JP2908657B2

JP2908657B2 - 半導体レーザアレイ記録装置

Info

Publication number: JP2908657B2
Application number: JP5009934A
Authority: JP
Inventors: 進今河; 勝己山口; 真日野; 教夫道家
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-05-18
Filing date: 1993-01-25
Publication date: 1999-06-21
Anticipated expiration: 2014-06-21
Also published as: US5432537A; JPH0631980A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザアレイを
光源とし、複数ラインを同時に記録することが可能な半
導体レーザアレイ記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】まず、第一の従来例として、半導体レー
ザアレイをレーザ走査光学系に用いた場合の出力制御に
関するものとして、特開昭５９−１９２５２号公報、特
開平１−１０６４８６号公報に開示されているものがあ
る。この場合、１ライン走査毎に次走査までの無効走査
期間内で半導体レーザアレイを構成する半導体レーザを
１個ずつ時系列で点灯させ、半導体レーザアレイパッケ
ージに内蔵されたバックビーム光量検出器（モニタＰ
Ｄ）により光量を検出し、このモニタＰＤの出力信号に
より各半導体レーザの出力を制御する方式である。

【０００３】また、第二の従来例として、特開昭６２−
２７３８６２号公報に開示されているように、半導体レ
ーザアレイを構成する各半導体レーザ間の熱結合（熱的
な干渉）で発生する出力変動を低減するため、熱結合の
時定数よりも短い所定の時間毎に半導体レーザ駆動電流
をリセットし、所定の出力となるような各半導体のレー
ザ出力を制御する方式がある。

【０００４】さらに、第三の従来例として、特開平１−
１５５６７６号公報に開示されているように、半導体レ
ーザ（ＬＤ）アレイのバックビームを、そのＬＤアレイ
のＬＤ数に対応した受光素子で検出するＬＤアレイにお
いて、その受光素子の受光面に遮光部を設け、個々のＬ
Ｄの出力を独立した受光素子で検出し、それらＬＤのレ
ーザ出力を制御することによって、バックビーム間の光
クロストークを防止させるようにした方式がある。

【０００５】電子写真技術とレーザ走査技術とを組み合
わせたレーザプリンタは、普通紙が使用でき高速で高画
質な画像が得られるため、急速にコンピュータの出力装
置や、デジタル複写機として普及してきている。そこ
で、以下、レーザプリンタの具体例を図２９〜図３１に
基づいて説明する。

【０００６】図２９は、レーザプリンタのレーザ走査光
学系の構成を示すものである。画像信号に応じて変調さ
れた半導体レーザ１から出射されたレーザビームはコリ
メートレンズ２によりコリメートされ、回転多面鏡３で
反射され、結像レンズ４（ｆθレンズ）で感光体５上に
微小スポットとして結像される。この微小スポットが回
転多面鏡３と感光体５の回転により走査露光し、画像の
静電潜像が形成される。また、走査線上の走査開始側の
画像範囲外に置かれた受光素子６は、主走査方向の画像
書込み開始位置を制御するためにある。

【０００７】このようなレーザプリンタにおいて、１分
間にＡ４サイズの画像を１００枚出力するような光学系
を実現するためには、感光体５の速度は５００ｍｍ／ｓ
ｅｃ程度となり、回転多面鏡３の回転数Ｒ（ｒｐｍ）
は、以下の式で与えられる。

【０００８】Ｒ＝Ｖｏ×ＤＰＩ×６０／（２５．４×Ｎ） …（１）ここで、Ｖｏは、感光体５の速度（ｍｍ／ｓｅｃ）、Ｄ
ＰＩは１インチ当たりに記録できるドット数で一般的に
は３００〜４００、Ｎは回転多面鏡３の反射面の数で一
般的には６〜１０である。Ｖｏ＝５００、ＤＰＩ＝３０
０、Ｎ＝８を（１）式に代入すると回転多面鏡３の回転
数Ｒは４４２９１（ｒｐｍ）になる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような回
転数では、回転軸を支える軸受として従来のボールベア
リングを使用することができず、流体軸受、磁気軸受な
どの特殊な軸受が必要となりコストアップとなる。ま
た、光源であるレーザの変調周波数が高くなるためレー
ザ制御回路及びホストマシンからのデータ転送速度の高
速化が必要となり、回路が複雑になると同時にコストア
ップとなる。

【００１０】また、高速化のための方法としては、複数
の光源からのレーザビームを１個の回転多面鏡で偏向走
査し、これと同時に複数ラインを記録する方式がある。
複数のレーザビームで走査することによりレーザビーム
の本数がＭ本になれば、前述した回転多面鏡の回転数及
びレーザの変調周波数は１／Ｍとなり大幅なコウトダウ
ンを図ることができる。この場合、光源としては、１チ
ップ内に複数の発光素子（ＬＤ）を有し、個々のＬＤが
独立に変調が可能な半導体レーザアレイ（ＬＤＡ）が多
く用いられる。このＬＤＡが用いられる理由は、感光体
上での各レーザビームのピッチが半導体レーザチップの
加工精度で決まるため、熱変形等の影響で感光体上での
レーザビームのピッチが変動することが少ないことや、
コリメートレンズ、結像レンズなどが１組でよく光学系
がシンプルになるからである。図３０は３個のＬＤをア
レイ化してなるＬＤＡ７の一例を示すものであり、独立
に駆動、変調可能なＬＤ８ａ，８ｂ，８ｃが一列に並ん
だ構造を示すものである。

【００１１】しかし、このようなＬＤＡ７を独立して変
調する場合、周辺の発光点の状態（ＯＮかＯＦＦか）に
よって、発光部間相互の熱的な干渉を受け発光部の温度
が変化してしまう。ＬＤ８ａ，８ｂ，８ｃの電流−光出
力特性は温度により大きく変化するため、一定の電流に
よりＬＤ８ａ，８ｂ，８ｃを駆動してもＬＤＡ７の場
合、発光部間の相互の熱的な干渉によって光出力は大き
く変動してしまう。実験値によると、熱干渉の時定数
（熱結合時定数）は、発光点間距離が１００μｍで数ｍ
ｓｅｃ、発光点間距離が５０μｍで数１００μｓｅｃで
あった。

【００１２】また、レーザ走査光学系からみた場合、Ｌ
ＤＡ７を光源として使用した場合、中心のＬＤ以外のＬ
Ｄビームは、コリメートレンズ、結像レンズの光軸外を
使用し、収差による記録ビーム形状の劣化、走査線曲が
りが発生するため、発光点間距離はできるだけ短い方が
よい。しかし、１走査毎に出力制御を行っている前記第
一の従来例の場合、レーザプリンタにおける走査周期は
数ｍｓｅｃ〜数１００μｓｅｃであり、前記実験値から
分かるような熱干渉による出力変動が発生する。また、
前記第二の従来例においても、出力制御は走査周期以下
にすることは難しく、熱干渉による出力変動は発生して
しまう。さらに、前記第三の従来例の場合においては、
図３１に示すように、ＬＤアレイに発光点数に対応した
数の受光素子９ａ，９ｂを有し、ＬＤ１０の発散ビーム
の重なりによる光クロストークを受光素子９ａ，９ｂ間
に形成した遮光部材１１により防いでいる。しかし、発
光点間を狭くすると、ＬＤ１０のビーム間の出射ビーム
の重なりが非常に大きくなり、遮光部材１１による分離
が不可能となる。従って、このようなことから、ＬＤ１
０の出力変動が生じて高品位な画像を提供することがで
きないという問題がある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
画像信号に応じて独立に変調される半導体レーザアレイ
の複数の発光部から出射する複数のレーザビームを微小
スポットに集光結像し、記録媒体を走査露光し記録を行
う半導体レーザアレイ記録装置において、前記半導体レ
ーザアレイの複数の発光部から出射する前記複数のレー
ザビームの光路中に前記レーザビームの光量の一部を出
力制御用のレーザビームとして分割するビーム分割手段
を配設し、このビーム分割手段により分割された複数の
レーザビームを前記半導体レーザアレイの発光部の数に
対応して独立して受光する複数個の受光素子を設け、こ
れら受光素子からの出力信号に応じて前記半導体レーザ
アレイの発光出力を制御する発光出力制御手段を設け、
この発光出力制御手段は、前記半導体レーザアレイから
の光出力を前記受光素子により検知してこの受光素子か
ら得られる前記半導体レーザアレイの光出力に比例した
受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前
記半導体レーザアレイの順方向電流を制御する光電気負
帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令信号
とが等しくなるように前記発光レベル指令信号を前記半
導体レーザの順方向電流に変換する順方向電流変換手段
とを有し、前記光電気負帰還ループからの制御電流と前
記順方向電流変換手段により生成された前記順方向電流
との和又は差により前記半導体レーザの発光出力を制御
するようにした。

【００１４】請求項２記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイのチップをマウントした半導体レーザアレイパッ
ケージ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受
光する１個の前記受光素子を配設し、この１個の受光素
子からの出力と出力制御用のレーザビームを受光する複
数個の前記受光素子からの出力とを比較する出力比較検
出手段を設け、この出力比較検出手段からの比較信号を
もとに前記出力制御用のレーザビームを受光する複数個
の前記受光素子からの出力の低下を検出しエラー信号を
発生させる出力信号低下検知手段を設けた。

【００１５】請求項３記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイのチップをマウントした半導体レーザアレイパッ
ケージ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受
光する１個の前記受光素子を配設し、この１個の受光素
子からの出力と出力制御用のレーザビームを受光する複
数個の前記受光素子からの出力とを比較する出力比較検
出手段を設け、この出力比較検出手段からの比較信号を
もとに前記出力制御用のレーザビームを受光する複数個
の前記受光素子からの出力の低下を検出しエラー信号を
発生させる出力信号低下検知手段を設け、前記半導体レ
ーザアレイとこの半導体レーザアレイからの発散ビーム
を集光するコリメートレンズとこのコリメートレンズを
保持する保持部材と前記半導体レーザアレイの発光部の
数に対応した複数の前記受光素子と前記半導体レーザア
レイのレーザビーム出射方向の反対側に配置された半導
体レーザ駆動制御用プリント基板とが一体的に形成され
た半導体レーザアレイユニットを設け、この半導体レー
ザアレイユニット内の前記半導体レーザアレイから出射
された複数のレーザビームを前記受光素子に導くための
光路変換手段を設けた。

【００１６】請求項４記載の発明は、半導体レーザアレ
イのチップをマウントした半導体レーザアレイパッケー
ジ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受光す
る１個の受光素子を配設し、この１個の受光素子からの
出力と出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受
光素子からの出力とを比較する出力比較検出手段を設
け、この出力比較検出手段からの比較信号をもとに前記
出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受光素子
からの出力の低下を検出しエラー信号を発生させる出力
信号低下検知手段を設けた。

【００１７】請求項５記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の
前記受光素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、
複数個の前記受光素子からの出力を検出し前記光軸調整
手段の光軸調整を行う光軸制御手段を設け、複数個の前
記受光素子のうちの少なくとも１個の前記受光素子を４
分割の受光面とした。

【００１８】請求項６記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の
前記受光素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、
複数個の前記受光素子からの出力を検出し前記光軸調整
手段の光軸調整を行う光軸制御手段を設け、複数個の前
記受光素子のうちの少なくとも１個の前記受光素子を分
割した受光面とし、前記半導体レーザアレイとこの半導
体レーザアレイからの発散ビームを集光するコリメート
レンズとこのコリメートレンズを保持する保持部材と前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応した複数の前
記受光素子と前記半導体レーザアレイのレーザビーム出
射方向の反対側に配置された半導体レーザ駆動制御用プ
リント基板とが一体的に形成された半導体レーザアレイ
ユニットを設け、この半導体レーザアレイユニット内の
前記半導体レーザアレイから出射された複数のレーザビ
ームを前記受光素子に導くための光路変換手段を設け
た。

【００１９】請求項７記載の発明は、半導体レーザアレ
イと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受光
素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、前記複数
個の受光素子からの出力を検出し前記光軸調整手段の光
軸調整を行う光軸制御手段を設け、前記複数個の受光素
子のうちの少なくとも１個の受光素子を分割した受光面
とした。

【００２０】請求項８記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイから出射されることにより出力制御され記録用と
なったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、
この回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に
出力制御用のレーザビームとして分割することが可能な
ハーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転
多面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光
透過性の出力窓とを形成した。

【００２１】請求項９記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイから出射されることにより出力制御され記録用と
なったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、
この回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に
出力制御用のレーザビームとして分割することが可能な
ハーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転
多面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光
透過性の出力窓とを形成し、前記半導体レーザアレイと
この半導体レーザアレイからの発散ビームを集光するコ
リメートレンズとこのコリメートレンズを保持する保持
部材と前記半導体レーザアレイの発光部の数に対応した
複数の受光素子と前記半導体レーザアレイのレーザビー
ム出射方向の反対側に配置された半導体レーザ駆動制御
用プリント基板とが一体的に形成された半導体レーザア
レイユニットを設け、この半導体レーザアレイユニット
内の前記半導体レーザアレイから出射された複数のレー
ザビームを前記受光素子に導くための光路変換手段を設
けた。

【００２２】請求項１０記載の発明は、半導体レーザア
レイから出射されることにより出力制御され記録用とな
ったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、こ
の回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に出
力制御用のレーザビームとして分割することが可能なハ
ーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転多
面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光透
過性の出力窓とを形成した。

【００２３】請求項１１記載の発明は、出力制御用のレ
ーザビームを独立に受光する複数個の受光素子のうちの
少なくとも２個の受光素子を光軸方向に異なった位置に
配設し、半導体レーザアレイとビーム分割手段との間の
光路中に前記少なくとも２個の受光素子を微小レーザス
ポットの光軸方向の結像位置を調整可能な結像位置調整
手段を設けた。

【００２４】請求項１２記載の発明は、画像信号に応じ
て独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部
から出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光
結像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザ
アレイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複
数の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路
中に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレー
ザビームとして分割するビーム分割手段を配設し、この
ビーム分割手段により分割された複数のレーザビームを
集光する集光素子を設け、この集光素子により集光され
たレーザビームを前記半導体レーザアレイの発光部の数
に対応して独立して受光する複数個の受光素子を前記集
光素子の集光点から光軸方向にずらした位置に配設し、
これら集光点からずれた位置の受光素子からの出力信号
に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する
発光出力制御手段を設けた。

【００２５】請求項１３記載の発明は、集光素子の集光
点近傍に、個々の受光素子に対をなす半導体レーザアレ
イの発光部以外からのビームを遮光する遮光部材を配設
した。

【００２６】請求項１４記載の発明は、半導体レーザア
レイとこの半導体レーザアレイからの発散ビームを集光
するコリメートレンズとこれらアレイ及びレンズをそれ
ぞれ保持する第一保持部材とレーザビーム出射方向の反
対側に半導体レーザ駆動制御手段を実装したプリント基
板とよりなる半導体レーザアレイ部を形成し、ビーム分
割手段と集光素子とこれらビーム分割手段及び集光素子
を保持する第二保持部材とよりなる分割集光部を形成し
た。

【００２７】請求項１５記載の発明は、分割集光部は、
この分割集光部を半導体レーザアレイ部に対してその半
導体レーザアレイの配列方向に微動調整し固定が可能な
微動調整機構を有するものとした。

【００２８】請求項１６記載の発明は、ビーム分割手段
により分割された記録用のレーザビームの光路中にビー
ム径を制限するアパーチャを配設した。

【００２９】請求項１７記載の発明は、画像信号に応じ
て独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部
から出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光
結像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザ
アレイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複
数の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路
中に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレー
ザビームとして分割するビーム分割手段を配設し、この
ビーム分割手段により分割された複数のレーザビームを
集光する集光素子を設け、この集光素子により集光され
たレーザビームを前記半導体レーザアレイの発光部の数
に対応して独立して受光する複数個の受光素子の受光面
を前記集光素子の光軸に対して傾けて配設し、これら受
光素子からの出力信号に応じて前記半導体レーザアレイ
の発光出力を制御する発光出力制御手段を設けた。

【００３０】

【作用】請求項１記載の発明では、半導体レーザアレイ
の個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、か
つ、高速・高精度・高分解能の半導体レーザ制御回路を
用いることにより、パルス幅が短くなっても露光光量を
精度良く制御することができる。

【００３１】請求項２記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、各半導体レーザの出力を半導体レーザアレイパッ
ケージ内のバックビームの受光素子と出力制御用の受光
素子の両方で検出比較することにより、熱変形などによ
って出力制御用のレーザビームの光軸が変動して出力制
御用の受光素子への入射位置がずれてその出力が低下し
ても、その低下による異常を検出することが可能とな
る。

【００３２】請求項３記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、各半導体レーザの出力を半導体レーザアレイパッ
ケージ内のバックビームの受光素子と出力制御用の受光
素子の両方で検出比較することにより、熱変形などによ
って出力制御用のレーザビームの光軸が変動して出力制
御用の受光素子への入射位置がずれてその出力が低下し
ても、その低下による異常を検出することが可能とな
り、受光素子がレーザ制御用のプリント基板上にあり数
１００μＡ〜数ｍＡの受光素子からの微弱信号を電線で
伝送しないでよいため、ノイズの影響を受けにくく、ま
た、信号の遅延が少ないためパルス幅が短くなっても露
光光量を精度良く制御することができる。

【００３３】請求項４記載の発明では、各半導体レーザ
の出力を半導体レーザアレイパッケージ内のバックビー
ムの受光素子と出力制御用の受光素子の両方で検出比較
することにより、熱変形などによって出力制御用のレー
ザビームの光軸が変動して出力制御用の受光素子への入
射位置がずれてその出力が低下しても、その低下による
異常を検出することが可能となる。

【００３４】請求項５記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、出力制御用の受光素子の少なくとも１個を分割受
光素子としているため、出力制御用のレーザビームの熱
変形等による光軸のずれを検出することが可能となる。

【００３５】請求項６記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、出力制御用の受光素子の少なくとも１個を分割受
光素子としているため、出力制御用のレーザビームの熱
変形等による光軸のずれを検出することが可能となり、
受光素子がレーザ制御用のプリント基板上にあり数１０
０μＡ〜数ｍＡの受光素子からの微弱信号を電線で伝送
しないでよいため、ノイズの影響を受けにくく、また、
信号の遅延が少ないためパルス幅が短くなっても露光光
量を精度良く制御することができる。

【００３６】請求項７記載の発明では、出力制御用の受
光素子の少なくとも１個を分割受光素子としているた
め、出力制御用のレーザビームの熱変形等による光軸の
ずれを検出することが可能となる。

【００３７】請求項８記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、出力制御用のレーザビームの分割に回転多面鏡の
入射窓を利用しているため、部品点数を低減させること
が可能となる。

【００３８】請求項９記載の発明では、半導体レーザア
レイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、
かつ、出力制御用のレーザビームの分割に回転多面鏡の
入射窓を利用しているため、部品点数を低減させること
が可能となり、受光素子がレーザ制御用のプリント基板
上にあり数１００μＡ〜数ｍＡの受光素子からの微弱信
号を電線で伝送しないでよいため、ノイズの影響を受け
にくく、また、信号の遅延が少ないためパルス幅が短く
なっても露光光量を精度良く制御することができる。

【００３９】請求項１０記載の発明では、出力制御用の
レーザビームの分割に回転多面鏡の入射窓を利用してい
るため、部品点数を低減させることが可能となる。

【００４０】請求項１１記載の発明では、出力制御用の
レーザビームを検出する受光素子の少なくとも２個を結
像位置から光軸方向にずらして配設し、その出力により
熱変形や半導体レーザの発振波長変動による結像位置の
ずれを検出でき、結像位置調整手段により記録材料上及
び出力制御用の受光素子の位置での結像位置を所定の位
置に制御させることが可能となる。

【００４１】請求項１２記載の発明では、受光素子を集
光素子の集光点から光軸方向にずらした位置に配設した
ことにより、受光素子の局所的な感度ムラの影響を除去
し、半導体レーザアレイの個々の発光部のレーザ出力を
高精度に検出して制御することが可能となる。

【００４２】請求項１３記載の発明では、遮光部材を配
設したことにより、対をなす半導体レーザ以外からのフ
レア光を遮光し、受光素子の出力のクロストークを低減
させ、半導体レーザアレイの個々の発光部のレーザ出力
を高精度に検出して制御することが可能となる。

【００４３】請求項１４記載の発明では、半導体レーザ
アレイ部と分割集光部とを分離独立して設けることによ
り、パッケージ内に内蔵された発光点が１個の半導体レ
ーザからのバックビームを検出して出力制御を行う従来
の光源ユニットと半導体レーザアレイを保持する保持部
材とコリメートレンズを保持する保持部材との共通化が
行えるため、出射光軸の調整機構とコリメート性の調整
機構との流用が可能となる。

【００４４】請求項１５記載の発明では、分割集光部を
半導体レーザアレイ部に対して微動させる微動調整機構
を設けたことにより、レーザビーム出射方向の誤差やビ
ーム分割をするミラーの取付け時の機械的な誤差等を微
動調整して除去し、出力制御用のレーザビームを受光素
子に正確に入射させ、半導体レーザアレイの個々の発光
部の出力を高精度に検出して制御することが可能とな
る。

【００４５】請求項１６記載の発明では、記録用のレー
ザビームのビーム径を制限するアパーチャを設けたこと
により、光量損失を少なくさせ、レーザビーム制御部の
構成を簡略化させることが可能となる。

【００４６】請求項１７記載の発明では、受光素子の受
光面を入射光軸に対して傾斜して配置することにより、
受光面から発光部への戻り光の影響をなくすことが可能
となる。

【００４７】

【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１〜図４
に基づいて説明する。本発明の説明に入る前に、まず、
レーザ走査光学系の基本構成について述べる。図３は、
半導体レーザアレイ１２（以下、ＬＤＡと呼ぶ）を光源
として用いたレーザ走査光学系の一例を示すものであ
る。今、ＬＤＡ１２の主走査方向（レーザビームが走査
される方向）、副走査方向（記録媒体が送られる方向）
に僅かに離れた発光部としての２個の半導体レーザ（以
下、ＬＤと呼ぶ）１２ａ，１２ｂから発散し、これによ
り出射したレーザビームはコリメートレンズ１３で平行
光となり、シリンダレンズ１４によって回転多面鏡１５
の反射面の近傍に副走査方向に絞り込まれる。回転多面
鏡１５の回転によって偏向走査されたレーザビームは、
結像レンズ１６（一般に、ｆθレンズと呼ばれる）で記
録媒体１７上に微小ビームとして、かつ、各レーザビー
ムが記録密度に応じたピッチとなるように絞り込まれ
る。この結像レンズ１６は、主走査方向と副走査方向で
焦点距離の異なるアナモフィックなレンズであり、副走
査方向には回転多面鏡１５の反射面と記録媒体１７が幾
何光学的に共役な関係となるように設計されている。こ
れは、回転多面鏡１５の各反射面の回転軸に対する角度
誤差（反射面の倒れ）による走査線間のピッチの変動を
低減するための補正光学系を構成するためである。前記
シリンダレンズ１４は、記録媒体１７上での副走査方向
のレーザビーム径を適正な大きさとする機能をもつ。

【００４８】次に、本発明の主要部の構成を図１に基づ
いて説明する。なお、図３の構成と同一部分についての
説明は省略し、その同一部分については同一符号を用い
る。ここでは、２個の発光部としてのＬＤ１２ａ，１２
ｂをもつＬＤＡ１２で２ライン同時に記録する場合の例
について述べたものである。２個のＬＤ１２ａ，１２ｂ
から出射する２本のレーザビームの出射光路中には、レ
ーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザビームと
して分割するビーム分割手段としてのハーフミラー１８
が配設されている。また、このハーフミラー１８により
分割された複数のレーザビームをＬＤＡ１２のＬＤ１２
ａ，１２ｂの数に対応して独立して受光する２個の受光
素子１９ａ，１９ｂが配設されている。これら受光素子
１９ａ，１９ｂからの出力信号に応じてＬＤＡ１２の発
光出力を制御する発光出力制御手段としてのＬＤ制御部
２０ａ，２０ｂが配設されている。また、前記ハーフミ
ラー１８と前記受光素子１９ａ，１９ｂとの間の光路中
には、集光素子としての結像レンズ２１が配置されてい
る。前記シリンダレンズ１４と回転多面鏡１５との間に
は、光路偏向用のミラー２２が設けられている。さら
に、走査線上の走査開始側の画像範囲外の領域には、受
光素子６（図２９参照）が配置されている。

【００４９】このような構成において、ＬＤ１２ａ，１
２ｂから出射された光は、コリメートレンズ１３により
平行化され、ハーフミラー１８により分割され、これに
より反射された光（出力制御用のビーム）は結像レンズ
２１により拡大結像され、その結像位置に配置されたビ
ーム数と同数の受光素子１９ａ，１９ｂによりビームを
受光する。これら個々の受光素子１９ａ，１９ｂで光電
変換された各ＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力信号（受光信
号）は、ＬＤ制御部２０ａ，２０ｂに入力される。この
ＬＤ制御部２０ａ，２０ｂでは、各ＬＤ１２ａ，１２ｂ
が所定の出力となるように駆動電流の制御をする。な
お、ハーフミラー１８を透過した光は、シリンダレンズ
１４、ミラー２２を介して、回転多面鏡１５に導かれる
ことにより、その後図３と同様な光路を辿り記録媒体１
７の面上に画像の記録が行われる。

【００５０】上述したように、ＬＤＡ１２の個々のＬＤ
１２ａ，１２ｂの出力を高精度に検出、制御することが
可能であり、これにより光量変化による濃度変動のない
高品位な画像が出力可能な半導体レーザアレイ記録装置
を提供することができる。

【００５１】また、図２は、図１の変形例を示すもので
あり、ビーム分割手段としてハーフ凹面ミラー２３を用
いたものであり、このように結像性をもつ分割素子を用
いることにより前記結像レンズ２１は不要となる。

【００５２】上述した例は、回転多面鏡１５を用いた平
面走査型光学系について述べたが、他の方式、例えば、
回転する記録材料上を光学系が直線移動する円筒外面走
査方式、円筒内面走査方式の記録装置にも適用できる。

【００５３】次に、請求項１記載の発明の要部を図４に
基づいて説明する。なお、前述した部分と同一部分につ
いての説明は省略し、その同一部分については同一符号
を用いる。

【００５４】ここでは、図４に示すように、発光出力制
御手段としてのＬＤ制御部２４を、光電気負帰還ループ
２５と、順方向電流変換手段としての電流変換器２６と
から構成したものである。前記光電気負帰還ループ２５
は、比較増幅器２７と、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、受光素
子１９ａ，１９ｂとより構成されている。なお、図４中
では、ＬＤ１２ａに対応する受光素子１９ａの関係を示
している。

【００５５】前記光電気負帰還ループ２５は、ＬＤ１２
ａ，１２ｂからの光出力を受光素子１９ａ，１９ｂによ
り検知してこの受光素子１９ａ，１９ｂから得られるＬ
Ｄ１２ａ，１２ｂの光出力に比例した受光信号と発光レ
ベル指令信号とが等しくなるようにＬＤ１２ａ，１２ｂ
の順方向電流を制御する。また、前記電流変換器２６
は、受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるよう
に、発光レベル指令信号をＬＤ１２ａ，１２ｂの順方向
電流に変換する。さらに、ＬＤ制御部２４は、光電気負
帰還ループ２５からの制御電流と電流変換器２６により
生成された順方向電流との和又は差によりＬＤ１２ａ，
１２ｂの発光出力を制御する。

【００５６】このような構成において、発光レベル指令
信号は、比較増幅器２７と電流変換器２６とに入力さ
れ、ＬＤ１２ａの光出力の一部が受光素子１９ａにより
モニターされる。比較増幅器２７は受光素子１９ａに誘
起された光起電流（ＬＤ１２ａに比例する）に比例する
受光信号と発光レベル指令信号とを比較して、その結果
によりＬＤ１２ａの順方向電流を受光信号と発光レベル
指令信号とが等しくなるように制御する。また、電流変
換器２６は、受光信号と発光レベル指令信号とが等しく
なるように、発光レベル指令信号に従って予め設定され
た電流（ＬＤ１２ａの光出力・受光信号特性に基づいて
予め設定された電流）を出力する。そして、その電流変
換器２６の出力電流と、比較増幅器２７より出力される
制御電流との和の電流がＬＤ１２ａの順方向電流とな
る。

【００５７】ここで、光電気負帰還ループの開ループで
の交差周波数をｆ₀とし、ＤＣゲインを１００００とし
た場合、ＬＤ１２ａの光出力Ｐout のステップ応答特性
は、次のように近似することができる。

【００５８】Ｐout＝ＰＬ＋（ＰＳ−ＰＬ）ｅｘｐ（−２πｆ₀ｔ）ＰＬ：ｔ＝∞における光出力ＰＳ：電流変換器２６により設定された光量光電気負帰還ループの開ループでのＤＣゲインを１００
００としているため、設定誤差の許容範囲を０．１％以
下とした場合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考え
られる。

【００５９】従って、仮に電流変換器２６により設定さ
れた光量ＰＳがＰＬに等しければ、瞬時にＬＤ１２ａの
光出力がＰＬに等しくなる。また、外乱等によりＰＳが
５％変動したとしても、ｆ₀＝４０ＭＨｚ程度であれ
ば、１０ｎｓ後には、ＬＤ１２ａの光出力は設定値に対
する誤差が０．４％以下になる。

【００６０】上述したような動作を行うＬＤ制御部２４
を発光部（ＬＤ）の数と同数だけ有し、個々の発光部の
出力を制御する。このようにして構成、動作される高
速、高精度、高分解能の半導体レーザ制御用の回路を用
いることにより、パルス幅が短くなっても露光光量を精
度良く制御することができるため、露光エネルギー制御
の精度の良い装置を提供することができる。

【００６１】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
５及び図７に基づいて説明する。なお、前述した請求項
１記載の発明と同一部分についての説明は省略し、その
同一部分については同一符号を用いる。

【００６２】ここでは、光源部及び受光部を一体化して
構成した場合の例を示すものである。すなわち、図５に
示すように、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８
上には、ＬＤ１２ａ，１２ｂと、発光部の数に対応した
受光素子１９ａ，１９ｂとが固定されている。前記ＬＤ
１２ａ，１２ｂは保持部材２９に覆われており、さらに
その上部の保持部材３０には発散ビームを集光するコリ
メートレンズ１３が保持固定されている。このようにし
て半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に各種の
部材を一体化して取付けることにより、半導体レーザア
レイユニット３１を構成している。

【００６３】また、前記ＬＤ１２ａ，１２ｂから出射さ
れたレーザビームの光路上にはハーフミラー１８が配置
され、このハーフミラー１８により分岐された光路上に
は結像レンズ２１が配置されている。そして、この結像
レンズ２１により集光された光路上には、レーザビーム
を前記受光素子１９ａ，１９ｂに導くための光路変換手
段３３として、折返しミラー３２が配置されている。

【００６４】なお、ここではその説明を省略するが、前
記光路変換手段３３により前記受光素子１９ａ，１９ｂ
に導かれて得られた出力信号に応じて前記ＬＤ１２ａ，
１２ｂの発光出力を制御する図示しない発光出力制御手
段（前述した図１のＬＤ制御部２０ａ，２０ｂ、図４の
ＬＤ制御部２４の相当するもの）が設けられている。

【００６５】この場合、高速、高精度のＬＤ１２ａ，１
２ｂの出力制御を行うためのレーザ出力用の制御回路
は、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に実装
されている。その出力制御の動作についての説明は省略
する。図６は、半導体レーザ駆動制御用プリント基板２
８上の出射光源側の実際の保持状態を示すものである。

【００６６】上述したように、受光素子１９ａ，１９ｂ
が半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上に設けら
れ、数１００μＡ〜数ｍＡの微弱信号を受信するのに電
線で伝送しないでよいため、ノイズの影響を受けにくく
することが可能となり、また、信号の遅延が少ないため
パルス幅が短くなっても露光光量を精度良く制御するこ
とが可能となり、これにより露光エネルギー制御精度の
良い装置を提供することができる。

【００６７】次に、本発明の変形例を図７に基づいて説
明する。なお、前述した請求項１、３記載の発明と同一
部分についての説明は省略し、その同一部分については
同一符号を用いる。

【００６８】ここでは、前述した請求項３記載の発明の
実施例（図５参照）における、半導体レーザアレイユニ
ット３１のＬＤ１２ａ，１２ｂからの出力制御用のレー
ザビームを半導体レーザ駆動制御用プリント基板２８上
の受光素子１９ａ，１９ｂに入射させる光路変換手段３
３として、光ファイバ３４ａ，３４ｂを用いたものであ
る。

【００６９】これにより、ハーフミラー１８により反射
された光は結像レンズ２１により拡大結像され、その結
像位置にビーム数と同数だけ配置された光ファイバ３４
ａ，３４ｂに各々のビームが入射する。この入射した光
はそれらファイバ内を導波して半導体レーザ駆動制御用
プリント基板２８上に固定された受光素子１９ａ，１９
ｂに入射し、その後、レーザ出力制御の動作が行われ
る。

【００７０】従って、数１００μＡ〜数ｍＡの微弱信号
を電線で伝送せず光ファイバ３４ａ，３４ｂでガイドし
ているためノイズの影響を受けにくくすることができ
る。また、これにより、信号の遅延が少ないためパルス
幅が短くなっても露光光量を精度良く制御することがで
きる。

【００７１】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
８及び図９に基づいて説明する。ここでは、図９に示す
ように、ＬＤ１２ａ，１２ｂのチップ３５をマウントし
た半導体レーザアレイパッケージ３６内に、ＬＤ１２
ａ，１２ｂのバックビームを受光する１個の受光素子３
７を配設し、また、図８に示すように、１個の受光素子
３７からの出力と、出力制御用のレーザビームを受光す
る受光素子１９ａ，１９ｂからの出力とを比較する出力
比較検出手段３８を、受光素子３７と受光素子１９ａ，
１９ｂとの間で接続し、さらに、この出力比較検出手段
３８からの比較信号をもとに、出力制御用のレーザビー
ムを受光する受光素子１９ａ，１９ｂからの出力の低下
を検出しエラー信号を発生させる図示しない出力信号低
下検知手段を設けたものである。

【００７２】このような構成において、半導体レーザア
レイパッケージ３６内の受光素子３７は、ＬＤＡ１２と
接近した位置で、しかも、パッケージ内にあるため、そ
の受光素子３７に伝達する光量はほとんど変化しない
が、出力制御用のビームが入射する受光素子１９ａ，１
９ｂとＬＤ１２ａ，１２ｂとの間の光路長は長く、光学
素子が介在するため、熱変形によって光軸ずれが生じ、
ビームの一部が検出位置からずれてしまい、これにより
出力制御用の受光素子１９ａ，１９ｂの出力の低下が生
じやすい。

【００７３】このようなことから本実施例では、ＬＤ１
２ａ，１２ｂを点灯した場合のバックビームを受光する
受光素子３７の出力と、点灯したＬＤ１２ａ，１２ｂの
出力制御用のビームが入射する受光素子１９ａ，１９ｂ
の出力とが、組付け初期の状態の関係にあるかどうかを
出力比較検出手段３８により比較し、その出力の低下を
検出する。そして、その検出された出力の低下を出力信
号低下検知手段を用いてエラー信号を発生させる。ただ
し、このような出力比較の動作は、画像記録中は行えな
いため、画像記録間の休止期間若しくは記録装置の電源
投入時等の非記録時に行うようにする。

【００７４】上述したように、各ＬＤ１２ａ，１２ｂの
出力を半導体レーザアレイパッケージ３６内のバックビ
ームの受光素子３７と、出力制御用の受光素子１９ａ，
１９ｂの両方で検出比較することによって、熱変形など
によって出力制御用のレーザビームの光軸が変動して出
力制御用の受光素子１９ａ，１９ｂへの入射位置がずれ
てその出力が低下しても、その低下による異常を検出す
ることが可能となり、これにより、ＬＤ１２ａ，１２ｂ
に過大な電流を流すことにより生じる破損を防止するこ
とができる。

【００７５】次に、請求項５記載の発明の一実施例を図
１０〜図１３に基づいて説明する。ここでは、図１０に
示すように、ＬＤＡ１２と出力制御用のレーザビームを
受光する受光素子１９ａ，１９ｂとの間の光路中に光軸
調整手段３９を配設した。この光軸調整手段３９は、保
持部材４０に貼付けされた複数個のピエゾ素子４１と、
これらピエゾ素子４１の表面に固定されたミラー４２と
からなっている。また、ここでは、図１２に示すよう
に、前記受光素子１９ａ，１９ｂのうちの少なくとも１
個の受光素子１９ａを４分割の受光面ａ，ｂ，ｃ，ｄに
形成し、さらに、図１３に示すように、受光素子１９ａ
にこの受光面ａ，ｂ，ｃ，ｄからの出力を検出し前記光
軸調整手段３９の光軸調整を行うための光軸制御手段と
しての光軸制御回路４３を接続した。この光軸制御回路
４３は、ピエゾ駆動回路４４によりピエゾ素子４１を駆
動制御している。また、前記光軸制御回路４３には、Ｌ
Ｄ制御部４５（図１のＬＤ制御部２０ａ，２０ｂに相当
する）が接続されている。

【００７６】このような構成において、受光素子１９ａ
の受光面ａ，ｂ，ｃ，ｄからの出力は光軸制御回路４３
に送られることにより、出力制御用のビームがどの方向
にずれているかを検出し、これら４分割された出力がす
べて等しくなるように、光軸調整手段３９を用いて出力
制御用のビームの光軸の調整を行う。この場合、ピエゾ
素子４１に印加する電圧を選択することにより、出力制
御用のビームの光軸を上下左右方向に微動させることに
より光軸調整を行う。このような光軸調整の動作は、画
像記録中には行えないため、画像記録間の休止期間若し
くは記録装置の電源投入時等の非記録時に行う。また、
記録時のＬＤ出力制御の際には、４分割された受光面
ａ，ｂ，ｃ，ｄからの受光信号は光軸制御回路４３での
み加算され、ＬＤ制御部４５に入力され、通常のＬＤ出
力の制御に使用される。

【００７７】上述したように、出力制御用の受光素子１
９ａ，１９ｂの少なくとも１個を４分割の受光面ａ，
ｂ，ｃ，ｄとしているため、出力制御用のレーザビーム
の熱変形等による光軸のずれを検出することが可能とな
り、これにより光軸調整手段３９により光軸のずれを修
正でき、これにより信頼性の高い装置を提供することが
できる。

【００７８】次に、請求項８記載の発明の一実施例を図
１４及び図１５に基づいて説明する。ここでは、図１４
に示すように、出力制御され記録用となったレーザビー
ムを回転偏向する回転多面鏡１５を覆って鏡覆部材４６
ａ，４６ｂが設け、この鏡覆部材４６ａ，４６ｂに、出
力制御用のレーザビームとして分割することが可能なハ
ーフミラーの特性をもつ光透過性の入射窓４７と、前記
回転多面鏡１５で偏向されたレーザビームを出射させる
ための光透過性の出力窓４８とを形成した。この場合、
前記入射窓４７は、ハーフミラーとされているため、出
力制御用のビームとして分割することができる。入射窓
４７は、反射、分割される出力制御用のビームが入射方
向に戻らないように、角度を付けて配置されている。図
１５は、前述した図１の構成におけるハーフミラー１８
の代わりに、ハーフミラーの光学特性をもつ入射窓４７
を配置した場合の様子を示すものである。

【００７９】このような構成において、入射窓４７で反
射されたビーム（出力制御用のビーム）は結像レンズ２
１によって拡大結像される。その結像位置には、ビーム
数と同数の受光素子１９ａ，１９ｂが配置され、各々の
ビームを受光する。そして、各々受光素子１９ａ，１９
ｂで光電変換された各ＬＤ１２ａ，１２ｂの光出力信号
（受光信号）は、各ＬＤ１２ａ，１２ｂのＬＤ制御部２
０ａ，２０ｂに入力される。このＬＤ制御部２０ａ，２
０ｂでは、各ＬＤ１２ａ，１２ｂが所定の出力となるよ
うに駆動電流を制御する。一方、入射窓４７に入射した
記録用のビームは回転多面鏡１５により反射され、出力
窓４８から出射され、その後は通常の記録動作を行う。

【００８０】上述したように、出力制御用のレーザビー
ムの分割に回転多面鏡１５の入射窓４７を兼用させてい
るため、ハーフミラー１８が不要となり部品点数を低減
させコストダウンを図ることができる。また、回転多面
鏡１５は密閉されているため、騒音が一段と少ない装置
を提供することができる。

【００８１】次に、請求項１１記載の発明の一実施例を
図１６〜図１８に基づいて説明する。ここでは、図１６
に示すように、出力制御用のレーザビームを独立して受
光する受光素子のうちの少なくとも２個の受光素子１９
ａ，１９ｂを光軸方向に異なった位置に配設した。図１
７は、その異なった位置に配置した様子を示すものであ
る。また、ＬＤ１２ａ，１２ｂとハーフミラー１８との
間の光路中には、受光素子１９ａ，１９ｂを微小レーザ
スポットの光軸方向の結像位置を調整可能な結像位置調
整手段４９が配設されている。図１８は、結像位置調整
手段４９の構成を示すものであり、保持部材５０，５１
間にはピエゾ素子５２が取付けられている。このピエゾ
素子５２によりコリメートレンズ１３を光軸方向に移動
調整させることができる。また、結像位置調整手段４９
には、受光素子１９ａ，１９ｂからの出力信号によって
結像位置のずれた方向を検出する結像位置制御回路５３
が接続されている。

【００８２】このような構成において、２個の受光素子
１９ａ，１９ｂは、結像レンズ２１による結像位置から
（集光位置）光軸方向にわずかに離れた位置に置かれて
いる。今、ＬＤＡ１２やコリメートレンズ１３の保持部
材５０，５１の熱変形等で結像レンズ２１による結像位
置が光軸方向に変動した場合、図１７（ａ）に示すよう
に、入射ビーム径が変動する結像位置が遠ざかった側の
受光素子１９ａ上では、ビーム径が増大しこれによりビ
ームの全ての領域を受光することができず、出力は低下
する。一方、図１７（ｂ）に示すように、受光素子１９
ｂではビーム径が小さくなるためビームの全ての領域を
受光することができ、出力変化は生じない。このような
出力信号が結像位置制御回路５３に送られることによ
り、結像位置のずれた方向が検出され、その検出値の補
正が行われる。そして、その補正値が結像位置調整手段
４９に送られることにより、図１８に示すピエゾ素子５
２が駆動される。このピエゾ素子５２に印加する電圧を
制御することによって、ＬＤＡ１２とコリメートレンズ
１３との間の距離を変化させることができ、これによ
り、コリメートレンズ１３から出射するレーザビームの
平行性が変化し、出力制御用レーザビームと記録用レー
ザビームとの結像位置が変化する。

【００８３】なお、この結像位置調整の動作は画像記録
中は行えないため、画像記録間の休止期間若しくは記録
装置の電源投入時等の非記録時に行うようにする。ま
た、記録時のＬＤ出力制御の際には、受光素子１９ａ，
１９ｂからの受光信号は、結像位置制御回路５３をスル
ーし、ＬＤ制御部２０ａ，２０ｂに入力され、通常のＬ
Ｄ出力の制御に使用される。

【００８４】上述したように、出力制御用のレーザビー
ムを検出する受光素子の少なくとも２個の受光素子１９
ａ，１９ｂを結像位置から光軸方向にずらして配設する
ことによって、その出力により熱変形やＬＤＡ１２の発
振波長変動による結像位置のずれを検出することができ
る。また、結像位置調整手段４９により記録材料上及び
出力制御用の受光素子１９ａ，１９ｂの位置での結像位
置を所定の位置に制御させることができ、これにより信
頼性の高い、記録材料上でのビーム径の変動が少なく高
画質な装置を得ることができる。

【００８５】前述した各実施例では、受光素子１９ａ，
１９ｂで光電変換された光出力信号をＬＤ制御部２０
ａ，２０ｂで各ＬＤ１２ａ，１２ｂが所定の出力となる
ように駆動電流を制御している。しかし、この場合、周
囲温度の変化によりＬＤＡ１２、コリメートレンズ１３
の保持部材等の熱変形により受光素子１９ａ，１９ｂに
おける入射位置が変動する。この入射位置の変動は受光
面内で局所的な感度バラツキとなって現れ、これにより
ＬＤＡ１２の光出力は経時的に変化してしまう。しか
も、入射するレーザビーム径が微小な場合には、受光素
子１９ａ，１９ｂのレーザ入射位置付近が飽和してしま
い、入射光量に比例した正確な出力が得られなくなって
しまう。そこで、上述した請求項８記載の発明では、受
光素子１９ａ，１９ｂを予め結像位置の前後方向にずら
して配置させ、レーザビーム径に変動が生じたらＬＤＡ
１２とコリメートレンズ１３との間の距離を変え、これ
により結像位置の調整を行うようにしている。しかし、
このような装置はその位置制御を行う調整機構が複雑化
し、コスト高となる。従って、このような理由から、以
下の各実施例に述べるような種々の制御機構を設けたも
のである。

【００８６】次に、請求項１２記載の発明の一実施例を
図１９に基づいて説明する。ここでは、前記請求項１記
載の発明の基本的構成の装置（図１参照）において、図
１９に示すように、受光素子１９ａ，１９ｂを、結像レ
ンズ２１の集光点Ｐ，Ｑから光軸方向にずらした位置に
配設し、これら集光点Ｐ，Ｑからずれた位置の受光素子
１９ａ，１９ｂからの出力信号に基づいてＬＤ制御部２
０ａ，２０ｂによりＬＤＡ１２のＬＤ１２ａ，１２ｂの
発光出力制御を行うようにしたものである。

【００８７】このような構成において、受光素子１９
ａ，１９ｂには大きな径のレーザビームが入射するた
め、その受光面に局所的な感度ムラがあっても平均化さ
れた出力を得ることができる。これにより、周囲温度の
変化等によりＬＤＡ１２、コリメートレンズ１３の保持
部材等の熱変形により受光素子１９ａ，１９ｂにおける
入射位置の変動が発生しても、出力変動の少ない受光信
号を得ることができる。

【００８８】従って、このようなことから高速、高精
度、高分解能のＬＤ制御部２０ａ，２０ｂを用いること
により、パルス幅が短くなっても露光光量を精度良く制
御できるため、光量変化が少なく露光エネルギー制御の
精度の良い発光部を備えた装置を提供することができ
る。なお、本実施例では、受光素子１９ａ，１９ｂを集
光点Ｐ，Ｑの後方の光路中に配置しているが、これとは
逆に、集光点Ｐ，Ｑの前方の結像レンズ２１との間の光
路中に配置するようにしてもよい。

【００８９】次に、請求項１３記載の発明の一実施例を
図２０及び図２１に基づいて説明する。ここでは、前記
請求項１２記載の発明の基本的構成の装置（図１９参
照）において、図２０に示すように、結像レンズ２１の
集光点Ｐ，Ｑの近傍に、個々の受光素子１９ａ，１９ｂ
に対をなすＬＤＡ１２のＬＤ１２ａ，１２ｂ以外からの
ビームを遮光する遮光部材５５を配設したものである。
この場合、結像レンズ２１の集光点Ｐ，Ｑでは出力制御
用のレーザビームが最も小さく絞られ、かつ、ビーム間
隔が離れた状態となっているため必要なビームを蹴るこ
となく、遮光部材５５を配置させることができる。図２
１は、その外観構成を示すものであり、受光素子１９
ａ，１９ｂはその裏面側で支持板５６に固定されてい
る。

【００９０】従って、このように遮光部材５５を配置す
ることにより、ＬＤ１２ａ，１２ｂ以外の領域からのレ
ーザビームのフレア光（すなわち、コリメートレンズ１
３、ハーフミラー１８、結像レンズ２１等の残反射、散
乱による）はカットされることになり、ＬＤ１２ａ，１
２ｂ−受光素子１９ａ，１９ｂ間のクロストークが減
り、ＬＤ１２ａ，１２ｂの出力制御の精度を向上させる
ことができ、これにより光量変動の少ない光源部を備え
た装置を提供することができる。

【００９１】次に、請求項１４記載の発明の一実施例を
図２２及び図２３に基づいて説明する。ここでは、前記
請求項９記載の発明の基本的構成の装置（図１９参照）
において、図２２に示すように、光源部を、半導体レー
ザアレイ部（ＬＤＡ部）５７と、分割集光部５８とによ
り構成したものである。この場合、前記ＬＤＡ部５７
は、ＬＤＡ１２と、コリメートレンズ１３と、第一保持
部材５９ａ，５９ｂと、レーザビーム出射方向の反対側
に図示しない半導体レーザ駆動制御手段を実装した半導
体レーザ駆動制御用プリント基板６０とよりなってい
る。また、前記分割集光部５８は、ハーフミラー１８
と、折返しミラー６１と、結像レンズ２１と、これらミ
ラー等を保持する第二保持部材６２とよりなっている。
また、これらＬＤＡ部５７と分割集光部５８とは、共通
の保持基板６３上に固定保持されている。

【００９２】また、ＬＤＡ１２の構造は、前述の図９に
示したように、ヒートシンク３５ａ上にサブマウント３
５ｂを介してチップ３５がボンディングされている。こ
の場合、ボンディングの精度上の制約等により、ＬＡ１
２ａ，１２ｂの出射位置、出射方向はばらつく。このた
め本実施例では、第一保持部材５９ａを第一保持部材５
９ｂに対して光軸と直交する平面内で相対的に微動させ
てＬＤ１２ａ，１２ｂの出射方向の調整を行ったり、コ
リメートレンズ１３をこれを保持する第一保持部材５９
ｂ内で光軸方向に微動させることにより出射ビームのコ
リメート性の調整を行っている。

【００９３】上述したように、ＬＤＡ部５７と分割集光
部５８とを分離独立して設けることにより、パッケージ
に内蔵された発光点が１個のＬＤからのバックビームを
検出して出力制御を行う従来の光源ユニットとＬＤＡ１
２を保持する第一保持部材５９ａとコリメートレンズ１
３を保持する第一保持部材５９ｂとの共通化が行え、出
射ビームの光軸調整機構とコリメート性の調整機構との
流用ができるようになり、これにより安価な光源部を備
えた装置を提供することができる。

【００９４】また、図２３は図２２の変形例を示すもの
であり、ここでは共通の保持基板６３を用いずに、ＬＤ
Ａ部５７と分割集光部５８とを直接結合して組付けるよ
うな構成としたものである。これにより、部品点数を削
減してスペースの省略化を図ることができる。

【００９５】次に、請求項１５記載の発明の一実施例を
図２４に基づいて説明する。ここでは、前記請求項１４
記載の発明の基本的構成の装置（図２２参照）におい
て、図２４に示すように、分割集光部５８に、この分割
集光部５８をＬＤＡ部５７に対してＬＤＡ１２の配列方
向に微動調整して固定が可能な微動調整機構６４を有す
るようにしたものである。この場合、微動調整可能な方
向は、ＬＤＡ１２の配列方向、すなわち、受光素子１９
ａ，１９ｂの配列方向である。

【００９６】従って、分割集光部５８をＬＤＡ部５７に
対して微動させる微動調整機構６４を設け、レーザビー
ム出射方向の誤差や、ハーフミラー１８、折返しミラー
６１の取付け時の機械的な誤差等を微動調整して除去す
ることにより、出力制御用のレーザビームを受光素子１
９ａ，１９ｂに正確に入射させることができると共にＬ
ＤＡ１２の個々のＬＤ１２ａ，１２ｂの出力を高精度に
検出して制御することができ、これにより光量変化の少
ない光源部を備えた装置を提供することができるもので
ある。

【００９７】また、図２５は図２４の変形例を示すもの
であり、ここでは共通の保持基板６３を用いずに、ＬＤ
Ａ部５７と分割集光部５８とを直接結合し組付けるよう
にしたものである。これにより、スペースの省略化を図
ることができる。

【００９８】次に、請求項１６記載の発明の一実施例を
図２６に基づいて説明する。ここでは、前記請求項１４
記載の発明の基本的構成の装置（図２３参照）におい
て、図２６に示すように、ハーフミラー１８により分割
された記録用のレーザビームａの光路中にそのビーム径
を制限するアパーチャ６５を配設したものである。

【００９９】一般に、ＬＤ１２ａ，１２ｂから出射する
発散ビームの発散角はＬＤ毎に大きくばらつき、これに
より記録媒体上での最終的なビーム径も大きく変動して
しまうおそれがある。このような変動をなくすために従
来においては光束制限用のアパーチャをコリメートレン
ズ１３の直後に配置していた。しかし、コリメートレン
ズ１３の直後に配置すると、光量損失により受光素子１
９ａ，１９ｂの出力電流が減ってしまい制御精度が低下
し、これに伴いＬＤ制御部２０ａ，２０ｂの制御が複雑
化して高速の制御がしにくくなる。そこで、本実施例で
は、光源部からの出射部に出射用ビームのビーム径を制
限するアパーチャ６５を配置させるようにした。これに
より、光量損失が少なくて、ＬＤ制御部２０ａ，２０ｂ
の制御が簡単になり、高速の出力制御が可能な光源部を
備えた装置を提供することができる。

【０１００】次に、請求項１７記載の発明の一実施例を
図２７及び図２８に基づいて説明する。ここでは、受光
素子１９ａ，１９ｂの受光面を結像レンズ２１の光軸に
対して傾けて配設したものである。このように受光面を
光軸に対して傾斜させることにより、その受光面により
反射された反射光ｂは図２８に示すように結像レンズ２
１側に戻らず、これによりＬＤ１２ａ，１２ｂへの戻り
光がなくなり出力変動や波長変動等の特性変化（ノイ
ズ）を防止させることができる。

【０１０１】なお、これまで述べた各実施例は、簡便の
ため発光部（ＬＤ）が２個の場合におけるＬＤＡについ
て示したが、発光部の数はこの２個に限るものではな
い。

【０１０２】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、画像信号に応じ
て独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部
から出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光
結像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザ
アレイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複
数の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路
中に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレー
ザビームとして分割するビーム分割手段を配設し、この
ビーム分割手段により分割された複数のレーザビームを
前記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立し
て受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子か
らの出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出
力を制御する発光出力制御手段を設け、この発光出力制
御手段は、前記半導体レーザアレイからの光出力を前記
受光素子により検知してこの受光素子から得られる前記
半導体レーザアレイの光出力に比例した受光信号と発光
レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レーザ
アレイの順方向電流を制御する光電気負帰還ループと、
前記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなる
ように前記発光レベル指令信号を前記半導体レーザの順
方向電流に変換する順方向電流変換手段とを有し、前記
光電気負帰還ループからの制御電流と前記順方向電流変
換手段により生成された前記順方向電流との和又は差に
より前記半導体レーザの発光出力を制御するようにした
ので、半導体レーザアレイの個々の半導体レーザの出力
を高精度に検出でき、かつ、高速・高精度・高分解能の
半導体レーザ制御回路を用いることにより、パルス幅が
短くなっても露光光量を精度良く制御することができ
る。

【０１０３】請求項２記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイのチップをマウントした半導体レーザアレイパッ
ケージ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受
光する１個の前記受光素子を配設し、この１個の受光素
子からの出力と出力制御用のレーザビームを受光する複
数個の前記受光素子からの出力とを比較する出力比較検
出手段を設け、この出力比較検出手段からの比較信号を
もとに前記出力制御用のレーザビームを受光する複数個
の前記受光素子からの出力の低下を検出しエラー信号を
発生させる出力信号低下検知手段を設けたので、半導体
レーザアレイの個々の半導体レーザの出力を高精度に検
出でき、かつ、各半導体レーザの出力を半導体レーザア
レイパッケージ内のバックビームの受光素子と出力制御
用の受光素子の両方で検出比較することにより、熱変形
などによって出力制御用のレーザビームの光軸が変動し
て出力制御用の受光素子への入射位置がずれてその出力
が低下しても、その低下による異常を検出することが可
能となる。

【０１０４】請求項３記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイのチップをマウントした半導体レーザアレイパッ
ケージ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受
光する１個の前記受光素子を配設し、この１個の受光素
子からの出力と出力制御用のレーザビームを受光する複
数個の前記受光素子からの出力とを比較する出力比較検
出手段を設け、この出力比較検出手段からの比較信号を
もとに前記出力制御用のレーザビームを受光する複数個
の前記受光素子からの出力の低下を検出しエラー信号を
発生させる出力信号低下検知手段を設け、前記半導体レ
ーザアレイとこの半導体レーザアレイからの発散ビーム
を集光するコリメートレンズとこのコリメートレンズを
保持する保持部材と前記半導体レーザアレイの発光部の
数に対応した複数の前記受光素子と前記半導体レーザア
レイのレーザビーム出射方向の反対側に配置された半導
体レーザ駆動制御用プリント基板とが一体的に形成され
た半導体レーザアレイユニットを設け、この半導体レー
ザアレイユニット内の前記半導体レーザアレイから出射
された複数のレーザビームを前記受光素子に導くための
光路変換手段を設けたので、半導体レーザアレイの個々
の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、かつ、各半
導体レーザの出力を半導体レーザアレイパッケージ内の
バックビームの受光素子と出力制御用の受光素子の両方
で検出比較することにより、熱変形などによって出力制
御用のレーザビームの光軸が変動して出力制御用の受光
素子への入射位置がずれてその出力が低下しても、その
低下による異常を検出することが可能となり、受光素子
がレーザ制御用のプリント基板上にあり数１００μＡ〜
数ｍＡの受光素子からの微弱信号を電線で伝送しないで
よいため、ノイズの影響を受けにくく、また、信号の遅
延が少ないためパルス幅が短くなっても露光光量を精度
良く制御することができる。

【０１０５】請求項４記載の発明は、半導体レーザアレ
イのチップをマウントした半導体レーザアレイパッケー
ジ内にその半導体レーザアレイのバックビームを受光す
る１個の受光素子を配設し、この１個の受光素子からの
出力と出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受
光素子からの出力とを比較する出力比較検出手段を設
け、この出力比較検出手段からの比較信号をもとに前記
出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受光素子
からの出力の低下を検出しエラー信号を発生させる出力
信号低下検知手段を設けたので、各半導体レーザの出力
を半導体レーザアレイパッケージ内のバックビームの受
光素子と出力制御用の受光素子の両方で検出比較するこ
とにより、熱変形などによって出力制御用のレーザビー
ムの光軸が変動して出力制御用の受光素子への入射位置
がずれてその出力が低下しても、その低下による異常を
検出することが可能となる。

【０１０６】請求項５記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の
前記受光素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、
複数個の前記受光素子からの出力を検出し前記光軸調整
手段の光軸調整を行う光軸制御手段を設け、複数個の前
記受光素子のうちの少なくとも１個の前記受光素子を分
割した受光面としたので、半導体レーザアレイの個々の
半導体レーザの出力を高精度に検出でき、かつ、出力制
御用の受光素子の少なくとも１個を４分割受光素子とし
ているため、出力制御用のレーザビームの熱変形等によ
る光軸のずれを検出することが可能となる。

【０１０７】請求項６記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の
前記受光素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、
複数個の前記受光素子からの出力を検出し前記光軸調整
手段の光軸調整を行う光軸制御手段を設け、複数個の前
記受光素子のうちの少なくとも１個の前記受光素子を分
割した受光面とし、前記半導体レーザアレイとこの半導
体レーザアレイからの発散ビームを集光するコリメート
レンズとこのコリメートレンズを保持する保持部材と前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応した複数の前
記受光素子と前記半導体レーザアレイのレーザビーム出
射方向の反対側に配置された半導体レーザ駆動制御用プ
リント基板とが一体的に形成された半導体レーザアレイ
ユニットを設け、この半導体レーザアレイユニット内の
前記半導体レーザアレイから出射された複数のレーザビ
ームを前記受光素子に導くための光路変換手段を設けた
ので、半導体レーザアレイの個々の半導体レーザの出力
を高精度に検出でき、かつ、出力制御用の受光素子の少
なくとも１個を４分割受光素子としているため、出力制
御用のレーザビームの熱変形等による光軸のずれを検出
することが可能となり、受光素子がレーザ制御用のプリ
ント基板上にあり数１００μＡ〜数ｍＡの受光素子から
の微弱信号を電線で伝送しないでよいため、ノイズの影
響を受けにくく、また、信号の遅延が少ないためパルス
幅が短くなっても露光光量を精度良く制御することがで
きる。

【０１０８】請求項７記載の発明は、半導体レーザアレ
イと出力制御用のレーザビームを受光する複数個の受光
素子との間の光路中に光軸調整手段を配設し、前記複数
個の受光素子からの出力を検出し前記光軸調整手段の光
軸調整を行う光軸制御手段を設け、前記複数個の受光素
子のうちの少なくとも１個の受光素子を分割した受光面
としたので、出力制御用の受光素子の少なくとも１個を
分割受光素子としているため、出力制御用のレーザビー
ムの熱変形等による光軸のずれを検出することが可能と
なる。

【０１０９】請求項８記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイから出射されることにより出力制御され記録用と
なったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、
この回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に
出力制御用のレーザビームとして分割することが可能な
ハーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転
多面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光
透過性の出力窓とを形成したので、半導体レーザアレイ
の個々の半導体レーザの出力を高精度に検出でき、か
つ、出力制御用のレーザビームの分割に回転多面鏡の入
射窓を利用しているため、部品点数を低減させることが
可能となる。

【０１１０】請求項９記載の発明は、画像信号に応じて
独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部か
ら出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光結
像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザア
レイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路中
に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレーザ
ビームとして分割するビーム分割手段を配設し、このビ
ーム分割手段により分割された複数のレーザビームを前
記半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して
受光する複数個の受光素子を設け、これら受光素子から
の出力信号に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力
を制御する発光出力制御手段を設け、前記半導体レーザ
アレイから出射されることにより出力制御され記録用と
なったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、
この回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に
出力制御用のレーザビームとして分割することが可能な
ハーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転
多面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光
透過性の出力窓とを形成し、前記半導体レーザアレイと
この半導体レーザアレイからの発散ビームを集光するコ
リメートレンズとこのコリメートレンズを保持する保持
部材と前記半導体レーザアレイの発光部の数に対応した
複数の受光素子と前記半導体レーザアレイのレーザビー
ム出射方向の反対側に配置された半導体レーザ駆動制御
用プリント基板とが一体的に形成された半導体レーザア
レイユニットを設け、この半導体レーザアレイユニット
内の前記半導体レーザアレイから出射された複数のレー
ザビームを前記受光素子に導くための光路変換手段を設
けたので、半導体レーザアレイの個々の半導体レーザの
出力を高精度に検出でき、かつ、出力制御用のレーザビ
ームの分割に回転多面鏡の入射窓を利用しているため、
部品点数を低減させることが可能となり、受光素子がレ
ーザ制御用のプリント基板上にあり数１００μＡ〜数ｍ
Ａの受光素子からの微弱信号を電線で伝送しないでよい
ため、ノイズの影響を受けにくく、また、信号の遅延が
少ないためパルス幅が短くなっても露光光量を精度良く
制御することができる。

【０１１１】請求項１０記載の発明は、半導体レーザア
レイから出射されることにより出力制御され記録用とな
ったレーザビームを回転偏向する回転多面鏡を設け、こ
の回転多面鏡を覆う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に出
力制御用のレーザビームとして分割することが可能なハ
ーフミラーの機能をもつ光透過性の入射窓と前記回転多
面鏡で偏向されたレーザビームを出射させるための光透
過性の出力窓とを形成したので、出力制御用のレーザビ
ームの分割に回転多面鏡の入射窓を利用しているため、
部品点数を低減させることが可能となる。

【０１１２】請求項１１記載の発明は、出力制御用のレ
ーザビームを独立に受光する複数個の受光素子のうちの
少なくとも２個の受光素子を光軸方向に異なった位置に
配設し、半導体レーザアレイとビーム分割手段との間の
光路中に前記少なくとも２個の受光素子を微小レーザス
ポットの光軸方向の結像位置を調整可能な結像位置調整
手段を設けたので、出力制御用のレーザビームを検出す
る受光素子の少なくとも２個を結像位置から光軸方向に
ずらして配設し、その出力により熱変形や半導体レーザ
の発振波長変動による結像位置のずれを検出でき、結像
位置調整手段により記録材料上及び出力制御用の受光素
子の位置での結像位置を所定の位置に制御させることが
可能となる。

【０１１３】請求項１２記載の発明は、画像信号に応じ
て独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部
から出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光
結像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザ
アレイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複
数の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路
中に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレー
ザビームとして分割するビーム分割手段を配設し、この
ビーム分割手段により分割された複数のレーザビームを
集光する集光素子を設け、この集光素子により集光され
たレーザビームを前記半導体レーザアレイの発光部の数
に対応して独立して受光する複数個の受光素子を前記集
光素子の集光点から光軸方向にずらした位置に配設し、
これら集光点からずれた位置の受光素子からの出力信号
に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する
発光出力制御手段を設けたので、受光素子を集光素子の
集光点から光軸方向にずらした位置に配設したことによ
り、受光素子の局所的な感度ムラの影響を除去し、半導
体レーザアレイの個々の発光部のレーザ出力を高精度に
検出して制御することが可能となる。

【０１１４】請求項１３記載の発明は、集光素子の集光
点近傍に、個々の受光素子に対をなす半導体レーザアレ
イの発光部以外からのビームを遮光する遮光部材を配設
したので、遮光部材を配設したことにより、対をなす半
導体レーザ以外からのフレア光を遮光し、受光素子の出
力のクロストークを低減させ、半導体レーザアレイの個
々の発光部のレーザ出力を高精度に検出して制御するこ
とが可能となる。

【０１１５】請求項１４記載の発明は、半導体レーザア
レイとこの半導体レーザアレイからの発散ビームを集光
するコリメートレンズとこれらアレイ及びレンズをそれ
ぞれ保持する第一保持部材とレーザビーム出射方向の反
対側に半導体レーザ駆動制御手段を実装したプリント基
板とよりなる半導体レーザアレイ部を形成し、ビーム分
割手段と集光素子とこれらビーム分割手段及び集光素子
を保持する第二保持部材とよりなる分割集光部を形成し
たので、半導体レーザアレイ部と分割集光部とを分離独
立して設けることにより、パッケージ内に内蔵された発
光点が１個の半導体レーザからのバックビームを検出し
て出力制御を行う従来の光源ユニットと半導体レーザア
レイを保持する保持部材とコリメートレンズを保持する
保持部材との共通化が行えるため、出射光軸の調整機構
とコリメート性の調整機構との流用が可能となる。

【０１１６】請求項１５記載の発明は、分割集光部は、
この分割集光部を半導体レーザアレイ部に対してその半
導体レーザアレイの配列方向に微動調整し固定が可能な
微動調整機構を有するものとしたので、分割集光部を半
導体レーザアレイ部に対して微動させる微動調整機構を
設けたことにより、レーザビーム出射方向の誤差やビー
ム分割をするミラーの取付け時の機械的な誤差等を微動
調整して除去し、出力制御用のレーザビームを受光素子
に正確に入射させ、半導体レーザアレイの個々の発光部
の出力を高精度に検出して制御することが可能となる。

【０１１７】請求項１６記載の発明は、ビーム分割手段
により分割された記録用のレーザビームの光路中にビー
ム径を制限するアパーチャを配設したので、記録用のレ
ーザビームのビーム径を制限するアパーチャを設けたこ
とにより、光量損失を少なくさせ、レーザビーム制御部
の構成を簡略化させることが可能となる。

【０１１８】請求項１７記載の発明は、画像信号に応じ
て独立に変調される半導体レーザアレイの複数の発光部
から出射する複数のレーザビームを微小スポットに集光
結像し、記録媒体を走査露光し記録を行う半導体レーザ
アレイ記録装置において、前記半導体レーザアレイの複
数の発光部から出射する前記複数のレーザビームの光路
中に前記レーザビームの光量の一部を出力制御用のレー
ザビームとして分割するビーム分割手段を配設し、この
ビーム分割手段により分割された複数のレーザビームを
集光する集光素子を設け、この集光素子により集光され
たレーザビームを前記半導体レーザアレイの発光部の数
に対応して独立して受光する複数個の受光素子の受光面
を前記集光素子の光軸に対して傾けて配設し、これら受
光素子からの出力信号に応じて前記半導体レーザアレイ
の発光出力を制御する発光出力制御手段を設けたので、
受光素子の受光面を入射光軸に対して傾斜して配置する
ことにより、受光面から発光部への戻り光の影響をなく
すことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明の一実施例である半導体レ
ーザアレイ記録装置の構成を示す構成図である。

【図２】図１の変形例を示す構成図である。

【図３】レーザ走査光学系の基本構成を示す構成図であ
る。

【図４】請求項１記載の発明の要部を示す回路図であ
る。

【図５】請求項３記載の発明の一実施例を示す構成図で
ある。

【図６】半導体レーザアレイユニット部の構成を示す断
面図である。

【図７】本発明の変形例を示す構成図である。

【図８】請求項２記載の発明の一実施例を示す構成図で
ある。

【図９】ＬＤアレイのパッケージ内の構成を示す一部を
切欠いた斜視図である。

【図１０】請求項５記載の発明の一実施例を示す構成図
である。

【図１１】光軸調整手段の一例を示す斜視図である。

【図１２】４分割された受光素子の構成を示す正面図で
ある。

【図１３】ＬＤ出力制御回路を示すブロック図である。

【図１４】請求項８記載の発明の一実施例を示す断面図
である。

【図１５】図１４の回転多面鏡を用いた場合の構成を示
す構成図である。

【図１６】請求項１１記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図１７】受光素子の配置関係を示す構成図である。

【図１８】結像位置調整手段の構成を示す断面図であ
る。

【図１９】請求項１２記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２０】請求項１３記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２１】遮光部材の構成を示す斜視図である。

【図２２】請求項１４記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２３】図２２の変形例を示す構成図である。

【図２４】請求項１５記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２５】図２４の変形例を示す構成図である。

【図２６】請求項１６記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２７】請求項１７記載の発明の一実施例を示す構成
図である。

【図２８】傾斜して配置された受光面から反射した光の
進行方向の様子を示す光路図である。

【図２９】従来のレーザ走査光学系の構成を示す斜視図
である。

【図３０】ＬＤＡの構成例を示す斜視図である。

【図３１】光クロストークを遮断する一例を示す光路図
である。

【符号の説明】

１２半導体レーザアレイ１２ａ，１２ｂ発光部１３コリメートレンズ１５回転多面鏡１８ビーム分割手段１９ａ，１９ｂ受光素子２０ａ，２０ｂ発光出力制御手段２１集光素子２４発光出力制御手段２５光電気負帰還ループ２６順方向電流変換手段２８半導体レーザ駆動制御用プリント
基板２９，３０保持部材３１半導体レーザアレイユニット３３光路変換手段３４ａ，３４ｂ光ファイバ３５チップ３６半導体レーザアレイパッケージ３７受光素子３８出力比較検出手段３９光軸調整手段４３光軸制御手段４６ａ，４６ｂ鏡覆部材４７入射窓４８出力窓４９結像位置調整手段５５遮光部材５７半導体レーザアレイ部５８分割集光部５９ａ，５９ｂ第一保持部材６０プリント基板６２第二保持部材６４微動調整機構６５アパーチャ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者道家教夫東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (56)参考文献特開昭64−84446（ＪＰ，Ａ) 特開平４−64272（ＪＰ，Ａ) 特開平３−145177（ＪＰ，Ａ) 特開平２−188718（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) B41J 2/44 G02B 26/10 H01S 3/18 H04N 1/113

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、この発光出力制御手段は、前記半導体
レーザアレイからの光出力を前記受光素子により検知し
てこの受光素子から得られる前記半導体レーザアレイの
光出力に比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等
しくなるように前記半導体レーザアレイの順方向電流を
制御する光電気負帰還ループと、前記受光信号と前記発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記発光レベル
指令信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換する順
方向電流変換手段とを有し、前記光電気負帰還ループか
らの制御電流と前記順方向電流変換手段により生成され
た前記順方向電流との和又は差により前記半導体レーザ
の発光出力を制御するようにしたことを特徴とする半導
体レーザアレイ記録装置。
【請求項２】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイのチップをマ
ウントした半導体レーザアレイパッケージ内にその半導
体レーザアレイのバックビームを受光する１個の前記受
光素子を配設し、この１個の受光素子からの出力と出力
制御用のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子
からの出力とを比較する出力比較検出手段を設け、この
出力比較検出手段からの比較信号をもとに前記出力制御
用のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子から
の出力の低下を検出しエラー信号を発生させる出力信号
低下検知手段を設けたことを特徴とする半導体レーザア
レイ記録装置。
【請求項３】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイのチップをマ
ウントした半導体レーザアレイパッケージ内にその半導
体レーザアレイのバックビームを受光する１個の前記受
光素子を配設し、この１個の受光素子からの出力と出力
制御用のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子
からの出力とを比較する出力比較検出手段を設け、この
出力比較検出手段からの比較信号をもとに前記出力制御
用のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子から
の出力の低下を検出しエラー信号を発生させる出力信号
低下検知手段を設け、前記半導体レーザアレイとこの半
導体レーザアレイからの発散ビームを集光するコリメー
トレンズとこのコリメートレンズを保持する保持部材と
前記半導体レーザアレイの発光部の数に対応した複数の
前記受光素子と前記半導体レーザアレイのレーザビーム
出射方向の反対側に配置された半導体レーザ駆動制御用
プリント基板とが一体的に形成された半導体レーザアレ
イユニットを設け、この半導体レーザアレイユニット内
の前記半導体レーザアレイから出射された複数のレーザ
ビームを前記受光素子に導くための光路変換手段を設け
たことを特徴とする半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項４】半導体レーザアレイのチップをマウント
した半導体レーザアレイパッケージ内にその半導体レー
ザアレイのバックビームを受光する１個の受光素子を配
設し、この１個の受光素子からの出力と出力制御用のレ
ーザビームを受光する複数個の受光素子からの出力とを
比較する出力比較検出手段を設け、この出力比較検出手
段からの比較信号をもとに前記出力制御用のレーザビー
ムを受光する複数個の受光素子からの出力の低下を検出
しエラー信号を発生させる出力信号低下検知手段を設け
たことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ
記録装置。
【請求項５】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイと出力制御用
のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子との間
の光路中に光軸調整手段を配設し、複数個の前記受光素
子からの出力を検出し前記光軸調整手段の光軸調整を行
う光軸制御手段を設け、複数個の前記受光素子のうちの
少なくとも１個の前記受光素子を分割した受光面とした
ことを特徴とする半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項６】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイと出力制御用
のレーザビームを受光する複数個の前記受光素子との間
の光路中に光軸調整手段を配設し、複数個の前記受光素
子からの出力を検出し前記光軸調整手段の光軸調整を行
う光軸制御手段を設け、複数個の前記受光素子のうちの
少なくとも１個の前記受光素子を分割した受光面とし、
前記半導体レーザアレイとこの半導体レーザアレイから
の発散ビームを集光するコリメートレンズとこのコリメ
ートレンズを保持する保持部材と前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応した複数の前記受光素子と前記半
導体レーザアレイのレーザビーム出射方向の反対側に配
置された半導体レーザ駆動制御用プリント基板とが一体
的に形成された半導体レーザアレイユニットを設け、こ
の半導体レーザアレイユニット内の前記半導体レーザア
レイから出射された複数のレーザビームを前記受光素子
に導くための光路変換手段を設けたことを特徴とする半
導体レーザアレイ記録装置。
【請求項７】半導体レーザアレイと出力制御用のレー
ザビームを受光する複数個の受光素子との間の光路中に
光軸調整手段を配設し、前記複数個の受光素子からの出
力を検出し前記光軸調整手段の光軸調整を行う光軸制御
手段を設け、前記複数個の受光素子のうちの少なくとも
１個の受光素子を分割した受光面としたことを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項８】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイから出射され
ることにより出力制御され記録用となったレーザビーム
を回転偏向する回転多面鏡を設け、この回転多面鏡を覆
う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に出力制御用のレーザ
ビームとして分割することが可能なハーフミラーの機能
をもつ光透過性の入射窓と前記回転多面鏡で偏向された
レーザビームを出射させるための光透過性の出力窓とを
形成したことを特徴とする半導体レーザアレイ記録装
置。
【請求項９】画像信号に応じて独立に変調される半導
体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレー
ザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走査
露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを前記半導体レーザアレ
イの発光部の数に対応して独立して受光する複数個の受
光素子を設け、これら受光素子からの出力信号に応じて
前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する発光出力
制御手段を設け、前記半導体レーザアレイから出射され
ることにより出力制御され記録用となったレーザビーム
を回転偏向する回転多面鏡を設け、この回転多面鏡を覆
う鏡覆部材を設け、この鏡覆部材に出力制御用のレーザ
ビームとして分割することが可能なハーフミラーの機能
をもつ光透過性の入射窓と前記回転多面鏡で偏向された
レーザビームを出射させるための光透過性の出力窓とを
形成し、前記半導体レーザアレイとこの半導体レーザア
レイからの発散ビームを集光するコリメートレンズとこ
のコリメートレンズを保持する保持部材と前記半導体レ
ーザアレイの発光部の数に対応した複数の受光素子と前
記半導体レーザアレイのレーザビーム出射方向の反対側
に配置された半導体レーザ駆動制御用プリント基板とが
一体的に形成された半導体レーザアレイユニットを設
け、この半導体レーザアレイユニット内の前記半導体レ
ーザアレイから出射された複数のレーザビームを前記受
光素子に導くための光路変換手段を設けたことを特徴と
する半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１０】半導体レーザアレイから出射されるこ
とにより出力制御され記録用となったレーザビームを回
転偏向する回転多面鏡を設け、この回転多面鏡を覆う鏡
覆部材を設け、この鏡覆部材に出力制御用のレーザビー
ムとして分割することが可能なハーフミラーの機能をも
つ光透過性の入射窓と前記回転多面鏡で偏向されたレー
ザビームを出射させるための光透過性の出力窓とを形成
したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレ
イ記録装置。
【請求項１１】出力制御用のレーザビームを独立に受
光する複数個の受光素子のうちの少なくとも２個の受光
素子を光軸方向に異なった位置に配設し、半導体レーザ
アレイとビーム分割手段との間の光路中に前記少なくと
も２個の受光素子を微小レーザスポットの光軸方向の結
像位置を調整可能な結像位置調整手段を設けたことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１２】画像信号に応じて独立に変調される半
導体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレ
ーザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走
査露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを集光する集光素子を設
け、この集光素子により集光されたレーザビームを前記
半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して受
光する複数個の受光素子を前記集光素子の集光点から光
軸方向にずらした位置に配設し、これら集光点からずれ
た位置の受光素子からの出力信号に応じて前記半導体レ
ーザアレイの発光出力を制御する発光出力制御手段を設
けたことを特徴とする半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１３】集光素子の集光点近傍に、個々の受光
素子に対をなす半導体レーザアレイの発光部以外からの
ビームを遮光する遮光部材を配設したことを特徴とする
請求項１２記載の半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１４】半導体レーザアレイとこの半導体レー
ザアレイからの発散ビームを集光するコリメートレンズ
とこれらアレイ及びレンズをそれぞれ保持する第一保持
部材とレーザビーム出射方向の反対側に半導体レーザ駆
動制御手段を実装したプリント基板とよりなる半導体レ
ーザアレイ部を形成し、ビーム分割手段と集光素子とこ
れらビーム分割手段及び集光素子を保持する第二保持部
材とよりなる分割集光部を形成したことを特徴とする請
求項１２記載の半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１５】分割集光部は、この分割集光部を半導
体レーザアレイ部に対してその半導体レーザアレイの配
列方向に微動調整し固定が可能な微動調整機構を有する
ことを特徴とする請求項１４記載の半導体レーザアレイ
記録装置。
【請求項１６】ビーム分割手段により分割された記録
用のレーザビームの光路中にビーム径を制限するアパー
チャを配設したことを特徴とする請求項１４又は１５記
載の半導体レーザアレイ記録装置。
【請求項１７】画像信号に応じて独立に変調される半
導体レーザアレイの複数の発光部から出射する複数のレ
ーザビームを微小スポットに集光結像し、記録媒体を走
査露光し記録を行う半導体レーザアレイ記録装置におい
て、前記半導体レーザアレイの複数の発光部から出射す
る前記複数のレーザビームの光路中に前記レーザビーム
の光量の一部を出力制御用のレーザビームとして分割す
るビーム分割手段を配設し、このビーム分割手段により
分割された複数のレーザビームを集光する集光素子を設
け、この集光素子により集光されたレーザビームを前記
半導体レーザアレイの発光部の数に対応して独立して受
光する複数個の受光素子の受光面を前記集光素子の光軸
に対して傾けて配設し、これら受光素子からの出力信号
に応じて前記半導体レーザアレイの発光出力を制御する
発光出力制御手段を設けたことを特徴とする半導体レー
ザアレイ記録装置。