JPH10100476A - 垂直キャビティレーザダイオード用積分式フィードバックアセンブリ - Google Patents
垂直キャビティレーザダイオード用積分式フィードバックアセンブリInfo
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- JPH10100476A JPH10100476A JP9233427A JP23342797A JPH10100476A JP H10100476 A JPH10100476 A JP H10100476A JP 9233427 A JP9233427 A JP 9233427A JP 23342797 A JP23342797 A JP 23342797A JP H10100476 A JPH10100476 A JP H10100476A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＣＳＥＬセット中の各レーザダイオードの
出力エネルギを個別に調整して均一化しバンディング等
の問題を解消する。 【解決手段】 ラスタ出力装置４０は、垂直キャビティ
レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリ４２が備え
られ、同ＶＣＳＥＬアセンブリには各レーザダイオード
の出力エネルギを個別にモニタおよび調整するための積
分式検出器セットＳ1〜5が備えられている。また、ラス
タ出力装置４０は半透過性かつ半反射性のプレート７０
を用いて、各光ビームの一部を透過し、その他を反射し
てＶＣＳＥＬアセンブリ中の検出器Ｓ1〜5に返送する。
各検出器はＶＣＳＥＬアセンブリ中の各レーザダイオー
ドに電気接続され、これにより各レーザダイオードへの
フィードバックが行われて各々の出力エネルギが個別に
調整される。
出力エネルギを個別に調整して均一化しバンディング等
の問題を解消する。 【解決手段】 ラスタ出力装置４０は、垂直キャビティ
レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリ４２が備え
られ、同ＶＣＳＥＬアセンブリには各レーザダイオード
の出力エネルギを個別にモニタおよび調整するための積
分式検出器セットＳ1〜5が備えられている。また、ラス
タ出力装置４０は半透過性かつ半反射性のプレート７０
を用いて、各光ビームの一部を透過し、その他を反射し
てＶＣＳＥＬアセンブリ中の検出器Ｓ1〜5に返送する。
各検出器はＶＣＳＥＬアセンブリ中の各レーザダイオー
ドに電気接続され、これにより各レーザダイオードへの
フィードバックが行われて各々の出力エネルギが個別に
調整される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直キャビティレー
ザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリセット用のフィ
ードバックシステムに関し、特にＶＣＳＥＬアセンブリ
セット内の各ダイオードの出力エネルギを個別にモニタ
するための積分式フィードバックシステムをもつＶＣＳ
ＥＬアセンブリを用いたラスタ出力装置の設計に関す
る。
ザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリセット用のフィ
ードバックシステムに関し、特にＶＣＳＥＬアセンブリ
セット内の各ダイオードの出力エネルギを個別にモニタ
するための積分式フィードバックシステムをもつＶＣＳ
ＥＬアセンブリを用いたラスタ出力装置の設計に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、単光束式レーザダイオードアセ
ンブリは単一のダイオードをもち、走査装置中で同ダイ
オードは列状の画素情報部に接続されている。この画素
情報部を用いてダイオードが駆動され、画素の存在部で
レーザ束が誘導放出される。理想的には、レーザダイオ
ードから放出された光ビームを定常化するためにダイオ
ードの温度を一定レベルに保持する必要がある。しかし
ながら、列状の画素情報部のデューティサイクルの変化
と周囲温度の変動の繰り返しによってダイオード温度が
上昇し、それによってレーザダイオードの出力エネルギ
の減衰を招く。この出力エネルギの減衰は光受容器面上
の除電量の減少をもたらす。さらにこの除電量の減少に
よって光受容器面上のトナー付着量が減少し、これによ
って印刷文書の画像に濃淡ボケが生じる。
ンブリは単一のダイオードをもち、走査装置中で同ダイ
オードは列状の画素情報部に接続されている。この画素
情報部を用いてダイオードが駆動され、画素の存在部で
レーザ束が誘導放出される。理想的には、レーザダイオ
ードから放出された光ビームを定常化するためにダイオ
ードの温度を一定レベルに保持する必要がある。しかし
ながら、列状の画素情報部のデューティサイクルの変化
と周囲温度の変動の繰り返しによってダイオード温度が
上昇し、それによってレーザダイオードの出力エネルギ
の減衰を招く。この出力エネルギの減衰は光受容器面上
の除電量の減少をもたらす。さらにこの除電量の減少に
よって光受容器面上のトナー付着量が減少し、これによ
