JPH06106775A

JPH06106775A - レーザ記録装置

Info

Publication number: JPH06106775A
Application number: JP4259524A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Ono; 健一小野; Koichi Yamazaki; 幸一山崎; Fumihiro Miyagawa; 文宏宮川; Takanobu Fujioka; 尚亘藤岡; Yoshiki Yoshida; 佳樹吉田; Hideo Nakagawa; 日出男中川
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-09-29
Filing date: 1992-09-29
Publication date: 1994-04-19

Abstract

(57)【要約】【目的】素子の温度変化によって生じる複数の発光部
の各々の発光量変化をリアルタイムで制御して画像印字
濃度が安定したレーザ記録装置を提供する。【構成】ｎ個の発光部１０ａ，１０ｂが所定間隔をも
って配列された半導体レーザアレイチップ１０を有する
半導体レーザ１１から画像信号に応じて出射されたｎ本
のレーザビーム１０_a1，１０_b1をポリゴンミラー１６で
反射させて主走査方向Ｘに偏向走査させ、これらｎ本の
偏向走査ビームをｆθレンズ系１７により感光体１８上
に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録するよう
にしたレーザ記録装置において、半導体レーザ１１から
出射された各レーザビーム１０_a1，１０_b1の一部を収束
させてｎ個のビームスポットＰａ，Ｐｂを結像する収束
光学部材１９を設け、この収束光学部材１９により収束
結像された各ビームスポット位置Ｐａ，Ｐｂに各々独立
したｎ個の光量検出部２０ａ，２０ｂを配設した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを使用し
たデジタル複写機、レーザプリンタ、レーザファクシミ
リ等に利用されるレーザ記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、デジタル複写機等に利用される
レーザ記録装置においては、入力される画像信号に応じ
て変調されたレーザビームを感光体に露光走査すること
により感光体上に画像を記録している。このようなレー
ザ記録装置にあっては、レーザビーム発生手段として半
導体レーザが使用されており、例えば、複数の発光部か
らなる半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザ
を用いて複数ラインを同時に記録することにより、発光
部一個当りの画素周波数を下げ、高速化又は高密度化を
実現させる方法が考えられている。

【０００３】ところが、このような半導体レーザは、素
子のバラツキ、素子の温度、及び素子の経時変化により
動作電流が変化する特性をもつ。そこで、レーザ記録装
置の画像品質を良好に保つためには、半導体レーザの光
量を所定の値にするように半導体レーザへの印加電流を
制御する必要がある。例えば、半導体レーザの光量を制
御する方法としては、非画像部でレーザビームの光量を検出し、所定の光
量になるように半導体レーザへの印加電流を制御し、画
像部ではその電流を保持する方式画像部でも常にレーザビームの光量を検出し、画像
データによってリアルタイムに印加電流を制御すること
により、１ドット毎、或いはそれ以下の単位で光量を変
化させ、画像の濃度を変化させるパワー変調方式がある。

【０００４】ここに、従来の半導体レーザの一例を図７
に示す。なお、ここでは２ビームの半導体レーザ１につ
いて説明する。まず、本体基盤２の上面には、放熱性を
もつ取付け台３が固定されている。この取付け台３に
は、その先端部に配置された２個の発光部４ａ，４ｂを
有する半導体レーザアレイチップ４と、この半導体レー
ザアレイチップ４の後方に配置された１個のモニタ用の
フォトダイオード５とが取付けられている。ここで、前
記半導体レーザアレイチップ４の前記発光部４ａ，４ｂ
は、２個の発光素子からなり、前方及び後方に発光する
ように設定されている。そして、前記取付け台３と前記
半導体レーザアレイチップ４と前記フォトダイオード５
とは、窓ガラス６が取付けられたキャップ７と前記本体
基盤２とで囲まれたパッケージ８内に密閉されている。

【０００５】このような構成において、半導体レーザア
レイチップ４から出射されるレーザビームの光量の制御
には、個々の発光部４ａ，４ｂに対して時分割で前述の
の方式が用いられる。即ち、まず、非画像部で一個の
発光素子のみに電流を流して発光させ、他の発光素子に
は電流を流さずに消灯した状態で、半導体アレイチップ
４の後方に発光部４ａ（又は発光部４ｂ）から出射され
たモニタ用レーザビームの光量をフォトダイオード５で
受光検出し、このフォトダイオード５の出力に基づいて
該当の発光素子の印加電流を制御し決定する。ついで、
他の一個の発光素子に対して同様に印加電流の制御を行
う。このようしてレーザビームの光量検出を発光素子の
数だけ（図７の例では２回）繰り返して全ての発光素子
の印加電流を決定し、画像部では決定された各々の発光
素子に対する印加電流を保持することにより、発光部４
ａ，４ｂから一定の発光量が得られるようにしている。

【０００６】しかし、前述したように、半導体レーザに
は、特に素子の温度により動作電流が変化する特性があ
るため、上述の制御方式では、同じ印加電流で発光素子
を駆動しても素子の温度変動により発光量が変化するこ
とがある。また、非画像部で決定した電流を画像部で保
持するので、半導体レーザのドゥループや温度変化の影
響で、記録紙の上下、或いは、画像濃度の濃い領域と画
像濃度の薄い領域とで画像印字濃度にバラツキを生じる
ことがある。さらに、半導体レーザアレイチップ４にお
いては、隣接する発光部４ａ，４ｂの各発光素子のオン
−オフ動作により該当発光素子の温度が変化して発光量
が影響を受けることにもなる。

