JP2002026445A

JP2002026445A - 光源装置

Info

Publication number: JP2002026445A
Application number: JP2000210251A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Nakajima; 智宏中島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2000-07-11
Filing date: 2000-07-11
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】面発光型の半導体レーザにおける発光量を精
度よく検出し、該検出の結果に応じて半導体レーザの出
力を制御することにより高品質な画像を生成するための
光源装置を提供する。【解決手段】半導体基板１０４に形成された面発光型
の半導体レーザＬＤを含む光源装置であって、半導体基
板１０４に形成されると共に、半導体レーザＬＤの発光
面と並置された受光面を有し、受光面に入射する光に応
じて半導体レーザＬＤの発光量を検出するＰＩＮフォト
ダイオードＰＤと、いずれか一つの進路が上記受光面を
通るように、半導体レーザＬＤから射出された光の進路
を複数に分割するビームスプリッタ１０６とを備えたこ
とを特徴とする光源装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機やプリンタ
等において光走査により文字等を書き込むための光源装
置に関し、さらに詳しくは、面発光型の半導体レーザを
用いて該光走査を行うための光源装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】一般の半導体レーザは、基板上に積層す
る結晶の両端面を反射面とする共振器を構成し、該両端
面から２方向へ発光する端面発光型が採用され、該共振
器の前面から前面光が、該共振器の背面からは背面光が
それぞれ射出される。

【０００３】一方、半導体レーザは環境温度や自己発熱
により、駆動電流と発光量との関係が変動してしまうと
いう特性があるため、通常は所定のパッケージ内におい
てフォトダイオードを半導体レーザに対して併設する。
そして、該フォトダイオードに半導体レーザから発光さ
れた背面光を受光させることによって該半導体レーザの
発光量をモニタし、該モニタの結果に応じたフィードバ
ック制御がなされることにより該半導体レーザの発光量
が一定に保持される。

【０００４】また近年、積層面に垂直な方向に共振し、
該方向に発光する面発光型の半導体レーザが提案されて
いる。ここで、このような面発光型の半導体レーザは、
発光効率が良く従来に比べて損失する熱量も少ないた
め、小さな電力で駆動できると共に、回路基板の表面に
対して実装面が平行であるために生産性がよいという利
点がある。

【０００５】しかしながら、上記のような面発光型の半
導体レーザは、発光方向が一方向のみであるため、端面
発光型の半導体レーザの場合と同様に背面光を受光する
ことにより該半導体レーザの発光量をモニタすることは
できない。従って、上記のようなフィードバック制御等
により、面発光型の半導体レーザにおける発光量を一定
に保持することはできないため、生成する画像において
意図しない濃度変動を生じさせてしまうという問題があ
る。

【０００６】ここで、例えば特公平６−８７５１１号公
報においては、面発光型の半導体レーザを構成する積層
部の下層側に、フォトダイオードを構成する積層部を一
体的に形成し、背面側で光量を検出するようにする技術
が開示されている。また、特開平６−９７５９７号公報
においては、フォトダイオードを構成する積層部を半導
体レーザを構成する積層部の上層に形成すると共に、フ
ォトダイオードを構成する該積層部に開口部を形成し
て、該開口部から光ビームを射出する技術が開示されて
いる。

【０００７】なお、特開平６−１６４０５６号公報にお
いては、複数の発行源を有する半導体レーザアレイの前
面から射出された光を分割すると共に、各発光源に対応
したセンサを配設することにより、該発光源の発光量を
個別にモニタする技術が開示されている。

【０００８】また一般的には、上記のように半導体レー
ザの発光量をモニタするフォトダイオードと該半導体レ
ーザとを１チップ中に一体的に形成すれば、製造プロセ
スが簡素化されるため、組み立て効率を向上させること
ができる。

【０００９】しかし、上記特公平６−８７５１１号公報
や特開平６−９７５９７号公報に開示されるようにフォ
トダイオードを面発光型の半導体レーザと同心的に形成
すると、半導体レーザの出射窓から射出され印字等の使
用に供されるレーザ光のみならず、使用対象とされない
多次の共振モードを有する光までもフォトダイオードに
より検出されてしまうため、結果的に面発光型の半導体
レーザにおける射出光量を正確に検出することができな
いという問題がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解消するためになされたもので、面発光型の半導体レ
ーザにおける発光量を精度よく検出し、該検出の結果に
応じて半導体レーザの出力を制御することにより高品質
な画像を生成するための光源装置を提供することを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、半導体基
板に形成された面発光型の半導体レーザを含む光源装置
であって、半導体基板に形成されると共に、半導体レー
ザの発光面と並置された受光面を有し、受光面に入射す
る光に応じて半導体レーザの発光量を検出する検出手段
と、いずれか一つの進路が受光面を通るように、半導体
レーザから射出された光の進路を複数に分割する分割手
段とを備えたことを特徴とする光源装置を提供すること
により達成される。このような手段によれば、検出手段
により面発光型の半導体レーザの発光量を精度良く検出
することができ、該検出結果に基づいた面発光型の半導
体レーザの出力制御を高精度化することができる。

【００１２】また、半導体レーザは半導体基板に複数個
形成され、検出手段は、半導体レーザのそれぞれに対応
して形成される複数のフォトダイオードからなるものと
すれば、複数の半導体レーザにおける個々の制御を容易
に実行することができる。

【００１３】また、複数の半導体レーザは、半導体基板
において直線的に配列されることとすれば、複数の半導
体レーザが成す個々の光学系を容易に構成することがで
きる。

【００１４】また、半導体基板と分割手段を一体的に保
持すると共に、半導体レーザまたは検出手段に接続され
る端子を有する保持手段をさらに備えることとすれば、
半導体レーザから射出された光を検出手段へ入射させる
ための軸合わせが不要となると共に、端子を有すること
によって他の回路との接続を容易に実現することができ
る。

【００１５】また、検出手段により検出された発光量に
応じて半導体レーザの出力を制御すると共に、保持手段
に保持される制御手段をさらに備えることにより、半導
体レーザと制御手段との配線長を短縮して制御手段の応
答性を高めることができる。また、保持手段は、半導体
レーザより射出された光を平行光束とするためのレンズ
が装着された筐体の位置を決定するための当接部を含む
こととすれば、半導体レーザを光源とした所望の光学系
を容易に構成することができる。そして、当接部は、レ
ンズの光軸を中心軸とした保持手段の回動を可能とする
係合部を含むこととすれば、半導体レーザが射出するビ
ームの方向を容易に変更することができる。

【００１６】また、分割手段から射出された光を集光
し、検出手段の受光面に供給する集光手段をさらに備え
ることにより、半導体レーザから射出された光を確実に
検出手段の受光面に供給することができる。そして、半
導体レーザ及び検出手段は、１対１に対応するよう半導
体基板にそれぞれ複数個形成され、集光手段は、半導体
レーザのそれぞれに対応して設けられた複数のレンズか
ら構成されるものとすれば、検出手段において対応外の
半導体レーザから射出された光までも検出してしまうい
わゆるクロストークを回避することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符
号は同一又は相当部分を示す。［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１に係る
光源装置の構成を示す斜視図である。また、図２は図１
に示された光源装置のＹＺ平面における断面構造を示す
断面図であり、図３は図１に示された光源装置のＸＺ平
面における断面構造を示す断面図である。

【００１８】図１に示されるように、本発明の実施の形
態１に係る光源装置は、回路基板１０３と、回路基板１
０３に搭載された発光ユニット４０１と、フランジ部材
１１０とを備え、発光ユニット４０１は保持部材１０１
と、保持部材１０１に形成されたリードフレーム（端
子）１０２と、半導体レーザＬＤ及びＰＩＮフォトダイ
オードＰＤが形成された半導体基板１０４と、ベアチッ
プ１０５と、半導体基板１０４上に配設されたビームス
プリッタ１０６とレンズアレイ１０７、及び三角プリズ
ム１０８と、保持部材１０１の内部を密閉する透明カバ
ー１０９とを含み、フランジ部材１１０にはカップリン
グレンズ１１２が装着された鏡筒１１４が嵌合される。

【００１９】また、保持部材１０１には、半導体基板１
０４の実装面と平行な位置決め面１０１ａ及び、カップ
リングレンズ１１２の光軸を中心軸とした保持部材１０
１の回動を可能とするための円筒部１０１ｂが形成され
る。一方、図３に示されるように、フランジ部材１１０
の内部には突き当て面１１０ａと、円筒穴１１０ｂ及び
円筒部１１０ｃが形成される。ここで、保持部材１０１
に形成された位置決め面１０１はフランジ部材１１０の
突き当て面１１０ａに当接され、光軸方向におけるカッ
プリングレンズ１１２の位置が決定される。

【００２０】また、保持部材１０１に形成された円筒部
１０１ｂはフランジ部材１１０の円筒穴１１０ｂに係合
される。なお、図２に示されるように、上記フランジ部
材１１０はネジ１１１により回路基板１０３に固定さ
れ、光ユニット４０１と一体的に構設される。