って印刷文書の画像に濃淡ボケが生じる。
【０００３】画像の濃淡ボケを解消するためにレーザダ
イオードの出力レベルを一定に保持する必要がある。な
お本明細書における「画像」とは文章と図表の両方を意
味するものとする。
イオードの出力レベルを一定に保持する必要がある。な
お本明細書における「画像」とは文章と図表の両方を意
味するものとする。
【０００４】レーザダイオードアセンブリセットには、
複数のレーザダイオードが備えられている。各々のレー
ザダイオードから単光束ビームが放出され、各光ビーム
はそれぞれ異なる列の画素情報部により変調される。一
般にラスタ走査装置では複数式のレーザダイオードを用
いて複数のラインがインターレース形式で同時に走査さ
れる。
複数のレーザダイオードが備えられている。各々のレー
ザダイオードから単光束ビームが放出され、各光ビーム
はそれぞれ異なる列の画素情報部により変調される。一
般にラスタ走査装置では複数式のレーザダイオードを用
いて複数のラインがインターレース形式で同時に走査さ
れる。
【０００５】図１に従来技術による複数ビーム式ラスタ
走査装置１０の接線方向（高速走査の方向）の図を示
し、図２に図１のラスタ走査装置１０の矢印方向（走査
と交差する方向）の図を示す。図１、２に示すように、
ラスタ走査装置１０は、マルチビーム型レーザ光源１
２、コリメータ１４、アパーチャ１６、ポリゴンミラー
前方レンズ１８、走査用素子の多面回転ポリゴンミラー
２０、ポリゴンミラー後方レンズ２２および感光媒体２
４を用いている。
走査装置１０の接線方向（高速走査の方向）の図を示
し、図２に図１のラスタ走査装置１０の矢印方向（走査
と交差する方向）の図を示す。図１、２に示すように、
ラスタ走査装置１０は、マルチビーム型レーザ光源１
２、コリメータ１４、アパーチャ１６、ポリゴンミラー
前方レンズ１８、走査用素子の多面回転ポリゴンミラー
２０、ポリゴンミラー後方レンズ２２および感光媒体２
４を用いている。
【０００６】レーザ光源１２は複数のレーザダイオード
ａ1、ａ2、ａ3、ａ4およびａ5を含む。ただし簡明にす
るためにレーザダイオードａ1、ａ5から放出されたレー
ザビームのみを示す。レーザダイオードａ1は光ビーム
２６を、レーザダイオードａ5は光ビーム２８を放出す
る。
ａ1、ａ2、ａ3、ａ4およびａ5を含む。ただし簡明にす
るためにレーザダイオードａ1、ａ5から放出されたレー
ザビームのみを示す。レーザダイオードａ1は光ビーム
２６を、レーザダイオードａ5は光ビーム２８を放出す
る。
【０００７】回転式ポリゴンミラーは平面鏡からなる多
数の面３０をもつ。ただし簡明にするために、図２では
ある時点で光ビームを受光している一面をライン３０で
示す。また面３０で反射された光ビームを屈曲せずに示
す。
数の面３０をもつ。ただし簡明にするために、図２では
ある時点で光ビームを受光している一面をライン３０で
示す。また面３０で反射された光ビームを屈曲せずに示
す。
【０００８】レーザ光源１２は、コリメータ１４、アパ
ーチャ１６およびポリゴンミラー前方レンズ１８を通じ
て光ビーム２６、２８を回転式ポリゴンミラー２０に転
送する。コリメータ１４は光ビーム２６、２８をコリメ
ートする。アパーチャ１６はビーム２６、２８を必要量
切り取り、ポリゴンミラー前方レンズ１８は光ビーム２
６、２８を回転式ポリゴンミラー２０上で矢印方向すな
わち走査と直角方向の平面上に集光させる。
ーチャ１６およびポリゴンミラー前方レンズ１８を通じ
て光ビーム２６、２８を回転式ポリゴンミラー２０に転
送する。コリメータ１４は光ビーム２６、２８をコリメ
ートする。アパーチャ１６はビーム２６、２８を必要量
切り取り、ポリゴンミラー前方レンズ１８は光ビーム２
６、２８を回転式ポリゴンミラー２０上で矢印方向すな
わち走査と直角方向の平面上に集光させる。
【０００９】回転式ポリゴンミラー２０の面３０は光ビ
ーム２６、２８を反射し、かつ反射光ビーム２６、２８
を面３０の反射点近傍の軸の周りで回転させる。この反
射光ビーム２６、２８を用いて、ポリゴンミラー後方レ
ンズ２２を経た画像形成装置の入力端すなわちラスタ入
力走査装置での文書の走査が行われる。また同反射光ビ
ームを用いて、画像形成装置の出力部で写真フィルムや
電子写真ドラム（光受容器）などの感光媒体２４への投
射が行われる。
ーム２６、２８を反射し、かつ反射光ビーム２６、２８
を面３０の反射点近傍の軸の周りで回転させる。この反
射光ビーム２６、２８を用いて、ポリゴンミラー後方レ
ンズ２２を経た画像形成装置の入力端すなわちラスタ入
力走査装置での文書の走査が行われる。また同反射光ビ
ームを用いて、画像形成装置の出力部で写真フィルムや
電子写真ドラム（光受容器）などの感光媒体２４への投
射が行われる。
【００１０】回転式ポリゴンミラー２０により光ビーム
２６、２８が感光媒体２４の両端間をインターレース形
式で同時に走査する。光ビーム２６、２８は、それぞれ
別の線を走査しながら各ビームによって光受容器の走査
を同時に開始する。
２６、２８が感光媒体２４の両端間をインターレース形
式で同時に走査する。光ビーム２６、２８は、それぞれ
別の線を走査しながら各ビームによって光受容器の走査
を同時に開始する。