【０００７】そこで、このような問題点を解決した半導
体レーザの一例として、図８に示すようなものがある。
なお、ここでは、図７において説明した部分と同一部分
は同一符号で示し、説明も省略する。この半導体レーザ
９は、半導体レーザアレイチップ４の後方に、前後方向
に発光する２個の発光部４ａ，４ｂに対して各々独立し
た２個のフォトダイオード５ａ，５ｂを内蔵し、前記発
光部４ａ，４ｂの各々から後方に出射されるモニタ用レ
ーザビームを別々に受光するようにしたものである。

【０００８】この場合、各々の発光部４ａ，４ｂ対して
各々のフォトダイオード５ａ，５ｂによってリアルタイ
ムで独立した光量検出が行えるため、前述したのパワ
ー変調方式が適用可能となる。このパワー変調方式によ
れば、素子の温度変動に対する各々の発光部４ａ，４ｂ
の発光量の変化を抑えることが可能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、各々の発光
部４ａ，４ｂに対して独立のフォトダイオード５ａ，５
ｂを半導体レーザ９に内蔵しても、半導体レーザアレイ
チップ４の発光点間隔は約１００μｍと非常に小さいた
め、図９に示すように、発光部４ａ，４ｂから後方に出
射された各々のモニタ用レーザビーム４_a1，４_b1が、隣
接するフォトダイオード５ａ，５ｂに入射してクロスト
ークが発生したり、このクロストークを防ぐために光路
を分離する部材が必要になるため半導体レーザ９の構造
が複雑になったりといった問題が生じてしまう。

【００１０】また、フォトダイオード５ａ，５ｂは、半
導体レーザアレイチップ４の後方のモニタ用レーザビー
ム４_a1，４_b1を受光するため、半導体レーザアレイチッ
プ４の前方にレーザビーム４_a2，４_b2を出射するだけで
なく後方へもモニタ用レーザビーム４_a1，４_b1を出射す
る必要があり、半導体レーザ９の効率を低下させること
になる。しかも、半導体レーザアレイチップ４の後方の
モニタ用レーザビーム４_a1，４_b1が半導体レーザ９のパ
ッケージ８内部やフォトダイオード５ａ，５ｂで反射し
て前方に漏れ、この漏れたビームがフレアとなって感光
体に到達して画像に悪影響を及ぼすおそれがある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】ｎ個の発光部が所定間隔
をもって配列された半導体レーザアレイチップを有する
半導体レーザから画像信号に応じて出射されたｎ本のレ
ーザビームをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に
偏向走査させ、これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレン
ズ系により感光体上に収束結像させてｎラインの画像を
同時に記録するようにしたレーザ記録装置において、請
求項１記載の発明では、前記半導体レーザから出射され
た前記各レーザビームの一部を収束させてｎ個のビーム
スポットを結像する収束光学部材を設け、この収束光学
部材により収束結像された各ビームスポット位置に各々
独立したｎ個の光量検出部を配設した。

【００１２】具体的に、請求項２記載の発明では、半導
体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レーザか
ら出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部を分
離させるビームスプリッタとを配設し、このビームスプ
リッタで分離されたｎ本の分離ビームの光路中にこれら
の分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔より
広い間隔でｎ個のビームスポットを結像する収束光学部
材を配設し、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出部を
配設した。

【００１３】また、請求項３記載の発明では、半導体レ
ーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射させる
ハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射された
ｎ本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前記半
導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍に分
離収束させてｎ個のビームスポットを結像する収束光学
部材を設け、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出部を
配設した。

【００１４】さらに、請求項４記載の発明では、半導体
レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザか
ら出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビームに
変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各
平行ビームをｎ本の一定形状のビームに整形し通過させ
る窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記コリ
メートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパーチ
ャとを備え、前記反射鏡で反射されたｎ本の反射ビーム
を前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内部の
半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させてｎ個
のビームスポットを結像させる収束光学部材を設け、こ
の収束光学部材により収束結像された各ビームスポット
位置に各々独立したｎ個の光量検出部を配設した。

【００１５】一方、請求項５記載の発明では、前後方向
に発光するｎ個の発光部が所定間隔を持って配列された
半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザから画
像信号に応じて前方に出射されたｎ本のレーザビームを
ポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査さ
せ、これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により
感光体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録
するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レ
ーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置され
るとともに前記各発光部から後方に出射されたｎ本のモ
ニタ用レーザビームの発散角を絞ってｎ個のビームスポ
ットを結像するｎ個の収束光学部材を設け、これらの収
束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各々
独立したｎ個の光量検出部を配設した。

【００１６】

【作用】請求項１記載の発明においては、ｎ個の発光部
から出射されたｎ本のレーザビームの一部を収束光学部
材で収束させてｎ個のビームスポットを結像し、これら
の各ビームスポット位置でｎ個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。

【００１７】請求項２記載の発明においては、ｎ個の発
光部から出射されたｎ本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりｎ本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をビームスプリッタにより分離させ、これらの
分離ビームを収束光学部材により収束させて発光部の発
光点間隔より広げた間隔でｎ個のビームスポットを結像
させ、これらの各ビームスポット位置でｎ個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出すること
により、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出し
得るものとなり、これにより、素子の温度変化による発
光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させる
ことが可能となる。この際、各光量検出部で受光するレ
ーザビームの間隔が収束光学部材により発光部の発光点
間隔より広げられているため、光量検出時のクロストー
クを抑え、良好な発光量制御を行い得るものとなる。

【００１８】請求項３記載の発明においては、ｎ個の発
光部から出射されるｎ本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりｎ本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をハーフミラーでコリメートレンズに向けて反
射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズで収束
させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの
近傍にｎ個のビームスポットを結像させ、これらの各ビ
ームスポット位置でｎ個の光量検出部によって各発光部
毎に独立した発光量を検出することにより、発光部の各
々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとなり、こ
れにより、素子の温度変化による発光部の発光量の変化
を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能となる。
この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコリメ
ートレンズにより収束されているため、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得るものと
なる。

【００１９】請求項４記載の発明においては、ｎ個の発
光部から出射されるｎ本のレーザビームをコリメートレ
ンズによりｎ本の平行ビームに変え、これらの平行ビー
ムの一部をアパーチャの反射鏡でコリメートレンズに向
けて反射させ、これらの反射ビームをコリメートレンズ
で収束させて半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチ
ップの近傍にｎ個のビームスポットを結像させ、これら
の各ビームスポット位置でｎ個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光
部の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するレーザビームが
コリメートレンズにより収束されているため、光量検出
時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行い得る
ものとなる。

【００２０】請求項５記載の発明においては、ｎ個の発
光部から後方に出射されたｎ本のモニタ用レーザビーム
の各々の発散角を収束光学部材で絞ってｎ個のビームス
ポットを結像させ、これらの各ビームスポット位置で半
導体レーザに内蔵されたｎ個の光量検出部によって各発
光部毎に独立した発光量を検出することにより、発光部
の各々の発光量をリアルタイムに検出し得るものとな
り、これにより、素子の温度変化による発光部の発光量
の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能と
なる。この際、各光量検出部で受光するモニタ用レーザ
ビームの発散角が各収束光学部材により絞られているた
め、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制
御を行い得るものとなる。

【００２１】

【実施例】本実施例の第一の実施例を図１に基づいて説
明する。なお、本実施例では２ビームのレーザ記録装置
に適用した例を示すが、３ビーム以上のものについても
応用可能である（以下の実施例についても同様とす
る）。本実施例は請求項１及び２記載の発明に相当する
もので、まず、図１（ｂ）に平面図で示すように、前方
のみに発光する２個の発光部１０ａ，１０ｂが所定間隔
をもって配列された半導体レーザアレイチップ１０を有
する半導体レーザ１１が設けられている。この半導体レ
ーザ１１の前記発光部１０ａ，１０ｂから前方に出射さ
れる２本のレーザビーム１０_a1，１０_b1の光路上には、
図１（ａ）に示すように、コリメートレンズ１２と、ビ
ームスプリッタ１３と、窓１４ａを有するアパーチャ１
４と、シリンダレンズ１５と、ポリゴンミラー１６と、
ｆθレンズ系１７とがドラム状の感光体１８に向けて順
に配設されている。そして、前記半導体レーザ１１から
出射された２本のレーザビーム１０_a1，１０_b1を前記コ
リメートレンズ１２により２本の平行なビームに変え、
これらの平行ビームを前記ビームスプリッタ１３により
透過又は反射させて２つ光路に分離させ、このビームス
プリッタ１３を透過した２本の透過ビームをアパーチャ
１４の窓１４ａにより２本の一定形状のビームに整形
し、これらの一定形状ビームの各々を前記シリンダレン
ズ１５により副走査方向Ｙに圧縮した形で前記ポリゴン
ミラー１６に入射させ、このポリゴンミラー１６で反射
させることにより主走査方向Ｘに偏向走査させ、これら
２本の偏向走査ビームを前記ｆθレンズ系１７により前
記感光体１８上に収束結像させて２ラインの画像を同時
に記録する構造とされている。

【００２２】また、前記ビームスプリッタ１３で反射さ
れた２本の反射ビームの光路中には、これらの反射ビー
ムを分離収束させて前記発光部１０ａ，１０ｂの発光点
間隔より広い間隔で２個のビームスポットＰａ，Ｐｂを
結像する収束レンズ（収束光学部材）１９が配設されて
いる。この収束レンズ１９により収束結像された各ビー
ムスポットＰａ，Ｐｂ位置には、各々独立した２個のフ
ォトダイオード（光量検出部）２０ａ，２０ｂが配設さ
れている。

【００２３】このような構成において、半導体レーザ１
１の発光部１０ａ，１０ｂから出射された２本のレーザ
ビーム１０_a1，１０_b1は、コリメートレンズ１２により
２本の平行なビームに変えられる。これらの平行なレー
ザビームはビームスプリッタ１３に入射し、透過又は反
射されて２つの光路に分離される。片方の光路のレーザ
ビーム、即ち、ビームスプリッタ１３を透過した２本の
レーザビームはアパーチャ１４の窓１４ａにより一定形
状のビームに整形され、シリンダレンズ１５により副走
査方向Ｙに圧縮された形でポリゴンミラー１６に入射す
る。ここで、ポリゴンミラー１６は正確な多角形に形成
されて複数の反射面を有しており、ポリゴンモータ（図
示せず）により一定方向に一定速度で回転している。よ
って、ポリゴンミラー１６に入射した２本のレーザビー
ムはその各々の反射面で反射され、これらの反射された
２本のレーザビームはポリゴンミラー１６の回転により
一定の角速度で主走査方向Ｘに偏向走査されてｆθレン
ズ系１７に入射する。このｆθレンズ系１７では、角速
度一定の２本のレーザビームを感光体１８上で等速走査
するように変換するとともに、感光体１８上で最小光点
となるようにビームスポットを結像し、さらにポリゴン
ミラー１６の各反射面の面倒れ補正も行う。そして、感
光体１８上を等速走査する２本のビームスポットは画像
データに基づいて光量の大小、オン・オフ制御がなさ
れ、感光体１８上に画像を形成する。このようにして、
半導体レーザ１１から出射された２本のレーザビーム１
０_a1，１０_b1は、感光体１８上で２個のビームスポット
となり、各々のビームスポットを独立して変調すること
により２ラインの画像が同時に記録されるようになって
いる。

【００２４】一方、ビームスプリッタ１３で分離された
他方の光路のレーザビーム、即ち、ビームスプリッタ１
３で反射された２本のレーザビームは収束レンズ１９に
より分離収束されてフォトダイオード２０ａ，２０ｂ上
に２個のビームスポットＰａ，Ｐｂを結像する。この
時、これらのビームスポットＰａ，Ｐｂの間隔は、収束
レンズ１９により半導体レーザアレイチップ１０の発光
部１０ａ，１０ｂの間隔よりも広げられているので、発
光部１０ａ，１０ｂに対応する各々のレーザビームの光
量が受光素子２０ａ，２０ｂで独立して検出されること
になる。

【００２５】このように、本実施例では、発光部１０
ａ，１０ｂから出射されたレーザビーム１０_a1，１０_b1
の各々に対して独立したフォトダイオード２０ａ，２０
ｂを配置することにより、発光部１０ａ，１０ｂの発光
量をリアルタイムに検出することが可能となる。これに
より、素子の温度変化による発光量の変化を抑え、印字
画像濃度を安定させることが可能となる。

【００２６】また、受光素子２０ａ，２０ｂ上に各々収
束結像されるビームスポットＰａ，Ｐｂの間隔を半導体
レーザアレイチップ１０の発光部１０ａ，１０ｂの間隔
よりも広げることで、光量検出時のクロストーク（図９
参照）を抑え、良好な発光量制御が可能となる。

【００２７】さらに、従来のように半導体レーザ１１に
光量検出用のフォトダイオードを内蔵していないので、
半導体レーザアレイチップ１０の後方にモニタ用レーザ
ビームを出射する必要がなくなる。よって、半導体レー
ザアレイチップ１０の後方に出射されたモニタ用レーザ
ビームが前方に漏れてフレアが発生することがなくな
り、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザアレイ
チップ１０の前方に取出せるため、半導体レーザ１１の
効率を上げることが可能となる。

【００２８】次に、本発明の第二の実施例を図２に基づ
いて説明する。なお、図１，図８及び図９において説明
した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項１及び５記載の発明に相当するも
ので、図１に示したビームスプリッタ１３と収束レンズ
１９とフォトダイオード２０ａ，２０ｂとを無くすると
ともに、半導体レーザ１１に代えて、図８に示した半導
体レーザ９を基本構造とする半導体レーザ２１を用いる
ようにしたものである。即ち、図２は本実施例に用いる
半導体レーザ２１の構造を示すもので、半導体レーザ２
１には、半導体レーザアレイチップ４の後方に位置させ
て、前後方向に発光する発光部４ａ，４ｂに対して各々
独立した２個のマイクロレンズ（収束光学部材）２２
ａ，２２ｂが内蔵されている。そして、これらのマイク
ロレンズ２２ａ，２２ｂにより前記発光部４ａ，４ｂか
ら後方に出射された２本のモニタ用レーザビーム４_a1，
４_b1の各々の発散角を絞って２個のビームスポットＰ
ａ，Ｐｂを結像させ、これらのビームスポットＰａ，Ｐ
ｂ位置に各々独立したフォトダイオード（光量検出部）
５ａ，５ｂを配置した構造とされている。

【００２９】このような構成において、半導体レーザア
レイチップ４から前方に出射された２本のレーザビーム
４_a2，４_b2は、コリメートレンズ１２により２本の平行
なビームに変えられる。これらの平行なレーザビームは
アパーチャ１４の窓１４ａにより一定形状のビームに整
形されてシリンダレンズ１５に入射する。このシリンダ
レンズ１５に入射した２本のレーザビームは、図１に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体１８上に収束
結像し、感光体１８上に２ラインの画像を同時に記録す
る。

【００３０】一方、半導体レーザアレイチップ４の各発
光部４ａ，４ｂから後方に出射された２本のモニタ用レ
ーザビーム４_a1，４_b1は、マイクロレンズ２２ａ，２２
ｂを透過して各フォトダイオード５ａ，５ｂに入射す
る。この時、これらのモニタ用レーザビーム４_a1，４_b1
は、マイクロレンズ２２ａ，２２ｂにより発散角が絞ら
れてフォトダイオード５ａ，５ｂ上にビームスポットＰ
ａ，Ｐｂを結像するので、隣接するフォトダイオード５
ａ，５ｂにモニタ用レーザビーム４_a1，４_b1が漏れるこ
となく、モニタ用レーザビーム４_a1，４_b1を別々に受光
することが可能となる。

【００３１】このように、本実施例では、発光部４ａ，
４ｂから後方に出射されたモニタ用レーザビーム４_a1，
４_b1の各々に対して独立したフォトダイオード５ａ，５
ｂをを半導体レーザ２１に内蔵しているので、発光部４
ａ，４ｂの発光量をリアルタイムに検出することが可能
となる。これにより、素子の温度変化による発光量の変
化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。

【００３２】この際、フォトダイオード５ａ，５ｂで受
光するモニタ用レーザビーム４_a1，４_b1がマイクロレン
ズ２２ａ，２２ｂで絞られているため、フォトダイオー
ド５ａ，５ｂの受光効率が上がりフォトダイオード５
ａ，５ｂの小型化を図り得るものとなり、しかも、光量
検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行う
ことが可能となる。

【００３３】次に、本発明の第三の実施例を図３及び図
４に基づいて説明する。なお、図１において説明した部
分と同一部分については同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項１及び３記載の発明に相当するも
ので、図１（ｂ）に示した２個の発光部１０ａ，１０ｂ
からなる半導体レーザアレイチップ１０に加え、図４に
示すように、この半導体レーザアレイチップ１０の近傍
に前記各発光部１０ａ，１０ｂに対応した２個のフォト
ダイオード（図示せず）を有する光量検出部２３が内蔵
された半導体レーザ２４を用いるようにしたものであ
る。そして、図３に示すように、前記半導体レーザ２４
から出射された２本のレーザビーム１０_a1，１０_b1の光
路上には、収束光学部材２５と、窓１４ａを有するアパ
ーチャ１４と、シリンダレンズ１５と、ポリゴンミラー
１６と、ｆθレンズ系１７とがドラム状の感光体１８に
向けて順に配設されている。この場合、前記収束光学部
材２５は、図４に示すように、半導体レーザ２４から出
射された２本のレーザビーム（１０_a1，１０_b1）Ｃ１を
２本の平行なビームに変えるコリメートレンズ１２と、
このコリメートレンズ１２により平行とされた各平行ビ
ームＣ１の光路中にこれらの各平行ビームＣ１の光軸に
垂直な面に対して傾けて配置されるとともに前記各平行
ビームＣ１の一部を前記コリメートレンズ１２側に反射
させる平面状のハーフミラー２６とからなっている。こ
こに、前記ハーフミラー２６で前記各平行ビームＣ１の
一部を反射させ、これらｎ本の反射ビームＣ２を前記コ
リメートレンズ１２により半導体レーザアレイチップ１
０の近傍に収束させて前記光量検出部２３内の２個のフ
ォトダイオードの各々に対して独立した２個のビームス
ポットＰを結像する構造とされている。

【００３４】このような構成において、図４に示すよう
に、半導体レーザアレイチップ１０から前方に出射され
た２本のレーザビームＣ１は、コリメートレンズ１２に
より２本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームＣ１は平面状のハーフミラー２６に入射
し、一部のレーザビームＣ２はハーフミラー２６で反射
されて入射方向に戻る。また、ハーフミラー２６を透過
したレーザビームＣ１はアパーチャ１４に入射し、アパ
ーチャ１４の窓１４ａにより一定形状のビームに整形さ
れてシリンダレンズ１５に入射する。このシリンダレン
ズ１５に入射した２本のレーザビームＣ１は、図１に示
した前記実施例と同様の過程を経て感光体１８上に収束
結像し、感光体１８上に２ラインの画像を同時に記録す
る。

【００３５】ここで、仮に、コリメートレンズ１２を透
過した２本の平行なレーザビームＣ１の光軸に対して垂
直にハーフミラー２６を配置したとすれば、コリメート
レンズ１２を透過した２本の平行なレーザビームＣ１は
ハーフミラー２６で反射されてコリメートレンズ１２を
もう一度透過し、半導体レーザアレイチップ１０の２個
の発光部１０ａ，１０ｂに収束され、各々の発光部１０
ａ，１０ｂの位置にビームスポットを結ぶことになる。
そこで、本実施例では、コリメートレンズ１２を透過し
た２本の平行なレーザビームＣ１の光軸に垂直な面に対
してハーフミラー２６を傾けることにより、ハーフミラ
ー２６で反射された一部のレーザビームＣ２がコリメー
トレンズ１２で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ１０の近傍に２個のビー
ムスポットＰを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットＰ位置で光量検出部２３によって
発光部１０ａ，１０ｂ毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、２個の発光部１０ａ，１０ｂから出射される
レーザビームＣ１の光量を独立に検出することが可能と
なる。

【００３６】このように、本実施例では、発光部１０
ａ，１０ｂから出射されたレーザビームＣ１の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部２３
を半導体レーザ２４に内蔵しているので、発光部１０
ａ，１０ｂの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。

【００３７】この際、光量検出部２３で受光するレーザ
ビームＣ２がコリメートレンズ１２で収束結像されてい
るため、光量検出部２３の小型化を図り得るものとな
り、しかも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な
発光量制御を行うことが可能となる。

【００３８】また、半導体レーザ２４に光量検出部２３
を内蔵していても半導体レーザアレイチップ１０の後方
にモニタ用レーザビームを出射する必要がなく、半導体
レーザアレイチップ１０の後方に出射されたモニタ用レ
ーザビームが前方に漏れてフレアが発生することを防止
することが可能となる。しかも、全てのレーザビームを
半導体レーザアレイチップ１０の前方に取出せるため、
半導体レーザ２４の効率を上げることが可能となる。

【００３９】さらに、コリメートレンズ１２を収束レン
ズ（集光レンズ）と兼用することで、レーザ記録装置の
構造が簡単となる。

【００４０】次に、本発明の第四の実施例を図５及び図
６に基づいて説明する。なお、図３及び図４において説
明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略す
る。本実施例は請求項１及び４記載の発明に相当するも
ので、図４に示した半導体レーザ２４を用いるようにし
たものである。そして、図５に示すように、前記半導体
レーザ２４から出射された２本のレーザビーム１０_a1，
１０_b1の光路上には、収束光学部材２７と、シリンダレ
ンズ１５と、ポリゴンミラー１６と、ｆθレンズ系１７
とがドラム状の感光体１８に向けて順に配設されてい
る。この場合、前記収束光学部材２７は、図６に示すよ
うに、半導体レーザ２４から出射された２本のレーザビ
ーム（１０_a1，１０_b1）Ｃ１を２本の平行なビームに変
えるコリメートレンズ１２と、このコリメートレンズ１
２により平行とされた前記各平行ビームＣ１の光路中に
これらの各平行ビームＣ１の光軸に垂直な面に対して傾
けて配置されるとともに窓２８ａと前記コリメートレン
ズ１２側の反射鏡２８ｂとを有するアパーチャ２８とか
らなっている。これにより、図６に示すように、前記ア
パーチャ２８の反射鏡２８ｂで前記コリメートレンズ１
２を透過した２本の平行ビームＣ１の一部を反射させ、
これら２本の反射ビームＣ２を再び前記コリメートレン
ズ１２を透過させることにより半導体レーザアレイチッ
プ１０の近傍に収束させて前記光量検出部２３の２個の
フォトダイオード（図示せず）の各々に対して独立した
２個のビームスポットＰを結像する構造とされている。

【００４１】このような構成において、図６に示すよう
に、半導体レーザアレイチップ１０から前方に出射され
た２本のレーザビームＣ１は、コリメートレンズ１２に
より２本の平行なビームに変えられる。これらの平行な
レーザビームＣ１はアパーチャ２８に入射し、アパーチ
ャ２８の窓２８ａにより一定形状のビームに整形されて
シリンダレンズ１５に入射する。このシリンダレンズ１
５に入射した２本のレーザビームＣ１は、図１に示した
前記実施例と同様の過程を経て感光体１８上に収束結像
し、感光体１８上に２ラインの画像を同時に記録する。

【００４２】一方、アパーチャ２８の入射側の面は反射
鏡２８ｂになっているため、コリメートレンズ１２を透
過した２本の平行なレーザビームＣ１の内、窓２８ａを
通らないレーザビームＣ２は、反射鏡２８ｂで反射され
て入射方向に戻る。この場合、アパーチャ２８の窓２８
ａを通るレーザビームＣ１は、装置によって異なるが、
５０％程度であり、残りの約５０％のレーザビームＣ２
が反射されることになる。今、コリメートレンズ１２を
透過した２本の平行なレーザビームＣ１の光軸に対して
垂直にアパーチャ２８を配置したとすれば、反射鏡２８
ｂで反射された一部のレーザビームＣ２はコリメートレ
ンズ１２をもう一度透過し、半導体レーザアレイチップ
１０の２個の発光部１０ａ，１０ｂに収束され、各々の
発光部１０ａ，１０ｂの位置にビームスポットを結ぶこ
とになる。そこで、本実施例では、コリメートレンズ１
２を透過した２本の平行なレーザビームＣ１の光軸に垂
直な面に対してアパーチャ２８を傾けることにより、反
射鏡２８ｂで反射されたレーザビームＣ２がコリメート
レンズ１２で収束結像するビームスポットの位置を変
え、半導体レーザアレイチップ１０の近傍に２個のビー
ムスポットＰを結像させるようにしている。よって、こ
れらのビームスポットＰ位置で光量検出部２３によって
発光部１０ａ，１０ｂ毎に独立した発光量を検出するこ
とにより、２個の発光部１０ａ，１０ｂから出射される
レーザビームＣ１の光量を独立に検出することが可能と
なる。

【００４３】このように、本実施例では、発光部１０
ａ，１０ｂから出射されたレーザビームＣ１の各々に対
して独立したフォトダイオードを有する光量検出部２３
を半導体レーザ２４に内蔵しているので、発光部１０
ａ，１０ｂの発光量をリアルタイムに検出することが可
能となる。これにより、素子の温度変化による発光量の
変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが可能とな
る。

【００４４】この際、光量検出部２３で受光するレーザ
ビームＣ２がコリメートレンズ１２で収束されているた
め、光量検出部２３の小型化を図り得るものとなり、し
かも、光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量
制御を行うことが可能となる。

【００４５】また、半導体レーザ２４に光量検出部２３
を内蔵していても従来のように半導体レーザアレイチッ
プ１０の後方にモニタ用レーザビームを出射する必要が
なく、半導体レーザアレイチップ１０の後方に出射され
たモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生す
ることを防止することが可能となり、しかも、全てのレ
ーザビームを半導体レーザアレイチップ１０の前方に取
出せるため、半導体レーザ２４の効率を上げることが可
能となる。

【００４６】さらに、コリメートレンズ１２を収束レン
ズ（集光レンズ）と兼用するとともにアパーチャ２８と
反射鏡２８ｂとを一体化することで、図３及び図４に示
した前記実施例に比べ、レーザ記録装置の構造が一層簡
単となる。しかも、従来では使用しなかったアパーチャ
２８の窓２８ａで切られたレーザビームＣ２をモニタ用
のビームとして使用することで、レーザビームの利用効
率を上げることが可能となる。

【００４７】

【発明の効果】ｎ個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたｎ本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により感光
体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、請求項１記載の発
明によれば、前記半導体レーザから出射された前記各レ
ーザビームの一部を収束させてｎ個のビームスポットを
結像する収束光学部材を設け、この収束光学部材により
収束結像された各ビームスポット位置に各々独立したｎ
個の光量検出部を配設し、これらの光量検出部によって
各発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたの
で、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出するこ
とができ、これにより、素子の温度変化による発光部の
発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることが
できるものである。

【００４８】具体的に、請求項２記載の発明によれば、
半導体レーザとポリゴンミラーとの間に前記半導体レー
ザから出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと前記各平行ビームの一部
を分離させるビームスプリッタとを配設し、このビーム
スプリッタで分離されたｎ本の分離ビームの光路中にこ
れらの分離ビームを分離収束させて発光部の発光点間隔
より広い間隔でｎ個のビームスポットを結像する収束光
学部材を配設し、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出
部を配設し、ｎ個の発光部の発光点間隔より広げた間隔
で配置されたｎ個の光量検出部によって各発光部毎に独
立した発光量を検出するようにしたので、発光部の各々
の発光量をリアルタイムに検出することができ、これに
より、素子の温度変化による発光部の発光量の変化を抑
え、画像印字濃度を安定させることができ、この際、各
光量検出部で受光するレーザビームの間隔が収束光学部
材により発光部の発光点間隔より広げられているため、
光量検出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を
行い得るものとなり、また、従来のように半導体レーザ
１１に光量検出部を内蔵していないので、半導体レーザ
アレイチップの後方にモニタ用レーザビームを出射する
必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方に出射さ
れたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレアが発生
することを防止でき、しかも、全てのレーザビームを半
導体レーザアレイチップの前方に取出せるため、半導体
レーザの効率を上げることができるものである。

【００４９】また、請求項３記載の発明によれば、半導
体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザ
から出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビーム
に変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸
に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの
各平行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射さ
せるハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射さ
れたｎ本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前
記半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチップの近傍
に分離収束させてｎ個のビームスポットを結像する収束
光学部材を設け、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出
部を配設し、半導体レーザに内蔵されたｎ個の光量検出
部によって各発光部毎に独立した発光量を検出するよう
にしたので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検
出することができ、これにより、素子の温度変化による
発光部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させ
ることができ、この際、各光量検出部で受光するレーザ
ビームがコリメートレンズで収束されているため、光量
検出部の小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検
出時のクロストークを抑え、良好な発光量制御を行うこ
とができ、また、半導体レーザに光量検出部を内蔵して
いても半導体レーザアレイチップの後方にモニタ用レー
ザビームを出射する必要がないため、半導体レーザアレ
イチップの後方に出射されたモニタ用レーザビームが前
方に漏れてフレアが発生することを防止することが可能
となり、しかも、全てのレーザビームを半導体レーザア
レイチップの前方に取出せるため、半導体レーザの効率
を上げることができ、さらに、コリメートレンズを収束
レンズと兼用することで、レーザ記録装置を簡単な構造
にすることができるものである。

【００５０】さらに、請求項４記載の発明によれば、半
導体レーザとポリゴンミラーとの間に、前記半導体レー
ザから出射されたｎ本のレーザビームをｎ本の平行ビー
ムに変えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光
軸に垂直な面に対して傾けて配置されるとともにこれら
の各平行ビームをｎ本の一定形状のビームに整形し通過
させる窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記
コリメートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパ
ーチャとを備え、前記反射鏡で反射されたｎ本の反射ビ
ームを前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内
部の半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させて
ｎ個のビームスポットを結像させる収束光学部材を設
け、この収束光学部材により収束結像された各ビームス
ポット位置に各々独立したｎ個の光量検出部を配設し、
半導体レーザに内蔵されたｎ個の光量検出部によって各
発光部毎に独立した発光量を検出するようにしたので、
発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出することが
でき、これにより、素子の温度変化による発光部の発光
量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させることがで
き、この際、各光量検出部で受光するレーザビームがコ
リメートレンズで収束されているため、光量検出部の小
型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のクロ
ストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ、
また、半導体レーザに光量検出部を内蔵していても半導
体レーザアレイチップの後方にモニタ用レーザビームを
出射する必要がなく、半導体レーザアレイチップの後方
に出射されたモニタ用レーザビームが前方に漏れてフレ
アが発生することを防止することが可能となり、しか
も、全てのレーザビームを半導体レーザアレイチップの
前方に取出せるため、半導体レーザの効率を上げること
ができ、さらに、コリメートレンズを収束レンズと兼用
するとともにアパーチャと反射鏡とを一体化すること
で、レーザ記録装置を一層簡単な構造にすることがで
き、しかも、従来では使用しなかったアパーチャの窓で
切られたレーザビームをモニタ用のビームとして使用す
ることで、レーザビームの利用効率を上げることができ
るものである。

【００５１】一方、請求項５記載の発明によれば、前後
方向に発光するｎ個の発光部が所定間隔を持って配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて前方に出射されたｎ本のレーザビー
ムをポリゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査
させ、これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系によ
り感光体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記
録するようにしたレーザ記録装置において、前記半導体
レーザ内部の半導体レーザアレイチップの後方に配置さ
れるとともに前記各発光部から後方に出射されたｎ本の
モニタ用レーザビームの発散角を絞ってｎ個のビームス
ポットを結像するｎ個の収束光学部材を設け、これらの
収束光学部材により絞られた各ビームスポット位置に各
々独立したｎ個の光量検出部を配設し、半導体レーザに
内蔵されたｎ個の光量検出部によって各発光部毎に独立
してモニタ用レーザビームの発光量を検出するようにし
たので、発光部の各々の発光量をリアルタイムに検出す
ることができ、これにより、素子の温度変化による発光
部の発光量の変化を抑え、画像印字濃度を安定させるこ
とができ、この際、各光量検出部で受光するモニタ用レ
ーザビームの発散角が各収束光学部材により絞られてい
るため、光量検出部の受光効率が上がり、光量検出部の
小型化を図り得るものとなり、しかも、光量検出時のク
ロストークを抑え、良好な発光量制御を行うことができ
るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例を示すもので、（ａ）は
平面図、（ｂ）はその要部の拡大平面図である。

【図２】本発明の第二の実施例を示す部分正面図であ
る。

【図３】本発明の第三の実施例を示す平面図である。

【図４】その拡大平面図である。

【図５】本発明の第四の実施例を示す平面図である。

【図６】その拡大平面図である。

【図７】従来例を示す斜視図である。

【図８】別の従来例を示す斜視図である。

【図９】その要部の拡大正面図である。

【符号の説明】

４半導体レーザアレイチップ４ａ，４ｂ発光部４_a1，４_b1 モニタ用レーザビーム４_a2，４_b2 レーザビーム５ａ，５ｂ光量検出部１０半導体レーザアレイチップ１０ａ，１０ｂ発光部１０_a1，１０_b1 レーザビーム１１半導体レーザ１２コリメートレンズ１３ビームスプリッタ１６ポリゴンミラー１７ｆθレンズ系１８感光体１９収束光学部材２０ａ，２０ｂ光量検出部２１半導体レーザ２２ａ，２２ｂ収束光学部材２３光量検出部２４半導体レーザ２５収束光学部材２６ハーフミラー２７収束光学部材２８アパーチャ２８ａ窓２８ｂ反射鏡ＰビームスポットＰａ，Ｐｂビームスポット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤岡尚亘東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者吉田佳樹東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者中川日出男東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｎ個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたｎ本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により感光
体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
から出射された前記各レーザビームの一部を収束させて
ｎ個のビームスポットを結像する収束光学部材を設け、
この収束光学部材により収束結像された各ビームスポッ
ト位置に各々独立したｎ個の光量検出部を配設したこと
を特徴とするレーザ記録装置。
【請求項２】ｎ個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたｎ本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により感光
体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に前記半導体レーザから出
射された前記各レーザビームをｎ本の平行ビームに変え
るコリメートレンズと前記各平行ビームの一部を分離さ
せるビームスプリッタとを配設し、このビームスプリッ
タで分離されたｎ本の分離ビームの光路中にこれらの分
離ビームを分離収束させて前記発光部の発光点間隔より
広い間隔でｎ個のビームスポットを結像する収束光学部
材を配設し、この収束光学部材により収束結像された各
ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出部を
配設したことを特徴とするレーザ記録装置。
【請求項３】ｎ個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたｎ本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により感光
体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射された前記各レーザビームをｎ本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームの一部を前記コリメートレンズ側に反射させる
ハーフミラーとを備え、このハーフミラーで反射された
ｎ本の反射ビームを前記コリメートレンズにより前記半
導体レーザ内部の前記半導体レーザアレイチップの近傍
に分離収束させてｎ個のビームスポットを結像する収束
光学部材を設け、この収束光学部材により収束結像され
た各ビームスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出
部を配設したことを特徴とするレーザ記録装置。
【請求項４】ｎ個の発光部が所定間隔をもって配列さ
れた半導体レーザアレイチップを有する半導体レーザか
ら画像信号に応じて出射されたｎ本のレーザビームをポ
リゴンミラーで反射させて主走査方向に偏向走査させ、
これらｎ本の偏向走査ビームをｆθレンズ系により感光
体上に収束結像させてｎラインの画像を同時に記録する
ようにしたレーザ記録装置において、前記半導体レーザ
と前記ポリゴンミラーとの間に、前記半導体レーザから
出射された前記各レーザビームをｎ本の平行ビームに変
えるコリメートレンズと、前記各平行ビームの光軸に垂
直な面に対して傾けて配置されるとともにこれらの各平
行ビームをｎ本の一定形状のビームに整形し通過させる
窓とこの窓を通過しない前記各平行ビームを前記コリメ
ートレンズ側に反射させる反射鏡とよりなるアパーチャ
とを備え、前記反射鏡で反射されたｎ本の反射ビームを
前記コリメートレンズにより前記半導体レーザ内部の前
記半導体レーザアレイチップの近傍に分離収束させてｎ
個のビームスポットを結像させる収束光学部材を設け、
この収束光学部材により収束結像された各ビームスポッ
ト位置に各々独立したｎ個の光量検出部を配設したこと
を特徴とするレーザ記録装置。
【請求項５】前後方向に発光するｎ個の発光部が所定
間隔を持って配列された半導体レーザアレイチップを有
する半導体レーザから画像信号に応じて前方に出射され
たｎ本のレーザビームをポリゴンミラーで反射させて主
走査方向に偏向走査させ、これらｎ本の偏向走査ビーム
をｆθレンズ系により感光体上に収束結像させてｎライ
ンの画像を同時に記録するようにしたレーザ記録装置に
おいて、前記半導体レーザ内部の半導体レーザアレイチ
ップの後方に配置されるとともに前記各発光部から後方
に出射されたｎ本のモニタ用レーザビームの発散角を絞
ってｎ個のビームスポットを結像するｎ個の収束光学部
材を設け、これらの収束光学部材により絞られた各ビー
ムスポット位置に各々独立したｎ個の光量検出部を配設
したことを特徴とするレーザ記録装置。