【００２１】さらに、上記のような構成を有する発光ユ
ニット４０１においては、保持部材１０１の内部におい
て、リードフレーム１０２と半導体レーザＬＤ及びＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤが結線される。

【００２２】また、保持部材１０１の内部には、半導体
レーザＬＤ及びＰＩＮフォトダイオードＰＤに結線され
ると共に、検出された半導体レーザＬＤの発光量に応じ
てＰＩＮフォトダイオードＰＤから供給されるモニタ出
力に応じて半導体レーザＬＤの駆動電流（出力）を調整
し、発光量が一定に保たれるよう半導体レーザＬＤをフ
ィードバック制御するベアチップ１０５が組み込まれ
る。

【００２３】ここで、半導体レーザＬＤは半導体基板１
０４において、カップリングレンズ１１２の光軸を対称
軸として複数個直列的に等間隔で配設されるが、さら
に、半導体レーザＬＤの各発光面に対してＰＩＮフォト
ダイオードＰＤの受光面がそれぞれ並置されるよう、半
導体レーザＬＤと同数のＰＩＮフォトダイオードＰＤが
半導体基板１０４上に直列的に配設される。そして、上
記ベアチップ１０５は上記半導体レーザＬＤ毎にその出
力を制御する。なお、図１に示されるように本実施の形
態１に係る光源装置においては、一例として半導体レー
ザＬＤ及びＰＩＮフォトダイオードＰＤが５０μｍの間
隔でそれぞれ８個形成される。

【００２４】以上のような実施の形態１に係る光源装置
においては、半導体レーザＬＤから射出された光の進路
が、半導体レーザＬＤの発光面の上部に載置されたビー
ムスプリッタ１０６により分割され、ビームスプリッタ
１０６により反射された光は各半導体レーザＬＤに対応
して複数のレンズが直列的に配設されたレンズアレイ１
０７及び三角プリズム１０８を介して、ＰＩＮフォトダ
イオードＰＤの受光面に入射される。これにより、ＰＩ
ＮフォトダイオードＰＤは、受光面に受光した光の量に
応じたモニタ出力をベアチップ１０５に供給する。

【００２５】上記において、一体的に形成された上記レ
ンズアレイ１０７を構成する各レンズにより、対応する
半導体レーザＬＤから射出された発散性光束は、ＰＩＮ
フォトダイオードＰＤの受光面である入射窓の内側にス
ポット径が入る程度に絞られるため、上記半導体レーザ
から射出された発散性光束が隣接する受光面に入射する
いわゆるクロストークが回避され、ＰＩＮフォトダイオ
ードＰＤによって半導体レーザＬＤ毎の発光量を精度よ
く検出することが可能となる。

【００２６】一方、上記ビームスプリッタ１０６におい
て直進した光は、透明カバー１０９を透過してカップリ
ングレンズ１１２を介して光源装置の外部に射出され
る。なお、カップリングレンズ１１２は鏡筒１１４に収
められ、カップリングレンズ１１２から射出する光が略
平行光束となるよう光軸方向における位置が調整され鏡
筒１１４が円筒部１１０ｃに嵌合され接着され固定され
る。

【００２７】また、図３に示された半導体レーザＬＤの
うち、両端に配設された半導体レーザＬＤとカップリン
グレンズ１１２の光軸との距離は例えば１７５μｍとさ
れ、カップリングレンズ１１２の焦点距離２０ｍｍに対
して十分小さな値とされるため、単一のカップリングレ
ンズ１１２により、いずれの半導体レーザＬＤから射出
された光によっても略平行な光束を得ることができる。

【００２８】なお、上記において、ビームスプリッタ１
０６とレンズアレイ１０７及び三角プリズム１０８は透
明カバー１０９の上に設けることとしてもよく、さらに
は、図４に示されるように、ビームスプリッタ１０６の
代わりに、回折格子１１３を用いることもできる。

【００２９】すなわち、図４に示されるように、半導体
レーザＬＤの上に回折格子１１３を架設し、半導体レー
ザＬＤから射出された光を回折格子１１３により回折す
ることによって該光の進路を分割して、ＰＩＮフォトダ
イオードＰＤの受光面に分割された該光が当たるように
してもよい。そして、このような光源装置によれば、簡
易な構成により図１に示された光源装置と同様な効果を
得ることができる。

【００３０】次に、上記半導体レーザＬＤ及びＰＩＮフ
ォトダイオードＰＤについて、より詳しく説明する。図
５は、図１に示された光源装置に含まれる半導体レーザ
ＬＤ及びＰＩＮフォトダイオードＰＤの構成を示す斜視
図である。

【００３１】図５に示されるように、半導体基板１０４
にはエッチングにより出射窓６０１ａ及び受光窓６０１
ｂが形成される。そして、半導体レーザＬＤは、表面に
誘電体多層膜反射鏡６０２が形成されたｎ型クラッド層
６０３と、活性層６０４、ｐ型クラッド層６０５、誘電
体多層膜反射鏡６０６が順次半導体基板１０４に積層さ
れることにより形成される。

【００３２】また、ＰＩＮフォトダイオードＰＤは、半
導体基板１０４において半導体レーザＬＤと同じ向き
に、ｎ型層６０７及びｐ型層６０８を積層してｐｎ接合
部を設けることにより形成される。そして、保持部材１
０１上においては電極６１０，６１１がパターニングさ
れ、それぞれ半導体レーザＬＤのｐ側、ＰＩＮフォトダ
イオードＰＤのｐ側がリードフレーム１０２やベアチッ
プ１０５に電気的に接続される。ここで、該電気的接続
は、ワイヤーボンディングやハンダ付け等により行われ
る。

【００３３】なお、上記ＰＩＮフォトダイオードＰＤと
半導体基板１０４との間には、透明性のよい例えば二酸
化珪素からなるシリカ層６１２が積層され、半導体基板
１０４と電極６１１までの距離が、半導体基板１０４か
ら電極６１０までの距離と等しくされる。

【００３４】また、半導体基板１０４には、並置される
出射窓６０１ａ及び受光窓６０１ｂの周囲に一体として
設けられ、半導体レーザＬＤのｎ側とＰＩＮフォトダイ
オードのｎ側とを同電位とする共通電極６０９が設けら
れる。

【００３５】上記のような構成を有する半導体レーザＬ
Ｄにおいては、二つの電極６１０，６０９間に電圧が印
加されることにより活性層６０４で光が放出され、該光
が二つの誘電体多層膜反射鏡６０２，６０６間を往復す
ることにより発振すると共に、該光によるビームが半導
体レーザＬＤの実装面に垂直な方向Ｌへ出射窓６０１ａ
から射出される。

【００３６】以上より、本発明の実施の形態１に係る光
源装置によれば、半導体レーザＬＤから射出された光の
進路がビームスプリッタ１０６により分割され、ＰＩＮ
フォトダイオードＰＤに入射されるため、半導体レーザ
ＬＤの発光量をＰＩＮフォトダイオードＰＤによって精
度良く検出することができる。

【００３７】そして、ベアチップ１０５は該検出結果に
応じて半導体レーザＬＤの出力を制御するため、信頼性
がより高い半導体レーザＬＤの出力制御を実現する光源
装置を得ることができる。

【００３８】さらには、上記のような光源装置を使用す
ることによって、半導体レーザの発光量が精度よく一定
に保持されるため、複写機やプリンタ等において、より
高画質な画像を生成することができる。［実施の形態２］図６は、図１に示された光源装置を組
み込んだ本発明の実施の形態２に係る光走査装置の構成
を示す斜視図である。図６に示されるように、本実施の
形態２に係る光走査装置は、カップリングレンズ１１２
と、実施の形態１に示された発光ユニット４０１と、シ
リンダレンズ４０３，４０４と、ポリゴンミラー４０５
と、ｆθレンズ４０６と、トロイダルレンズ４０７と、
ミラー４０８と、感光体４０９と、アパーチャ４１０と
を備える。

【００３９】上記において、シリンダレンズ４０３は半
導体レーザＬＤの主走査方向において曲率を有し、シリ
ンダレンズ４０４は副走査方向において曲率を有する。
またアパーチャ４１０は、入射したビーム径を整形す
る。

【００４０】以下において、上記のような構成を有する
光走査装置の動作を説明する。発光ユニット４０１に含
まれた複数の半導体レーザＬＤから射出された複数の光
ビームは、カップリングレンズ１１２の焦点近傍におい
て交差する。そして、この交差点付近に配設されたアパ
ーチャ４１０により、各光ビームのビーム径が整形され
る。

【００４１】このようにして整形された光ビームは、シ
リンダレンズ４０３，４０４を介してポリゴンミラー４
０５に入射し、ポリゴンミラー４０５で走査される。そ
して、ポリゴンミラー４０５により反射された光ビーム
は、ｆθレンズ４０６を通った後にミラー４０８で反射
されトロイダルレンズ４０７を介して感光体４０９上に
結像する。なお、図６に示されるように、感光体４０９
上においては、走査線ピッチＰの走査がなされる。

【００４２】図７は、図６に示された感光体４０９の面
上に形成されるビームスポットＢＳ１，ＢＳ２の列を示
す図である。なおここで、初期設定状態においては感光
体４０９上に、走査線方向に配列された複数のビームス
ポットＢＳ１が形成される。

【００４３】このとき、図６に示されるように、発光ユ
ニット４０１をフランジ部材１１０と係合させた状態
で、カップリングレンズ１１２の光軸周りに位置決め面
１０１ａ上において回動させると、それに応じて図７に
示されるように、ビームスポットＢＳ１の列が中心点Ｐ
ｃの周りで角度φだけ回動し、ビームスポットＢＳ２の
列が感光体４０９上に形成される。

【００４４】ここで、上記角度φは、ビームスポットＢ
Ｓ２が所望の記録密度を実現するために走査線ピッチＰ
の走査を行うよう、換言すれば、各ビームスポットＢＳ
２の中心点がそれぞれ走査線ピッチＰの走査線上に位置
するように決定される。

【００４５】そして、上記のような方法によって感光体
４０９上の位置が決定された複数のビームスポットＢＳ
２による光走査により、複数の走査線上において感光体
４０９に並列的に画像を記録することができる。

【００４６】以上より、本発明の実施の形態２に係る光
走査装置によれば、出力が高精度に制御される複数の半
導体レーザＬＤにより生成された複数のビームスポット
ＢＳ２によって、並列的な画像記録を行うことができる
ため、高画質な画像を高速に記録することができる。

【００４７】なお、本実施の形態２においては、ポリゴ
ンミラー４０５で光走査する光走査装置に発光ユニット
４０１が組み込まれた場合を例として説明したが、主走
査方向に配置される記録画素の数だけ上記実施の形態１
に係る半導体レーザＬＤが並べられるよう上記発光ユニ
ット４０１を配設する固体走査型の光走査装置も同様に
考えることができる。

【００４８】

【発明の効果】上述の如く、面発光型の半導体レーザに
おける発光面と並置された受光面を有し、受光面に入射
する光に応じて半導体レーザの発光量を検出する検出手
段と、いずれか一つの進路が受光面を通るように、半導
体レーザから射出された光の進路を複数に分割する分割
手段とを備えた光源装置によれば、検出手段により面発
光型の半導体レーザの発光量を精度良く検出することが
でき、該検出結果に基づいた面発光型の半導体レーザの
出力制御を高精度化することができるため、半導体レー
ザにより記録される画像の質を高めることができる。

【００４９】また、検出手段は、複数の半導体レーザの
それぞれに対応して形成される複数のフォトダイオード
からなるものとすれば、複数の半導体レーザにおける個
々の制御を容易に実行することができるため、並列的な
光走査により記録される画像の質を向上させることがで
きる。

【００５０】また、複数の半導体レーザは、半導体基板
において直線的に配列されることとすれば、複数の半導
体レーザが成す個々の光学系を容易に構成することがで
きるため、光源装置の組み立て効率を高めることができ
る。

【００５１】また、半導体基板と分割手段を一体的に保
持する保持手段によれば、半導体レーザから射出された
光を検出手段へ入射させるための軸合わせが不要となっ
て、組み立てが容易になる。また、保持手段が、半導体
レーザまたは検出手段に接続される端子をさらに備える
こととすれば、他の回路との接続が容易に実現されるた
め半導体レーザの汎用性を高めることができる。

【００５２】また、検出手段により検出された発光量に
応じて半導体レーザの出力を制御すると共に、保持手段
に保持される制御手段をさらに備えることにより、半導
体レーザと制御手段との配線長を短縮して制御手段の応
答性を高めることができるため、質の高い画像を高速に
記録することができる。

【００５３】また、保持手段は、半導体レーザより射出
された光を平行光束とするためのレンズが装着された筐
体の位置を決定するための当接部を含むこととすれば、
半導体レーザを光源とした所望の光学系を容易に構成す
ることができるため、光源装置の組み立て効率を向上さ
せることができる。そして、当接部は、レンズの光軸を
中心軸とした保持手段の回動を可能とする係合部を含む
こととすれば、半導体レーザが射出するビームの方向を
容易に変更することができるため、該ビームによる画像
記録の汎用性を高めることができる。

【００５４】また、分割手段から射出された光を集光
し、検出手段の受光面に供給する集光手段をさらに備え
ることにより、半導体レーザから射出された光を確実に
検出手段の受光面に供給することができるため、検出手
段における光量検出の精度を高めることができる。

【００５５】そして、集光手段は、複数の半導体レーザ
のそれぞれに対応して設けられた複数のレンズから構成
されるものとすれば、検出手段において対応外の半導体
レーザから射出された光までも検出してしまういわゆる
クロストークを回避して検出手段による検出精度を高
め、半導体レーザ毎の出力制御の精度を向上させること
により、質の高い画像を並列的に高速に記録することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る光源装置の構成を
示す斜視図である。

【図２】図１に示された光源装置のＹＺ平面における断
面構造を示す断面図である。

【図３】図１に示された光源装置のＸＺ平面における断
面構造を示す断面図である。

【図４】図１に示された光源装置の他の構成例を示す斜
視図である。

【図５】図１に示された光源装置に含まれる半導体レー
ザ及びＰＩＮフォトダイオードの構成を示す斜視図であ
る。

【図６】図１に示された光源装置を組み込んだ本発明の
実施の形態２に係る光走査装置の構成を示す斜視図であ
る。

【図７】図６に示された感光体の面上に形成されるビー
ムスポット列を示す図である。

【符号の説明】

１０１保持部材１０１ａ位置決め面１０１ｂ円筒部１０２リードフレーム１０３回路基板１０４半導体基板１０５ベアチップ１０６ビームスプリッタ１０７レンズアレイ１０８三角プリズム１０９透明カバー１１０フランジ部材１１０ａ突き当て面１１０ｂ円筒穴１１０ｃ円筒部１１１ネジ１１２，４０２カップリングレンズ１１３回折格子１１４鏡筒４０１発光ユニット４０３，４０４シリンダレンズ４０５ポリゴンミラー４０６ｆθレンズ４０７トロイダルレンズ４０８ミラー４０９感光体４１０アパーチャ６０１ａ出射窓６０１ｂ受光窓６０２，６０６誘電体多層膜反射鏡６０３ｎ型クラッド層６０４活性層６０５ｐ型クラッド層６０７ｎ型層６０８ｐ型層６０９共通電極６１０，６１１電極６１２シリカ層ＰＤＰＩＮフォトダイオードＬＤ半導体レーザＰ走査線ピッチＬ方向ＢＳ１，ＢＳ２ビームスポットＰｃ中心点

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板に形成された面発光型の半導
体レーザを含む光源装置であって、前記半導体基板に形成されると共に、前記半導体レーザ
の発光面と並置された受光面を有し、前記受光面に入射
する光に応じて前記半導体レーザの発光量を検出する検
出手段と、いずれか一つの進路が前記受光面を通るように、前記半
導体レーザから射出された光の進路を複数に分割する分
割手段とを備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項２】前記半導体レーザは前記半導体基板に複
数個形成され、前記検出手段は、前記半導体レーザのそれぞれに対応し
て形成される複数のフォトダイオードからなる請求項１
に記載の光源装置。
【請求項３】複数の前記半導体レーザは、前記半導体
基板において直線的に配列された請求項２に記載の光源
装置。
【請求項４】前記半導体基板と前記分割手段を一体的
に保持すると共に、前記半導体レーザまたは前記検出手
段に接続される端子を有する保持手段をさらに備えた請
求項１に記載の光源装置。
【請求項５】前記検出手段により検出された前記発光
量に応じて前記半導体レーザの出力を制御すると共に、
前記保持手段に保持される制御手段をさらに備えた請求
項４に記載の光源装置。
【請求項６】前記保持手段は、前記半導体レーザより
射出された光を平行光束とするためのレンズが装着され
た筐体の位置を決定するための当接部を含む請求項４に
記載の光源装置。
【請求項７】前記当接部は、前記レンズの光軸を中心
軸とした前記保持手段の回動を可能とする係合部を含む
請求項６に記載の光源装置。
【請求項８】前記分割手段から射出された光を集光
し、前記検出手段の前記受光面に供給する集光手段をさ
らに備えた請求項１に記載の光源装置。
【請求項９】前記半導体レーザ及び前記検出手段は、
１対１に対応するよう前記半導体基板にそれぞれ複数個
形成され、前記集光手段は、前記半導体レーザのそれぞれに対応し
て設けられた複数のレンズから構成される請求項８に記
載の光源装置。