【００１１】光ビーム２６、２８をインターレース形式
で使用した後、ある光ビームの出力が少しでも他のビー
ムと異なると印刷文書にバンディング（ｂａｎｄｉｎ
ｇ）といわれる現象が発生する。このバンディングにお
いては、ある光ビームで走査された走査線が別の光ビー
ムで走査された走査線に対して明、暗いずれかの状態に
ある。
で使用した後、ある光ビームの出力が少しでも他のビー
ムと異なると印刷文書にバンディング（ｂａｎｄｉｎ
ｇ）といわれる現象が発生する。このバンディングにお
いては、ある光ビームで走査された走査線が別の光ビー
ムで走査された走査線に対して明、暗いずれかの状態に
ある。
【００１２】バンディングの問題を解消するためにレー
ザダイオードの出力エネルギを一定レベルに維持するこ
とがきわめて重要である。しかしながら、各レーザダイ
オードに備わる公差のために各レーザダイオードの温度
応答性が異なり、各出力エネルギの温度変化による変動
の仕方も異なる。この結果、光受容器の感光度合が各レ
ーザダイオード毎に異なり、バンディングの問題が生じ
る。
ザダイオードの出力エネルギを一定レベルに維持するこ
とがきわめて重要である。しかしながら、各レーザダイ
オードに備わる公差のために各レーザダイオードの温度
応答性が異なり、各出力エネルギの温度変化による変動
の仕方も異なる。この結果、光受容器の感光度合が各レ
ーザダイオード毎に異なり、バンディングの問題が生じ
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述の通り、各ダイオ
ード毎に出力エネルギが異なる結果バンディングの問題
が生じる。このため各レーザダイオードの出力エネルギ
を個別に調整する必要がある。
ード毎に出力エネルギが異なる結果バンディングの問題
が生じる。このため各レーザダイオードの出力エネルギ
を個別に調整する必要がある。
【００１４】本発明の目的はＶＣＳＥＬセット中の各レ
ーザダイオードの出力エネルギを個別に調整してバンデ
ィングの問題を解消することである。
ーザダイオードの出力エネルギを個別に調整してバンデ
ィングの問題を解消することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明開示のラスタ出力
装置は、複数の積分式光検出器をもつ垂直キャビティレ
ーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリセットを用い
る。また本発明のラスタ出力装置は、半透明かつ半反射
性のプレートを利用する。同プレートは各光ビームの一
部を透過し、残部を反射して各光検出器上に投射するも
のである。各光検出器はＶＣＳＥＬセット中の対応する
レーザダイオードに各々電気接続しており、それによっ
て各レーザダイオードの出力エネルギを個別に調整する
ためのフィードバックが行われる。
装置は、複数の積分式光検出器をもつ垂直キャビティレ
ーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）アセンブリセットを用い
る。また本発明のラスタ出力装置は、半透明かつ半反射
性のプレートを利用する。同プレートは各光ビームの一
部を透過し、残部を反射して各光検出器上に投射するも
のである。各光検出器はＶＣＳＥＬセット中の対応する
レーザダイオードに各々電気接続しており、それによっ
て各レーザダイオードの出力エネルギを個別に調整する
ためのフィードバックが行われる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図３に、各レーザダイオードの出
力を個々にモニタ可能な本発明のラスタ走査装置４０を
示す。図３における光学部品４４、４８、６０、５２お
よび５４は、それぞれ図２の光学部品１４、１８、３
０、２２および２４と同一でありかつ同一の機能をも
つ。ラスタ走査装置４０にはＶＣＳＥＬ光源４２が使用
されている。
力を個々にモニタ可能な本発明のラスタ走査装置４０を
示す。図３における光学部品４４、４８、６０、５２お
よび５４は、それぞれ図２の光学部品１４、１８、３
０、２２および２４と同一でありかつ同一の機能をも
つ。ラスタ走査装置４０にはＶＣＳＥＬ光源４２が使用
されている。
【００１７】図４にＶＣＳＥＬ光源４２の拡大断面図を
示す。ＶＣＳＥＬ光源４２にはダイオード列ｄ1、ｄ2、
ｄ3、ｄ4およびｄ5が備わり、各ダイオードはそれぞれ
光ビームｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4およびｌ5を放出する。ダ
イオードｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5は表面Ｎ上で露
出している。表面Ｎにはプレート６２が取り付けられ
る。表面Ｎ上にバンプ６４があるため表面Ｎとプレート
６２とは密着していない。プレート６２にはアパーチャ
６６があり、同アパーチャにより光ビームｌ1、ｌ2、
ｌ3、ｌ4およびｌ5がプレート６２を通過することがで
きる。またプレート６２は光検出器（光センサ）列
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5を含む。
示す。ＶＣＳＥＬ光源４２にはダイオード列ｄ1、ｄ2、
ｄ3、ｄ4およびｄ5が備わり、各ダイオードはそれぞれ
光ビームｌ1、ｌ2、ｌ3、ｌ4およびｌ5を放出する。ダ
イオードｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5は表面Ｎ上で露
出している。表面Ｎにはプレート６２が取り付けられ
る。表面Ｎ上にバンプ６４があるため表面Ｎとプレート
６２とは密着していない。プレート６２にはアパーチャ
６６があり、同アパーチャにより光ビームｌ1、ｌ2、
ｌ3、ｌ4およびｌ5がプレート６２を通過することがで
きる。またプレート６２は光検出器（光センサ）列
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5を含む。
【００１８】図５にプレート６２のを上方から臨む拡大
図を示し、図６に図５のラインＡ−Ａに沿ったプレート
６２の断面図を示す。図５、６において、プレート６１
は（例えば３００ミクロン厚さの）シリコン板であり、
エッチングによって（例えば３０ミクロン厚さの）薄板
６２に加工される。プレート６１のエッチング後、公知
のマイクロエレクトロニクス法で光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ
3、Ｓ4およびＳ5がプレート６２上に作製される。隣接
するふたつの光検出器（例えばＳ3とＳ4）の中心Ｃ間の
距離ｇは隣接するふたつのレーザダイオード（例えばｄ
3とｄ4）Ｃ1間の距離ｈと同一である。ダイオード間の
距離ｈは装置の設計および設計機能に依存する。
図を示し、図６に図５のラインＡ−Ａに沿ったプレート
６２の断面図を示す。図５、６において、プレート６１
は（例えば３００ミクロン厚さの）シリコン板であり、
エッチングによって（例えば３０ミクロン厚さの）薄板
６２に加工される。プレート６１のエッチング後、公知
のマイクロエレクトロニクス法で光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ
3、Ｓ4およびＳ5がプレート６２上に作製される。隣接
するふたつの光検出器（例えばＳ3とＳ4）の中心Ｃ間の
距離ｇは隣接するふたつのレーザダイオード（例えばｄ
3とｄ4）Ｃ1間の距離ｈと同一である。ダイオード間の
距離ｈは装置の設計および設計機能に依存する。
【００１９】図５に、表面５５上に位置した接点５９を
示す。接点５９により光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およ
びＳ5の制御回路（図示せず）との接続が行われる。ま
た同制御回路は光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5
で発生した信号を受信する。ライン５７は各光検出器と
接点５９との接続を表す。
示す。接点５９により光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およ
びＳ5の制御回路（図示せず）との接続が行われる。ま
た同制御回路は光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5
で発生した信号を受信する。ライン５７は各光検出器と
接点５９との接続を表す。
【００２０】図６に示すように、光検出器Ｓ1、Ｓ2、Ｓ
3、Ｓ4およびＳ5の作製後プレート６２にアパーチャ６
６が形成される。本発明の実施形態において好適には、
レーザ光ビームを用いてアパーチャ６６が１つずつ形成
される。例えばＰ等のレーザ光ビームを光検出器Ｓ5、
Ｓ4間等の領域に照射することにより、プレート６２に
アパーチャ６６がエッチング形成される。各アパーチャ
６６は隣接した２つの光検出器の間に位置する。
3、Ｓ4およびＳ5の作製後プレート６２にアパーチャ６
６が形成される。本発明の実施形態において好適には、
レーザ光ビームを用いてアパーチャ６６が１つずつ形成
される。例えばＰ等のレーザ光ビームを光検出器Ｓ5、
Ｓ4間等の領域に照射することにより、プレート６２に
アパーチャ６６がエッチング形成される。各アパーチャ
６６は隣接した２つの光検出器の間に位置する。
【００２１】なお図５では、アパーチャ６６と光検出器
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5とが一直線状かつ互いに
間隔を置いて形成されているが、一直線状あるいは間隔
を置いていることに関わらずアパーチャと光検出器とは
交互に配置させて形成する必要がある。また個々のアパ
ーチャ形状はレーザダイオードの形状に一致させる必要
があり、個々の光検出器の形状もレーザダイオードの形
状に一致させる必要がある。
Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4およびＳ5とが一直線状かつ互いに
間隔を置いて形成されているが、一直線状あるいは間隔
を置いていることに関わらずアパーチャと光検出器とは
交互に配置させて形成する必要がある。また個々のアパ
ーチャ形状はレーザダイオードの形状に一致させる必要
があり、個々の光検出器の形状もレーザダイオードの形
状に一致させる必要がある。
【００２２】レーザ光ビームによるエッチング加工特有
の現象として、アパーチャ６６は円錐状であり、表面６
７の開口６５が表面６９の開口６８よりも大きい。本発
明では、開口６８を図４に示す各レーザダイオード
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5よりも若干小さい寸法に
設定した。ただし開口６８は各レーザダイオードｄ1、
ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5の（図４の６３で示した）レー
ザ放出域より大きくする必要がある。
の現象として、アパーチャ６６は円錐状であり、表面６
７の開口６５が表面６９の開口６８よりも大きい。本発
明では、開口６８を図４に示す各レーザダイオード
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5よりも若干小さい寸法に
設定した。ただし開口６８は各レーザダイオードｄ1、
ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5の（図４の６３で示した）レー
ザ放出域より大きくする必要がある。
【００２３】図４において、アパーチャ６６が形成され
ると、プレート６２は公知のＶＣＳＥＬ光源４２に接合
される。プレート６２は公知のフリップチップ接合法に
より光源４２に接合される。プレート６２と光源４２の
接合前に各アパーチャ６６はそれぞれの対応するレーザ
ダイオードｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5と位置合わせ
される。接合工程の間にバンプ６４が形成される。
ると、プレート６２は公知のＶＣＳＥＬ光源４２に接合
される。プレート６２は公知のフリップチップ接合法に
より光源４２に接合される。プレート６２と光源４２の
接合前に各アパーチャ６６はそれぞれの対応するレーザ
ダイオードｄ1、ｄ2、ｄ3、ｄ4およびｄ5と位置合わせ
される。接合工程の間にバンプ６４が形成される。
【００２４】なお、アパーチャ６６の形成は本発明で用
いたレーザ光ビーム以外の各種の方法を用いて行っても
よい。またプレート６２と光源４２の接合には本発明で
用いたフリップチップ接合以外の各種の方法が使用でき
る。
いたレーザ光ビーム以外の各種の方法を用いて行っても
よい。またプレート６２と光源４２の接合には本発明で
用いたフリップチップ接合以外の各種の方法が使用でき
る。
【００２５】図３では、簡明にするためにレーザダイオ
ードｄ1、ｄ5から放出された光ビームｌ1、ｌ5のみが図
示されている。光ビームｌ1、ｌ5は他の光ビーム（図示
せず）と平行にコリメータ４４を通過し、各々がコリメ
ータ４４の像平面Ｐ1で交差する。
ードｄ1、ｄ5から放出された光ビームｌ1、ｌ5のみが図
示されている。光ビームｌ1、ｌ5は他の光ビーム（図示
せず）と平行にコリメータ４４を通過し、各々がコリメ
ータ４４の像平面Ｐ1で交差する。
【００２６】なお、光ビームｌ1、ｌ5およびその他の光
ビームが像平面Ｐ1で交差する際には各ビームの中心光
線がコリメータ４４の焦点ｆ1で交差する。
ビームが像平面Ｐ1で交差する際には各ビームの中心光
線がコリメータ４４の焦点ｆ1で交差する。
【００２７】半透明かつ半反射性のプレート７０が、平
面Ｐ1に対して角度αを設けて同平面全域に設置され
る。像平面Ｐ1はラスタ走査装置４０の光軸５１に対し
て直角な面である。プレート７０は各光ビームの一部を
透過させ残部を反射させる。本発明では、プレート７０
として光ビームの約９５％を透過するものを好適に選択
した。プレート７０は一部に被覆が施され、これによっ
て図２のアパーチャ１６と同様の方法で光ビームの切り
取りが行われる。
面Ｐ1に対して角度αを設けて同平面全域に設置され
る。像平面Ｐ1はラスタ走査装置４０の光軸５１に対し
て直角な面である。プレート７０は各光ビームの一部を
透過させ残部を反射させる。本発明では、プレート７０
として光ビームの約９５％を透過するものを好適に選択
した。プレート７０は一部に被覆が施され、これによっ
て図２のアパーチャ１６と同様の方法で光ビームの切り
取りが行われる。
【００２８】なおプレート７０に被覆を施す代わりに、
別個にアパーチャをラスタ走査装置４０に設置して光ビ
ームを切り取るようにしてもよい。
別個にアパーチャをラスタ走査装置４０に設置して光ビ
ームを切り取るようにしてもよい。
【００２９】図７は図３の部分拡大図であり、光源４
２、コリメータ４４およびプレート７０を示す。図７で
は光ビームｌ1と反射光ビームｌ′1の経路のみを示す。
レーザダイオードｄ1から放出された光ビームｌ1がプレ
ート７０に投射されると、ビームｌ1は一部がプレート
７０を通過し、別の一部が反射光ビームｌ′1として返
送される。プレート７０のもつ角度αにより、反射光ビ
ームｌ′1の進路は光検出器Ｓ1に向けられる。反射光ビ
ームｌ′1はコリメータ４４を通過し、レーザ面Ｎ上で
集光する。検出器Ｓ1は反射光ビームｌ′1の経路上に位
置し、ほぼ集光した状態で同ビームを受光する。
２、コリメータ４４およびプレート７０を示す。図７で
は光ビームｌ1と反射光ビームｌ′1の経路のみを示す。
レーザダイオードｄ1から放出された光ビームｌ1がプレ
ート７０に投射されると、ビームｌ1は一部がプレート
７０を通過し、別の一部が反射光ビームｌ′1として返
送される。プレート７０のもつ角度αにより、反射光ビ
ームｌ′1の進路は光検出器Ｓ1に向けられる。反射光ビ
ームｌ′1はコリメータ４４を通過し、レーザ面Ｎ上で
集光する。検出器Ｓ1は反射光ビームｌ′1の経路上に位
置し、ほぼ集光した状態で同ビームを受光する。
【００３０】検出器Ｓ1が反射光ビームｌ′1を受光する
と、同検出器から信号が発生され、この信号が公知の方
法によりコンパレータに送信されて基準レベルと比較さ
れる。この比較結果を用いて公知の方法によりレーザダ
イオードｄ1の出力エネルギが修正される。
と、同検出器から信号が発生され、この信号が公知の方
法によりコンパレータに送信されて基準レベルと比較さ
れる。この比較結果を用いて公知の方法によりレーザダ
イオードｄ1の出力エネルギが修正される。
【００３１】図８は図３の部分拡大図であり、光源４
２、コリメータ４４およびプレート７０並びにレーザダ
イオードｄ5から放出された光ビームを示す。図８では
光ビームｌ5および反射光ビームｌ′5の経路のみを示
す。レーザダイオードｄ5から放出された光ビームｌ5が
プレート７０に投射されると、ビームｌ5は一部がプレ
ート７０を通過し、別の一部が反射光ビームｌ′5とし
て返送される。反射光ビームｌ′5はコリメータ４４を
通過して平面Ｎ上で集光する。検出器Ｓ5は反射光ビー
ムｌ′5の経路上に位置する。同検出器はほぼ集光した
状態で光ビームｌ′5を受光し、レーザダイオードｄ5の
出力エネルギ修正用信号を発生する。
２、コリメータ４４およびプレート７０並びにレーザダ
イオードｄ5から放出された光ビームを示す。図８では
光ビームｌ5および反射光ビームｌ′5の経路のみを示
す。レーザダイオードｄ5から放出された光ビームｌ5が
プレート７０に投射されると、ビームｌ5は一部がプレ
ート７０を通過し、別の一部が反射光ビームｌ′5とし
て返送される。反射光ビームｌ′5はコリメータ４４を
通過して平面Ｎ上で集光する。検出器Ｓ5は反射光ビー
ムｌ′5の経路上に位置する。同検出器はほぼ集光した
状態で光ビームｌ′5を受光し、レーザダイオードｄ5の
出力エネルギ修正用信号を発生する。
【００３２】同様に、各レーザダイオードの反射光ビー
ム用の検出器がそれぞれ別個に備わる。検出器Ｓ2、
Ｓ3、およびＳ4はそれぞれレーザダイオードｄ2、ｄ3、
およびｄ4から放出された光ビームを検出する。
ム用の検出器がそれぞれ別個に備わる。検出器Ｓ2、
Ｓ3、およびＳ4はそれぞれレーザダイオードｄ2、ｄ3、
およびｄ4から放出された光ビームを検出する。
【００３３】本発明の光検出器は２次元配列構造のＶＣ
ＳＥＬにも適用できる。図９は２次元配列した光検出器
８２をもつプレート８０の上面図である。プレート８０
は同プレートの下部に位置した２次元配列構造のＶＣＳ
ＥＬに固定されている。同ＶＣＳＥＬ中の各レーザダイ
オードは各々の対応するアパーチャ８４の下部に位置す
る。
ＳＥＬにも適用できる。図９は２次元配列した光検出器
８２をもつプレート８０の上面図である。プレート８０
は同プレートの下部に位置した２次元配列構造のＶＣＳ
ＥＬに固定されている。同ＶＣＳＥＬ中の各レーザダイ
オードは各々の対応するアパーチャ８４の下部に位置す
る。
【００３４】光検出器８２とアパーチャ８４はマトリク
スを形成しかつ交互に配列している。光検出器８２は行
ｎaと列ｎbを形成する。同様にアパーチャ８４は行ｍa
と列ｍbを形成する。簡明のために、光検出器８２とア
パーチャ８４の内の一部の行と列のみに記号を付した。
光検出器の列ｎbとアパーチャの列ｍbとは交互に配置し
ている。同様に光検出器の列ｎaとアパーチャの列ｍaと
は交互に配置している。
スを形成しかつ交互に配列している。光検出器８２は行
ｎaと列ｎbを形成する。同様にアパーチャ８４は行ｍa
と列ｍbを形成する。簡明のために、光検出器８２とア
パーチャ８４の内の一部の行と列のみに記号を付した。
光検出器の列ｎbとアパーチャの列ｍbとは交互に配置し
ている。同様に光検出器の列ｎaとアパーチャの列ｍaと
は交互に配置している。
【００３５】図９において、円ｌはレーザダイオードｄ
で発生した光ビームを表す。レーザダイオードｄは一部
分だけ（黒円の周囲の白円の部分）がアパーチャ８４を
通して目視できる。接点８６により回路との接続が行わ
れる。該回路は光検出器８２を制御すると共に光検出器
８２で発生した信号を受信するものである。ライン８８
は各光検出器８２と各々に対応する接点８６との間の接
続を表す。簡明にするために、一部の接点８６と接続部
８８のみを示した。
で発生した光ビームを表す。レーザダイオードｄは一部
分だけ（黒円の周囲の白円の部分）がアパーチャ８４を
通して目視できる。接点８６により回路との接続が行わ
れる。該回路は光検出器８２を制御すると共に光検出器
８２で発生した信号を受信するものである。ライン８８
は各光検出器８２と各々に対応する接点８６との間の接
続を表す。簡明にするために、一部の接点８６と接続部
８８のみを示した。
【００３６】なお、構造並びに部品と材料の組合せおよ
び配置の細部については、特許請求の範囲に規定された
発明の範囲内で多くの変更を行なうことができる。
び配置の細部については、特許請求の範囲に規定された
発明の範囲内で多くの変更を行なうことができる。
【図１】 従来技術によるラスタ走査装置の接線方向
（高速走査方向）の図である。
（高速走査方向）の図である。
【図２】 図１のラスタ走査装置の矢印方向（走査と交
差方向）の図である。
差方向）の図である。
【図３】 各レーザダイオードの出力エネルギを個別に
モニタすることのできる本発明のラスタ走査装置を示す
図である。
モニタすることのできる本発明のラスタ走査装置を示す
図である。
【図４】 図３のＶＣＳＥＬ光源の拡大断面図である。
【図５】 ＶＣＳＥＬ光源を上方から臨む図である。
【図６】 図５のラインＡ−Ａに沿ったプレート６２の
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図７】 レーザダイオードｄ1から放出された光ビー
ムの経路と反射後の同ビームの経路のみを示す図３の部
分拡大図である。
ムの経路と反射後の同ビームの経路のみを示す図３の部
分拡大図である。
【図８】 レーザダイオードｄ5から放出された光ビー
ムの経路と反射後の同ビームの経路のみを示す図３の部
分拡大図である。
ムの経路と反射後の同ビームの経路のみを示す図３の部
分拡大図である。
【図９】 本発明による２次元配列構造のＶＣＳＥＬ用
積分式フィードバックアセンブリを示す上面図である。
積分式フィードバックアセンブリを示す上面図である。
４０ ラスタ出力装置、４２ ＶＣＳＥＬ光源、４４
コリメータ、４８ ポリゴンミラー前方レンズ、５２
ポリゴンミラー後方レンズ、５４ 感光媒体、６０ 回
転式ポリゴンミラー面、７０ プレート。
コリメータ、４８ ポリゴンミラー前方レンズ、５２
ポリゴンミラー後方レンズ、５４ 感光媒体、６０ 回
転式ポリゴンミラー面、７０ プレート。
Claims (1)
- 【請求項１】 多数の光ビームを放出する複数のレーザ
ダイオードと前記複数のレーザダイオードに個別に対応
する複数の光検出手段を備えた部材と、 前記光源から放出された前記複数の光ビームの経路上に
位置し、かつ前記複数の光ビームをコリメートするよう
に構成および配置されたコリメート手段と、 感光媒体と、 前記コリメータを経た前記複数の光ビームの経路上に位
置し、かつ前記複数の光ビームが前記感光媒体の両端間
を走査するように構成および配置された走査手段と、 前記コリメータと前記走査手段間に位置して前記複数の
光ビームを受光するように構成および配置され、さらに
前記複数の光ビームの一部を透過して前記走査手段に投
射させると共に、前記複数の光ビームの別の一部を反射
して前記コリメータを通して前記複数の光検出手段に返
送する機能をもつ半透過性かつ半反射性の部材と、を含
むことを特徴とするラスタ出力装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US71526096A | 1996-09-16 | 1996-09-16 | |
| US08/715,260 | 1996-09-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10100476A true JPH10100476A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=24873290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9233427A Withdrawn JPH10100476A (ja) | 1996-09-16 | 1997-08-29 | 垂直キャビティレーザダイオード用積分式フィードバックアセンブリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0829933A2 (ja) |
| JP (1) | JPH10100476A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005208642A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Xerox Corp | ビームからビームへの並列均一性補正 |
| JP2007241240A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
| JP2008262068A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ricoh Co Ltd | モニタ装置、光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
| US8085457B2 (en) | 2006-04-27 | 2011-12-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light source system, optical scanner, image forming apparatus, and light-amount control method |
| US8699110B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-04-15 | Ricoh Company, Limited | Optical scanning device and image forming apparatus |
| JP2019159067A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 株式会社リコー | 光学装置、これを用いた距離計測装置、及び移動体 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3583750B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置および出力光量補正方法 |
| US20050157160A1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-07-21 | Xerox Corporation | Parallel beam to beam uniformity correction |
| DE102004020663A1 (de) | 2004-04-24 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Meditec Ag | Einrichtung zur Beleuchtung organischer Objekte |
| US8081203B2 (en) | 2007-03-02 | 2011-12-20 | Ricoh Company, Ltd. | Light-amount detecting device, light source device, optical scanning unit and image forming apparatus |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP9233427A patent/JPH10100476A/ja not_active Withdrawn
- 1997-09-15 EP EP97307144A patent/EP0829933A2/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005208642A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Xerox Corp | ビームからビームへの並列均一性補正 |
| JP4578250B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2010-11-10 | ゼロックス コーポレイション | ビームからビームへの並列均一性補正 |
| JP2007241240A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置及び画像形成装置 |
| US8085457B2 (en) | 2006-04-27 | 2011-12-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light source system, optical scanner, image forming apparatus, and light-amount control method |
| JP2008262068A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ricoh Co Ltd | モニタ装置、光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
| US8699110B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-04-15 | Ricoh Company, Limited | Optical scanning device and image forming apparatus |
| US8837027B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-09-16 | Ricoh Company, Limited | Optical scanning device and image forming apparatus |
| JP2019159067A (ja) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 株式会社リコー | 光学装置、これを用いた距離計測装置、及び移動体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0829933A2 (en) | 1998-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |