JPH0645650A - 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。 - Google Patents

半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。

Info

Publication number
JPH0645650A
JPH0645650A JP21824192A JP21824192A JPH0645650A JP H0645650 A JPH0645650 A JP H0645650A JP 21824192 A JP21824192 A JP 21824192A JP 21824192 A JP21824192 A JP 21824192A JP H0645650 A JPH0645650 A JP H0645650A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
semiconductor light
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21824192A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Watanabe
秀明 渡辺
Hiroshi Imamoto
浩史 今本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP21824192A priority Critical patent/JPH0645650A/ja
Publication of JPH0645650A publication Critical patent/JPH0645650A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【目的】 微小な発光径を有し、しかも高い発光効率を
有する半導体発光素子を提供する。 【構成】 半導体基板１の上に半導体からなる多層反射
膜層２、下部クラッド層３、活性層４、上部クラッド層
５を順次積層する。上部クラッド層５の上面には円錐台
や角錐台等の凸状部分６を設け、凸状部分６の頂面に光
出射窓８を開口するようにして上部クラッド層５の表面
に電極９を形成し、凸状部分６の外周面の斜面７に電極
９による光反射面１１を形成する。活性層４から出射さ
れた光の一部は、多層反射膜層２と光反射面１１の間で
多重反射された後、光出射窓８から外部へ出射される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子、ならび
に当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理
装置及び発光装置に関する。具体的にいうと、本発明
は、投光器として用いられる高出力で発光領域の微小化
が可能な半導体発光素子と、当該半導体発光素子を用い
た光学検知装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子の用途としては、距離セ
ンサ、光電センサなどの光学検知装置やその光源部分で
ある投光器（発光装置）などがある。従来、この種の光
源部分には、半導体レーザ素子や高出力化を図った発光
ダイオードなどの半導体発光素子が用いられている。こ
のうち半導体レーザ素子は高出力であり、発光径の絞ら
れたレーザビームを生成することができるので、この種
のセンサに適した素子である。しかし、半導体レーザ素
子は、ノイズや温度変化に弱く、そのため半導体レーザ
素子を駆動するための駆動回路が高価になることや、人
体（特に、目）に危険であるため、応用範囲が限られる
といった問題があった。一方、発光ダイオードは、発光
径が大きいために検出精度が悪く、検出精度を上げるた
めに発光径を小さくすると発光出力が低くなるので、セ
ンサの検出距離が短くなるという問題があった。
【０００３】このため、従来より発光ダイオードの高出
力化を図るための工夫が講じられている。図１５に示す
ものは発光ダイオードの高出力化を図るための構造であ
って、特開平３−８５７７４号公報に記載されたもので
ある。この発光ダイオード１５１にあっては、凹状に窪
んだ半導体基板１５２上に多層反射膜層１５３を形成
し、その上にクラッド層１５４を介して活性層（ヘテロ
接合層）１５５を形成している。しかして、凹状に形成
された活性層１５５から光を出射させることにより、活
性層１５５から出射された光を電極１５７に開口された
光取り出し窓１５６へ向けて集光させ、また、凹状に形
成された多層反射膜層１５３によって反射された光を光
取り出し窓１５６へ向けて集光させ、発光ダイオード１
５１の光取り出し効率を高めようとしている。
【０００４】しかし、上記のような構造の発光ダイオー
ドにおいては、活性層から出射される光のうち光取り出
し窓へ向かう光の割合は増加するが、光取り出し窓に進
む光以外は外部へ取り出せないため、当初に意図した程
の発光効率の向上は得られなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、高い発光効率を有し、しかも微小な発光領域を
有する半導体発光素子を提供することにある。
【０００６】また、本発明の他の目的とするところは、
このような半導体発光素子を用いることにより、高い分
解能を有する光学検知装置や構成の簡単な発光装置等を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、基板の上方に多層反射膜層が形成され、該多層反射
膜層の上方に活性層が形成され、該活性層の上方から光
を取り出される半導体発光素子において、上記活性層の
上方に凸状部分を形成し、該凸状部分の側面を斜面に形
成すると共に該斜面に光反射面を形成し、該凸状部分の
頂部に光出射窓を形成したことを特徴としている。
【０００８】上記半導体発光素子の光反射面は、屈折率
の異なる２種の薄膜を複数層交互に積層した多層反射膜
によって形成することができる。
【０００９】この場合、光反射面を構成する多層反射膜
の各薄膜が、複数種の膜厚からなっていてもよい。
【００１０】特に、２種の薄膜の屈折率をそれぞれ
ｎ1，ｎ2、膜厚をそれぞれｄ1，ｄ2、活性層の発光波長
の中心波長をλcとするとき、各薄膜がそれぞれ ｄ1≧〔λc／（４ｎ1）〕 ｄ2≧〔λc／（４ｎ2）〕 を満たすようにすることが好ましい。
【００１１】また、光反射面は多層反射膜に限らず、電
極によって形成してもよい。
【００１２】また、上記半導体発光素子においては、凸
状部分の側面は活性層を貫いていてもよい。さらに、光
出射窓にほぼ対応して電流狭窄構造を形成してもよい。
【００１３】また、上記半導体発光素子は、光学検知装
置や光学的情報処理装置、発光装置等に応用することが
できる。
【００１４】
【作用】本発明の半導体発光素子にあっては、光を発生
させる活性層の上方に凸状部分を形成し、該凸状部分の
側面に光反射面を形成し、該凸状部分の頂部に光出射窓
を形成しているので、活性層から光出射窓へ向けて出射
された光（及び、多層反射膜層で光出射窓へ向けて反射
された光）が光出射窓から直接外部へ出射されるのはも
ちろん、光出射窓以外の方向へ向けて出射もしくは反射
された光も上記光反射面及び多層反射膜層で１回ないし
複数回反射された後、光出射窓から外部へ出射される。
【００１５】しかも、光反射面を形成されている凸状部
分の側面を斜面にしているので、光反射面及び多層反射
膜層で反射された光を凸状部分の光反射面と多層反射膜
層によって囲まれた領域に閉じ込める確率が高く、光を
光出射窓以外（例えば、素子の側面）から逃がすことな
く、効率的に光出射窓から出射させることができる。
【００１６】したがって、本発明によれば、半導体発光
素子から外部に取り出す光量を増加させることができ
る。特に、光センサ、光通信等の分野に有益な微小の光
出射窓を有する発光素子を想定したとき、光出射窓の周
囲の電極の影となる部分の割合が従来構造に較べて相対
的に減少するので、発光効率がより高くなる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例による半導体発光素
子Ａの構造を示す断面図である。この半導体発光素子Ａ
にあっては、図１に示すように、半導体基板１の上に半
導体からなる多層反射膜層２、下部クラッド層３、光を
発生させる活性層（発光層）４、上部クラッド層５を順
次エピタキシャル成長法等により積層している。多層反
射膜層２及び下部クラッド層３は同一導電型、例えばｎ
型となっており、上部クラッド層５はこれらと逆の導電
型、例えばｐ型となっている。ここで、多層反射膜層２
は、屈折率ｎ3の半導体材料及び屈折率ｎ4（≠ｎ3）の
半導体材料からなる２種類の薄膜２ａ，２ｂを複数層交
互に積層したものである。活性層から出射される光の中
心波長をλcとするとき、屈折率ｎ3の薄膜２ａの膜厚ｄ
3は、 ｄ3＝λc／（４ｎ3） としてあり、屈折率ｎ4の薄膜２ｂの膜厚ｄ4は、 ｄ4＝λc／（４ｎ4） としてあり、多層反射膜層２はこれらの１／４波長膜の
光波干渉作用により光を高い反射率で反射する。
【００１８】上部クラッド層５の上面にはエッチングに
よって円錐台や角錐台等の形状に突出した凸状部分６が
設けられており、凸状部分６の外周面が斜面７となって
いる。この凸状部分６の頂面の中央部は光出射窓８とな
っており、上部クラッド層５の上面の光出射窓８以外の
領域は一方の極性のオーミック電極（例えば、ｐ側電
極）９が蒸着等によって形成されている。同時に、当該
電極９によって覆われた凸状部分６の斜面７は反射鏡と
して機能する光反射面１１となっており、上部クラッド
層５内を通って斜面７に達した光線は斜面７と電極９と
の界面で鏡面反射される。また、半導体基板１の下面に
は他方の極性のオーミック電極（例えば、ｎ側電極）１
０が設けられている。
【００１９】しかして、両電極９，１０間に電圧を印加
すると、活性層４は例えば電極９側から電流を注入され
て発光する。図２に活性層４で発生した光線の挙動の一
例を示す。例えば、活性層４中のＰ点から発した光は上
下左右３６０°の方向に進行する。このうち、図１中の
光線αのように活性層４から上方へ出射され、光出射窓
８へ向けて進行する光は直接光出射窓８から外部へ出射
される。同様に、活性層４から下方へ出射されて多層反
射膜層２で上方へ反射され、光出射窓８へ向けて進行す
る光も直接光出射窓８から外部へ出射される。一方、光
出射窓８以外の方向へ進行する光のうちでも、光線βの
ように多層反射膜層２で反射されてから凸状部分６へ向
けて進行する光や活性層４から凸状部分６へ向けて出射
された光は、光反射面１１で１回反射された後、あるい
は、光反射面１１及び多層反射膜層２で多重反射された
後、光出射窓８から外部へ出射される。特に、光反射面
１１を形成されている凸状部分６の外周面が斜面７とな
っているので、凸状部分６の光導入口を広くすることが
できると共に、光反射面１１及び多層反射膜層２で反射
された光を光反射面１１及び多層反射膜層２で囲まれる
領域に閉じ込める確率が高くなり、素子の側面から光の
漏れる確率を小さくすることができ、光出射窓８からの
光出射効率を一層高めることができる。
【００２０】したがって、本発明のような構造の半導体
発光素子Ａによれば、光出射窓８を小さくして微小発光
径化しても、効率的に光を外部へ取り出すことができ、
発光径が小さく、かつ高出力の半導体発光素子Ａを得る
ことができる。よって、特にセンサ等の光源として有益
な微小発光窓（光出射窓８）を有する半導体発光素子に
適用した場合、発光効率が向上する。しかも、この実施
例では、電極９が電極本来の機能と反射鏡の機能とを兼
ね備えているので、製造工程が簡略になり、コストも安
価になる。
【００２１】図３に示すものは本発明の別な実施例によ
る半導体発光素子Ｂの構造を示す断面図である。この実
施例にあっては、凸状部分６の斜面７を活性層４を貫通
する深さまで形成している。言い換えると、活性層４が
凸状部分６の内部に形成されている。この場合には、活
性層４と電極９との電気的絶縁を確保するため、活性層
４や下部クラッド層３等と電極９との間に絶縁膜１２ａ
を介在させている。電極９は、光出射窓８の周囲におい
てのみ上部クラッド層５と電気的に接触しており、素子
駆動時には光出射窓８の周囲から活性層４側へ電流を注
入する。また、凸状部分６の光反射面１１は、絶縁膜１
２ａ及び電極９によって形成されており、光は上部クラ
ッド層５と絶縁膜１２ａとの界面や絶縁膜１２ａと電極
９との界面で反射される。
【００２２】このような構造によれば、活性層４から素
子側面へ進む光は光反射面１１（絶縁膜１２ａ及び電極
９）で反射されるので、素子側面からの光の放射（漏
れ）が無くなり、光出射窓８からのみ発光し、レンズ、
光ファイバ等への正味の結合効率が向上する。
【００２３】図４は本発明のさらに別な実施例による半
導体発光素子Ｃの構造を示す断面図である。この実施例
にあっては、半導体基板１の上に順次ｎ型の多層反射膜
層２、ｎ型の下部クラッド層３、活性層４、ｐ型の上部
クラッド層５、ｐ型の拡散ストップ層１９、ｎ型の電流
ブロック層１５及びｐ型のキャップ層１６を成長させた
後、キャップ層１６、電流ブロック層１５、拡散ストッ
プ層１９及び上部クラッド層５をエッチングすることに
よってキャップ層１６、電流ブロック層１５、拡散スト
ップ層１９及び上クラッド層５からなる凸状部分６を形
成し、凸状部分６の中央部に光出射窓８を形成してい
る。さらに、光出射窓８の内部においてキャップ層１６
から上部クラッド層５に達する深さまでＺｎ等のｐ型不
純物を例えば拡散、イオン注入等の方法によって注入
し、電流ブロック層１５を貫通するようにｐ型の電流通
路領域１７を形成している。また、光出射窓８及びその
周辺を除く上部クラッド層５の上面に半導体もしくは誘
電体からなる多層反射膜１２ｂを形成し、その上に電極
９を形成し、多層反射膜１２ｂによって凸状部分６の斜
面７に光反射面１１を形成している。この半導体発光装
置Ｃも後述の半導体発光装置Ｅ（図６参照）と同様電流
狭窄構造の素子となっている。
【００２４】多層反射膜１２ｂは、半導体もしくは誘電
体からなる２種の薄膜を複数層交互に積層したものであ
って、両薄膜の屈折率をそれぞれｎ1，ｎ2、膜厚をそれ
ぞれｄ1，ｄ2とし、活性層４における発光波長の中心波
長をλcとするとき、１／４波長膜となるように、すな
わち、 ｄ1＝〔λc／（４ｎ1）〕 … ｄ2＝〔λc／（４ｎ2）〕 … の関係を満たすようにしてもよいが、凸状部分６の斜面
７における薄膜の実質的な膜厚は膜厚（鉛直方向の膜
厚）ｄ1、ｄ2よりも薄くなるので、多層反射膜１２ｂの
効果が弱くなる。従って、薄膜の膜厚ｄ1、ｄ2を上記
式及び式で決まるものよりも厚めに設定することによ
り、言い換えると、予め中心波長λcよりも長めの波長
に対して反射率が最大となるように、膜厚ｄ1、ｄ2を、 ｄ1＞〔λc／（４ｎ1）〕 … ｄ2＞〔λc／（４ｎ2）〕 … とすることにより、多層反射膜１２ｂは斜面７において
も十分な反射率を得ることができる。
【００２５】あるいは、両薄膜をそれぞれ、中心波長λ
cより短い波長からλcより長い波長までの波長域にある
異なる膜厚の複数種類の１／４波長膜を用いて多層反射
膜を形成してもよい。つまり、両薄膜の膜厚ｄ1、ｄ
2を、式及び式で決まる値よりも小さな膜厚から大
きな膜厚までの異なる数種の膜厚とし、それぞれ複数の
膜厚を有する薄膜を積層して多層反射膜を形成すれば、
斜面７において十分な反射率を有する多層反射膜１２ｂ
を得ることができる。
【００２６】図５に示すものは本発明のさらに別な実施
例による半導体発光素子Ｄの構造を示す断面図である。
この実施例にあっては、凸状部分６に対応させて活性層
４の下方に内部電流狭窄構造が形成されている。すなわ
ち、下部クラッド層３と多層反射膜層２との間には、下
部クラッド層３及び多層反射膜層２と逆の導電型の内部
電流狭窄層１３が形成されており、凸状部分６の中央付
近と対向させて内部電流狭窄層１３にエッチングによっ
て電流通路領域となるリセス部分１４を開口している。
【００２７】しかして、電極９及び１０間に電圧を印加
すると、例えば、電極９側から注入された電流は、上部
クラッド層５、活性層４、下部クラッド層３、多層反射
膜層２及び半導体基板１を通過し、下面の電極１０に流
れる。このとき、下部クラッド層３と内部電流狭窄層１
３（もしくは、内部電流狭窄層１３と多層反射膜層２）
の間が逆バイアスされた電流阻止層となるため、内部電
流狭窄層１３の存在する領域には電流が流れず、リセス
部分１４のみに電流が集中して流れる。こうしてリセス
部分１４の直上の活性層４にのみ電流が注入されて発光
するので、凸状部分６の光反射面１１及び多層反射膜層
２の働きと相まって半導体発光素子Ｄの光出力がより向
上する。特に、このリセス部分１４の径を光出射窓８の
径よりも小さくしておけば、光の取り出し効率をより向
上させることができる。
【００２８】図６は本発明のさらに別な実施例による半
導体発光素子Ｅの構造を示す断面図である。この実施例
にあっては、凸状部分６に対応させて活性層４の上方に
内部電流狭窄構造が形成されている。すなわち、上部ク
ラッド層５の上に上部クラッド層５と逆の導電型の電流
ブロック層１５を設け、その上に上部クラッド層５と同
一導電型のキャップ層１６を形成し、光出射窓８の内部
においてキャップ層１６から上部クラッド層５に達する
深さまで上部クラッド層５と同一導電型の不純物を例え
ば拡散、イオン注入等の方法によって注入し、電流ブロ
ック層１５を貫通するように電流通路領域１７を形成し
ている。
【００２９】このような構造によっても電流狭窄構造を
実現することができ、電流ブロック層１５と上部クラッ
ド層５の間は逆バイアスされて電流阻止層となるため電
流が流れず、電流通路領域１７を通してのみ活性層４に
電流が注入され、電流通路領域１７に対応する領域での
み発光する。したがって、電流狭窄構造による発光径の
微小化に加え、多層反射膜層２と光反射膜１１との多重
反射とにより微小発光径で光出力の半導体発光素子Ｅを
得る個とができる。しかも、このような構造によれば、
図４の実施例と比較して結晶成長工程が１回で済み、製
造工程が簡易になるという長所がある。
【００３０】図７に示すものは本発明のさらに別な実施
例による半導体発光素子Ｆの構造を示す断面図である。
この半導体発光素子Ｆにあっては、上面に凹状の窪み１
８を形成された半導体基板１の上に窪み１８に沿って多
層反射膜層２を形成し、その上に下部クラッド層３及び
活性層４を窪み１８に沿って形成している。このような
構造の半導体発光素子Ｆによれば、光出射窓８に対応す
る領域における活性層４の発光密度が高くなる。また、
多層反射膜層２が凹部状の反射鏡となるので、横方向へ
進む光に対しても多層反射膜層２による反射効果が生
じ、多層反射膜層２による凸状部分６への光の集光効果
が高くなり、光出射窓８から外部へ光を取り出す効率が
さらに向上する。
【００３１】なお、窪み１８に対応する活性層４の凹状
部分の傾斜領域から見たときの多層反射膜層２の実質的
な膜厚も薄くなるため、反射鏡の効果が弱くなるが、予
め中心波長λcより長めの波長において反射率が最大と
なるよう長めの波長に対して１／４波長膜となるように
多層反射膜層２を形成すれば、傾斜領域においても十分
な反射率を得ることができる。あるいは、中心波長λc
より短い波長から長い波長までの波長域において膜厚の
異なる複数種類の１／４波長膜を用いて多層反射膜層２
を形成しても、傾斜領域においても十分な反射率を得る
ことができる。
【００３２】つぎに、上記半導体発光素子を用いた応用
例について説明する。まず、図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に
示す投光器（発光装置）Ｇについて説明する。この投光
器Ｇは、本発明の半導体発光素子７１を一方のリードフ
レーム７２の上にダイボンディングすると共に他方のリ
ードフレーム７３にワイヤボンディングした状態で透明
エポキシ樹脂等の封止樹脂７４で所定形状に低圧注型し
て封止し、全体として角ブロック状の外形に構成されて
いる。封止樹脂７４の表面には多数の環状レンズ単位を
同心状に配列したフレネル型平板状レンズ７５が一体形
成されると共に、表面の両側にはフレネル型平板状レン
ズ７５と同じ高さ、あるいはフレネル型平板状レンズ７
５よりもやや高いアゴ部７６を突設してあり、アゴ部７
６によってフレネル型平板状レンズ７５を保護してい
る。
【００３３】この投光器Ｇの場合、半導体発光素子７１
は、高い発光効率で、しかも微小な発光領域を有するも
のであるから、フレネル型平板状レンズ７５により光の
指向特性が狭小化し、出力が強く、かつ細いビームが長
距離においても得られる。例えば、フレネル型平板状レ
ンズ７５を焦点距離ｆ＝４.５ｍｍ、レンズ直径３.５ｍ
ｍとし、半導体発光素子７１の光取り出し窓を直径２０
μｍにしたとき、１ｍの距離におけるビーム径は直径４
ｍｍ程度である。しかるに、従来より用いられている通
常の発光ダイオード（すなわち、その光の出射面積が３
５０μｍ角程度のもの）では、直径７０ｍｍ程度まで広
がってしまうので、本発明による半導体発光素子７１を
用いて投光器Ｇを作製することにより大きなメリットが
得られる。
【００３４】また、従来より用いられている投光器とし
ては、図１６に示すような構造のものがあるが、ステム
１６２から突出したヒートシンク１６３に半導体レーザ
素子１６４及びフレネル型平板状レンズ１６５を取り付
け、これらを金属キャップ１６６で覆ったキャンシール
型のものなどがあるが、このような従来の投光器１６１
と比較して本発明の投光器Ｇは構造が大幅に簡略化され
ており、コスト及び嵩体積の低減を図ることができる。
【００３５】なお、ここでは投光ビームとして指向性の
狭い平行光線を出射するものについて説明したが、フレ
ネル型平板状レンズ７５のパラメータを変えることによ
り、集光ビームや偏向ビームなどの投光器にも適用でき
ることは自明である。
【００３６】図９に示すものは、スクリーンなどの上の
映像等の位置を指示するためのハンディタイプのポイン
タ（投光器）Ｈである。このポインタＨは、本発明によ
る発光ダイオード（ＬＥＤ）８１、コリメート用の投光
レンズ８２、動作回路８３及びバッテリー８４からなっ
ており、半導体発光素子８１から出射された光は投光レ
ンズ８２でコリメートされた後、スクリーン上に投射さ
れ、光スポットにより指示箇所を示す。
【００３７】現在使用されているポインタは、半導体レ
ーザ素子を用いたものがほとんどであるが、レーザ光を
用いているため、出射レーザ光が周囲の人の目に入ると
有害である。この危険性のため、レーザ規制等の問題が
起こっている。したがって、このような問題を解決する
ため、発光ダイオードを用いたＬＥＤポインタなどが考
えられている。しかし、従来の全面発光型ＬＥＤ（発光
径４００μｍ）を用い、焦点距離ｆ＝１０ｍｍ、レンズ
径４ｍｍの投光レンズでコリメートしたＬＥＤポインタ
の場合、５ｍ先のスクリーン上でのビーム径は２００ｍ
ｍと大きく広がってしまい、ほとんど見えなくなってし
まう。
【００３８】これに対し、本発明によるＬＥＤ８１を用
いたポインタＨの場合には、発光径１０μｍのＬＥＤ８
１と、焦点距離ｆ＝１０ｍｍ、レンズ径４ｍｍの同様な
投光レンズ８２を用いた場合、５ｍ先のスクリーン上で
もビーム径は５ｍｍと小さく、見易いものとなる。した
がって、本発明のＬＥＤ８１で光出力や指向性を向上さ
せることにより、安全で見易いポインタＨを製作するこ
とができる。
【００３９】図１０（ａ）に示すものは本発明による半
導体発光素子９５を用いた透過型光学式ロータリーエン
コーダＪを示す斜視図である。このロータリーエンコー
ダＪは、回転軸９１に取り付けられた回転板９２、回転
板９２の外周部に対向した固定板９３、回転板９２及び
固定板９３を挟んで対向させられた投光レンズ９４と本
発明による半導体発光素子９５及び受光素子９６から構
成されている。回転板９２の外周部には全周にわたって
１ｍｍの間隔のスリット９７が穿孔されており、固定板
９３にも１ｍｍの間隔でトラックＡスリット９８及びト
ラックＢスリット９９が穿孔されている。
【００４０】しかして、半導体発光素子９５から出射さ
れた光は、投光レンズ９４でコリメートされた後、固定
板９３のスリット９８，９９で分割され、回転板９２の
スリット９７を通り、受光素子９６で検知される。固定
板９３のトラックＡスリット９８とトラックＢスリット
９９は電気位相角を９０゜ずらしてあり、Ａ相信号・Ｂ
相信号が共にオン（受光状態）になるときをスケールの
１単位（１スリット）と数えることによりスケールを読
むものである。また、図１０（ｂ）に示すようにＡ相か
らオンになるか、あるいはＢ相からオンになるかで回転
方向を判別できるようになっている。
【００４１】このロータリーエンコーダにおいて、例え
ば、従来の全面発光型半導体発光素子（発光径４００μ
ｍ）を用い、焦点距離ｆ＝１０ｍｍ、レンズ径４ｍｍの
投光レンズでコリメートしたとすると、そのコリメート
性の悪さによって回転板上のビーム径は、固定板のスリ
ット幅＋約４０μｍに広がってしまう。したがって、６
００ＤＰＩ（４０μｍピッチ）以上のスケールではスリ
ット幅以上にビームが広がることとなり、スケールを読
み取ることができず、高分解能化が不可能である。
【００４２】これに対し、本発明による半導体発光素子
９５を用いたロータリーエンコーダＪでは、半導体発光
素子９５の発光径を１０μｍ程度に微小発光径化できる
ので、焦点距離ｆ＝１０ｍｍ、レンズ径４ｍｍの同様な
投光レンズ９４を用いてコリメートしたとしても、回転
板９２上のビーム径は、固定板９３のスリット幅＋約
０.５μｍにビームの広がりを抑えることができる。し
たがって、高分解能化が可能であり、６００ＤＰＩ（４
０μｍピッチ）以上のスケールを読み取ることも可能に
なる。よって、本発明による半導体発光素子９５をロー
タリーエンコーダＪに用いることにょり、特別な光学系
を用いることなく、ロータリーエンコーダＪの分解能を
向上させることができる。
【００４３】なお、上記実施例では、ロータリーエンコ
ーダを説明したが、リニアエンコーダヘッドにおいて本
発明による半導体発光素子を用いることによっても同様
な効果を得ることができる。
【００４４】図１１は本発明による半導体発光素子１０
１を用いた光学式距離センサＫの構成を示す説明図であ
る。この距離センサＫは、本発明による半導体発光素子
１０１及びコリメートレンズ１０２からなる投光部と、
受光レンズ１０３及び位置検出素子１０４からなる受光
部とから構成されている。
【００４５】また、図１１は当該距離センサＫによって
対象物１０５が有する凹凸の段差ｄを計測する場合を表
わしている。半導体発光素子１０１から出射された光は
コリメートレンズ１０２で平行光化された後、対象物１
０５上に照射されてビームスポットＳＰ1，ＳＰ2を生成
し、それぞれビームスポットＳＰ1，ＳＰ2の反射像を位
置検出素子１０４上に結像させる。これらの結像位置
は、位置検出素子１０４の信号線１０６，１０７で得た
信号比をもって検出でき、その位置ずれ量より三角測量
の原理を用いて段差ｑが算出される。
【００４６】本発明による半導体発光素子１０１は、高
出力で、かつ発光領域が制限されていて微小発光窓を有
するものであるので、このような距離センサＨに本発明
による半導体発光素子１０１を用いれば、長距離検出が
可能で、しかもビームスポット径が小さく、分解能を向
上させることができる。
【００４７】図１２は上記距離センサＫによる段差ｑの
測定結果を示している。これは距離センサＨから１０ｃ
ｍだけ離れた位置に高さが２ｍｍと５ｍｍの凸部及び２
ｍｍと５ｍｍの凹部を有する対象物を位置させた場合の
測定結果であり、段差ｑに応じた特性曲線１０８が得ら
れている。なお、特性曲線１０８において、イは２ｍｍ
の凸部、ロは５ｍｍの凸部、ハは２ｍｍの凹部、ニは５
ｍｍの凹部に対応する箇所である。
【００４８】図１３は本発明による半導体レーザ素子１
１１を用いたレーザビームプリンタＬを示す斜視図であ
る。これは、半導体レーザ素子１１１、投光側コリメー
トレンズ１１２、回転多面鏡（ポリゴンミラー）１１
３、回転多面鏡１１３を一定方向に一定速度で回転させ
るスキャナモータ１１４、スキャナコントローラ１１
５、集光レンズ１１６、感光体ドラム１１７、水平同期
用受光センサ１１８などから構成されている。
【００４９】しかして、半導体レーザ素子１１１から出
射された光は投光側コリメートレンズ１１２を通ってコ
リメート光となり、回転多面鏡１１３で反射されると共
に水平方向にスキャンされ、集光レンズ１１６で感光体
ドラム１１７上に集光され、感光体ドラム１１７上に潜
像を生じさせる。
【００５０】このようなレーザビームプリンタにおい
て、例えば全面発光型の従来のＬＥＤ（発光径４００μ
ｍ）を用い、焦点距離ｆ＝１５ｍｍの集光レンズで１５
０ｍｍ先の感光体ドラム上に集光したとすると、その集
光性の悪さのため、感光体ドラム上でのビーム径は４.
８ｍｍと大きくなり、４００ＤＰ１の印字密度仕様を満
足できなかった。
【００５１】これに対し、本発明による半導体レーザ素
子１１１を用いたレーザビームプリンタＬにあっては、
その発光径を５μｍ程度に微小化できるので、同一条件
で集光させた場合でもビーム径を６０μｍ以下に絞るこ
とができ、４００ＤＰＩの仕様を十分に満足することが
できる。
【００５２】図１４（ａ）は本発明による半導体発光素
子１２１を用いたバーコードリーダＭを示す斜視図であ
る。このバーコードリーダＭは、半導体発光素子１２
１、投光側集光レンズ１２２、回転多面鏡１２３、回転
多面鏡１２３を一定方向に一定速度で回転させるスキャ
ナモータ１２４、等速走査レンズ１２５、受光側集光レ
ンズ１２６、受光素子１２７から構成されている。
【００５３】しかして、半導体発光素子１２１から出射
された光は投光側集光レンズ１２２を通り、回転多面鏡
１２３で反射されると共に水平方向にスキャンされ、等
速走査レンズ１２５で等速化された後、バーコード１２
８上で集光され、バーコード１２８上を走査される。さ
らに、バーコード１２８からの反射光は、受光側集光レ
ンズ１２６により受光素子１２７上に集光されて検知さ
れ、バーコード信号ＢＳが得られる。このバーコードリ
ーダＭにおいては、等速走査レンズ１２５により光ビー
ムの走査速度が等速化されているので、横軸に時間をと
り、縦軸に検知信号（バーコード信号ＢＳ）をとると、
図１４（ｂ）に示すようにバーコードに応じた信号ＢＳ
が得られる。
【００５４】このようなバーコードリーダにおいて、例
えば全面発光型の従来のＬＥＤ（発光径４００μｍ）を
用い、焦点距離ｆ＝１５ｍｍの集光レンズで２５０ｍｍ
先のバーコード上に集光したとすると、その集光性の悪
さのため、バーコード上でのビーム径は約６.７ｍｍと
大きくなり、ハーコード（一般的に、最小線幅は０.２
ｍｍ）は到底読み取ることができない。
【００５５】これに対し、本発明による半導体発光素子
１２１を用いたバーコードリーダＭにあっては、その発
光径を１０μｍ程度に微小発光径化できるので、同一条
件で集光させた場合でもバーコード１２８上のビーム径
をバーコード１２８の最小線幅以下（０.２ｍｍ弱）ま
で絞ることができ、バーコード１２８を読み取ることが
できる。
【００５６】また、本発明の半導体発光素子は、図示し
ないが、半導体発光素子と光ファイバーとからなる光フ
ァイバーモジュールにも適用することができる。
【００５７】なお、本発明の半導体発光素子は、面発光
型の半導体ダイオードに限らず、面発光型の半導体レー
ザ素子にも適用できることはもちろんである。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、光出射窓以外の方向へ
向かう光も凸状部分の斜面に形成された光反射面と多層
反射膜層の間で反射されることによって光反射面と多層
反射膜層の間の領域に効率的に閉じ込められ、光反射面
及び多層反射膜層で１回ないし複数回反射された後、光
出射窓から外部へ出射されるので、半導体発光素子から
外部に取り出す光量を増加させることができる。特に、
光センサ、光通信等の分野に有益な微小の光出射窓を有
する発光素子を想定したとき、光出射窓の周囲の電極の
影となる部分の割合が従来構造に較べて相対的に減少す
るので、発光効率がより高くなり、この結果、発光領域
が小さく、かつ、発光出力が大きな半導体発光素子を製
作することができる。
【００５９】さらに、この光出射窓に対応させて電流狭
窄構造を付加すれば、活性層で発生した光を凸状部分へ
集中させることができるので、一層発光効率が大きくな
る。
【００６０】また、凸状部分の斜面を活性層を貫通する
ように形成すれば、素子の側面からの光の漏れをカット
することができるので、光センサ等の光源として当該発
光素子を用いた場合には、光センサ等の性能向上に寄与
することができる。
【００６１】また、多層反射膜によって光反斜面を構成
する場合には、各薄膜の膜厚を、活性層の発光波長の中
心波長に対する１／４波長膜よりも厚めにしておくこと
により、斜面における多層反射膜の反射率を十分に高め
ることができる。
【００６２】また、多層反射膜によって光反斜面を構成
する場合には、中心波長λcより短い波長からλcより長
い波長までの波長域にある異なる膜厚の複数種類の１／
４波長膜を積層して多層反射膜を形成しても、斜面７に
おいて十分な反射率を有する多層反射膜を得ることがで
きる。
【００６３】また、このような半導体発光素子を光学検
知装置や投光器、バーコードリーダ等に用いると、発光
領域が小さく、かつ、発光出力が大きいので、複雑な光
学系を用いることなく、検出精度にすぐれ、しかも安全
な光学検知装置等を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による半導体発光素子の構造
を示す断面図である。
【図２】同上の実施例における活性層から出射された光
の挙動の一例を示す光線図である。
【図３】本発明の別な実施例による半導体発光素子の構
造を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに別な実施例による半導体発光素
子の構造を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに別な実施例による半導体発光素
子の構造を示す断面図である。
【図６】本発明のさらに別な実施例による半導体発光素
子の構造を示す断面図である。
【図７】本発明のさらに別な実施例による半導体発光素
子の構造を示す断面図である。
【図８】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明による半導体発光
素子を用いた投光器を示す斜視図、水平断面図及び側断
面図である。
【図９】本発明による半導体発光素子を用いたポインタ
を示す断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明による半導体発光素子を用い
たロータリーエンコーダを示す斜視図、（ｂ）は当該エ
ンコーダのＡ相信号とＢ相信号を示す波形図である。
【図１１】本発明による半導体発光素子を用いた距離セ
ンサの構成を示す概略図である。
【図１２】同上の距離センサによる測定結果の一例を示
す図である。
【図１３】本発明による半導体発光素子を用いたレーザ
ビームプリンタを示す斜視図である。
【図１４】（ａ）は本発明による半導体発光素子を用い
たバーコードリーダを示す斜視図、（ｂ）はバーコード
リーダによる検知信号を示す図である。
【図１５】従来の半導体発光素子の構造を示す断面図で
ある。
【図１６】従来の投光器を示す一部破断した斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 多層反射膜層 ４ 活性層 ６ 凸状部分 ７ 斜面 ８ 光出射窓 ９ 電極 １１ 光反射面 １２ａ 絶縁膜 １２ｂ 多層反射膜 １３ 内部電流狭窄層 １４ リセス部分 １５ 電流ブロック層 １７ 電流通路領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｄ 5/36 Ｔ 7269−2Ｆ Ｇ０６Ｋ 7/10 Ｃ 8945−5Ｌ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の上方に多層反射膜層が形成され、
    該多層反射膜層の上方に活性層が形成され、該活性層の
    上方から光を取り出される半導体発光素子において、 上記活性層の上方に凸状部分を形成し、該凸状部分の側
    面を斜面に形成すると共に該斜面に光反射面を形成し、
    該凸状部分の頂部に光出射窓を形成したことを特徴とす
    る半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 前記凸状部分の側面が前記活性層を貫い
    ていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素
    子。
  3. 【請求項３】 前記光出射窓にほぼ対応して、電流狭窄
    構造が形成されていることを特徴とする請求項１又は２
    に記載の半導体発光素子。
  4. 【請求項４】 前記光反射面が電極によって形成されて
    いることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の半導
    体発光素子。
  5. 【請求項５】 前記光反射面が、屈折率の異なる２種の
    薄膜を複数層交互に積層した多層反射膜によって形成さ
    れていることを特徴とする請求項１，２，３又は４に記
    載の半導体発光素子。
  6. 【請求項６】 前記光反射面を構成する多層反射膜の各
    薄膜が、複数種の膜厚からなることを特徴とする請求項
    ５に記載の半導体発光素子。
  7. 【請求項７】 前記２種の薄膜の屈折率をそれぞれ
    ｎ1，ｎ2、膜厚をそれぞれｄ1，ｄ2とし、前記活性層の
    発光波長の中心波長をλcとするとき、各薄膜がそれぞ
    れ ｄ1≧〔λc／（４ｎ1）〕 ｄ2≧〔λc／（４ｎ2）〕 であることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体
    発光素子。
  8. 【請求項８】 請求項１，２，３，４，５，６又は７に
    記載の半導体発光素子を備えた光学検知装置。
  9. 【請求項９】 請求項１，２，３，４，５，６又は７に
    記載の半導体発光素子を備えた光学的情報処理装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１，２，３，４，５，６又は７
    に記載の半導体発光素子を備えた発光装置。
JP21824192A 1992-07-24 1992-07-24 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。 Pending JPH0645650A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21824192A JPH0645650A (ja) 1992-07-24 1992-07-24 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21824192A JPH0645650A (ja) 1992-07-24 1992-07-24 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0645650A true JPH0645650A (ja) 1994-02-18

Family

ID=16716808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21824192A Pending JPH0645650A (ja) 1992-07-24 1992-07-24 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0645650A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000016411A1 (fr) * 1998-09-10 2000-03-23 Rohm Co., Ltd. Del a semi-conducteur et son procede de fabrication
JP2002176200A (ja) * 2000-09-12 2002-06-21 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード
US6822272B2 (en) 2001-07-09 2004-11-23 Nichia Corporation Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element
DE19740536B4 (de) * 1996-09-16 2006-02-09 Castrip, Llc (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Bandgießen
JP2006191068A (ja) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Electron Inc 高出力発光ダイオード及びその製造方法
CN100364124C (zh) * 2001-06-25 2008-01-23 株式会社东芝 面发光型半导体发光元件
US7564064B2 (en) 2002-09-06 2009-07-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device, an integrated semiconductor light emitting apparatus, an image display apparatus, and an illuminating apparatus having a semiconductor layer with conical crystal portion
JP2011233927A (ja) * 2011-08-02 2011-11-17 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄ装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
JP2013118331A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法
WO2013094519A1 (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
US10312422B2 (en) 2000-09-12 2019-06-04 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
US11978832B2 (en) 2023-02-21 2024-05-07 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19740536B4 (de) * 1996-09-16 2006-02-09 Castrip, Llc (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Bandgießen
WO2000016411A1 (fr) * 1998-09-10 2000-03-23 Rohm Co., Ltd. Del a semi-conducteur et son procede de fabrication
JP2002176200A (ja) * 2000-09-12 2002-06-21 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード
US10312422B2 (en) 2000-09-12 2019-06-04 Lumileds Llc Light emitting devices with optical elements and bonding layers
CN100364124C (zh) * 2001-06-25 2008-01-23 株式会社东芝 面发光型半导体发光元件
US6822272B2 (en) 2001-07-09 2004-11-23 Nichia Corporation Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element
US7564064B2 (en) 2002-09-06 2009-07-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device, an integrated semiconductor light emitting apparatus, an image display apparatus, and an illuminating apparatus having a semiconductor layer with conical crystal portion
EP1677366A3 (en) * 2004-12-31 2007-04-11 LG Electronics Inc. High output light emitting diode and method for fabricating the same
US7939841B2 (en) 2004-12-31 2011-05-10 Lg Electronics Inc. High output light emitting diode and method for fabricating the same
JP2006191068A (ja) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Electron Inc 高出力発光ダイオード及びその製造方法
JP2011233927A (ja) * 2011-08-02 2011-11-17 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄ装置、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置
JP2013118331A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法
WO2013084867A1 (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
US9318656B2 (en) 2011-12-19 2016-04-19 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method of manufacturing the same
JP2013128071A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Showa Denko Kk 発光ダイオード及びその製造方法
WO2013094519A1 (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
TWI688121B (zh) * 2018-08-24 2020-03-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
US10944034B2 (en) 2018-08-24 2021-03-09 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure
US11430935B2 (en) 2018-08-24 2022-08-30 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
US11616173B2 (en) 2019-10-14 2023-03-28 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
US11978832B2 (en) 2023-02-21 2024-05-07 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5528057A (en) Semiconductor luminous element with light reflection and focusing configuration
JPH0645650A (ja) 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
JPH07176787A (ja) 半導体発光素子、発光装置、光結合装置、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器及び光ファイバモジュール
EP0576662B1 (en) Intimate source and detector and apparatus employing same
US4113353A (en) Information processing optical device
JP2915345B2 (ja) 光検出器一体型表面光レーザとこれを用いた光ピックアップ装置
JP2772521B2 (ja) 投光反射型光検出器の光学系
JPH077184A (ja) 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた投光器、光学検知装置及び光学的情報処理装置
JP2007024928A (ja) 光ビーム出射装置および画像形成装置
JP2007155467A (ja) 光ビーム走査装置
JP2690680B2 (ja) 光電式エンコーダ
US4253019A (en) Apparatus for reading an optical record carrier having a radiation-reflecting information structure
JPH0645648A (ja) 上面出射型半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
JPH07226535A (ja) 半導体発光素子、光学検知装置、光学的情報検知装置、投光器及び光ファイバーモジュール
JPH0645649A (ja) 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
US4346988A (en) Distance measuring device
JPH06291365A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器並びに光ファイバモジュール
JPH10100476A (ja) 垂直キャビティレーザダイオード用積分式フィードバックアセンブリ
US20220123524A1 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device
KR920008507B1 (ko) 광학적패턴 검출장치
JP2699383B2 (ja) 半導体発光素子並びにその素子を用いる距離センサおよび光電センサ
JPH06174425A (ja) 距離測定装置
JPH0669540A (ja) 半導体発光素子、半導体発光素子アレー、光学検知装置、光学的情報処理装置および発光装置。
US11719816B2 (en) LiDAR device
KR0160678B1 (ko) 모니터용 광검출기를 채용한 표면광 레이저