光装置、照明装置、显示装置以及发光装置的制造方法
US20120193671A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-02 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
US9169988B2 (en) * 2011-08-02 2015-10-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module and head lamp including the same
KR101880132B1 (ko) * 2011-08-17 2018-07-19 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
KR101880133B1 (ko) * 2011-08-19 2018-07-19 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈
US8878221B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
KR101941030B1 (ko) * 2011-08-24 2019-01-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP5931410B2 (ja) * 2011-11-15 2016-06-08 株式会社小糸製作所 発光モジュールとその製造方法及び車両用灯具
KR101908653B1 (ko) * 2011-12-01 2018-12-19 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 헤드 램프
JP5956167B2 (ja) 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
JP2014002235A (ja) 2012-06-18 2014-01-09 Stanley Electric Co Ltd 立体画像表示装置、照明装置
KR20140076717A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
TWI651871B (zh) * 2013-06-27 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光組件及製作方法
CN104282817B (zh) * 2013-07-01 2019-08-06 晶元光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
CN109065526A (zh) * 2013-07-01 2018-12-21 晶元光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
JP6448365B2 (ja) * 2014-12-26 2019-01-09 シチズン時計株式会社 発光装置および投射装置
CN105355623A (zh) * 2015-10-31 2016-02-24 嘉兴市上村电子有限公司 一种基于透明陶瓷基板的led灯丝
JP2017162940A (ja) 2016-03-08 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
TWI760007B (zh) * 2020-12-14 2022-04-01 晶呈科技股份有限公司 磁性發光二極體晶粒移轉之對準模組及其對準方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701585B2 (ja) * 1991-05-29 1998-01-21 日本電気株式会社 光電気変換素子キャリア
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
JP4140157B2 (ja) 1999-12-28 2008-08-27 東芝ライテック株式会社 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
JP2003258305A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Oki Degital Imaging:Kk 半導体素子アレイ
JP4143732B2 (ja) 2002-10-16 2008-09-03 スタンレー電気株式会社 車載用波長変換素子
JP4411892B2 (ja) 2003-07-09 2010-02-10 日亜化学工業株式会社 光源装置およびこれを用いた車両用前照灯
JP4335785B2 (ja) 2004-02-27 2009-09-30 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
TWI248219B (en) * 2005-02-18 2006-01-21 Au Optronics Corp LED module
DE102005009060A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US7648257B2 (en) * 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
JP4729441B2 (ja) 2006-06-09 2011-07-20 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
JP2008187095A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクタ及びモニタ装置
JP4999551B2 (ja) 2007-05-24 2012-08-15 株式会社小糸製作所 発光素子モジュール
US8143777B2 (en) * 2007-08-23 2012-03-27 Stanley Electric Co., Ltd. LED lighting unit with LEDs and phosphor materials
JP2009054633A (ja) 2007-08-23 2009-03-12 Stanley Electric Co Ltd Led照明灯具
JP2009260260A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2011054727A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置、その製造方法、及びワイヤボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110040701A (ko) 2011-04-20
US20110084299A1 (en) 2011-04-14
KR101711595B1 (ko) 2017-03-02
US8373177B2 (en) 2013-02-12
JP2011086678A (ja) 2011-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5340879B2 (ja) 発光装置
US10907789B2 (en) Light emitting device and vehicular lamp comprising same
JP4303550B2 (ja) 発光装置
US9941449B2 (en) Light emitting device
JP5554680B2 (ja) 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法
JP5902301B2 (ja) 発光装置、および照明装置
US9166133B2 (en) Substrate for LED, LED module, and LED bulb
JP5187746B2 (ja) 発光装置
KR102407819B1 (ko) 발광 장치
US11796139B2 (en) Lighting module and lighting device having same
JP6076796B2 (ja) 半導体発光装置
US20130001623A1 (en) Light-emitting apparatus and manufacturing method thereof
JP2016143881A (ja) 発光ダイオードのパッケージ構造及びパッケージ方法
KR20140127152A (ko) 반도체 발광장치 및 그 제조방법
WO2013153945A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101192816B1 (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
KR102486969B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프
KR20210123242A (ko) 발광 장치
JP2010272653A (ja) 樹脂体形成装置、発光体製造装置、樹脂体形成方法、及び発光体製造方法
JP6203503B2 (ja) 半導体発光装置
KR20170003248A (ko) 발광 장치
JP2015226002A (ja) 発光装置
JP2011171358A (ja) 半導体発光装置
KR101142015B1 (ko) 내열, 내습성이 강화된 구조를 채용한 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5526214B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120830

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5340879

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees