DE102005009060A1 - Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern - Google Patents

Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern Download PDF

Info

Publication number
DE102005009060A1
DE102005009060A1 DE102005009060A DE102005009060A DE102005009060A1 DE 102005009060 A1 DE102005009060 A1 DE 102005009060A1 DE 102005009060 A DE102005009060 A DE 102005009060A DE 102005009060 A DE102005009060 A DE 102005009060A DE 102005009060 A1 DE102005009060 A1 DE 102005009060A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
emitting semiconductor
module according
semiconductor body
semiconductor bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102005009060A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan GRÖTSCH
Berthold Dr. Hahn
Stefan Dr. Illek
Wolfgang Schnabel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102005009060A priority Critical patent/DE102005009060A1/de
Priority to JP2007557317A priority patent/JP2008532299A/ja
Priority to CN200680005824A priority patent/CN100595918C/zh
Priority to KR1020077019817A priority patent/KR101238981B1/ko
Priority to EP06705951A priority patent/EP1854139A1/de
Priority to US11/885,204 priority patent/US8154031B2/en
Priority to PCT/DE2006/000232 priority patent/WO2006089512A1/de
Priority to TW095106301A priority patent/TW200711099A/zh
Publication of DE102005009060A1 publication Critical patent/DE102005009060A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

Es wird ein Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) beschrieben, die auf einer Montagefläche (6) eines Trägers (2) aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) auf einer der Montagefläche (6) gegenüberliegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) angebracht ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern.
  • In der Offenlegungsschrift EP 0 303 741 ist ein Display aus Leuchtdioden beschrieben. Die Leuchtdioden befinden sich dabei auf einer Platine, mit der sie jeweils elektrisch leitend verbunden sind.
  • Aus der Offenlegungsschrift WO 02/33756 A1 ist ein LED-Modul bekannt, das einen Träger mit einer ebenen Hauptfläche aufweist, auf der eine Mehrzahl von LED-Halbleiterkörpern aufgebracht ist. Die LED-Halbleiterkörper sind mittels eines Chipanschlussbereichs, der sich zwischen dem Träger und dem LED-Halbleiterkörper befindet, und einer auf der dem Träger abgewandten Seite des LED-Halbleiterkörpers aufgebrachten Kontaktfläche elektrisch anschließbar. Zur Verbindung der LED-Halbleiterkörper miteinander verlaufen Drahtverbindungen von der Kontaktfläche der LED-Halbleiterkörper zum Chipanschlussbereich der benachbarten LED-Halbleiterkörper.
  • Für viele Anwendungen werden Module mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern mit geringen Abmessungen und hoher Leuchtdichte benötigt. Derartige Module eignen sich insbesondere als Halbleiterlichtquelle in Verbindung mit abbildenden Optiken wie beispielsweise Projektoren.
  • Eine Erhöhung der Leuchtdichte eines Moduls aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern kann prinzipiell dadurch er reicht werden, dass die Strahlungsdichte der einzelnen Halbleiterkörper erhöht wird, wobei zugleich die optische Ausgangsleistung beibehalten oder vergrößert wird.
  • Weiterhin kann zur Erhöhung der Leuchtdichte die Fläche, auf der die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper angeordnet sind, verringert werden. Allerdings besteht bei fortschreitender Miniaturisierung des Moduls ein Problem darin, Bondpads zur Kontaktierung der Halbleiterkörper auf einer immer kleiner werdenden Fläche des Moduls unterzubringen.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern mit hoher Leuchtdichte zu schaffen, das eine möglichst hohe Packungsdichte der einzelnen Halbleiterkörper aufweist.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern nach Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Ein erfindungsgemäßes Modul weist eine regelmäßige Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern auf, die auf einer Montagefläche eines Trägers aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern auf einer der Montagefläche gegenüber liegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper angebracht ist.
  • Ein solches Modul ermöglicht aufgrund einer vorteilhaften Anordnung beziehungsweise Gestaltung der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper eine hohe Packungsdichte.
  • Unter strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern sind hierbei vor allem Leuchtdiodenhalbleiterkörper mit Kontaktflächen zu verstehen. Weitergehend können bei der Erfindung auch andere Strahlungsemitter verwendet werden. Dies umfasst unter anderem neben Leuchtdioden Lumineszenzdioden im allgemeinen, beispielsweise Laserdioden, Superstrahler und OLEDs. Ferner ist der Strahlungsemitter bevorzugt eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode mit zumindest näherungsweise lambertscher Abstrahlcharakteristik, besonders bevorzugt ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip.
  • Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip zeichnet sich insbesondere durch die charakteristischen Merkmale aus:
    • – an einer zu einem Trägerelement hingewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert,
    • – das Trägerelement ist ein von dem Aufwachssubstrat, auf dem die Epitaxieschichtenfolge aufgewachsen wurde, verschiedenes, vor dem Ablösen des Aufwachssubstrates auf die Epitaxieschichtenfolge aufgebrachtes Element,
    • – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf, und
    • – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichts in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, das heißt, sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
  • Vorzugsweise ist die Halbleiterschicht aus einem Material gefertigt, das eine Verbindung aus Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems enthält. Besonders bevorzugt enthält diese Schicht GaAs oder AlGaAs (AlxGa1–xAs mit 0 ≤ x ≤ 1), wobei selbstverständlich auch III-V-Verbindungshalbleiter wie GaP oder GaN sowie hierauf basierende oder hiervon abgeleitete Verbindungen wie InGaAlP (InxAlyGa1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1), InGaAlN (InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1) oder InGaAlPN (InxAlyGa1-x-yPnN1-n mit 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ n ≤ 1 ) im Rahmen der Erfindung vorgesehen sein können.
  • Bei einer vorteilhaften Ausführungsform sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper gemäß einer Matrix aus Spalten und Zeilen auf dem Träger angeordnet. Dabei kann die Anzahl der Spalten der Anzahl der Zeilen entsprechen. Vorzugsweise unterscheidet sich die Anzahl der Spalten von der Anzahl der Zeilen. Beispielsweise kann eine Matrixgröße von 3×4, 4×3 oder 16×9 gewählt werden. Diese Größen entsprechen standardisierten TV-Formaten, wodurch sich ein solches Modul für kommerzielle Projektionsanwendungen eignet. Denkbar sind auch Matrixgrößen mit einer höheren Anzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern. Dadurch kann vorteilhafterweise die Leuchtdichte erhöht werden.
  • Vorzugsweise wird ein konstanter Abstand zwischen den Zeilen und Spalten aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörperngewählt. Dieser Abstand kann 200 μm betragen, wobei eine Abweichung von 5% im Toleranzbereich liegt. Vorteilhafterweise beträgt der Abstand 100 μm. Als besonders vorteilhaft können sich Abstände erweisen, die 100 μm unterschreiten. Durch ei nen möglichst kleinen Abstand zwischen den einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern kann dabei eine hohe Packungsdichte und in der Folge eine hohe Leuchtdichte erzielt werden.
  • In bisher bekannten Modulen von strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern wird demgegenüber der Abstand zwischen den Halbleiterkörpern dadurch begrenzt, dass bei einer Anordnung von mehr als drei Halbleiterkörpern nebeneinander eine Lücke für ein Bondpad vorzusehen ist. Dies beschränkt die Packungsdichte. Bei der vorliegenden Erfindung ist hingegen ein Bondpad zwischen den benachbarten Halbleiterkörpern nicht erforderlich, da die Drahtverbindung von Halbleiterkörper zu Halbleiterkörper geführt ist.
  • Bei der Erfindung kann eine Mehrzahl von Bondpads den strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern lateral nachgeordnet sein. Die Bondpads können sich somit vorteilhafterweise außerhalb der Matrix aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern befinden. Eine geeignete, elektrische Verbindung der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper ermöglicht auch die elektrische Versorgung der den Bondpads nicht unmittelbar benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper.
  • Im Rahmen der Erfindung lässt sich die Packungsdichte gegenüber einem herkömmlichen Modul um ungefähr 30% erhöhen.
  • Vorzugsweise sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper in jeweils einer Spalte der Matrix seriell verschaltet. In einer möglichen Ausführungsform sind dazu zwei benachbarte, strahlungsemittierende Halbleiterkörper einer Spalte invers zueinander angeordnet, das heißt, dass die Oberseite des einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers eine Schicht eines ersten Leitungstyps und die Oberseite des in der Spalte benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers eine Schicht eines zweiten Leitungstyps aufweist. Beispielsweise befindet sich eine p-Schicht an der Oberseite des einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers und eine n-Schicht an der Oberseite des benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers. Vorteilhafterweise können beliebig viele Halbleiterkörper in einer Spalte angeordnet und seriell verschaltet sein.
  • Bevorzugt befinden sich die invers angeordneten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper der Matrix auf einer gemeinsamen Metallisierung, die auf die Montagefläche des Trägers aufgebracht ist. Besonders bevorzugt weist die Metallisierung Unterbrechungen zwischen den Spalten und Zeilen auf. Weiter besonders bevorzugt entspricht der Abstand zwischen den Unterbrechungen von Zeilen einem doppelten Zeilenabstand.
  • Der elektrische Anschluss der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper kann mittels der Metallisierung und mittels Drahtverbindungen erfolgen. Die Drahtverbindungen verlaufen besonders bevorzugt oberhalb der Ebene, in der sich die Oberseite der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper befindet. Dies ermöglicht eine einfache Anbringung der Drahtverbindungen, da ausschließlich in einer Ebene operiert werden kann.
  • Vorzugsweise sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper einer Spalte seriell verschaltet. Außerdem können die Spalten aus seriell verschalteten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper parallel verschaltet sein.
  • Ferner ist denkbar, dass lediglich zwei strahlungsemittierende Halbleiterkörper einer Spalte seriell verschaltet sind.
  • Weitere vorteilhafte Möglichkeiten der Verschaltung sind auf Grund der geometrischen Anordnung der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper in einer Matrix und der sie umgebenden Bondpads realisierbar.
  • In einer weiteren möglichen Ausführungsform werden die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper auf der Oberseite zweifach kontaktiert, das heißt sie weisen auf der Oberseite sowohl ein Mittel zur n-Kontaktierung als auch zur p-Kontaktierung auf. Die Oberseite der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper ist dafür entsprechend strukturiert.
  • Die Dünnfilm-Halbleiterkörper weisen als oberste Schichtenfolge vorzugsweise eine strahlungserzeugende Schichtenfolge auf, auf der eine p-Kontaktierung aufgebracht ist. Die strahlungserzeugende Schichtenfolge weist eine aktive Schicht auf, die beispielsweise GaN enthält. Auf der der Montagefläche des Trägers zugewandten Seite können der aktiven Schicht weitere Schichten nachgeordnet sein, beispielsweise eine Barriereschicht, die TiWN enthält, eine Schutzschicht, die Ti/Pt/Au enthält, und eine Korrosionsschutzschicht, die Au enthält. Ferner können die genannten Schichten mittels eines Hartlots, das beispielsweise AuSn enthält, auf ein Trägerelement, das zum Beispiel Ge enthält, gebondet sein. Auf der der Montagefläche abgewandten Seite des Trägerelements kann weiterhin eine Schutzschicht, die zum Beispiel Ti/Pt/Au enthält, eine Barriereschicht, die beispielsweise TiWN enthält, und eine Grundmetallisierung, die beispielsweise AuSb enthält, vorgesehen sein. Auf der der Montagefläche zugewandten Seite kann das Trägerelement eine Schicht, die Au enthält, aufweisen.
  • Auf dem Trägerelement erhebt sich die strahlungserzeugende Schichtenfolge vorteilhafterweise als Mesa-Struktur, so dass neben der Mesa-Struktur auf dem Trägerelement Platz für eine n-Kontaktierung besteht.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper können in einer Spalte seriell verschaltet sein, indem eine Drahtverbindung von der p-Kontaktierung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers zur n-Kontaktierung eines benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers geführt ist. In der ersten und letzten Zeile einer jeden Spalte sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper vorzugsweise an Bondpads angeschlossen: Weitere vorteilhafte Verschaltungen sind aufgrund der geometrischen Anordnung und Struktur der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper denkbar.
  • Ein erfindungsgemäßes Modul weist vorteilhafterweise einen Träger auf, der ein elektrisch isolierendes Material enthält. Als verschleißfest, korrosionsbeständig, UV-stabil und vor allem sehr gut wärmeleitend zeichnet sich ein Träger aus, der ein Keramikmaterial, zum Beispiel AL2O3 oder AlN, enthält. Durch die UV-Stabilität des Keramikmaterials kann die Degradation des Trägers verringert und damit die Lebensdauer des Moduls erhöht werden. Dies kann sich insbesondere dann als Vorteil herausstellen, wenn das Modul für Projektionsanwendungen verwendet wird. Hierbei ist ein dauerhafter Betrieb bei wechselnder Belastung, beispielsweise beim Ein- oder Ausschalten, von Bedeutung. Während konventionelle Glühlampen eine mittlere Lebensdauer von ca. 103 Stunden haben, können LEDs vorteilhafterweise eine Lebensdauer (entspricht der Hälfte des ursprünglichen Wertes der Intensität) von 105 bis 106 Stunden erreichen.
  • Ferner kann sich die Abführung der Wärme, die zusätzlich durch eine Wärmesenke erfolgen kann, die ein wärmeleitendes Material, beispielsweise Al, enthält, und dem Träger nachgeordnet ist, positiv auf die Lebensdauer des Moduls auswirken. Außerdem kann durch die Kühlung des Moduls eine unerwünschte Änderung der Abstrahlcharakteristik der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper verhindert werden.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper können bevorzugt mittels eines Lotes oder eines Klebers, besonders bevorzugt mittels einer Metallisierung, die zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger aufgebracht ist, auf dem Träger montiert sein. Die Metallisierung kann den Träger zumindest teilweise bedecken. Dabei ist die Metallisierung im Gegensatz zur weiter oben beschriebenen Ausführungsform nicht zur elektrischen Versorgung der Halbleiterkörper erforderlich.
  • Zum Schutz des Moduls vor schädigenden äußeren Einwirkungen können die einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper beziehungsweise kann das gesamte Modul vorzugsweise mit einer Formmasse umhüllt sein. Als Materialien eignen sich Reaktionsharze wie beispielsweise Epoxidharze, Acryl-Harze, Silicon-Harze und Polyurethan-Harze. Ferner können sich Hybridmaterialien wie zum Beispiel Mischungen aus Epoxidharzen und Silikon als besonders geeignet herausstellen, wobei die Hybridmaterialien beispielsweise gegenüber Epoxidharzen den Vorteil gesteigerter UV-Stabilität aufweisen.
    •
  • Weitere Merkmale, Vorteile und Weiterbildungen eines erfindungsgemäßen Moduls ergeben sich aus den nachfolgend in Verbindung mit den 1 bis 6 erläuterten Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Aufsicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Moduls,
  • 2 eine schematische Aufsicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Moduls,
  • 3 eine schematische Schnittansicht des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels,
  • 4 eine schematische Aufsicht eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Moduls,
  • 5 eine schematische Aufsicht eines vierten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Moduls,
  • 6a eine schematische Schnittansicht eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers gemäß des vierten Ausführungsbeispiels,
  • 6b eine schematische Aufsicht eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers gemäß des vierten Ausführungsbeispiels.
  • In 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Moduls dargestellt. Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 sind auf einem Träger 2 regelmäßig angeordnet. Die regelmäßige Anordnung entspricht einer Matrix aus drei Spalten und vier Zeilen. Der Spaltenabstand 18 beziehungsweise der Zeilenabstand 17 beträgt vorzugsweise 100 μm.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 können an zwei einander gegenüber liegenden Seiten des Halbleiterkörpers kontaktiert werden (n-Kontaktierung, p-Kontaktierung). Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 sind bevorzugt invers angeordnet, so dass von zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1 einer Spalte der eine auf der der Montagefläche 6 abgewandten Seite des Trägers 2 eine p-Kontaktierung, der andere eine n-Kontaktierung aufweist.
  • Besonders bevorzugt sind jeweils zwei strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 einer Spalte, die nicht durch eine Drahtverbindung unmittelbar verbunden sind, durch eine gemeinsame Metallisierung 4, die auf dem Träger 2 aufgebracht ist, elektrisch verbunden. Diese Metallisierung 4 kann streifenförmig ausgeführt sein. Für das dargestellte Modul ergeben sich dann sechs streifenförmige Metallisierungen 4, auf denen sich jeweils zwei invers angeordnete, strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 befinden. Diese Halbleiterkörper 1 können mittels eines Lotes oder eines elektrisch leitenden Klebers auf die Metallisierung 4 aufgebracht sein. Beispielsweise kann dazu ein Ag- oder Au-haltiger Leitkleber verwendet werden.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1, die sich auf einer gemeinsamen, streifenförmigen Metallisierung 4 befinden, sind dadurch in Reihe geschaltet. Ferner sind zwei einander benachbarte, strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 einer Spalte, die sich auf verschiedenen, streifenförmigen Metallisierungen 4 befinden, mittels einer Drahtverbindung 5 miteinander verbunden. Schließlich sind die äußeren strahlungsemittierenden Halbleiterkörper jeder Spalte mittels einer Drahtverbindung 5 an Bondpads, die diesen lateral nachgeordnet sind, angeschlossen. Sowohl durch die spezielle Form der Anordnung als auch durch die elektrische Verbindung sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 jeder Spalte seriell verschaltet.
  • Ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Moduls ist in 2 dargestellt. Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 befinden sich vorzugsweise auf einem Träger 2, der ein elektrisch isolierendes, vorzugsweise wärmeleitendes Material, beispielsweise ein Keramikmaterial, enthält.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 sind auf dem Träger 2 regelmäßig angeordnet, wobei sie eine 3×4-Matrix aus drei Spalten und vier Zeilen bilden.
  • Wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind die Halbleiterkörper invers zueinander angeordnet, so dass von zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1 einer Spalte der eine auf der der Montagefläche abgewandten Seite eine Schicht eines ersten und der andere eine Schicht eines zweiten Leitungstyps aufweist.
  • Ferner ist auf dem Träger 2 eine Metallisierung 4 aufgebracht, die vorzugsweise eine Unterbrechung zwischen der 2. und der 3. Zeile aufweist. Die Drahtverbindungen zwischen den strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern einer Spalte verlaufen wie im ersten Ausführungsbeispiel. Die Halbleiterkörper einer Spalte sind also seriell verschaltet. Zusätzlich sind die Spalten seriell verschalteter, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper parallel verschaltet. Dies wird mittels der Metallisierung 4, die nur eine parallel zu den Zeilen verlaufende Unterbrechung aufweist, erreicht.
  • Vorteilhafterweise kann durch diese Anordnung vermieden werden, dass die Halbleiterkörper einer gesamten Spalte ausfallen, sobald ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper in der Reihe defekt ist.
  • In 3 ist eine schematische Schnittansicht des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels dargestellt. Der Schnitt A-A verläuft entlang einer Spalte.
  • Auf dem Träger 2 ist eine Metallisierung 4 aufgebracht, die in der Mitte des Trägers 2 eine Unterbrechung aufweist. Ferner sind auf dem Träger 2 randseitig Bondpads 3 aufgebracht. Diese Bondpads 3 dienen dem elektrischen Anschluss der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1. Die Halbleiterkörper 1 sind in Zweiergruppen auf eine gemeinsame Metallisierung 4 montiert. Wie in der 3 dargestellt bestehen diese Zweiergruppen aus zwei zueinander invers angeordneten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1a weist an der der Montagefläche abgewandten Seite eine p-Kontaktierung auf und ist mittels einer Drahtverbindung 5 an ein Bondpad 3 angeschlossen. Die n-Kontaktierung erfolgt mittels der Metallisierung 4, auf die der strahlungsemittierende Halbleiterkörper mittels eines Lotes oder Leitklebers montiert ist.
  • Der Halbleiterkörper 1b weist hingegen auf der der Montagefläche 6 abgewandten Seite eine n-Kontaktierung und auf der der Montagefläche 6 zugewandten Seite eine p-Kontaktierung auf.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1a und 1b sind mittels der gemeinsamen Metallisierung 4, auf dem sich die beiden Halbleiterkörper befinden, miteinander seriell verschaltet.
  • Die elektrische Verbindung des Halbleiterkörpers 1b mit dem Halbleiterkörper 1c, wobei die Metallisierung 4 zwischen den beiden Halbleiterkörpern unterbrochen ist, erfolgt mittels einer Drahtverbindung 5 auf der der Montagefläche 6 abgewandten Seite. Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1c ist dabei in Bezug auf den strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1b invers angeordnet.
  • Der Halbleiterkörper 1d ist wiederum invers zum strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1c angeordnet und befindet sich mit diesem auf einer gemeinsamen Metallisierung 4. Die elektrische Verbindung ist mittels einer Drahtverbindung 5 zu einem Bondpad 3 hergestellt.
  • Die dargestellten strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1a bis 1d sind somit seriell verschaltet.
  • Die Drahtverbindungen 5 verlaufen vorzugsweise auf der der Montagefläche 6 abgewandten Seite der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1a bis 1d und sind auf einer Kontaktfläche 8 der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 aufgebracht.
  • In 4 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Moduls dargestellt. Entsprechend der ersten beiden Ausführungsbeispiele sind die benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 einer Spalte invers zu einander angeordnet.
  • Wie im ersten Ausführungsbeispiel sind jeweils zwei benachbarte, strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 einer Spalte auf einer gemeinsamen Metallisierung 4 aufgebracht. Im Gegensatz zum ersten Ausführungsbeispiel sind jedoch nicht alle strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 jeder Spalte mit einander seriell verschaltet. So sind in der ersten und letzten Spalte der Matrix lediglich die Zweiergruppen zueinander invers angeordneter strahlungsemittierender Halbleiterkörper 1, die sich auf einer gemeinsamen Metallisierung 4 befinden, miteinander seriell verschaltet. Zusätzliche Bondpads 3, die den Zeilen aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1 lateral nachgeordnet sind, ermöglichen diese elektrische Verbindung.
  • Der Vorteil dieses Ausführungsbeispiels ist, dass ein Totalausfall von den einem defekten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörper nachgeordneten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1 teilweise verhindert werden kann.
  • In 5 ist ein viertes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Moduls in einer schematischen Aufsicht dargestellt. Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 sind auf einem gemeinsamen Träger 2 angeordnet, der vorzugsweise ein elektrisch isolierendes Material, beispielsweise ein Keramikmaterial, enthält, und folgen in ihrer Anordnung besonders bevorzugt einer Matrix aus drei Spalten und vier Zeilen. Der Zeilenabstand 17 wird vorzugsweise gleich groß wie der Spaltenabstand 18 gewählt und kann 200 μm, vorteilhafterweise 100 μm, besonders vorteilhafterweise weniger als 100 μm betragen. Den Spalten aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern 1 sind Bondpads 3 lateral nachgeordnet, die auf dem Träger 2 aufgebracht sind.
  • Jeder strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 weist auf der der Montagefläche 6 abgewandten Seite zwei Kontaktierungen auf, eine n-Kontaktierung und eine p-Kontaktierung, so dass zwei Drahtverbindungen 5 auf einem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 oberseitig angeordnet sind.
  • Wie in 5 dargestellt sind die benachbarten strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 einer Spalte jeweils mittels einer Drahtverbindung 5 miteinander elektrisch verbunden, wobei diese jeweils von der p-Kontaktierung des einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers zur n-Kontaktierung des benachbarten strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers, der als n-Eckkontakt ausgebildet ist, verläuft. Somit sind die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 einer Spalte seriell verschaltet. Bevorzugt sind die Halbleiterkörper als Dünnfilm-Halbleiterkörper ausgeführt, wie im Folgenden noch näher erläutert wird.
  • Vorteilhafterweise ermöglicht diese Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Moduls eine leichte Anbringung der oberseitig verlaufenden Drahtverbindungen 5.
  • In 6a ist ein Dünnfilm-Halbleiterkörper, wie er beispielsweise im vierten Ausführungsbeispiel verwendet werden kann, in einer schematischen Schnittansicht dargestellt.
  • Der Dünnfilm-Halbleiterkörper weist ein Trägerelement 9 auf, das vorzugsweise ein Halbleitermaterial, beispielsweise Ge, enthält. Auf dem Trägerelement 9 ist eine Grundmetallisierung 15, die z.B. AuSb enthält, aufgebracht, welcher folgende Schichten nachgeordnet sind: eine Barriereschicht 11, die z.B. TiWN enthält, um eine Degradation des Trägermaterials zu verhindern, und eine Schutzschicht 12, die z.B. Ti/Pt/Au enthält.
  • Die strahlungserzeugende Schichtenfolge weist eine aktive Schicht 10 auf, die vorzugsweise ein Halbleitermaterial aus einer III-V-Verbindung, beispielsweise GaN oder InGaN ent hält, außerdem eine Barriereschicht 11, die beispielsweise TiWN enthält, eine Schutzschicht 12, die beispielsweise Ti/Pt/Au enthält, und eine Korrosionsschutzschicht 13, die z.B. Au enthält. Die strahlungserzeugende Schichtenfolge, ausgenommen die Korrosionsschutzschicht 13, weist eine Mesa-Struktur auf, die während des Herstellungsprozesses geformt wird. Nach dem Aufwachsen der strahlungserzeugenden Schichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat wird diese von dem Aufwachssubstrat abgelöst, so dass die Schicht 13 dann partiell frei liegt.
  • Ferner ist die strahlungserzeugende Schichtenfolge mittels eines Hartlots 14, das beispielsweise AuSn enthält, auf dem Trägerelement 9 aufgebracht. Das Trägerelement 9 kann an seiner Unterseite eine Schicht, die z.B. Au enthält, aufweisen. Durch diese Schicht an der Unterseite, die vorzugsweise wärmeleitend ist, kann der Halbleiterkörper zur Kühlung wärmeleitend an eine Wärmesenke angeschlossen sein, was sich positiv auf die Lebensdauer des Moduls auswirken kann.
  • Die Mesa-Struktur ermöglicht auf der Oberseite 16 die Aufbringung einer n-Kontaktierung 8b. Die p-Kontaktierung 8a ist auf der strahlungserzeugenden Schichtenfolge, die die aktive Schicht 10 umfasst, aufgebracht.
  • Die p- und n-Kontaktierung sind in den Außenbereichen des Dünnfilm-Halbleiterkörpers aufgebracht, so dass die Leuchtdichte durch die Abschattung der Drahtverbindungen 5 minimal verringert wird.
  • In 6b ist eine schematische Draufsicht eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers dargestellt. Zu sehen ist in der Schnittansicht die dreieckförmige n-Kontaktierung 8b, die obere Schicht der Schichtenfolge, die die aktive Schicht 10 umfasst und die kreisförmige p-Kontaktierung 8b.
  • Es versteht sich, dass die in der Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung sowohl einzeln als auch in jeder möglichen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein können

Claims (24)

  1. Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1), die auf einer Montagefläche (6) eines Trägers (2) aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung (5) zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) auf einer der Montagefläche (6) gegenüberliegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) angebracht ist.
  2. Modul nach Anspruch 1, wobei die regelmäßige Anordnung einer Matrix aus Spalten und Zeilen entspricht.
  3. Modul nach Anspruch 2, wobei die Matrix eine 3×4-, 4×3- oder 16×9- Matrix ist.
  4. Modul nach einem der Ansprüche 2 oder 3, wobei der Abstand zwischen zwei Zeilen (17) gleich oder kleiner als 100 μm ist.
  5. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der Abstand zwischen zwei Spalten (18) gleich oder kleiner als 100 μm ist.
  6. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) innerhalb einer Spalte seriell verschaltet sind.
  7. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) zweier benachbarter Spalten in einer Zeile parallel verschaltet sind.
  8. Modul nach einem der Ansprüche n bis 7, wobei die Oberseite eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers eine Schicht eines ersten Leitungstyps und die Oberseite eines in der Spalte benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers eine Schicht eines zweiten Leitungstyps aufweist.
  9. Modul nach Anspruch 8, wobei der Träger (2) auf der Montagefläche (6) eine Metallisierung (4) aufweist.
  10. Modul nach Anspruch 9, wobei die Metallisierung (4) eine oder mehrere Unterbrechungen (7) aufweist.
  11. Modul nach Anspruch 10, wobei der Abstand zwischen zwei Unterbrechungen einem doppelten Zeilenabstand entspricht.
  12. Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei jeder strahlungsemittierende Halbleiterkörper (1) an der Oberseite sowohl eine p-Kontaktierung als auch eine n-Kontaktierung aufweist.
  13. Modul nach Anspruch 12, wobei die n-Kontaktierung (8b) auf der Oberseite 16 der auf einem Trägerelement 9 angeordneten Schichtenfolge (13, 9, 15, 11, 12, 14, 13) des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist.
  14. Modul nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei die p-Kontaktierung (8a) auf einer Mesa-Struktur des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist.
  15. Modul nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei der Träger (2) auf der Montagefläche (6) eine Metallisierung aufweist:
  16. Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Anordnung aus strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) eine Mehrzahl von Bondpads (3) lateral nachgeordnet ist.
  17. Modul nach Anspruch 16, wobei ein Teil der strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) durch eine Drahtverbindung (5) mit den Bondpads (3) verbunden ist.
  18. Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) Dünnfilm-Halbleiterkörper sind.
  19. Modul nach Anspruch 18, wobei der strahlungsemittierende Halbleiterkörper (1) ein Halbleitermaterial wie InGaN oder InGaAlP enthält.
  20. Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (2), auf dem die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) montiert sind, ein elektrisch isolierendes Material enthält.
  21. Modul nach Anspruch 20, wobei der Träger (2) ein Keramikmaterial enthält.
  22. Modul nach Anspruch 21, wobei der Träger (2) AlN enthält.
  23. Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) von einer Formmasse umhüllt sind.
  24. Verwendung eines Moduls nach einem der vorhergehenden Ansprüche für Projektionsanwendungen.
DE102005009060A 2005-02-28 2005-02-28 Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern Withdrawn DE102005009060A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005009060A DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2005-02-28 Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
JP2007557317A JP2008532299A (ja) 2005-02-28 2006-02-10 放射線を発する半導体を備えたモジュール
CN200680005824A CN100595918C (zh) 2005-02-28 2006-02-10 具有发射辐射的半导体本体的模块
KR1020077019817A KR101238981B1 (ko) 2005-02-28 2006-02-10 광선방출 반도체 몸체를 포함한 모듈
EP06705951A EP1854139A1 (de) 2005-02-28 2006-02-10 Modul mit strahlungsemittierenden halbleiterkörpern
US11/885,204 US8154031B2 (en) 2005-02-28 2006-02-10 Module comprising radiation-emitting semiconductor bodies
PCT/DE2006/000232 WO2006089512A1 (de) 2005-02-28 2006-02-10 Modul mit strahlungsemittierenden halbleiterkörpern
TW095106301A TW200711099A (en) 2005-02-28 2006-02-24 Module with radiation-emitting semiconductor-bodies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005009060A DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2005-02-28 Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005009060A1 true DE102005009060A1 (de) 2006-09-07

Family

ID=36442045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005009060A Withdrawn DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2005-02-28 Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8154031B2 (de)
EP (1) EP1854139A1 (de)
JP (1) JP2008532299A (de)
KR (1) KR101238981B1 (de)
CN (1) CN100595918C (de)
DE (1) DE102005009060A1 (de)
TW (1) TW200711099A (de)
WO (1) WO2006089512A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006045440A1 (de) * 2006-09-26 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Projektionsgerät
DE102008005935A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102011077644A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Leuchtvorrichtung mit Metallisierungsbereich bestückt mit Halbleiterleuchtchip
DE102011077614A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Verfahren zur Herstellung einer Leuchtvorrichtung und Leuchtvorrichtung
WO2015091005A1 (de) * 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4729441B2 (ja) * 2006-06-09 2011-07-20 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
FR2906347B1 (fr) * 2006-09-22 2008-12-12 Valeo Vision Sa Module d'eclairage
TWI344708B (en) * 2007-04-30 2011-07-01 Jin Chyuan Biar Package structure of lighting element and lighting device thereof
US8143777B2 (en) * 2007-08-23 2012-03-27 Stanley Electric Co., Ltd. LED lighting unit with LEDs and phosphor materials
DE102008021618A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, Anschlussanordnung, LED sowie Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung
KR100939304B1 (ko) * 2009-06-18 2010-01-28 유트로닉스주식회사 Ｌｅｄ어레이모듈 및 그 제조방법
JP5340879B2 (ja) * 2009-10-13 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
US8482015B2 (en) * 2009-12-03 2013-07-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same
JP5571419B2 (ja) * 2010-03-24 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯
KR101192181B1 (ko) 2010-03-31 2012-10-17 (주)포인트엔지니어링 광 소자 디바이스 및 그 제조 방법
JP2010251796A (ja) * 2010-07-06 2010-11-04 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール
DE102010026344A1 (de) 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
JP2012018305A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 表示装置
JP2012018307A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp 表示装置
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
US8333860B1 (en) 2011-11-18 2012-12-18 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a micro device
US9773750B2 (en) 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US9171826B2 (en) 2012-09-04 2015-10-27 Micron Technology, Inc. High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
WO2014201187A2 (en) 2013-06-12 2014-12-18 Rohinni, Inc. Keyboard backlighting with deposited light-generating sources
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
US9153548B2 (en) 2013-09-16 2015-10-06 Lux Vue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation
DE102013218541A1 (de) * 2013-09-16 2015-03-19 Osram Gmbh Leuchtmodul mit Halbleiterlichtquellen und Trägerplatte
CN104576883B (zh) 2013-10-29 2018-11-16 普因特工程有限公司 芯片安装用阵列基板及其制造方法
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9450147B2 (en) 2013-12-27 2016-09-20 Apple Inc. LED with internally confined current injection area
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US9542638B2 (en) 2014-02-18 2017-01-10 Apple Inc. RFID tag and micro chip integration design
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
DE102014103751A1 (de) * 2014-03-19 2015-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches strahlungsemittierendes Bauelement
US9522468B2 (en) 2014-05-08 2016-12-20 Apple Inc. Mass transfer tool manipulator assembly with remote center of compliance
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9741286B2 (en) 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
US9624100B2 (en) 2014-06-12 2017-04-18 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount with integrated strain sensing elements
US9570002B2 (en) 2014-06-17 2017-02-14 Apple Inc. Interactive display panel with IR diodes
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US9705432B2 (en) 2014-09-30 2017-07-11 Apple Inc. Micro pick up array pivot mount design for strain amplification
US9828244B2 (en) 2014-09-30 2017-11-28 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with defined cavity
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
KR102298484B1 (ko) 2016-01-15 2021-09-03 로히니, 엘엘씨. 장치 상의 커버를 통해 후면 발광하는 장치 및 방법
WO2020040740A1 (en) 2018-08-21 2020-02-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. P-type semiconductor layers coupled to n-type semiconductor layers
WO2020244784A1 (en) * 2019-06-07 2020-12-10 Jenoptik Optical Systems Gmbh Led illumination apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1465256A1 (de) * 2003-04-03 2004-10-06 Micro Photonics Technology Methode zur Herstellung einer Lichtquelle und die daraus resultierende Lichtquelle

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4952477U (de) * 1972-08-16 1974-05-09
JPS5135069B2 (de) 1972-09-27 1976-09-30
DE2315709A1 (de) 1973-03-29 1974-10-10 Licentia Gmbh Strahlung abgebende halbleiteranordnung mit hoher strahlungsleistung
JPS538586A (en) 1976-07-13 1978-01-26 Seiko Instr & Electronics Ltd Led substrate
JPS604215Y2 (ja) * 1979-05-31 1985-02-05 三洋電機株式会社 発光ダイオ−ドマトリクス表示器
US4772456A (en) * 1983-12-19 1988-09-20 Labofina, S.A. Process for preparing crystalline silicas
JPS60136788A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 日本ビクター株式会社 Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法
JPS60147178A (ja) 1984-01-11 1985-08-03 Canon Inc Ｌｅｄアレイ
US4845405A (en) * 1986-05-14 1989-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Monolithic LED display
US4914731A (en) 1987-08-12 1990-04-03 Chen Shen Yuan Quickly formed light emitting diode display and a method for forming the same
DE3737861A1 (de) 1987-11-07 1989-05-18 Mueller Werner Dipl Wirtsch In Elektronisches leuchtelement mit optimierter lichtausbeute, verfahren zu seiner herstellung
US5936353A (en) 1996-04-03 1999-08-10 Pressco Technology Inc. High-density solid-state lighting array for machine vision applications
WO2000007235A1 (en) * 1998-07-28 2000-02-10 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacture thereof, semiconductor module, and electronic device including circuit board and electronic unit board
US6459100B1 (en) 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
TW444932U (en) 2000-01-29 2001-07-01 Opto Tech Corp Improved structure of light emitting diode package
DE10051159C2 (de) * 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US6939730B2 (en) * 2001-04-24 2005-09-06 Sony Corporation Nitride semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2002329896A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Kansai Tlo Kk Ｌｅｄ面発光装置
US7001057B2 (en) * 2001-05-23 2006-02-21 Ivoclar Vivadent A.G. Lighting apparatus for guiding light onto a light polymerizable piece to effect hardening thereof
CA2463981C (en) * 2001-10-19 2011-11-29 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor module, and method for manufacturing the same
JP3822545B2 (ja) * 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
EP1553641B1 (de) * 2002-08-29 2011-03-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1465256A1 (de) * 2003-04-03 2004-10-06 Micro Photonics Technology Methode zur Herstellung einer Lichtquelle und die daraus resultierende Lichtquelle

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006045440A1 (de) * 2006-09-26 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Projektionsgerät
DE102008005935A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102011077644A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Leuchtvorrichtung mit Metallisierungsbereich bestückt mit Halbleiterleuchtchip
DE102011077614A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Osram Ag Verfahren zur Herstellung einer Leuchtvorrichtung und Leuchtvorrichtung
US9488344B2 (en) 2011-06-16 2016-11-08 Osram Gmbh Method for producing a lighting device and lighting device
DE102011077614B4 (de) 2011-06-16 2023-08-17 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtvorrichtung und Leuchtvorrichtung
WO2015091005A1 (de) * 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und adaptiver scheinwerfer für ein kraftfahrzeug
US9964270B2 (en) 2013-12-20 2018-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008532299A (ja) 2008-08-14
KR101238981B1 (ko) 2013-03-08
TW200711099A (en) 2007-03-16
CN101128932A (zh) 2008-02-20
KR20070106624A (ko) 2007-11-02
CN100595918C (zh) 2010-03-24
TWI332259B (de) 2010-10-21
EP1854139A1 (de) 2007-11-14
WO2006089512A1 (de) 2006-08-31
US20080303038A1 (en) 2008-12-11
US8154031B2 (en) 2012-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005009060A1 (de) Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
DE112005002889B4 (de) Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben
DE112011106156B4 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene
EP1277241B1 (de) Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan
DE10325951B4 (de) Licht emittierende Diode mit zugehörigem Kontaktschema
DE10221504B4 (de) Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102005013264B4 (de) Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung
DE102009018603B9 (de) Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE102005016845B4 (de) Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht
DE102013108769A1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE112011101981T5 (de) Oberflächenemittierende LED mit hoher Spannung und niedrigem Strom
DE112011103482T5 (de) Hochspannungs-LEDs ohne Drahtverbindung
DE112016004262T5 (de) Selbstausrichtender freischwebender Spiegel für Durchkontaktierungen
KR101276053B1 (ko) 반도체 발광소자 및 발광장치
DE112017006432T5 (de) Hochzuverlässige lumineszenzdiode
DE112015003963T5 (de) Leuchtdiode
DE10213701A1 (de) Hoch reflektierende ohmsche Kontakte für AlGaln-Flip-Chip-LEDs
DE202009018941U1 (de) Effiziente LED-Anordnung
DE102006051745A1 (de) LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
DE112016000430T5 (de) Hocheffiziente leds und verfahren zu deren herstellung
EP1966836A1 (de) Led-halbleiterkörper und verwendung eines led-halbleiterkörpers
DE112016000731T5 (de) Lichtaussendeelement und leuchtdiode
DE102005031613A1 (de) LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht
DE102007009351A1 (de) Leuchtmittel
EP2273574B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee