JPH07307489A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH07307489A JPH07307489A JP6099688A JP9968894A JPH07307489A JP H07307489 A JPH07307489 A JP H07307489A JP 6099688 A JP6099688 A JP 6099688A JP 9968894 A JP9968894 A JP 9968894A JP H07307489 A JPH07307489 A JP H07307489A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子の側面からの不要な光を外部へ取り
出させないようにして、単色性を向上させた半導体発光
素子及びその製造方法を提供することである。 【構成】 半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの
発光層を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該
発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発
光層の側面側をエッチングする第２の工程とを行う。そ
して、前記発光層の側面の傾斜構造は、前記発光層の上
面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６２°以下
として形成する。
出させないようにして、単色性を向上させた半導体発光
素子及びその製造方法を提供することである。 【構成】 半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの
発光層を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該
発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発
光層の側面側をエッチングする第２の工程とを行う。そ
して、前記発光層の側面の傾斜構造は、前記発光層の上
面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６２°以下
として形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩｎＧａＡｌＰ系の半
導体材料を使用した半導体発光素子及びその製造方法に
関する。
導体材料を使用した半導体発光素子及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、表示板等にはＧａＰ系材料か
らなる発光素子が使用されているが、更に高輝度の発光
素子としてＩｎＧａＡｌＰ系を材料とする発光素子が開
発されるようになってきている。
らなる発光素子が使用されているが、更に高輝度の発光
素子としてＩｎＧａＡｌＰ系を材料とする発光素子が開
発されるようになってきている。
【０００３】ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる半導体発光
素子は、発光波長が５５０ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲で直
接遷移形の発光を行うため、高い発光効率を得ることが
できる。さらに、素子内部の光吸収をより減らすことに
より、一層発光効率の高い発光素子が得られる。
素子は、発光波長が５５０ｎｍ〜６９０ｎｍの範囲で直
接遷移形の発光を行うため、高い発光効率を得ることが
できる。さらに、素子内部の光吸収をより減らすことに
より、一層発光効率の高い発光素子が得られる。
【０００４】図５は、ＩｎＧａＡｌＰ系材料による従来
の半導体発光素子の断面構造図である。
の半導体発光素子の断面構造図である。
【０００５】この発光素子の結晶成長法としては、例え
ば一定の減圧化で結晶成長させる有機金属化学気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）が用いられる。
ば一定の減圧化で結晶成長させる有機金属化学気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）が用いられる。
【０００６】すなわち、成長炉内へＧａＡｓ基板１０１
を設置し、一定の減圧化及び温度に保持し、Ｖ族、III
族及びドーピング材料を各成長層に対して設定された流
量で流し込み、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０２、
ＩｎＧａＡｌＰ発光層１０３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層１０４、及びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１０５
を順次積層させる。
を設置し、一定の減圧化及び温度に保持し、Ｖ族、III
族及びドーピング材料を各成長層に対して設定された流
量で流し込み、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０２、
ＩｎＧａＡｌＰ発光層１０３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層１０４、及びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１０５
を順次積層させる。
【０００７】その後、このようにして形成されたエピタ
キシャル層のウェーハを炉より取り出し、ウェーハの上
面にｐ側電極１０６を、裏面にｎ側電極１０７をそれぞ
れ形成する。そして、ダイシングで個々のチップに分割
すれば、側面が上面に対して直角を成す略直方体形状の
発光素子が得られる。
キシャル層のウェーハを炉より取り出し、ウェーハの上
面にｐ側電極１０６を、裏面にｎ側電極１０７をそれぞ
れ形成する。そして、ダイシングで個々のチップに分割
すれば、側面が上面に対して直角を成す略直方体形状の
発光素子が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体発光素子では、側面が上面に対して直角を成
す略直方体形状を有しているため、次のような問題点が
あった。
来の半導体発光素子では、側面が上面に対して直角を成
す略直方体形状を有しているため、次のような問題点が
あった。
【０００９】発光層１０３から発射した光のうち、発光
層１０３に対して略平行方向へ向かう光は、発光層１０
３内を進み、側面から外部へ取り出されることになる。
ところが発光層１０３内を長い距離で進んだ光は、波長
選択性の吸収により、ある波長近傍の光が該発光層１０
３によって吸収される。その結果、側面から取り出され
る光は、その波長がシフトした状態となってしまう。
層１０３に対して略平行方向へ向かう光は、発光層１０
３内を進み、側面から外部へ取り出されることになる。
ところが発光層１０３内を長い距離で進んだ光は、波長
選択性の吸収により、ある波長近傍の光が該発光層１０
３によって吸収される。その結果、側面から取り出され
る光は、その波長がシフトした状態となってしまう。
【００１０】一方、発光層１０３から発射した光のう
ち、発光層１０３に対し略垂直方向へ向かう光は、発光
層内を進む距離が短いため、光の吸収が少なく、波長の
シフトもほとんど発生しない。
ち、発光層１０３に対し略垂直方向へ向かう光は、発光
層内を進む距離が短いため、光の吸収が少なく、波長の
シフトもほとんど発生しない。
【００１１】このように、側面方向へ取り出される光
は、波長のシフトにより所望の発光色から大きくずれる
ことになり、この発光素子を用いたＬＥＤ製品の単色性
を損ない、発光波長の方位依存性など好ましくない特性
により、品質の低下を招くという問題があった。特に、
主発光波長が約５８０ｎｍ以下の緑色領域で発光する緑
色発光ＬＥＤの場合においては、シフトした側面光の発
光色が黄色〜橙色領域となり、その不具合が顕著に現れ
ることになる。
は、波長のシフトにより所望の発光色から大きくずれる
ことになり、この発光素子を用いたＬＥＤ製品の単色性
を損ない、発光波長の方位依存性など好ましくない特性
により、品質の低下を招くという問題があった。特に、
主発光波長が約５８０ｎｍ以下の緑色領域で発光する緑
色発光ＬＥＤの場合においては、シフトした側面光の発
光色が黄色〜橙色領域となり、その不具合が顕著に現れ
ることになる。
【００１２】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、素子側面から
不要な光を外部へ取り出させないようにして、単色性を
向上させた半導体発光素子を提供することである。また
その他の目的は、緑色発光の単色性を向上させた半導体
発光素子を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、素子側面から
不要な光を外部へ取り出させないようにして、単色性を
向上させた半導体発光素子を提供することである。また
その他の目的は、緑色発光の単色性を向上させた半導体
発光素子を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、半導体基板上に積層されたＩｎＧ
ａＡｌＰの発光層を有する半導体発光素子において、前
記発光層の側面を、該発光層の下層側へ広がる傾斜構造
としたことにある。
に、本発明の特徴は、半導体基板上に積層されたＩｎＧ
ａＡｌＰの発光層を有する半導体発光素子において、前
記発光層の側面を、該発光層の下層側へ広がる傾斜構造
としたことにある。
【００１４】好ましくは、前記発光層の側面の傾斜構造
は、前記発光層の上面又は下面と該発光層の側面とのな
す角度が６２°以下として形成されたことにある。
は、前記発光層の上面又は下面と該発光層の側面とのな
す角度が６２°以下として形成されたことにある。
【００１５】さらに好ましくは、本発明の発光素子は、
主発光波長が５８０ｎｍ以下であるものとする。
主発光波長が５８０ｎｍ以下であるものとする。
【００１６】また、上記目的を達成するために、本発明
の特徴は、半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの
発光層を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該
発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発
光層の側面側をエッチングする第２の工程とを有するこ
とにある。
の特徴は、半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの
発光層を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該
発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発
光層の側面側をエッチングする第２の工程とを有するこ
とにある。
【００１７】
【作用】上述の如き構成によれば、発光層の側面を該発
光層の下層側へ広がる傾斜構造としたので、その発光層
の側面が、発光層より側面方向へ発射した光を反射して
外部へ出射しないように働く。
光層の下層側へ広がる傾斜構造としたので、その発光層
の側面が、発光層より側面方向へ発射した光を反射して
外部へ出射しないように働く。
【００１８】また、前記発光層の側面を、発光層の上面
又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６２°以下と
なるような傾斜構造とすることにより、発光層より側面
方向へ発射する光の外部へ出射を、より一層抑制するこ
とができる。
又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６２°以下と
なるような傾斜構造とすることにより、発光層より側面
方向へ発射する光の外部へ出射を、より一層抑制するこ
とができる。
【００１９】さらに、本発明の発光素子が主発光波長が
５８０ｎｍ以下となるものである場合は、緑色発光の単
色性が改善される。
５８０ｎｍ以下となるものである場合は、緑色発光の単
色性が改善される。
【００２０】また、本発明の発光素子は、半導体基板上
に少なくともＩｎＧａＡｌＰの発光層を積層し、前記発
光層の側面が該発光層の下層側へ広がる傾斜構造となる
ように前記発光層の側面側をエッチングすることにより
作製されるので、例えば、ウェーハ状の複数の発光素子
に前記傾斜構造を簡易且つ的確に形成することができ
る。
に少なくともＩｎＧａＡｌＰの発光層を積層し、前記発
光層の側面が該発光層の下層側へ広がる傾斜構造となる
ように前記発光層の側面側をエッチングすることにより
作製されるので、例えば、ウェーハ状の複数の発光素子
に前記傾斜構造を簡易且つ的確に形成することができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明を実施した半導体発光素子の断
面構造図である。
明する。図１は、本発明を実施した半導体発光素子の断
面構造図である。
【００２２】同図に示すが如く、この半導体発光素子
は、ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
（例えば０．６μｍ）２、ＩｎＧａＡｌＰ発光層（例え
ば０．３μｍ）３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（例
えば０．６μｍ）４、及びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層
（例えば０．９μｍ）５が順次積層され、その素子の側
面は、電流拡散層５から基板１の上端部に亘り下層側へ
広がる傾斜構造を成している。特に、発光層３の側面
は、発光層３の上面又は下面と該発光層３の側面とのな
す角度θが６２°以下になるような傾斜構造を成してい
る。
は、ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層
（例えば０．６μｍ）２、ＩｎＧａＡｌＰ発光層（例え
ば０．３μｍ）３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層（例
えば０．６μｍ）４、及びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層
（例えば０．９μｍ）５が順次積層され、その素子の側
面は、電流拡散層５から基板１の上端部に亘り下層側へ
広がる傾斜構造を成している。特に、発光層３の側面
は、発光層３の上面又は下面と該発光層３の側面とのな
す角度θが６２°以下になるような傾斜構造を成してい
る。
【００２３】さらに、最上部の電流拡散層５の表面中央
部にはｐ側電極（ボンディング用パット）６が形成さ
れ、前記ＧａＡｓ基板１の裏面全面にはｎ側電極７が形
成されている。また、クラッド層２，４、及び電流拡散
層５は、発光層３で発光した光が十分に透過されるよう
なＡｌの混晶比になっている。
部にはｐ側電極（ボンディング用パット）６が形成さ
れ、前記ＧａＡｓ基板１の裏面全面にはｎ側電極７が形
成されている。また、クラッド層２，４、及び電流拡散
層５は、発光層３で発光した光が十分に透過されるよう
なＡｌの混晶比になっている。
【００２４】クラッド層２、発光層３及びクラッド層４
は、ダブルへテロ接合構造を成し、その各屈折率が小−
大−小となり、中央の発光層３に光とキャリアを閉じ込
める構造となっている。また、電流拡散層５は、ｐ型電
極６からの電流フローを改善し、光取出し効率を高める
ために設けられる。
は、ダブルへテロ接合構造を成し、その各屈折率が小−
大−小となり、中央の発光層３に光とキャリアを閉じ込
める構造となっている。また、電流拡散層５は、ｐ型電
極６からの電流フローを改善し、光取出し効率を高める
ために設けられる。
【００２５】次に、上記構造の半導体発光素子の製造方
法について図２〜図４を用いて説明する。
法について図２〜図４を用いて説明する。
【００２６】まず、ＧａＡｓ基板１上への各結晶層の成
長をＭＯＣＶＤ法により行う。すなわち、３０〜１００
Ｔｏｒｒの減圧状態のＣＶＤ反応室内にＧａＡｓ基板１
を設置し（図２（ａ））、III 族材料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を使用すると
共に、Ｖ族材料としてアルシンガス（ＡｓＨ3 ）及びフ
ォスフィンガス（ＰＨ3）使用し、また、ｎ，ｐ型のド
ーピング材料としてはそれぞれシランガス（ＳｉＨ4 ）
及びジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を使用する。
長をＭＯＣＶＤ法により行う。すなわち、３０〜１００
Ｔｏｒｒの減圧状態のＣＶＤ反応室内にＧａＡｓ基板１
を設置し（図２（ａ））、III 族材料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を使用すると
共に、Ｖ族材料としてアルシンガス（ＡｓＨ3 ）及びフ
ォスフィンガス（ＰＨ3）使用し、また、ｎ，ｐ型のド
ーピング材料としてはそれぞれシランガス（ＳｉＨ4 ）
及びジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を使用する。
【００２７】反応室内を６００〜８００℃へ昇温してＧ
ａＡｓ基板１を一定温度に保持した後、水素ガス（Ｈ2
）をキャリアガスとして上記材料を所定の割合で反応
室へ流入させ、化学的に反応させることによりＧａＡｓ
基板１上へｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２、ＩｎＧａ
ＡｌＰ発光層３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４、及
びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層５を順次積層する（図２
（ｂ））。
ａＡｓ基板１を一定温度に保持した後、水素ガス（Ｈ2
）をキャリアガスとして上記材料を所定の割合で反応
室へ流入させ、化学的に反応させることによりＧａＡｓ
基板１上へｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層２、ＩｎＧａ
ＡｌＰ発光層３、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４、及
びｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層５を順次積層する（図２
（ｂ））。
【００２８】続いて、このようにして得られたエピタキ
シャル層のウェーハを炉より取り出し、真空蒸着により
ウェーハ両面にＡｕ材料を積層させる（図２（ｃ））。
そして、リソグラフィ技術により電流拡散層５の表面中
央部にｐ側電極６を形成すると共に、ＧａＡｓ基板１の
裏面全面にｎ側電極７を形成する（図３（ｄ））。
シャル層のウェーハを炉より取り出し、真空蒸着により
ウェーハ両面にＡｕ材料を積層させる（図２（ｃ））。
そして、リソグラフィ技術により電流拡散層５の表面中
央部にｐ側電極６を形成すると共に、ＧａＡｓ基板１の
裏面全面にｎ側電極７を形成する（図３（ｄ））。
【００２９】この状態のウェーハの表面上全面にレジス
ト８を塗布し、そのレジスト８に、露光によって後述の
溝９を得るための所定形状のパターンを形成する（図３
（ｅ））。
ト８を塗布し、そのレジスト８に、露光によって後述の
溝９を得るための所定形状のパターンを形成する（図３
（ｅ））。
【００３０】そして、前記レジスト８に形成されたパタ
ーンをマスクとして、当該ウェーハのエッチング処理
（ドライエッチング又はウェットエッチング）を行い、
一定間隔に形成される各素子の分離領域に溝９をそれぞ
れ形成する（図４（ｆ））。
ーンをマスクとして、当該ウェーハのエッチング処理
（ドライエッチング又はウェットエッチング）を行い、
一定間隔に形成される各素子の分離領域に溝９をそれぞ
れ形成する（図４（ｆ））。
【００３１】この時、各溝９は、少なくとも発光層３が
露出する程度以上の深さ（本実施例では基板１まで達し
ている）で、発光層３の上面又は下面と該発光層３の側
面とのなす角度θが上に６２°以下になるように、エッ
チング条件（時間、種類など）を変え、例えば断面壺型
の形状にそれぞれ形成する。ここで、断面壺型の溝９の
一壁面を成す発光層３の側面は、該発光層３が非常に薄
膜であるために直線と見做すことができ、前記角度θを
正確に設定することができる。
露出する程度以上の深さ（本実施例では基板１まで達し
ている）で、発光層３の上面又は下面と該発光層３の側
面とのなす角度θが上に６２°以下になるように、エッ
チング条件（時間、種類など）を変え、例えば断面壺型
の形状にそれぞれ形成する。ここで、断面壺型の溝９の
一壁面を成す発光層３の側面は、該発光層３が非常に薄
膜であるために直線と見做すことができ、前記角度θを
正確に設定することができる。
【００３２】その後、残されたレジスト８を除去し（図
４（ｇ））、ダイシングで個々のチップに分割して図１
に示すような発光素子が得られる。
４（ｇ））、ダイシングで個々のチップに分割して図１
に示すような発光素子が得られる。
【００３３】以上のようにして作製された発光素子で
は、発光層３より側面方向へ発射した光は、発光層３内
を進行し、傾斜下側面により底面方向へ一部反射され
る。底面方向へ反射された光は、吸収係数の非常に大き
いＧａＡｓ基板１により吸収され、外部へは取り出され
ない。
は、発光層３より側面方向へ発射した光は、発光層３内
を進行し、傾斜下側面により底面方向へ一部反射され
る。底面方向へ反射された光は、吸収係数の非常に大き
いＧａＡｓ基板１により吸収され、外部へは取り出され
ない。
【００３４】ＩｎＧａＡｌＰ材料の光屈折率は約３．３
〜３．７程度であり、またＬＥＤ製品にした場合には、
発光素子を取り囲むように封止するエポキシ樹脂の屈折
率が約１．５〜１．５５程度であるので、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ−エポキシ樹脂界面と、発光層３からの出射光とのな
す角度が約６２°以上になると、スネルの法則により界
面外部へ取り出される光の量は、０となり、全反射とな
る。
〜３．７程度であり、またＬＥＤ製品にした場合には、
発光素子を取り囲むように封止するエポキシ樹脂の屈折
率が約１．５〜１．５５程度であるので、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ−エポキシ樹脂界面と、発光層３からの出射光とのな
す角度が約６２°以上になると、スネルの法則により界
面外部へ取り出される光の量は、０となり、全反射とな
る。
【００３５】このように本実施例では、素子側面から不
要な光を外部へ出射しないようにしたので、単色性を大
幅に向上させることができる。特に、主発光波長が約５
８０ｎｍ以下の緑色領域で発光する緑色発光ＬＥＤの場
合においては、その効果が顕著とすることができる。
要な光を外部へ出射しないようにしたので、単色性を大
幅に向上させることができる。特に、主発光波長が約５
８０ｎｍ以下の緑色領域で発光する緑色発光ＬＥＤの場
合においては、その効果が顕著とすることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、発光層の側面を該発光層の下層側へ広がる傾斜構造
としたので、素子側面からの不要な光が外部へ出射する
のを防止でき、発光色の単色性を向上させることができ
る。
ば、発光層の側面を該発光層の下層側へ広がる傾斜構造
としたので、素子側面からの不要な光が外部へ出射する
のを防止でき、発光色の単色性を向上させることができ
る。
【００３７】また、発光層の側面の傾斜構造を、前記発
光層の上面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６
２°以下として形成することにより、前記の効果をより
一層顕著とすることができる。
光層の上面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６
２°以下として形成することにより、前記の効果をより
一層顕著とすることができる。
【００３８】さらに、従来、単色性の悪化が顕著であっ
た緑色領域においても、その単色性を向上させることが
できる。
た緑色領域においても、その単色性を向上させることが
できる。
【００３９】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの発光層
を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該発光層
の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発光層の
側面側をエッチングする第２の工程とを有するので、例
えば、ウェーハ状の複数の発光素子に前記傾斜構造を簡
易且つ的確に形成することが可能となる。
は、半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌＰの発光層
を積層する第１の工程と、前記発光層の側面が該発光層
の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発光層の
側面側をエッチングする第２の工程とを有するので、例
えば、ウェーハ状の複数の発光素子に前記傾斜構造を簡
易且つ的確に形成することが可能となる。
【図１】本発明を実施した半導体発光素子の断面構造図
である。
である。
【図２】図１の半導体発光素子の製造方法を示す工程図
（その１）である。
（その１）である。
【図３】図１の半導体発光素子の製造方法を示す工程図
（その２）である。
（その２）である。
【図４】図１の半導体発光素子の製造方法を示す工程図
（その３）である。
（その３）である。
【図５】従来の半導体発光素子の断面構造図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ３ ＩｎＧａＡｌＰ発光層 ４ ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 ５ ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層 ６ ｐ側電極 ７ ｎ側電極 ８ レジスト ９ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に積層されたＩｎＧａＡｌ
Ｐの発光層を有する半導体発光素子において、 前記発光層の側面を、該発光層の下層側へ広がる傾斜構
造としたことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記発光層の側面の傾斜構造は、前記発
光層の上面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が６
２°以下として形成されたことを特徴とする請求項１記
載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 主発光波長が５８０ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体発光素
子。 - 【請求項４】 半導体基板上に少なくともＩｎＧａＡｌ
Ｐの発光層を積層する第１の工程と、 前記発光層の側面が該発光層の下層側へ広がる傾斜構造
となるように、前記発光層の側面側をエッチングする第
２の工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6099688A JPH07307489A (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006191068A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Electron Inc | 高出力発光ダイオード及びその製造方法 |
| US7391153B2 (en) * | 2003-07-17 | 2008-06-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation |
| US20080258161A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Edmond John A | Transparent ohmic Contacts on Light Emitting Diodes with Carrier Substrates |
| JP2010267699A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US7947998B2 (en) | 1997-11-19 | 2011-05-24 | Unisplay S.A. | LED lamps |
| US8587020B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-11-19 | Epistar Corporation | LED lamps |
| CN105185882A (zh) * | 2014-06-04 | 2015-12-23 | 璨圆光电股份有限公司 | 发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构 |
| US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP6099688A patent/JPH07307489A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8779460B2 (en) | 1997-11-19 | 2014-07-15 | Epistar Corporation | Light source unit |
| US7947998B2 (en) | 1997-11-19 | 2011-05-24 | Unisplay S.A. | LED lamps |
| JPH11224960A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-17 | Unisplay Sa | Ｌｅｄランプ並びにｌｅｄチップ |
| US8692268B2 (en) | 1997-11-19 | 2014-04-08 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US8587020B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-11-19 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US8604508B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-12-10 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US8592856B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-11-26 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US8399903B2 (en) | 1997-11-19 | 2013-03-19 | Epistar Corporation | LED lamps |
| US7391153B2 (en) * | 2003-07-17 | 2008-06-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation |
| JP2006191068A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Electron Inc | 高出力発光ダイオード及びその製造方法 |
| US7939841B2 (en) | 2004-12-31 | 2011-05-10 | Lg Electronics Inc. | High output light emitting diode and method for fabricating the same |
| US20080258161A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-23 | Edmond John A | Transparent ohmic Contacts on Light Emitting Diodes with Carrier Substrates |
| US9484499B2 (en) * | 2007-04-20 | 2016-11-01 | Cree, Inc. | Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates |
| JP2010267699A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
| CN105185882A (zh) * | 2014-06-04 | 2015-12-23 | 璨圆光电股份有限公司 | 发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构 |
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